JPH04158518A

JPH04158518A - 半導体ウェハ熱処理装置

Info

Publication number: JPH04158518A
Application number: JP28470090A
Authority: JP
Inventors: Kazuhide Matsumoto; 一秀松本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1990-10-23
Filing date: 1990-10-23
Publication date: 1992-06-01

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の目的〕（産業上の利用分野）本発明は、半導体ウェハに酸化、拡散及びアニール等の
熱処理を施すのに使用して最適な半導体ウェハ熱処理装
置に関する。

（従来の技術）半導体ウェハに酸化、拡散及びアニール等の熱処理を施
す半導体ウェハ熱処理装置としては、半導体装置の微細
化及び高集積化が進むにつれ縦型炉（反応管）が使われ
始めている。

第１１図は、従来の一般的な縦型拡散炉システムにおい
て、半導体ウェハの熱処理工程かクリーンルーム内でど
のようになされていくかを概略的に示す平面図である。

即ち、半導体ウェハＷ（第１２図参照）が収められたウ
ェハキャリア１は、前工程から作業者或いは無人搬送車
等によって順次ウェハ移載装置２まで搬送されてくる。

そして、このウェハキャリア１内の半導体ウェハＷは、
このウェハ移載装置２によってウェハボート３に移載さ
れるのであるが、これを第１２図により説明する。

即ち、ウェハ移載装置２は、ハンドラ４、水平移動装置
ら、上下駆動装置６及び伸縮装置７とから主に構成され
て、ハンドラ４が３次元方向に移動できるようになされ
ているとともに、ハンドラ４自身も、半導体ウェハＷを
挾むために水平方向の開閉できるようになされている。

前記水平移動装置５には、ボールねじ５ａが備えられ、
このボールねじ５ａの回転によりハンドラ４、上下駆動
装置６及び伸縮装置７は、ガイドレールに沿って直線的
に駆動する構造となっている。また、ウェハキャリア１
は、底を開いた構造となっており、この中に例えば１２
枚の半導体ウェハＷが収められている。

更に、ウェハキャリア１の下方には、ウェハ押上機８か
配設され、このウェハ押上機８にょリウエハキャリア１
内の半導体ウェハＷは真下から押し上げられ、押し上げ
られた半導体ウェハＷは、ハンドラ４によって左右から
挟まれウェハボート３に移し換えられる。

そして、ウェハボート３内に、例えば１００〜１５０枚
の半導体ウェハＷが移載された後、ウェハボート３は、
第１３図に示すように、姿勢変換機構９に設置されてい
るモータ１０の回転により垂直に立てられ、この状態で
ウェハボート搬送装置１１に移される。

そして、ウェハボート３は、ボールねじ１２ａを使用し
た水平移動機構１２により所望のユニット装置１３の前
まで運ばれ、ウェハボート搬送装置１１からウェハボー
ト移載装ｒｌ１１４によってユニット装置１３に写し換
えられ、加熱ヒータ１５が周囲に設置されている反応管
１６の内部に挿入されるのであるが、これを、第１４図
により説明する。

即ち、ウェハボート３は、ハンドラ水平移動機構１７に
より水平移動可能なウェハボート移載装置１４のボート
ハンドラ１４ａによって支持され、回転機構１８により
１８０度回転された後、ボートエレベータ１９に乗せら
れる。そして、ウェハボート３が載置されたボートエレ
ベータ１９は、ボートエレベータ用ボールねじ１９ａの
回転によって上方に動いて行く。

この時、反応管１６の内部は、数１００’Ｃの温度にな
っているので、炉内に空気を巻き込まれないようにＮ２
ガスを炉内上部から流し出している。

また、炉口の周囲には、フィルタ２０が設置してあり、
清浄な空気がダウンフロー型で流れて半導体ウェハＷへ
のパーティクル付着を防止するようなされている。

以上述べたように、反応管１６内に半導体ウェハＷを配
置する際、ウェハキャリア１からウェハボート３への半
導体ウェハＷの移載、ウェハボート３による半導体ウェ
ハＷの搬送は、パーティクル付着防止のためクリーンル
ーム内の清浄な空気の環境下で、また反応管１６へ挿入
前のボートエレベータ１９による半導体ウェハＷの搬送
は、同じ主旨によりフィルタ２ｏの下で行われていた。

但し、反応管１６内のみは、半導体ウェハＷの酸化防止
を図るため、Ｎ２ガス雰囲気になっていた。

（発明が解決しようとする課題）ところが、上記のように構成された半導体ウェハ熱処理
装置では、今後の更なる半導体装置の高集積化、高性能
化に対応してい（ことは難しいと考えられる。

即ち、半導体ウェハの表面に２０〜３０人程度の変形に
薄い膜を均一に、再現性良く、汚染されることなく形成
させるのには、パーティクル付着防止だけに主眼をおい
た装置ではなく、パーティクル付着防止とともに膜形成
前及び膜形成後の半導体ウェハ表面を清浄にコントロー
ルしながら熱処理工程を終わらせる必要がある。

そこで本発明の目的は、コンタミネーションフリーで半
導体ウニ／１の表面に極く薄い膜を均一に、しかも再現
性良く形成することができるようにしたものを提供する
ことにある。

〔発明の構成〕

（課題を解決するための手段）上記目的を達成するため、本発明に係る半導体ウェハ熱
処理装置は、ユニット装置に組み込まれた反応管の内部
と連通し密閉可能で不活性ガスを満たしたトンネル内に
、ウェハキャリア搬送装置、ウェハ移載装置、ウェハボ
ート搬送装置及びウェハボート移載装置を設置したもの
である。

そして、前記ユニット装置、ウェハキャリア搬送装置、
ウェハ移載装置、ウェハボート搬送装置及びウェハボー
ト移載装置の各々に、これらの各装置で保持した半導体
ウエノ＼に向けて不活性ガスを噴射する不活性ガス吹出
し装置を夫々装着したり、前記ウェハキャリア搬送装置
、ウェハ移載装置及びウェハボート搬送装置の搬送車の
駆動源に磁気浮上装置を使用するとともに、前記ウェハ
移載装置のウェハチャック部に静電チャック装置を、ウ
ェハボート移載装置のボート支持部及びユニット装置の
ボートエレベータにシリンダを夫々使用することもでき
る。

（作　用）上記のように構成した本発明によれば、半導体ウェハは
、反応管内での熱処理の前後における移動及び移載時に
おいて、常に不燃性ガス雰囲気内に置かれ、これによっ
てパーティクルの付着を防止するとともに、膜形成前後
における半導体ウェハの表面を、空気中の酸素や水分等
による化学反応を防止することにより清浄にコントロー
ルして、極く薄い膜を均一に、しかも再現性良く形成す
ることができる。

（実施例）以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。

第１図は、本発明の一実施例の全体を概略的に示す平面
図で、反応管１６が組込まれたユニット装置１３の前方
には、内部に不活性ガスＮ２を満たしたトンネル２１が
設置されている。

このトンネル２１の中には、磁気浮上装置２２を駆動源
とした搬送車２３ａ、２３ｂ、２３ｃを夫々有するウェ
ハキャリア搬送装置２４、ウェハ移載装置２５及びウェ
ハボート搬送装置２６が配置され、磁気浮上装置２２用
の一方のガイドレール２７ａは、工程間の搬送も兼ねて
、他方のガイドレール２７ｂより上下方向に長く延びて
いる。

また、トンネル２１の端部には、搬送車２３ｃが通過す
る時のみ開閉する扉２８が配置されている。

前記搬送車２０ａの上にはウェハキャリア１が、搬送車
２０ｃの上にはウェハボート３が夫々載置されており、
磁気浮上装置２２の所々には、別のウェハキャリア１や
ウェハボート３が通過する時などに使用するための搬送
車２０ａ、２０ｃの待機場所２９が設けられている。

なお、上記搬送車２０ａ、２０ｃは、同一構成で、一方
がウェハキャリア搬送装置２４用として、他方がウェハ
ボート搬送装置２６用として使用されるようなされてい
る。

前記ユニット装置１３の後方には、反応管１６へのガス
供給装置３０が、またユニット装置１３の一側方には、
トンネル２１内へＮ２等の不活性ガスを導入するフード
３１が夫々設置されている。

第２図はトンネル２１の横断面図を示すもので、トンネ
ル２１内への不活性ガスＮ２の導入は、次のようにして
行われる。即ち、不活性ガスＮ２は、屋外に設置された
液体窒素タンクからガス純化装置を経てクリーンルーム
内の壁３２の後方のユーティリティゾーンに入ってくる
。このユーティリティゾーンのフード３３には、ファン
３４が設置されており、フィルタ３５を通過してトンネ
ル２１に入り、トンネル２１のフィルタ３６を通過して
ダウンフローで床のグレーティング３７に流れ出すよう
なされている。

ここに、トンネル２１の天井３８は、クリーンルーム内
の気流を乱さないように円弧状になっている。

上記のように構成することにより、以下のような顕著な
効果を奏する。

先ず、前工程で処理された半導体ウェハＷは、直ぐにＮ
２ガス雰囲気のトンネル２１内に置かれるので、従来の
ように空気中の酸素や水分等によって半導体ウェハＷの
表面が化学反応を起こすことなく清浄に保たれる。この
ことは、一連の半導体ウェハＷの搬送及び移載中におい
て更に顕著となる。

なお、トンネル２１内に導入するＮ２ガスをフィルタ３
５．３６によって清浄なガスとなし、更にダウンフロー
に流れ出させることによって、半導体ウェハＷの表面の
パーティクル付着も防止することかできる。しかも、半
導体ウェハＷが存在する空間は、トンネル２１によって
隔離されているので、周囲からの汚染を受けることもな
い。

これらの効果は、例えば前記第１１図乃至第１４図に示
す従来の一般的なウェハキャリア搬送装置、ウェハ移載
装置２及びウェハボート搬送装置１１等を用いた半導体
ウェハ熱処理装置においても同様であるが、本実施例は
、更に次のような効果を奏する。

即ち、ウェハキャリア搬送装置２４、ウェハ移載装置２
５及びウェハボート搬送装置２６の搬送車２３ａ、２３
ｂ、２３ｃの駆動源に磁気浮上式装置２２を使用したの
で、搬送が不接触となり、ボールねし等の機械的接触部
からのパーティクルの発生を皆無とすることができる。

ここに、半導体ウェハＷの移載は、ウェハキャリア搬送
装置２４の搬送車２３ａをガイドレール２７ａ上に静止
させた状態で行われる。ウェハキャリア搬送装置２４用
の搬送車２３ａとウェハボート搬送装置２６用の搬送車
２３ｃは、同じガイトレール２７ａ上にあるが、待機場
所２９が設けであるので、互いに邪魔することなく搬送
でき、一対のガイドレール２７ａ、２７ｂでウェハキャ
リア１とウェハボート３の混在した搬送が可能となる。

次に、磁気浮上装置２２を駆動源としたウェハ移載装置
２５の詳細を第３図に示す。

ガイドレール２７ｂの外枠は、非磁性のアルミニウム等
で作られており、これに強磁性レール３９が取付けられ
、一方搬送車２３ｂと一体にこの下方には電磁石４０が
備えられている。

同図（イ）は、電磁石４０が働いていない状態、即ちガ
イドレール２７ｂ上に搬送車２３ｂが降りて静止した状
態を示している。そして、電磁石４０が働くと、強磁性
レール３９との間に吸引力が働き、搬送車２３ｂが浮上
し磁力によっる推進力を得て走行するようなされている
。

搬送車２３ｂの上には、上下駆動装置４１が立設されて
いるのであるが、この上下駆動装置４１には、Ｎ２ガス
がバイブを通して出入りすることにより、密閉された筒
内でピストンが上下に動く機構が採用されている。そし
て、この上下駆動機構４１の上端には、水平にガイドレ
ール２７ｇの方向に延びる腕４２が連結され、この腕４
２の先端には、静電チャック装置４３が備えられている
。

この静電チャック装置４３は、各一対の電極部４４．４
４で半導体ウェハＷを１枚を保持しているが、この各一
対の電極部４４．４４間には、２〜４１ｆｆの直流電圧
が印加できるようになっている。

同図（０）は、静電チャック装置４３を上から見た図で
、２５対の電極部４４を取り付けた場合を示しもので、
これにより一度に２５枚の半導体ウェハＷを保持・移載
できる。

同図（ハ）は、静電チャック装置４３における電極部４
４の断面図を示すもので、この内部には、リード線４５
が接続された銅板電極４６が埋設させ、絶縁物４７で被
覆されている。これにより、同図（イ）において、一対
の電極部４４．４４に電圧か印加されると、一方の絶縁
物４７の表面にプラスの静電気が、他方にマイナスの静
電気が夫々発生し、この静電気によって半導体ウェハＷ
が吸着されるようなされている。

同図（ニ）は、−本の電極部４４を備えることによって
、半導体ウェハＷを保持するようにした例を示す。即ち
、絶縁物４７の片方に導電性金属４８を貼付け、銅板電
極４ｏとの間に電圧を印加して半導体ウェハＷを吸着す
るようにしたものである。

上記ウユハ移載装Ｗ２５によれば、半導体ウェハＷの着
脱は、電気的制御で簡単に、また半導体ウェハＷの重量
及び数量に合わせて制御できる。

しかも、従来例のように機械的把持部がないので、パー
ティクルの発生が皆無となる。更に、磁気浮上装置２２
を備えたウェハ移載装置２５とすることによって、半導
体ウェハＷの搬送時のパーティクル発生もなくすことが
できる。

第４図（イ）は、搬送車２Ｂａ上において、ウェハボー
ト３が支持枠４９に載置されている状態のウェハボート
搬送装置２６の平面図を示すものである。支持枠４９の
基部には、ボート姿勢変換装置５０が取り付けてあり、
このボート変換装置５０は、回転用腕５１、モータ５２
及び水平回転用モータ５３から主に構成されている。そ
して、半導体ウェハＷは、ウェハボート３の真上から降
ろされてこの内部に載置され、所定の枚数移載された後
、ユニット装置１３の前まで搬送されるようなされてい
る。なお、モータ５２は、後述するように、支持枠４９
を垂直に立てるために使用されるものである。

同図（ロ）は前記（イ）の側面図、同図（ニ）は同じく
側面図であり、モータ５２の下には、垂直に立てた支持
枠４９を水平回転させるための水平回転用モータ５３が
取付けられている。また、支持枠４３の下方は、半導体
ウェハＷ及びウェハボート３の出し入れのため開放され
ている。

上記のように構成したウェハボート搬送装置２６によれ
ば、従来装置に比べ構造が簡単となり、パーティクル発
生源となる機械的駆動部を減らすことができる。更に、
磁気浮上装置２２を備えたウェハボート搬送装置２６と
することにより、ウェハ搬送時のパーティクル発生を皆
無となすことができる。

次に、第５囚は、半導体ウェハＷが載置されたウェハボ
ート３を反応管１６内に挿入する時の状態を示す図であ
る。

磁気浮上装置２２を備えたウェハボート搬送装置２６に
よって運ばれてきたウェハボート３は、ユニット装置１
３の前で静止した後、モータ５２によって垂直に立てら
れ、支持枠４９の開放部が炉の方向に向くよう水平回転
用モータ５３で回転させられる。この後、ウェハボート
移載袋ｆｉｆ５４により、ウェハボート３がボートテー
ブル５５に移される。

第５図及び第６図に示すように、前記ウェハボート移載
装置５４は、シリンダ式ボート支持装置５６とこれに直
結されたボート移載用モータ５７とから主に構成され、
シリンダ式ボート支持装置５６は、支持板５８、水平駆
動用シリンダ５９、垂直駆動用シリンダ６０から主に構
成されている。

水平駆動用シリンダ５９には、Ｎ２ガスが出入りするボ
ート６１が取付けられてあり、ここからのＮ２ガスの出
入りによってピストン６２がシール６３を介して水平方
向に駆動し、支持板５８がウェハボート３の下に挿入さ
れる。一方、垂直駆動用シリンダ６０も同じ方法で垂直
方向に動作し、これによってウェハボート３が持ち上げ
られるようなされている。

そして、垂直駆動用シリンダ６０に直結したボート移載
用モータ５７が回転し、支持板５８が反対側に回転され
て、ボートテーブル５５上にウェハボート３が乗せられ
る。

第５図に示すように、ウェハボート３を反応管１６内に
挿入する時、ボートテーブル５５はユニット装置１３の
上部に設置されたシリンダ式ボートエレベータ装置６４
によって持ち上げられる。

このボートエレベータ装置６４の動作は、上述と同じも
のである。

そして、ユニット装ｆ１３には、Ｎ２ガスがユニット装
置用不活性ガス吹出し装置６５ａがら流れている。

このように、半導体ウェハＷの搬送から熱処理までの一
連の動作は、全て不活性ガス雰囲気中で行われる。そし
て、反応管１３内で所定の条件により熱処理された半導
体ウェハＷは、上述の動作とは逆の動作でウェハキャリ
アｌに戻され、次工程に搬送されるようなされている。

上記のように、本実施例のウェハボート搬送装置５４は
、密封構造となったシリンダ式ボート支持装置５６と、
これに直結されたボート移載用モータ５７とから構成さ
れているので、ボールねしのような機械的摺動部がなく
、パーティクルの発生を皆無に抑えることができる。ま
た、ユニット装置１３においても、従来は第１３図に示
すようにボールねじによる駆動装置であったため、特に
サブミクロン以下のパーティクルの発生は防ぎきれなか
っが、上記シリンダ式ボートエレベータ装置５４を使用
することにより、上述と同様の理由によりパーティクル
の発生を皆無に抑えることができる。

以上述べてきたように、上記実施例によれば、半導体ウ
ェハの搬送、移載及び反応管１６内の挿入等の一連の工
程は、全て不活性ガス雰囲気のトンネル２１内で行われ
、しかも機械的摺動部を極力排したことにより、コンタ
ミネーションフリーで半導体ウェハ表面にごく薄い膜を
均一に、再現性良く形成させることができる。

次に、他の実施例を図面を参照しながら説明する。但し
、これまでと重複する部分は同じ番号を付して説明を省
略する。

第７図（イ）は、ウェハキャリア搬送装置２４において
、搬送車２３ａ上の半導体ウニ／）Ｗが載置されたウェ
ハキャリア１の側方に不活性ガス吹出し装置６０ｂを設
置し、この不活性ガス吹出し装置６５ｂから吹出したＮ
２ガスを、ウニノーキャリア１の側面から半導体ウェＩ
＼面に平行な層流となって流れていくようにしたもので
ある。

同図（ロ）は、ウェハキャリア１の正面図であり、半導
体ウェハＷは４本のウェハ支持棒１ａによってその下部
を支持されている。また、ウェハキャリア１は、キャリ
ア支持板１ｂにより搬送車２３ａに固定されている。

同図（ハ）は、不活性ガス吹出し装置６５ｂの正面図、
同図（ニ）は同じく横断面図であり、不活性ガス導入口
６６と、櫛歯状のスリット６７が多数設けられている。

そして、不活性ガス吹出し装置６６ｂの側面から導入さ
れたＮ２ガスは、スリット６７により層流となる。

このように、不活性ガス吹出し装置６５ｂをウェハキャ
リア搬送装置２４に取付けることにより、不活性ガス雰
囲気のトンネル２１内にウェハキャリア搬送装置２４を
置いて半導体ウニ／’Ｗの表面を清浄に保つことができ
る。更に、磁気浮上装置２２を備えたウェハキャリア搬
送装置２４に設置することにより、搬送時におけるパー
ティクルの発生を皆無とすることができる。

第８図は、ウェハボート搬送装置２６の支持枠４９に上
記とほぼ同様な構成の不活性ガス導入口６６と櫛歯状の
スリット６７を多数設けた不活性ガス吹出し装置６５ｃ
を取付け、Ｎ２ガスがウェハボート３に設置された半導
体ウニ／１面に平行な層流となって流れ出すようにした
ものであり、これにより上述した効果と全く同じ効果が
得られる。

第９図は、ウェハ移載装置２５の腕４２に上記とほぼ同
様な構成の不活性ガス導入口６６と櫛歯状のスリット６
７を多数設けた不活性ガス吹出し装置６５ｄを取付け、
Ｎ２ガスが静電チャック装置４３で保持された半導体ウ
ェハ面に平行な層流となって流れ出すようにして、上述
した効果と同じ効果が得られるようにしたものである。

第１０図は、ウェハボート移載装置５４に上記とほぼ同
様の構成の不活性ガス吹出し装置６５ｅを取付け、ウェ
ハボート３を搬送している状態を示した図であり、この
場合も、Ｎ２ガスは、ウェハボート３に設置された半導
体ウェハ面に平行な層流となって流れ出し、上述した効
果と全く同じ効果が得られる。

ユニット装置１３においては、第５図に示したように、
装置内の空間はＮ２ガス雰囲気になっており、半導体ウ
ェハ表面が清浄に保たれたまま反応管１６内に挿入され
る。

更に他の実施例として、ウェハキャリア１をユニット装
置６まで搬送し、ユニット装置６内に設置されているウ
ェハボート３に半導体ウニ／〜を移載するようにしたも
のにおいても、これまで述べてきた構成を採用すること
ができ、同様の効果が得られる。

〔発明の効果〕

本発明は上、記のような構成であるので、半導体ウェハ
は、反応管の熱処理の前後における移動及び移載時に常
に不燃性ガス雰囲気中に置かれることになり、これによ
って空気中の酸素や水分等による化学反応を防止して半
導体ウェハの表面を常に清浄にコントロールし、バテー
チイクルの付着を防止するとともに、極く薄い膜を均一
に、しかも再現性良く形成することができるといった効
果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す概略平面図、第２図は
同じく横断側面図、第３図はウェハ移載装置を示し、同
図（イ）は正面図、同図（ロ）は平面図、同図（ハ）は
電極部の断面図、同図（ニ）は他の例の電極部の断面図
、第４図はウェハボート搬送装置を示し、同図（イ）は
平面図、同図（ロ）は正面図、同図（ハ）は側面図、第
５図はウェハボートの炉内挿入時の状態を示す横断側面
図、第６図はウェハボート移載装置の正面図、第７図は
ウェハキャリア搬送装置の他の実施例を示し、同図（イ
）は側面図、同図（ロ）は正面図、同図（ハ）は不活性
ガス吹出し装置の正面図、同図（ニ）は同しく縦平面図
、第８図はウェハボート搬送装置の他の実施例を示し、
同図（イ）は平面図、同図（ロ）は正面図、第９図はウ
ェハ移載装置の他の実施例を示し、同図（イ）は正面図
、同図（ロ）は側面図、第１０図は他の実施例を示す第
５図相当図、第１１図乃至第１４図は従来例を示し、第
１１図は概略平面図、第１２図はウェハ移載装置の概略
正面図、第１３図はウェハボート姿勢変換装置の概略図
、第１４図は第５図相当図である。１３・・・ユニット装置、１５・・・加熱ヒータ、１６
・・・反応管、２１・・・トンネル、２２・・・磁気浮
上装置、２３　ａ　、　　２３　ｂ　、　　２３　ｃ−
−−搬送車、２４−・・ウェハキャリア搬送装置、２５
・・・ウェハ移載装置、２６・・・ウェハボード搬送装
置、２７ａ、２７ｂ・・・カイトレール、３０・・・ガ
ス供給装置、３９・・・強磁性レール、４０・・・電磁
石、４３・・・静電チャック装置、５０・・・ボード姿
勢変換装置、５４・・・ウェハボート移載装置、５５・
・・ウェハテーブル、５６・・・ボード支持装置、５７
・・・ボード移載用モータ、６４・・・ボートエレベー
タ装置、６５ａ〜６５ｅ・・・不活性ガス吹出し装置、
６６・・・ガス導入口、６７・・・スリット。出願人代理人　　佐　　藤　　−雄ご第２図（イ）　　′ 第４図第５図第６図（ロ）第８図（イ）第７図第１２図第１３図第１４図

Claims

【特許請求の範囲】１、ユニット装置に組み込まれた反応管の内部と連通し
密閉可能で不活性ガスを満たしたトンネル内に、ウェハ
キャリア搬送装置、ウェハ移載装置、ウェハボート搬送
装置及びウェハボート移載装置を設置したことを特徴と
する半導体ウェハ熱処理装置。２、前記ユニット装置、ウェハキャリア搬送装置、ウェ
ハ移載装置、ウェハボート搬送装置及びウェハボート移
載装置の各々に、これらの各装置で保持した半導体ウェ
ハに向けて不活性ガスを噴射する不活性ガス吹出し装置
を夫々装着したことを特徴とする請求項１記載の半導体
ウェハ熱処理装置。３、前記ウェハキャリア搬送装置、ウェハ移載装置及び
ウェハボート搬送装置の搬送車の駆動源に磁気浮上装置
を使用するとともに、前記ウェハ移載装置のウェハチャ
ック部に静電チャック装置を、ウェハボート移載装置の
ボート支持部及びユニット装置のボートエレベータにシ
リンダを夫々使用したことを特徴とする請求項１又は２
記載の半導体ウェハ熱処理装置。