JPH04155992A - 混成集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （り産業上の利用分野 本発明はチップコイル間の相互誘導による影響を除去で
きる高周波用の混成集積回路に関する。

（ロ）従来の技術 ＴＶｌＨＤＴＶ等、各種モニタ用（７）ＣＲＴ用ビデオ
出力回路を１パツケージ化したビデオバック（商品名）
なる混成集積回路が本願出願人において商品化されてい
る。

前記ビデオ出力回路の一般的な例を第５図に示す、この
回路は、カスケード接続された入力トランジスタＴ　Ｒ
ｔ　、　Ｔ　Ｒｔと、プッシュプル接続された出力トラ
ンジスタＴ　Ｒｓ　、　Ｔ　Ｒ４と、ピーキング回路（
ｚ）（２）を構成するフィルＬ、、Ｌ、とで構成し、入
力端子（３）に印加した入力信号をＴＲ，、ＴＲ２で増
幅し且つＴ　Ｒｓ　、　Ｔ　Ｒａでインピーダンス変換
して出力端子（４）に接続したＣＲＴのビーム回路を制
御するようになっている。

このような回路は、数十〜数百ＭＨｚの高周波高出力特
性が求められるため、混成集積化する場合は回路基板と
してセラミックの如き低誘電率素材で構成しである。

具体的な構成を第６図に示す。＜５）は銅やアルミダイ
キャスト等の熱伝導性良好なる放熱基板、（６）は放熱
基板（５）の上に半田を介して固着したセラミック基板
、（７）はセラミック基板（６）の上に描画した導電薄
膜から成る回路導体、（８）は回路導体（７）に半田又
はワイヤにより電気接続きれる抵抗、コンデンサ、コイ
ル等のチップ素子、（９）はセラミック基板（６）上に
ヒートスプレッダ（１０）を介して固着諮れ且つ回路導
体（７）とワイヤ接続されるＮＰＮ、ＰＮＰトランジス
タ等の半導体チップである。セラミック基板（６）には
外部接続用のリード端子（図示せず）が半田付けされ、
凹状の上蓋（１１）を放熱基板（５）と対向接着するこ
とによりパッケージングする。ヒートスプレッダ（１０
）は熱伝導率に優れた素材から成り、セラミック基板（
６）との接触面積を増大することによって半導体チップ
（９）の放熱性を向上させる（例えば、特開昭６２−２
２４９５１号公報）。

（八）発明が解決しようとする課題 しかしながら、前記高周波混成集積回路にも一層の高集
積化が求められており、ＣＲＴのＲ２Ｇ、Ｂ信号の３チ
ャンネルを１パツケージ化する動きも出ている。すると
、当然にセラミック基板（６）上の各チップ素子（８）
間の距離が密になり、これがチップコイルであるとコイ
ル（１２）が発生する磁界が第７図の如く他のチップコ
イル（１２）にも作用するようになり、両者の相互誘導
の影響によってピーキング回路（１）（２）の周波数特
性が劣化する欠点があった。

（ニ）課題を解決するための手段 本発明は上記従来の欠点に鑑み成きれたもので、セラミ
ック基板（２１）上にチップコイル（２９）を横置き配
置するに際し、２つのチップコイル（２９）を互いに直
交するように配置することによって、チップコイル（２
９）間に発生する相互誘導による影響を除去した高周波
混成集積回路を提供するものである。

（ホ）作用 本発明によれば、チップコイル（２９）を互いに直交す
るように配置したことにより個々のチップコイル（２９
）が発生する磁界が互いにほぼ直交する。

磁界の向きが直交すると、−−ｉから発生した磁界が他
方のコイルの中心線上を通過できないので、チップコイ
ル（２９）間の相互誘導を激減できる。

（へ）実施例 以下に本発明の一実施例を図面を参照しながら詳細に説
明する。

第１図に本発明による混成集積回路の各チップ素子の配
置を、第２図に全体の平面構造、第３図に断面構造を各
々示す。

第１図において、〈２１）はセラミック基板である。セ
ラミック基板（２１）は板厚０．２〜１．０ｍのアルミ
ナ＜ｈｌ　＊Ｏｓ）素材から成り、裏面に半田濡れ性向
上のための例えば銀パラジウム層を形成し、表面には回
路網を構成するための金属薄膜から成る多数の回路導体
（２２〉を形成する。回路導体（２２）は例えば銅ペー
ストのスクリーン印刷法によって描画し、要部を除いて
は絶縁膜によって保護する。回路導体（２２）の一部は
外部接続用の電極パッド（２３）を形成する。

そして、セラミック基板（２１）上にはトランジスタチ
ップ（２４）、ダイオードチップ（２５）、チップ抵抗
（２６）、トリミング抵抗（２７）、チップコンデンサ
（２８〉、およびチップコイル（２９）を半田付固定し
前記回路導体（２２）で結線することにより、第５図の
ビデオ出力回路をＲ，Ｇ、Ｂの３チャンネル分組み込ん
である。

第２図に全体の構成を示す。（３０）はセラミック基板
（２１）の支持基台となる熱伝導率良好な放熱基板であ
る。放熱基板（３０）は板厚１．０〜３．０国の銅系素
材から成る板状材料を打ち抜き加工したもので、表面に
半田濡れ性向上と銅系素材の酸化防止のためにＮｉメツ
キを処し、第２図に示すように放熱基板（３０）の両端
にはパッケージを別の放熱部材に固定するビスを挿通す
るためのＵ字型の切欠き（３１）を形成しである。Ｕ字
形の他は円形の貫通孔等が考えられる。

セラミック基板（２１）はリードフレームの形態で提供
される放熱基板（３０）の略中央付近に半田付固着し、
銀メツキした外部接続リード（３１）とセラミック基板
（２１）の接続パッド（２３）とをワイヤボンドするこ
とで電気接続する。

そして、全体は放熱基板（３０）の裏面を露出するよう
に樹脂（３２）でモールドする。

第３図に断面構造を拡大して示す。セラミック基板（２
１）の一部には貫通孔（３３）が設けられ、ＮＰＮトラ
ンジスタ、ＰＮＰトランジスタ等の動作に発熱を伴うト
ランジスタチップ（２４）は前記貫通孔（３３）内にヒ
ートスプレッダ（３４）を介して半田付固着する。ヒー
トスプレッダ（３４）は熱伝導性と絶縁性の両方を備え
たベリリア（Ｂｔｕｓ）や窒化アルミ（ＡρＮ）から成
る厚さ０．２〜０．８ｍの板状材料である。そしてトラ
ンジスタチップ（２４）と回路導体（２２）とは、チッ
プ（２４）表面に形成したＡ！電極パッドと回路導体（
２２）とを金線（３５）でワイヤボンドすることによっ
て結線する。

チップコイル（２９〉は、内部にコイル素子を樹脂封止
し表面に電極を取り出したチップ部品の一種である。こ
れをコイルの巻線方向が横置となるように回路導体（２
２）上に半田付する。チップコイル（２９）とチップ抵
抗（２６）とでＬＣ回路を構成し、これが第５図におけ
るピーキング回路（１）（２）を構成する。ピーキング
回路（１）（２）はプッシュプル回路を形成する出力ト
ランジスタＴＲ，のベース・コレクタ間および出力トラ
ンジスタＴＲ，のベース・コレクタ間に入力トランジス
タＴ　ＲＩ、　Ｔ　Ｒｔと直列接続して挿入するので、
１チャンネル当りチップコイル（２９）とチップ抵抗（
２６）を各々２個配置することになる。

本願の特徴は、上記ピーキング回路（１）（２）を構成
するチップコイル（２９）の配置にある。第１図に示す
ように、２個のチップコイル（２９）は直交するように
固着する。この様にすると、第４図に示すように各々の
発生する磁界（３６）が交差し、一方の発生した磁界（
３６）が他方のコイルの中心線を通過しないので、両者
の相互誘導を激減できる。従って相互誘導の影響による
ピーキング回路（１）（２）の周波数劣化を防止できる
。

（ト）発明の効果 以上に説明した通り、本発明によればチップコイル（２
９）の向きを変えるだけで両者の相互誘導による影響を
激減できるので、ピーキング回路（１）（２）の周波数
特性を劣化きせずに済む利点を有する。また、２個のコ
イルチップ（２９）を近接配置できるので、３チヤンネ
ルを１パツケージ化するような高密度実装が可能である
利点をも有する。

【図面の簡単な説明】

第１図と第２図は本発明を説明するための平面図、第３
図は本発明を説明するための断面図、第４図はチップコ
イル（２９）を示す平面図、第５図はビデオ出力回路を
示す回路図、第６図と第７図は従来例の説明に供する断
面図と平面図である。

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）同一基板上にトランジスタチップ、複数個のチッ
   プコイルおよびその他の部品とを集積化した高周波混成
   集積回路において、 １つの回路ブロック内における前記複数個のチップコイ
   ルを、各々の発生する磁界が互いにほぼ直交となるよう
   な位置関係に配置したことを特徴とする混成集積回路。
2. （２）前記チップコイルが前記基板に対して横置きであ
   ることを特徴とする請求項第１項に記載の混成集積回路
   。
3. （３）出力段プッシュプル増幅回路を構成するためのト
   ランジスタチップと、前記トランジスタチップのベース
   に各々接続されピーキング回路を構成するためのコイル
   チップと、その他のチップ素子とを同一基板上に集積化
   した混成集積回路において、 １つの回路ブロック内における前記複数個のチップコイ
   ルを、各々の発生する磁界が互いにほぼ直交となるよう
   な位置関係に配置したことを特徴とする混成集積回路。