JPH04155994A - セラミック多層配線基板 - Google Patents
セラミック多層配線基板Info
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- JPH04155994A JPH04155994A JP28278590A JP28278590A JPH04155994A JP H04155994 A JPH04155994 A JP H04155994A JP 28278590 A JP28278590 A JP 28278590A JP 28278590 A JP28278590 A JP 28278590A JP H04155994 A JPH04155994 A JP H04155994A
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Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミック多層配線基板に関し、各種電子部
品等に利用される。
品等に利用される。
セラミック多層配線基板としては、従来からアルミナ等
からなるセラミックグリーンシート上に、Ｍ０粉末、Ｗ
粉末等の高融点導電材料を含むペースト又はインクを印
刷した後、これらを積層し、焼成して作製したものが広
く用いられている。
からなるセラミックグリーンシート上に、Ｍ０粉末、Ｗ
粉末等の高融点導電材料を含むペースト又はインクを印
刷した後、これらを積層し、焼成して作製したものが広
く用いられている。
この場合、通常用いられるペースト又はインクとしては
、例えばメタライズ組成が、Ｍ、−Ｗ−Ａ１２０、であ
るものにおいては、該Ｍｏ、Ｗ及びＡ１．０３全体を１
００重量％とした場合、Ｍｏが４〜６重量％、Ｗが９０
〜９３重量％、Ａβ。
、例えばメタライズ組成が、Ｍ、−Ｗ−Ａ１２０、であ
るものにおいては、該Ｍｏ、Ｗ及びＡ１．０３全体を１
００重量％とした場合、Ｍｏが４〜６重量％、Ｗが９０
〜９３重量％、Ａβ。
０．２〜５重量％であるように、Ｗを主体とするものが
知られている。
知られている。
しかし、前記従来のペースト等において、その主体とし
て用いられるＷの電気抵抗は大きく、また焼結性が低い
ため、セラミックグリーンシート上に形成される導電層
の電気抵抗も大きなものとなり、この結果セラミック多
層配線基板の性能の低下を招いていた。
て用いられるＷの電気抵抗は大きく、また焼結性が低い
ため、セラミックグリーンシート上に形成される導電層
の電気抵抗も大きなものとなり、この結果セラミック多
層配線基板の性能の低下を招いていた。
本発明は、上記問題点を解決するものであり、前記ペー
スト等の組成とＭ。の平均粒径の最適化を図ることによ
り、高性能なセラミック多層配線基板を提供せんとする
ものである。即ち、一方では、前記ペースト等の主体を
Ｍ。がなすように作製し、導電材料の焼結を促進し、こ
れにより導電層の電気抵抗の低下を図らんとし、他方で
は、Ｍ。を主体にすることにより生じ得る焼結体の反り
を該Ｍ０の平均粒径を粗くして焼結性を調節することに
より防止せんとし、結局これら両者の調和を図り、低抵
抗、且つ高倍頼性を有するセラミック多層配線基板（以
下、単に「多層配線基板」という。）を提供することを
目的とする。
スト等の組成とＭ。の平均粒径の最適化を図ることによ
り、高性能なセラミック多層配線基板を提供せんとする
ものである。即ち、一方では、前記ペースト等の主体を
Ｍ。がなすように作製し、導電材料の焼結を促進し、こ
れにより導電層の電気抵抗の低下を図らんとし、他方で
は、Ｍ。を主体にすることにより生じ得る焼結体の反り
を該Ｍ０の平均粒径を粗くして焼結性を調節することに
より防止せんとし、結局これら両者の調和を図り、低抵
抗、且つ高倍頼性を有するセラミック多層配線基板（以
下、単に「多層配線基板」という。）を提供することを
目的とする。
本発明者らは、低抵抗及び高儒頼性を備える多層配線基
板を得るために、鋭意研究した所、メタライズ組成とそ
れを構成するＭ０粉末の平均粒径の最適化を図ることに
より、高性能な多層配線基板を得られことを見出して、
本発明を完成するに至ったのである。
板を得るために、鋭意研究した所、メタライズ組成とそ
れを構成するＭ０粉末の平均粒径の最適化を図ることに
より、高性能な多層配線基板を得られことを見出して、
本発明を完成するに至ったのである。
即ち、本第１発明に係わる多層配線基板においては、セ
ラミックグリーンシート（以下、単に「グリーンシート
」という。）上に形成される導電層を構成するメタライ
ズ組成は、Ｍｏ−Ｗ−セラミックの３成分であり、該Ｍ
ｏ、Ｗ及びセラミック全体を１００重量％（以下、単に
１％」という。）とした場合、Ｍ６が７５％以上、セラ
ミックが１５％以下且つ残部がＷであり、及びＭｏが５
０％以上、セラミックが１０％以下且つ残部がＷである
範囲を示し、更に前記Ｍｏ粉末の平均粒径は、２．０μ
ｍ以上であることを特徴とする。
ラミックグリーンシート（以下、単に「グリーンシート
」という。）上に形成される導電層を構成するメタライ
ズ組成は、Ｍｏ−Ｗ−セラミックの３成分であり、該Ｍ
ｏ、Ｗ及びセラミック全体を１００重量％（以下、単に
１％」という。）とした場合、Ｍ６が７５％以上、セラ
ミックが１５％以下且つ残部がＷであり、及びＭｏが５
０％以上、セラミックが１０％以下且つ残部がＷである
範囲を示し、更に前記Ｍｏ粉末の平均粒径は、２．０μ
ｍ以上であることを特徴とする。
本第２発明に係わる多層配線基板においては、導電層を
構成するメタライズ組成はＭ。−Ｗの２成分であり、こ
れら全体を１００％とした場合、Ｍｏが５０％以上且つ
残部がＷである範囲を示し、更に前記Ｍ０粉末の平均粒
径は、２，０μｍ以上であることを特徴とする。
構成するメタライズ組成はＭ。−Ｗの２成分であり、こ
れら全体を１００％とした場合、Ｍｏが５０％以上且つ
残部がＷである範囲を示し、更に前記Ｍ０粉末の平均粒
径は、２，０μｍ以上であることを特徴とする。
本第３発明に係わる多層配線基板においては、導電層を
構成するメタライズ組成はＭｏ−セラミックの２成分で
あり、これら全体を１００％とした場合、Ｍｏが８５％
以上且つセラミックが１５％以下である範囲を示し、更
に前記Ｍ０粉末の平均粒径は、２．０μｍ以上であるこ
とを特徴とする。
構成するメタライズ組成はＭｏ−セラミックの２成分で
あり、これら全体を１００％とした場合、Ｍｏが８５％
以上且つセラミックが１５％以下である範囲を示し、更
に前記Ｍ０粉末の平均粒径は、２．０μｍ以上であるこ
とを特徴とする。
前Ｓ己セラミックとしては、通常、Ａｌ２０ａが用いら
れるが、これに限定されず、他に、窒化アルミニウム（
ＡｉＮ）、ムライト、シリカ又はガラス等を用いること
ができる。また、このセラミックは、グリーンシートを
構成する主成分セラミックと同材料が好ましい。
れるが、これに限定されず、他に、窒化アルミニウム（
ＡｉＮ）、ムライト、シリカ又はガラス等を用いること
ができる。また、このセラミックは、グリーンシートを
構成する主成分セラミックと同材料が好ましい。
〔作用コ
セラミック多層配線基板の導電層の形成を目的にグリー
ンシート上に印刷されるペースト又はインクのう方メタ
ライズ組成がＭ。−Ｗ−セラミック （Ｍｏ−ｗ又はＭ
。−セラミックの場合も同様）のものにあっては、Ｍｏ
の含有量を増やすことが、導電層の電気抵抗の低下を図
るためには有効となる。更に、二〇Ｍ。粉末を含有させ
ると焼結性が高くなるた約、多量のＭｏを含有させるこ
とにより導電材料全体を通しての焼結性の向上が図れる
。
ンシート上に印刷されるペースト又はインクのう方メタ
ライズ組成がＭ。−Ｗ−セラミック （Ｍｏ−ｗ又はＭ
。−セラミックの場合も同様）のものにあっては、Ｍｏ
の含有量を増やすことが、導電層の電気抵抗の低下を図
るためには有効となる。更に、二〇Ｍ。粉末を含有させ
ると焼結性が高くなるた約、多量のＭｏを含有させるこ
とにより導電材料全体を通しての焼結性の向上が図れる
。
しかし、Ｍｏの含有量の増加に伴う導電材料の焼結の促
進は、反面においては、メタライズの焼成収縮率とセラ
ミック（グリーンシートを焼成したもの）の焼成収縮率
との間に大きな差を生じさせ、これによりセラミック多
層配線基板の性能の低下につながる程の焼結体の反りを
生じさせることとなる。
進は、反面においては、メタライズの焼成収縮率とセラ
ミック（グリーンシートを焼成したもの）の焼成収縮率
との間に大きな差を生じさせ、これによりセラミック多
層配線基板の性能の低下につながる程の焼結体の反りを
生じさせることとなる。
この為、多少の電気抵抗の上昇は伴うもののＭ。粉末の
平均粒径を粗くしてメタライズの焼結件を調節すること
により、メタライズとセラミックとの間の焼成収縮率の
差が緩和されるので、多層配線基板の反り量が低下する
こととなる。
平均粒径を粗くしてメタライズの焼結件を調節すること
により、メタライズとセラミックとの間の焼成収縮率の
差が緩和されるので、多層配線基板の反り量が低下する
こととなる。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。。
（１）試験例１
本試験例は、メタライズ組成がＭ。−ｗ−Ａｉ２０、
、Ｍ、−Ｗ及びＭＯ−Ａ１１．０３の各ペーストにおい
て、これらを構成する各粉末の含有率とこれらを用いて
形成されたメタライズ層の比抵抗及び焼結体の反り量と
の関係を調べたものである。
、Ｍ、−Ｗ及びＭＯ−Ａ１１．０３の各ペーストにおい
て、これらを構成する各粉末の含有率とこれらを用いて
形成されたメタライズ層の比抵抗及び焼結体の反り量と
の関係を調べたものである。
■抵抗測定用試験片の作製
平均粒径が１．４μｍのＭ０粉末、平均粒径が１．３μ
ｍのＷ粉末及び平均粒径が０へ ５μｍｔ′ｌ’、）Ａ
ｌｘＯｓ粉末を準備した。尚、この平均粒径は、ＬＥＥ
ＤＳ＆Ｎ０ＲＴＨＲＵＰ社製マイクロトラック（商品名
）を用い、レーザー式粒度測定分布法により測定した。
ｍのＷ粉末及び平均粒径が０へ ５μｍｔ′ｌ’、）Ａ
ｌｘＯｓ粉末を準備した。尚、この平均粒径は、ＬＥＥ
ＤＳ＆Ｎ０ＲＴＨＲＵＰ社製マイクロトラック（商品名
）を用い、レーザー式粒度測定分布法により測定した。
そして、累積数５ （１％の粒径値を平均粒径とした。
次いで、上記各粉末を取り出し、その合計がＩｋｇにな
るように秤量を行った。だだし、上記各粉末は、後述す
る第１図のＡ−Ｋに示す種々の割合にて取り出されてい
る。
るように秤量を行った。だだし、上記各粉末は、後述す
る第１図のＡ−Ｋに示す種々の割合にて取り出されてい
る。
更に、これらにアセトンを４０〇−加えて、アルミポッ
トミルにて２４時間混合した。次いで、有機バインダー
を加え、更に２４時間混合し、その後、泥漿を取り出し
、アセトンを揮発させ印刷用ペース）Ａ−Ｋ（それぞれ
第１図のＡ−Ｋに対応）を得た。
トミルにて２４時間混合した。次いで、有機バインダー
を加え、更に２４時間混合し、その後、泥漿を取り出し
、アセトンを揮発させ印刷用ペース）Ａ−Ｋ（それぞれ
第１図のＡ−Ｋに対応）を得た。
一方、ＡｌｘＯｓ粉末（平均粒径＝２．２μｍ）９２％
と８１０２粉末（平均粒径＝１．５μｍ）６，０％、Ｃ
ａ ＣＯａ粉末（平均粒径＝１．０μｍ）ＣａＯ換算１
．２％、Ｍ ｇ ＣＯｓ粉末（平均粒径＝ １ 、
ＯＩｔ ｍ ） Ｍ ｇ Ｏ換算０．８％からなる焼結
助剤（合計８．０％）を用い、周知の方法にてグリーン
シート （１５０ｘ１５０ｘ０．６ｍｍ）を作製した。
と８１０２粉末（平均粒径＝１．５μｍ）６，０％、Ｃ
ａ ＣＯａ粉末（平均粒径＝１．０μｍ）ＣａＯ換算１
．２％、Ｍ ｇ ＣＯｓ粉末（平均粒径＝ １ 、
ＯＩｔ ｍ ） Ｍ ｇ Ｏ換算０．８％からなる焼結
助剤（合計８．０％）を用い、周知の方法にてグリーン
シート （１５０ｘ１５０ｘ０．６ｍｍ）を作製した。
次いで、第４図に示すように、このグリーンシート上に
、各印刷用ペーストＡ−Ｋにより、両端に測定用パッド
＜２Ｘ３ｍｍ）を持った抵抗測定用パターン（線幅：０
．１５ｍｍ、全線長；１１２ｍｍ）を印刷した。更に、
これらの抵抗測定用パターン付グリーンシートに対して
、水素雰囲気中にて焼成を施しく１５５０℃×１．５時
間）、抵抗測定用試験片Ａ−Ｋ（それぞれ第１図のＡ〜
Ｋに対応、印刷厚さ；２０〜２５μｍ）を作製した。尚
、上記線幅及び全線長は拡大鏡にて、印刷厚さは表面粗
度計（Ｘ １０００倍）にて測定した、■反り量測定用
試験片の作製 前記各印刷用ベース）Ａ−Ｋが印刷された各グリーンシ
ートを打ち抜き、円板状のグリーンシート （３６ｍｍ
φ）を作製した。更に、これらにケ−１しても前記抵抗
測定用試験片Ａ−にの作製の場合と同様な焼成を施し、
反り量測定用試験片Ａ−Ｋ（それぞれ第１図のＡ−Ｋに
対応、３０ｍｍφ）を作製した。
、各印刷用ペーストＡ−Ｋにより、両端に測定用パッド
＜２Ｘ３ｍｍ）を持った抵抗測定用パターン（線幅：０
．１５ｍｍ、全線長；１１２ｍｍ）を印刷した。更に、
これらの抵抗測定用パターン付グリーンシートに対して
、水素雰囲気中にて焼成を施しく１５５０℃×１．５時
間）、抵抗測定用試験片Ａ−Ｋ（それぞれ第１図のＡ〜
Ｋに対応、印刷厚さ；２０〜２５μｍ）を作製した。尚
、上記線幅及び全線長は拡大鏡にて、印刷厚さは表面粗
度計（Ｘ １０００倍）にて測定した、■反り量測定用
試験片の作製 前記各印刷用ベース）Ａ−Ｋが印刷された各グリーンシ
ートを打ち抜き、円板状のグリーンシート （３６ｍｍ
φ）を作製した。更に、これらにケ−１しても前記抵抗
測定用試験片Ａ−にの作製の場合と同様な焼成を施し、
反り量測定用試験片Ａ−Ｋ（それぞれ第１図のＡ−Ｋに
対応、３０ｍｍφ）を作製した。
■性能試験とその評価
前記抵抗測定用試験片Ａ−Ｋを用いて、４端子法により
比抵抗を測定した。
比抵抗を測定した。
一方、反り量の測定は、反り量測定用試験片Ａ〜Ｋを用
い、以下のように行った。先ず、２枚のガラス板を隙間
をあけて平行にセットし、この隙間を試験片が抵抗無く
通過できる最小隙間量（２枚のガラスの距離）を求めた
。次いで、第５図に示すように、この隙間量から前記グ
リーンシートの板厚を差し引き、反り量りを求めた。尚
、ここでの反り量としては、これが円板状の試験片の歪
みやパリ等を含むことを考慮してもＱ、７ｍｍ程度迄に
収まることが最も好ましい。また、反り量は、セラミッ
ク自身の焼成収縮率の影響を受け、本試験は収縮率１７
％のグリーンシートにて行われている。そして、セラミ
ックの焼成収縮率は±０．５％程度の設定を変える自由
度があるため、この意味でも反り量は０．７ｍｍ以下程
度であることが好ましい。
い、以下のように行った。先ず、２枚のガラス板を隙間
をあけて平行にセットし、この隙間を試験片が抵抗無く
通過できる最小隙間量（２枚のガラスの距離）を求めた
。次いで、第５図に示すように、この隙間量から前記グ
リーンシートの板厚を差し引き、反り量りを求めた。尚
、ここでの反り量としては、これが円板状の試験片の歪
みやパリ等を含むことを考慮してもＱ、７ｍｍ程度迄に
収まることが最も好ましい。また、反り量は、セラミッ
ク自身の焼成収縮率の影響を受け、本試験は収縮率１７
％のグリーンシートにて行われている。そして、セラミ
ックの焼成収縮率は±０．５％程度の設定を変える自由
度があるため、この意味でも反り量は０．７ｍｍ以下程
度であることが好ましい。
以上の試験の結果を第１図に示すＭｅ Ｗ Ａｌ２
Ｏ，３成分系図を用い、上段に比抵抗（ＸｉＯ−＠Ω・
ｃｍ）、下段に反り量（ｍｍ）として表示する。
Ｏ，３成分系図を用い、上段に比抵抗（ＸｉＯ−＠Ω・
ｃｍ）、下段に反り量（ｍｍ）として表示する。
これによれば、比抵抗は第１図中の太線枠内の組成（本
発明の範囲）の場合に、約１．７Ｘ１０−６Ω・ａｍ以
下の低い値を示している。即ち、本試験例に示すように
Ｍｏの含有量を多くすれば、導電層の電気抵抗の低下が
図られる。
発明の範囲）の場合に、約１．７Ｘ１０−６Ω・ａｍ以
下の低い値を示している。即ち、本試験例に示すように
Ｍｏの含有量を多くすれば、導電層の電気抵抗の低下が
図られる。
一方、反り量は、第１１ｆｆｉ中の太線枠内において、
反り量測定用試験片ＦＳＪの場合を除きやや高い値を示
している。これは、平均粒径のやや小さな（１，４μｍ
） Ｍ ｏ粉末を用いるため、メタライズ材料の焼結
が促進され過ぎ、メタライズの焼成収縮率とセラミック
の焼成収縮率との間に差を生じさせたためである。
反り量測定用試験片ＦＳＪの場合を除きやや高い値を示
している。これは、平均粒径のやや小さな（１，４μｍ
） Ｍ ｏ粉末を用いるため、メタライズ材料の焼結
が促進され過ぎ、メタライズの焼成収縮率とセラミック
の焼成収縮率との間に差を生じさせたためである。
本発明者らは、この点についても解決するため以下の試
験例２を行った。
験例２を行った。
（２）試験例２
本試験例は、Ｍｏの平均粒径の大小が、導電層の比抵抗
及び焼結体の反り量に与える影響を調べたものである。
及び焼結体の反り量に与える影響を調べたものである。
■比抵抗の測定
第２図に示すような種々の平均粒径を有するＭ。粉末を
用いたこと以外は、前記試験例１における抵抗測定用試
験片Ａ及びＢと同様の試験片を製造した。次いで、これ
らについて、前と試験例１と同様の方法により比抵抗を
測定し、この結果を第２図に示す。
用いたこと以外は、前記試験例１における抵抗測定用試
験片Ａ及びＢと同様の試験片を製造した。次いで、これ
らについて、前と試験例１と同様の方法により比抵抗を
測定し、この結果を第２図に示す。
■反り量の測定
第３図に示すような種々の平均粒径を有するＭＯを用い
たこと以外は、前記試験例１における反り量測定用試験
片Ａ及びＢと同様の試験片を製造した。次いで、これら
について、前記試験例１と同様の方法により反り量を測
定し、この結果を第３図に示す。
たこと以外は、前記試験例１における反り量測定用試験
片Ａ及びＢと同様の試験片を製造した。次いで、これら
について、前記試験例１と同様の方法により反り量を測
定し、この結果を第３図に示す。
■性能評価
Ｍｏの平均粒径を粗く （２μｍ以上）するに従い多少
の比抵抗抗の上昇は伴うもののその上昇は、第２図に示
すように緩やかである。一方、この場合、メタライズの
焼結性は調節され、第３図に示すように反り量は著しく
低下している。
の比抵抗抗の上昇は伴うもののその上昇は、第２図に示
すように緩やかである。一方、この場合、メタライズの
焼結性は調節され、第３図に示すように反り量は著しく
低下している。
（３）実施例の効果
以上より、試験例１の低抵抗と低反り量を達成できる最
適組成に加えて、試験例２により、更に平均粒径を大き
くすることにより比抵抗の増大に比べて反り量を著しく
低下させることができる。
適組成に加えて、試験例２により、更に平均粒径を大き
くすることにより比抵抗の増大に比べて反り量を著しく
低下させることができる。
従って、第１図の太線枠内のメタライズ組成で且つＭ０
粉末の平均粒径を２μｍ以上にすることにより多層配線
基板に於ける比抵抗と反り量の一層の調和が図られてい
る。特に、Ｍａ粉末の平均粒径を３〜４μｍとすると、
多くは反り量が０．７ｍｍ以下で且つ低抵抗を達成でき
、大変実用的なものとなる。
粉末の平均粒径を２μｍ以上にすることにより多層配線
基板に於ける比抵抗と反り量の一層の調和が図られてい
る。特に、Ｍａ粉末の平均粒径を３〜４μｍとすると、
多くは反り量が０．７ｍｍ以下で且つ低抵抗を達成でき
、大変実用的なものとなる。
以上のように、メタライズ組成とＭ０粉末の粒径の最適
化を図ることにより、低抵抗化且つ高信頼性を有するセ
ラミック多層配線基板を得ることができる。
化を図ることにより、低抵抗化且つ高信頼性を有するセ
ラミック多層配線基板を得ることができる。
尚、本発明においては、上記具体的実施例に示すものに
限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変
更した実施例とすることができる。即ち、前記において
は、メタライズ組成に含まれるセラミックとしてはＡ
１ ｘ Ｏｓを用いたが、この代わりに他のセラミック
を用いても、同様な効果が得られる。
限られず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変
更した実施例とすることができる。即ち、前記において
は、メタライズ組成に含まれるセラミックとしてはＡ
１ ｘ Ｏｓを用いたが、この代わりに他のセラミック
を用いても、同様な効果が得られる。
本発明においては、一方においてはＭｏの含有量を多く
してメタライズ層の電気抵抗の低下が図られ、他方にお
いてＭｏの平均粒径を粗くすることで反り量の低下が図
られ、結局、比抵抗と反り量の調和が図られている。従
って、この様に、メタライズ材料の組成と粒度の最適化
を図ることにより低抵抗化且つ高信頼性を有するセラミ
ック多層配線基板を得ることができる。
してメタライズ層の電気抵抗の低下が図られ、他方にお
いてＭｏの平均粒径を粗くすることで反り量の低下が図
られ、結局、比抵抗と反り量の調和が図られている。従
って、この様に、メタライズ材料の組成と粒度の最適化
を図ることにより低抵抗化且つ高信頼性を有するセラミ
ック多層配線基板を得ることができる。
第１図はメタライズ層の比抵抗及び焼結体の反り量との
関係を図示したＭｏ−Ｗ−Ａｆ、０．３成分を示すグラ
フ（Ｍ、−Ｗ又はＭｏ Ａｌ２Ｏ３の場合も含む）、
第２図はＭｏの平均粒径とメタライズ層の比抵抗の関係
を示すグラフ、第３図はＭｏの平均粒径と焼結体の反り
量の関係を示すグラフ、第４図は実施例における抵抗測
定用試験片上に印刷した抵抗測定用パターンの概略図、
第５図は実施例における反り量の測定方法を示す説明図
である。 １；抵抗測定用パターン、１１；測定端子、２；反り量
測定用試験片、２１；メタライズ層、Ｆ７；反り量。 特許出願人 日本特殊陶業株式会社 代 理 人 弁理士 小島清路 第２図 Ｍｏ膀宋の早均寧証径（ｐｍ） 第３図 ＭＯ粉末の平均イ立牲（ｐｍ）
関係を図示したＭｏ−Ｗ−Ａｆ、０．３成分を示すグラ
フ（Ｍ、−Ｗ又はＭｏ Ａｌ２Ｏ３の場合も含む）、
第２図はＭｏの平均粒径とメタライズ層の比抵抗の関係
を示すグラフ、第３図はＭｏの平均粒径と焼結体の反り
量の関係を示すグラフ、第４図は実施例における抵抗測
定用試験片上に印刷した抵抗測定用パターンの概略図、
第５図は実施例における反り量の測定方法を示す説明図
である。 １；抵抗測定用パターン、１１；測定端子、２；反り量
測定用試験片、２１；メタライズ層、Ｆ７；反り量。 特許出願人 日本特殊陶業株式会社 代 理 人 弁理士 小島清路 第２図 Ｍｏ膀宋の早均寧証径（ｐｍ） 第３図 ＭＯ粉末の平均イ立牲（ｐｍ）
Claims (3)
- （１）セラミックグリーンシート上にＭ＿０粉末及びＷ
粉末の高融点導電材料及びセラミック粉末を含むペース
ト又はインクを印刷した後、該グリーンシートを積層し
、焼成して得られるセラミック多層配線基板において、 前記焼成により、セラミックグリーンシート上に形成さ
れる導電層を構成するメタライズ組成は、Ｍ＿０−Ｗ−
セラミックであり、該Ｍ＿０、Ｗ及びセラミック全体を
１００重量％とした場合、Ｍ＿０が７５重量％以上、セ
ラミックが１５重量％以下且つ残部がＷであり、並びに
Ｍ＿０が５０重量％以上、セラミックが１０重量％以下
且つ残部がＷである範囲を示し、 更に、前記Ｍ＿０粉末の平均粒径は、２．０μｍ以上で
あることを特徴とするセラミック多層配線基板。 - （２）セラミックグリーンシート上にＭ＿０粉末及びＷ
粉末の高融点導電材料を含むペースト又はインクを印刷
した後、該グリーンシートを積層し、焼成して得られる
セラミック多層配線基板において、 前記焼成により、セラミックグリーンシート上に形成さ
れる導電層を構成するメタライズ組成は、Ｍ＿０−Ｗで
あり、該Ｍ＿０及びＷ全体を１００重量％とした場合、
Ｍ＿０が５０重量％以上且つ残部がＷである範囲を示し
、 更に、前記Ｍ＿０粉末の平均粒径は、２．０μｍ以上で
あることを特徴とするセラミック多層配線基板。 - （３）セラミックグリーンシート上にＭ＿０粉末及びセ
ラミック粉末を含むペースト又はインクを印刷した後、
該グリーンシートを積層し、焼成して得られるセラミッ
ク多層配線基板において、前記焼成により、セラミック
グリーンシート上に形成される導電層を構成するメタラ
イズ組成は、Ｍ＿０−セラミックであり、該Ｍ＿０及び
セラミック全体を１００重量％とした場合に、Ｍ＿０が
８５重量％以上且つセラミックが１５重量％以下である
範囲を示し、 更に、前記Ｍ＿０粉末の平均粒径は、２．０μｍ以上で
あることを特徴とするセラミック多層配線基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28278590A JP2869752B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | セラミック多層配線基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28278590A JP2869752B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | セラミック多層配線基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04155994A true JPH04155994A (ja) | 1992-05-28 |
| JP2869752B2 JP2869752B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=17657053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28278590A Expired - Fee Related JP2869752B2 (ja) | 1990-10-19 | 1990-10-19 | セラミック多層配線基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2869752B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5937012B2 (ja) * | 2010-11-01 | 2016-06-22 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品素子収納用パッケージ |
-
1990
- 1990-10-19 JP JP28278590A patent/JP2869752B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5937012B2 (ja) * | 2010-11-01 | 2016-06-22 | Ｎｇｋエレクトロデバイス株式会社 | 電子部品素子収納用パッケージ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2869752B2 (ja) | 1999-03-10 |
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