JPH04159635A - 記録媒体、その製造方法及びそれを用いた情報処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明はプローブ電極による情報処理方法に対する記録
媒体、その製造方法、及びそれを用いた情報処理装置に
関する。

［従来の技術］ 近年、メモリ材料の用途は、コンピュータ及びその関連
機器、ビデオディスク、ディジタルオーディオディスク
等のエレクトロニクス産業の中核をなすものであり、そ
の材料開発も極めて活発に進んでいる。メモリ材料に要
求される性能は用途により異なるが、−船釣には、 ■高密度で記録容量が大きい、 ■記録再生の応答速度が早い、 ■消費電力が少ない、 ■生産性が高く、価格が安い、 などが挙げられる。

従来までは磁性体や半導体を素材とした半導体メモリや
磁気メモリが主であったが、近年レーザー技術の進展に
ともない、有機色素、フォトポリマーなとの有機薄膜を
用いた光メモリによる安価で高密度な記録媒体が登場し
てきた。

一方、最近、導体の表面原子の電子構造を直接観察でき
る走査型トンネル顕微鏡（以後、ＳＴＭと略す）が開発
され（ジー・ビニッヒ（Ｇ。

Ｂｉｎ−ｎｉｇ）他「フィズイヵル・レビュー・レター
（Ｐｈｙｓ、Ｒｅｖ、Ｌｅｔｔ）Ｊ　４９゜５７　（１
９８２））、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分
解能の測定ができるようになり、しかも試料に電流によ
る損傷を与えずに低電力で観測できる利点も有し、更に
大気中でも動作し、種々の材料に対して用いることがで
きるため広範囲な応用が期待されている。

ＳＴＭは金属の探針（プローブ電極）と導電付物質問に
電圧を加えてｌｎｍ程度の距離まで近づけると、トンネ
ル電流が流れることを利用している。この電流は両者の
距離変化に非常に敏感である。トンネル電流を一定に保
つように探針を走査することにより実空間の全電子雲に
関する種々の情報をも読み取ることができる。この際、
面内方向の分解能は０．１ｎｍ程度である。

したがって、ＳＴＭの原理を応用すれば、十分に原子オ
ーダー（サブ・ナノメートル）での高密度記録再生を行
なうことが可能である。例えば、特開昭６１−８０５３
６号公報に開示されている記録再生装置では、電子ビー
ム等によって媒体表面に吸着した原子粒子を取り除き、
書き込みを行ない、ＳＴＭによりこのデータを再生して
いる。

また米国特許第４，５７５，８２２号明細書に開示され
ているように、記録媒体表面とプローブ電極との間に流
れるトンネル電流を用いて、媒体表面に形成された誘電
体層に電荷を注入し記録する。あるいは、レーザー光、
電子ビーム、粒子線等を用いて媒体表面の物理的、ない
し磁性的な崩壊によって配録する方法が提案されている
。

記録層として電圧電流のスイッチング特性に対してメモ
リ効果を持つ材料、例えばπ電子系有機化合物やカルコ
ゲン化合物類の薄膜層を用いて、記録・再生をＳＴＭで
行なう方法が提案されている［特開昭６３〜１６１５５
２号公報、特開昭６３−１６１５５３号公報］。号公報
法によれば、記録のビットサイズをｌＯｎｍとすれば、
１０　”ｂ　ｉ　ｔ／　ｃｍ”もの大容量記録再生が可
能である。

第３図にＳＴＭを応用した情報処理装置の構成例を示す
。以下図面に従って説明する。

１０１　Ｃ１基板、ｌＯ２はトラック電極、１０３は記
録層、１０４は保護層、以上をまとめた１は記録媒体で
ある。２０１はＸＹステージ、２０２はプローブ電極、
２０３はプローブ電極の支持体、２０４はプローブ電極
を２方向に駆動する圧電素子のような２軸リニアアクチ
ユエータ、２０５．２０６はＸＹステージをそれぞれｘ
、　ｙ方向に駆動する圧電素子のようなリニアアクチュ
エータ、２０７はパルス電圧回路である。

３０１はプローブ電極２０２から記録層１０３を介して
トラック電極１０２へ流れるトンネル電流を検出する増
幅器である。３０２はトンネル電流の変化をプローブ電
極２０２と記録層１０３の間隙距離に比例する値に変換
するための対数圧縮器、３０３は記録層１０３の表面凹
凸成分を抽出するための低域通過フィルタである。３０
４は基準電圧ＶＲＥＦと低域通過フィルタ３０３の出力
との誤差を検出する誤差増幅器、３０５はアクチュエー
タ２０４を駆動するドライバーである。

３０６はＸＹステージ２０１の位置制御を行う駆動回路
である。３０７はデータ成分を分離する高域通過フィル
タである。

第４図に従来例の記録媒体の断面とプローブ電極２０２
の先端を示す。

１０１は基板、１０２はトラック電極、１０３は記録層
、２０２はプローブ電極である。

また、４０２は基板１０１上にトラック電極１０２を形
成したときにできた結晶粒である。このように、一般に
トラック電極１０２は、多数の結晶粒からなる多結晶体
である。トラック電極層１０２の製法は、通常の真空蒸
着法、スパッタ法等がある。

プローブ電極２０２と記録層１０３との間隙は第３図に
示された回路構成により一定に保つことができる。すな
わちプローブ電極２０２と記録層１０３の間に流れるプ
ローブ電流を検出し対数圧縮器３０２、低域通過フィル
タ３０３を介した後、この値を基準電圧と比較し、この
比較値が零に近付くようにプローブ電極２０２を支持す
る２軸リニアアクチユエータ２０４を制御することによ
り、プローブ電極２０２と記録層１０３の間隙を一定に
することができる。

さらに、ＸＹステージ２０１を駆動することにより記録
媒体の表面をプローブ電極２０２がなぞることにより記
録層１０３のデータを検出できる。

またトラッキングは、トラック電極１０２のエツジを利
用して行なっている。

［発明が解決しようとする課題］ 従来例に示された記録媒体を使用した場合以下のような
問題点があった。

すなわちトラック電極が結晶粒の集合体である多結晶か
らなり、トラック電極のエツジが一般に結晶粒の凹凸を
反映して直線性が悪く、このためトラッキングの精度が
悪（、このことは結果としてデータの読み取り誤り率を
大きくし、情報処理装置としての信頼性を低下させるな
どの問題点を有することとなっている。

［課題を解決するための手段及び作用］本発明は上記問
題点を鑑み行われたものであり、その目的は高いＳ／Ｎ
比と高速読みだしが可能な記録媒体、その製造方法、及
びそれを用いた情報処理装置を提供することである。

すなわち、本発明は、プローブ電極による情報処理方法
に対する記録媒体、その製造方法、及びそれを用いた情
報処理装置に関して、記録媒体が、Ｓｉ基板と該Ｓｉ基
板上に形成したトラック電極と該Ｓｉ基板及び該トラッ
ク電極上に形成した電気メモリー効果を有する記録層か
らなり、該トラック電極が単結晶であり、その表面が、
異なる面方位を有する少なくとも２面以上の結晶面から
なることを特徴とする記録媒体、その製造方法、及びそ
れを用いた情報処理装置を提供するものである。

本発明による記録媒体を提供することにより、ＳＴＭの
原理を応用した情報処理装置の機能を十分に生かすこと
を可能とした。

以下、図面にしたがって本発明を説明する。

第１図は本発明による記録媒体の断面図を示し、１０１
は基板、１０２はトラック電極、１０３は記録層、１０
４は基板の保護層である。

第２図は、本発明に関わる記録媒体の作成の各工程にお
ける断面図を示したものである。本発明では、トラック
電極１０２の形成において、基板士に選択的に導電性材
料の堆積を行うため、ＣＶＤ法を用いている。すなわち
、トラック電極１０２の構成要素となる原子を少なくと
も１つ含む原料ガスと反応ガスの混合ガスによる気相成
長により基板１０１上にトラック電極１０２を形成する
。このとき本発明に適用可能な基板１０１は、電子供与
性を有するＳｉ基板である。

電子供与性とは、基体中に自由電子が存在しているか、
あるいは自由電子を意図的に生成せしめたかしたもので
、一般に金属や半導体がこの性質を有する。

具体的には、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質
シリコン等の半導体よりなる基板である。

本発明においては、第１図（ａ）に示したような基板１
０１上に電子供与性のない薄膜である保護層１０４を有
する基板を用い、係る保護層１０４を第３図（ｃ）に示
す様に所望の形態にパターニングした後、ＣＶＤ法によ
る堆積を行うことにより、係る基板１０１上に選択的に
堆積を行っている。係る電子供与性のない薄膜としては
、基板１０１の酸化層や、通常の有機レジストなどがあ
げられるが、これらに限らず電子供与性を持たず、かつ
、薄膜として形成できるものであれば、いずれも使用可
能である。基板１０１の酸化膜を使用した場合には、係
る酸化膜をパターニングするために第３図（ｂ）、（Ｃ
）に示したように有機レジストなどを用いて酸化膜のエ
ツチングを行うが、これらはいずれも従来公知の方法を
用いれば容易に達成することが可能である。

このように、電子供与性のある表面と、ない表面を形成
した基板１０１に対して第３図（ｄ）に示したように、
ＣＶＤ法により電子供与性のある表面にだけ選択的に導
電性材料を堆積し、トラック電極１０２を形成した。

本発明で用いられるトラック電極１０２の材料は、高い
伝導性を有するものであれば良く、例えばＡｕ、Ｐｔ、
Ａｇ、Ｐｄ、Ａｊ２．Ｉｎ、Ｓｎ。

ｐｂ、ｗなどの金属やこれらの合金、さらにはグラファ
イトやシリサイド、またさらにはＩＴＯなどの導電性酸
化物を始めとして数多くの材料が挙げられ、これらの本
発明への適用が考えられる。

更に、ＣＶＤ法によれば、電極表面に少なくとも２面以
上の異なる結晶面を有する、単結晶であるトラック電極
１０２を形成することができる。

本発明では、係る２面以上の結晶面が交る線が極めて直
線性の高いことに着目し、係る交線をトラッキングに用
いることにより、高いＳ／Ｎ比と高速読みたしが可能と
なる。

以上のようにトラック電極１０２を形成した基板１０１
上に第３図（ｅ）に示したように記録層１０３を形成し
た。（以上を合わせて記録媒体ｌとする。） 本発明で用いられる記録層１０３の材料としては、電流
・電圧特性に於いて、メモリースイッチング現象をもつ
材料を利用できる。例えば（１）酸化物ガラスやホウ酸
塩ガラスあるいは周期律表のＩ［Ｉ、　ＩＶ、　Ｖ、　
Ｖｌ族元素と化合したＳｅ。

Ｔｅ、Ａｓを含んだカルコゲン化物ガラス等のアモルフ
ァス半導体が挙げられる。それらは光学的バンドギャッ
プＥｇが０．６〜１．４ｅＶあるいは電気的活性化エネ
ルギー△Ｅが０．７〜１．６ｅＶ程度の真性半導体であ
る。カルコゲン化物ガラスの具体例としては、Ａｓ−３
ｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ａｓ−５ｅ系、５ｉ−Ｇｅ−Ａｓ−
Ｔｅ系、例えばＳ　ｉ　１６Ｇ　ｅ　１４Ａ　Ｓ　ｓ　
Ｔ　ｅ　ｅＳ（添字は原子％）、あるいはＧｅ−Ｔｅ−
Ｘ系、５ｉ−Ｔｅ−Ｘ系（Ｘ＝少量のＶ　　Ｖｌ族元素
）例えばＧｅ＋５Ｔｅａ＋Ｓｂｚ　Ｓ２が挙げられる。

更にはＧｅ−５ｂ−Ｓｅ系のカルコゲン化物ガラスも用
いることができる。

上記化合物をトラック電極１０２上に堆積したアモルフ
ァス半導体層において、膜面に垂直な方向にプローブ電
極２０２を用いて電圧を印加することにより媒体の電気
メモリー効果を発現することができる。

係る材料の堆積法としては従来公知の薄膜形成技術で充
分本発明の目的を達成することができる。例えば好適な
成膜法としては、真空蒸着法やクラスターイオンビーム
法等を挙げることができる。−射的には、係る材料の電
気メモリー効果は数μｍ以下の膜厚で観測されているが
、記録媒体１としての記録分解能に関しては、より薄い
方が好ましいが、均一性、記録性の関点から１００Å以
上１μｍ以下の膜厚のものが良（、更に好適には１００
０Å以下の膜厚のものがよい。

（２）更にはテトラキノジメタン（ＴＣＮＱ）、ＴＣＮ
Ｑ誘導体、例えばテトラフルオロテトラシアノキノジメ
タン（ＴＣＮＱＦ、）、テトラシアノエチレン（ＴＣＮ
Ｅ）およびテトラシアノナフトキノジメタン（ＴＮＡＰ
）などの電子受容性化合物と銅や銀などの還元電位が比
較的低い金属との塩を電極上に堆積した有機半導体層も
挙げることができる。

係る有機半導体層の形成法としては、銅あるいは銀の電
極上に前記電子受容性化合物を真空蒸着する方法あるい
は共蒸着が用いられる。

かかる有機半導体の電気メモリー効果は、数十μｍ以下
の膜厚のもので観測されているが、成膜性、均一性の関
点から１００人〜１μｍの膜厚のものが好ましい。

（３）また更にはシリコン、好ましくはアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）を挙げることができる。例えば金属
／ａ−３ｉ（ｐ”層／ｎ層／ｉ層）あるいは金属／ａ−
３ｉ（ｎ”層／ｐ層／ｉ層）の層構成であり、ａ−３ｉ
の各層の堆積法は従来公知の方法によって充分行うこと
が可能である。本発明では好適にはグローディスチャー
ジ法（ＧＤ）が用いられる。ａ−Ｓｉの膜厚はｎ層とし
ては２０００人〜８０００人、ｉ。

ｐ゛層は１０００人程度が好適であり、全膜厚は０．５
μｍ〜１μｍ程度のものが良い。

またプローブ電極２０２の先端は情報処理の分解能を上
げるため出来るだけ尖らせる必要がある。本発明では、
１φの太さの白金の先端を９０”のコーンになるように
機械的に研磨し超高真空中で電界をかけて表面原子を蒸
発させたものを用いているが、プローブ電極２０２の形
状や処理方法は何らこれに限定するものではない。

［実施例コ 以下、実施例を用いて、本発明を更に詳しく説明する。

（実施例１） 以下に示す手順で記録媒体１を作成した。まず、表面に
保護層１０４であるＳｉ酸化膜が１μｍ積層された表面
の結晶方位が（１１１）面であるＳｉ基板１０１を、酢
酸ブチルによって洗浄し、係る基板上にネガ型レジスト
（ＲＤ−２００ＯＮ−１０）を塗布した後Ｄｅｅｐ−Ｕ
Ｖ露光装置及び専用の現像液を用いて、第３図（ｂ）に
示すようなライン　アンド　スペースのレジストパター
ンを形成した後ＨＦ溶液でＳｉ酸化膜１０４をエツチン
グして、第３図（Ｃ）に示したＳｉ酸化膜１０４のパタ
ーンを得た。次に、ＣＶＤ法により係る基板上に以下に
示す条件でＡρを積層し、トラック電極１０２を形成し
た。

反応室真空度：ｌＸ１０−”Ｔｏｒｒ 原料ガス：ジメチルアルミニウムハイドライドキャリア
ガス：Ｈ２ 全　　圧　　カニ　　１．　５Ｔｏｒｒ基板温度：３０
０℃ 原料ガス分圧：　１．５ｘｌＯ−’Ｔｏｒｒ次に、係る
基板をロード・ロックを用いて、別の真空蒸着装置に移
しく不図示）、記録層１０３としてＳ　ｉ　＋ａＧｅ＋
４ＡＳｓ　Ｔｅａｓの原子組成比で表されるアモルファ
ス半導体を従来公知の真空蒸着法により２０００人蒸看
して、記録媒体１とした。

以上のようにして作成した記録媒体１に対して第４図に
示した情報処理装置を用いてトラック電極１０２上の結
晶面の交線の確認と記録・再生・消去の実験を行った。

まず、２０００人の膜厚を有する前記カルコゲン化物ガ
ラスの記録層１０３をもつ記録媒体ｌをトラック電極１
０２の方向がＹ方向と一致するようにＸＹステージ２０
１の上に置き、Ａρ電極（アース側）１０２とプローブ
電極２０２の間に１．０■の電圧を印加し、電流をモニ
ターしながらプローブ電極２０２と記録層１０３表面と
の距離（Ｚ）を調整した。その後、微動制御機構１０７
を制御してプローブ電流Ｉｐが１０−’Ａになるように
微動機構１０７を制御した。

プローブ電極２０２と記録層１０３表面との距離Ｚを制
御するためのプローブ電流ｒｐは１］’Ａ≧Ｉｐ≧１Ｏ
−１２Ａ、好適には１０−”Ａ≧Ｉｐ≧１Ｏ−１０Ａに
なるようにプローブ電圧を調整する必要がある。

次に、プローブ電極２０２をＸ方向に走査して、トラッ
ク電極１０２を確認した後、トラック電極１０２の表面
形状を調べたところ、異なる２つの結晶面の交線が明確
に判別できた。

ＸＹステージ１１４をプローブ電極２０２に対して一定
の間隔でトラックにそって移動させながら、閾値電圧Ｖ
ｔｈ　　ＯＮ以上の矩形パルス電圧（２ｏ　ｖｍａｘ　
、ｏ　、　　１　μｓ　）を印加して、低抵抗状態（Ｏ
Ｎ状態）を生じさせた。その後プローブ電極２０２とト
ラック電極１０２の間に読み取り用の１．０■のプロー
ブ電圧を印加して、低抵抗状態領域と高抵抗状態領域に
流れる電流量の変化をトラックにそって直接読み取るか
、又はサーボ回路１０６を通して読み取ることができる
。本例ではＯＮ状態領域を流れるプローブ電流が記録前
（又はＯＦＦ状態領域）と比較して２桁以上変化してい
たことを確認した。

更にプローブ電極２０２に閾値電圧ｖｔｈＯＦＦ以上の
矩形パルス電圧（５０Ｖ、、〜１０ｔＬｓ）を印加しな
がら、再び記録位置をトラックにそってトレースした結
果、全ての記録状態が消去されＯＦＦ状態に遷移したこ
とを確認した。また記録の消去は光学的な方法でも可能
である。

また、第３図（ｄ）の状態の基板を使って記録・再生実
験とは別に、Ａβ電極１０３の結晶性をＸ線回折法およ
び反射電子線回折法を用いて評価したところ５ｉ（１１
１）面上のＡＪ２膜は基板に平行な面が（１００）面を
持つ単結晶であった。

（比較例） 実施例１に対して、電極の成膜を通常の抵抗加熱法で行
った以外は同様の方法で作成した記録媒体について記録
・再生・消去の実験を行ったところ、トラッキングに際
して、電極のエツジの検出が困難で、実施例１に対して
記録・再生時のＳ／Ｎ比が著しく悪化した。

（実施例２） 実施例１において、Ｓｉ基板１０１としてＳｉ基板表面
の結晶方位が（１００）面であるものを用い、Ａ℃の堆
積において、ＤＭＡＨラインのキャリアガスにＡｒを用
いて堆積を行った以外は、実施例１と同様の手順で作成
した記録媒体について、トラック電極１０２上の記録層
１０３の平面性の確認と、記録・再生実験を行ったとこ
ろ実施例１と同様の良好な結果が得られた。また、Ａρ
電極１０３の結晶性を実施例１と同様に調べたところ、
Ａβ電極１０３は基板に平行な面が（１１１）面を持つ
単結晶であった。

（実施例３） 実施例１に示したＡｊ２の堆積において、原料ガスであ
るアルキルアルミニウムハイドライドとし７て、ＭＭＡ
Ｈ２を用い、全圧力を１．５Ｔｏｒｒ、ＭＭＡＨｚ分圧
を５ＸｌＯ−’Ｔｏｒｒと設定して堆積を行った以外は
、実施例１と同様の手順で作成した記録媒体について、
トラック電極１０２上の記録層１０３の平面性の確認と
、記録・再生・消去実験を行ったところ実施例１と同様
の良好な結果が得られた。

（実施例４） 実施例１に示したＡρの堆積において、全圧力を０．３
Ｔｏｒｒ、ＤＭＡ８分圧を３Ｘ１０−’Ｔｏｒｒと設定
してＡＪ２の堆積を行った以外は、実施例１と同様の手
順で作成した記録媒体について、トラック電極１０２上
の記録層１０３の平面性の確認と、記録・再生・消去実
験を行ったところ実施例１と同様の良好な結果が得られ
た。

（実施例５） 実施例１で用いたＳ　ｉ　＋ａＧ　ｅ　１４Ａ　Ｓ　ｓ
　Ｔ　ｅ　ｓｓ記録層１０３の代わりに、Ｇ８＋５Ｔｅ
ｅ＋５ｔ）ａ　Ｓ２を用いた以外は、実施例１と全く同
様にして実験を行った。実施例１と同様に充分なＳ／Ｎ
比で記録の書き込みと読み取りが出来ることがわかった
。

（実施例６） 実施例１〜５で用いたカルコゲン化物ガラス記録層１０
３の代わりに、ＣｕＴＣＮＱＦ４を用いた外は、実施例
１と同様の記録再生実験を行った。記録用印加電圧は、
２Ｖｍａｘ　、１０ｎｓの矩形パルスを用い、再生用お
よびプローブ電流制御用の印加電圧は０．ＩＶとしてい
る。その結果、実施例１と同様に充分なＳ／Ｎ比で記録
再生を行うことができた。つぎにＣｕ　Ｔ　ＣＮ　Ｑ　
Ｆ　４記録媒体の作成法について述べる。

実施例１と同様の方法でＡρのトラック電極１０２を形
成したＳｉ基板１０１上にＣｕとＴＣＮＱＦ４を真空蒸
着法により共蒸着してＣｕ−ＴＣＮＱＦ４層を２０００
人堆積した（基板温度；室温）。このとき蒸着速度をＣ
ｕ；５人／ｓ、ＴＣＮＱＦ、；２０人／Ｓ程度になるよ
うにあらかじめ設定した電流値を流し加熱した。その結
果、ＣｕＴＣＮＱＦ４生成による青い膜が堆積すること
を確認した。

（実施例７） 実施例１と同様の方法でＡρのトラック電極１０２を形
成したＳｉ基板１０１上にグロー放電法により１０００
人のｐ゛型のアモルファスシリコン膜を形成した。その
時の作成条件は導入ガス；　Ｂ２　Ｈｓ　／Ｓ　ｉ　Ｈ
４（Ｎ　１２＋４６／　Ｎ　ｓｌ、４ａ＝　ｌ　Ｏ−’
）（Ｈ，ガスで０．０２５モル％に稀釈）ｒｆパワー；
　０．ＯＩ　Ｗ／　ｃｍ”圧　　　　　力　；０．　５
ｔｏｒｒ 基板温度、３００℃ 堆積速度；３０人／ｍｉｎ である。次に余剰の原料ガスを排出したのち、新たな原
料ガスを供給してｎ型のアモルファスシリコンを５００
０人堆積した。作成条件は下記の通りである。

導入ガス；　ｐＨａ　／Ｓ　１Ｈ４ （ＮｐＨ，／Ｎ５ｉＨ４＝　５　Ｘ　１０−”）（Ｈ，
ガスで０．０５モル％に稀釈） ｒｆパワー；　０．０１Ｗ／ｃｍ” 圧　　　　力；０．　５ｔｏｒｒ 基扱温度；３００℃ 堆積速度；４０人／　ｍ　ｉ　ｎ また、原料ガスを排気したのち、Ｈ２ガスで０．０５モ
ル％に稀釈したＳ　ｉ　Ｈ４をチャンバーに導入し、他
の条件は一定にしてｉ相のアモルファスシリコンを１０
００人堆積した。

以上のようにして作成した記録媒体に実施例１と同様の
記録再生実験を行った。その結果充分なＳ／Ｎ比を示し
て記録再生を行うことができた。

なお記録・再生・消去に対して下記の電圧を印加した。

記録用　　２０Ｖ 再生用　　０．５Ｖ 消去用　　−５■ ［発明の効果］ 以上説明したように本発明によれば、下記の効果があげ
られる。

（１）ＣＶＤ法による結晶金属の堆積を行い、係る結晶
の異なる２つ以上の結晶面の交線の、高い直線性を利用
してトラッキングを行うことで、高いＳ／Ｎ比と高速読
みたしが可能な記録・再生が可能となった。

（２）光記録に比べても、はるかに高密度な記録が可能
な記録・再生方法を開示した。

（３）再生に必要なエネルギーは小さ（、消費電力は少
ない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の記録媒体の模式断面図、第２図は本発
明の記録媒体の製造工程図、第３図はＳＴＭを応用した
情報処理装置の構成例、第４図は従来例の記録媒体の模
式断面図である。 １・・・記録媒体　　　　　１０１・・・基板１０２・
・・トラック電極　１０３・・・記録層１０４・・・保
護層　　　　２０１・・・ＸＹステージ２０２・・・プ
ローブ電極 ２０３・・・プローブ電極の支持体

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、素子に流れる電流をプローブ電極により検出する情
   報処理装置に用いる記録媒体であって、該記録媒体が、
   Ｓｉ基板と該Ｓｉ基板上に形成したトラック電極と該Ｓ
   ｉ基板及び該トラック電極上に形成した電気メモリー効
   果を有する記録層からなり、該トラック電極が単結晶で
   あり、その表面が異なる面方位を有する少なくとも２面
   以上の結晶面からなることを特徴とする記録媒体。 ２、Ｓｉ基板上の電子供与性のある表面に導電性材料を
   選択的に堆積することによりトラック電極を形成するこ
   とを特徴とする請求項（１）記載の記録媒体の製造方法
   。 ３、請求項（１）記載の記録媒体を有する情報処理装置
   。 ４、記録層がカルコゲン化物で形成したアモルファス半
   導体であることを特徴とする請求項（１）記載の記録媒
   体。 ５、カルコゲン化物が周期律表のIII、IV、Ｖ及びVI族
   の元素の内の少なくとも１種の元素と、Ｓｅ、Ｔｅ及び
   Ａｓのうちの少なくとも１種の元素とを含有しているこ
   とを特徴とする請求項（４）記載の記録媒体。 ６、記録層が有機半導体であることを特徴とする請求項
   （１）記載の記録媒体。 ７、有機半導体が電子受容体と金属を含有する化合物で
   あることを特徴とする請求項（６）記載の記録媒体。 ８、電子受容体がテトラシアノキノジメタン、テトラシ
   アノエチレンまたは、テトラフルオロテトラシアノキノ
   ジメタン、テトラシアノナフトキノジメタンであること
   を特徴とする請求項（７）記載の記録媒体。 ９、記録層がシリコンであることを特徴とする請求項（
   １）記載の記録媒体。 １０、シリコンがアモルファスシリコンであることを特
   徴とする請求項（９）記載の記録媒体。 １１、アモルファスシリコンがｐ＾＋／ｎ／ｉ積層体ま
   たはｎ＾＋／ｐ／ｉ積層体であることを特徴とする請求
   項（１０）記載の記録媒体。 １２、プローブ電極に対してＸＹ走査が可能なＸＹステ
   ージ駆動装置を有していることを特徴とする請求項（３
   ）記載の情報処理装置。 １３、プローブ電極と記録媒体の相対位置を３次元的に
   微動制御する手段を有していることを特徴とする請求項
   （３）記載の情報処理装置。