JPH04152228A - 赤外線検知器用冷却容器 - Google Patents
赤外線検知器用冷却容器Info
- Publication number
- JPH04152228A JPH04152228A JP2276312A JP27631290A JPH04152228A JP H04152228 A JPH04152228 A JP H04152228A JP 2276312 A JP2276312 A JP 2276312A JP 27631290 A JP27631290 A JP 27631290A JP H04152228 A JPH04152228 A JP H04152228A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- infrared
- kovar
- joined
- cooling
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001816 cooling Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 claims description 23
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000661 Mercury cadmium telluride Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
概要
赤外線検知器用冷却容器に関し、
放熱効率の良い電子冷却型赤外線検知器用冷却容器を提
供することを目的とし、 ベース上に電子冷却素子をその発熱面を接触させて搭載
し、該電子冷却素子の吸熱面上に赤外線検知素子を固着
するとともに、該電子冷却素子及び赤外線検知素子をコ
バールから形成されたケース内に密封した電子冷却型赤
外線検知器において、前記ベースをコバールから形成さ
れた外側ベースの中央嵌合穴中に、銅から形成された内
側ベースを嵌合・接合して構成し、該内側ベース上に電
子冷却素子を搭載して構成する。
供することを目的とし、 ベース上に電子冷却素子をその発熱面を接触させて搭載
し、該電子冷却素子の吸熱面上に赤外線検知素子を固着
するとともに、該電子冷却素子及び赤外線検知素子をコ
バールから形成されたケース内に密封した電子冷却型赤
外線検知器において、前記ベースをコバールから形成さ
れた外側ベースの中央嵌合穴中に、銅から形成された内
側ベースを嵌合・接合して構成し、該内側ベース上に電
子冷却素子を搭載して構成する。
産業上の利用分野
本発明は一般的に赤外線検知器用冷却容器に関し、特に
電子冷却型赤外線検知器用冷却容器に関する。
電子冷却型赤外線検知器用冷却容器に関する。
赤外線検知器(センサ)には、焦電素子、サーモパイル
等を用いた熱量センサと半導体を利用した光電効果型(
量子型)センサがある。一般に熱量センサでは感度の波
長依存性はないが、感度が低く応答速度も遅いのでリア
ルタイムの赤外線センサとしては不向きである。一方、
光電効果型センサは感度が高く、応答速度も速いが、感
度を得るために素子を極低温に冷却する必要がある。
等を用いた熱量センサと半導体を利用した光電効果型(
量子型)センサがある。一般に熱量センサでは感度の波
長依存性はないが、感度が低く応答速度も遅いのでリア
ルタイムの赤外線センサとしては不向きである。一方、
光電効果型センサは感度が高く、応答速度も速いが、感
度を得るために素子を極低温に冷却する必要がある。
一方、赤外線センサを波長帯域から分類すると、400
〜700℃に加熱された物体から放射される波長3〜5
μmの中間赤外線を検知するのに適したセンサと、人体
等の温度が概略300に程度の物体から放射される波長
10〜12.μmの遠赤外線を検知するのに適したセン
サとがある。
〜700℃に加熱された物体から放射される波長3〜5
μmの中間赤外線を検知するのに適したセンサと、人体
等の温度が概略300に程度の物体から放射される波長
10〜12.μmの遠赤外線を検知するのに適したセン
サとがある。
遠赤外線センサは、感度を得るために赤外線検知素子の
概略液体窒素温度での冷却が必要であるが、中間赤外線
センサはそれほど低温度に冷却する必要はないため、冷
却手段としてベルチェ素子等の電子冷却素子が採用され
ている。
概略液体窒素温度での冷却が必要であるが、中間赤外線
センサはそれほど低温度に冷却する必要はないため、冷
却手段としてベルチェ素子等の電子冷却素子が採用され
ている。
従来の技術
第31!Iは波長3〜5μm帯の中間赤外線を検知する
赤外線検知器の従来例断面図である。赤外線検知器は符
号2で示されており、コバールから形成されたベース4
上にベルチェ素子6を搭載し、このベルチェ素子6上に
例えばHgCdTeから形成された赤外線検知素子16
が固着されている。
赤外線検知器の従来例断面図である。赤外線検知器は符
号2で示されており、コバールから形成されたベース4
上にベルチェ素子6を搭載し、このベルチェ素子6上に
例えばHgCdTeから形成された赤外線検知素子16
が固着されている。
ベルチェ素子6は導電性パターンの形成された3枚のセ
ラミック基板10,12.14の間にベルチェ効果を有
するp型半導体8及びn型半導体9を交互に配設して構
成されており、セラミック基板1Gの下面をメタライズ
することにより、ベルチェ素子6はロー付によりベース
4に固着されている。
ラミック基板10,12.14の間にベルチェ効果を有
するp型半導体8及びn型半導体9を交互に配設して構
成されており、セラミック基板1Gの下面をメタライズ
することにより、ベルチェ素子6はロー付によりベース
4に固着されている。
セラミック基板14側が吸熱面、セラミック基板10側
が発熱面となるようにベルチェ素子6のp型半導体8及
びn型半導体9に電圧が印加される。
が発熱面となるようにベルチェ素子6のp型半導体8及
びn型半導体9に電圧が印加される。
符号18はその内部に赤外線検知素子16及びベルチェ
素子6を密封するためのケースを示しており、コバール
から形成された下側円筒(Wi状下側ケース)20と同
じくコバールから形成された上側円筒(環状上側ケース
)22との間に、信号取り出しのためのセラミック基板
24をサンドイッチ状に介装して構成されている。下側
円筒20は銀ロー等によりベース4に接合されており、
上側円筒22にはゲルマニウム又はサファイア等から形
成された赤外線透過窓26が設けられている。
素子6を密封するためのケースを示しており、コバール
から形成された下側円筒(Wi状下側ケース)20と同
じくコバールから形成された上側円筒(環状上側ケース
)22との間に、信号取り出しのためのセラミック基板
24をサンドイッチ状に介装して構成されている。下側
円筒20は銀ロー等によりベース4に接合されており、
上側円筒22にはゲルマニウム又はサファイア等から形
成された赤外線透過窓26が設けられている。
赤外線検知素子16で検知した信号はボンディングワイ
ヤ28及び金パターンの形成されたセラミック基板24
を介して外部に取り出される。
ヤ28及び金パターンの形成されたセラミック基板24
を介して外部に取り出される。
ベース4、ケース18及び赤外線透過窓26から構成さ
れた冷却容器内部は、結露による赤外線検知器性能の劣
化を防止するために気密構造にされ、その内部は高真空
に引かれるか又は乾燥した窒素ガスが封入されている。
れた冷却容器内部は、結露による赤外線検知器性能の劣
化を防止するために気密構造にされ、その内部は高真空
に引かれるか又は乾燥した窒素ガスが封入されている。
下側円筒20及び上側円筒22をコバールから形成して
いるのは、信号取り出し用にセラミック基板24を用い
ているため、セラミック基板24の熱膨張係数と概略等
しい熱膨張係数を有する材料を使う必要があるからであ
る。
いるのは、信号取り出し用にセラミック基板24を用い
ているため、セラミック基板24の熱膨張係数と概略等
しい熱膨張係数を有する材料を使う必要があるからであ
る。
発明が解決しようとする課題
上述したように従来の赤外線検知器2では、ベース4を
コバールカラ形成し、このコバールベースに同じくコバ
ールから形成した下側円筒20をロー付により接合して
いた。ベルチェ素子6を駆動すると、赤外線検知素子1
6は約−60℃程度に冷却され、ベルチェ素子6の発熱
はベース4を介して図示しないヒートシンクに放熱され
る。
コバールカラ形成し、このコバールベースに同じくコバ
ールから形成した下側円筒20をロー付により接合して
いた。ベルチェ素子6を駆動すると、赤外線検知素子1
6は約−60℃程度に冷却され、ベルチェ素子6の発熱
はベース4を介して図示しないヒートシンクに放熱され
る。
しかしこの従来構造では、ベース4を熱伝導率が悪いコ
バールから形成していたため、赤外線検知素子16の冷
却特性が悪いという問題があった。
バールから形成していたため、赤外線検知素子16の冷
却特性が悪いという問題があった。
そこで本発明者等は、先にコバールベースを熱伝導率の
高い銅ベースに変更した冷却容器構造を提案した。しか
しこの冷却容器構造においては、コバールケース(下側
円筒)と銅ベースをロー付した場合、両部材の熱膨張率
の差によるバイメタル効果で銅ベースとコバールケース
が変形して、使用不能になるという問題が発生した。
高い銅ベースに変更した冷却容器構造を提案した。しか
しこの冷却容器構造においては、コバールケース(下側
円筒)と銅ベースをロー付した場合、両部材の熱膨張率
の差によるバイメタル効果で銅ベースとコバールケース
が変形して、使用不能になるという問題が発生した。
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、放熱効率の良い電子冷却型赤外
線検知用冷却容器を提供することである。
の目的とするところは、放熱効率の良い電子冷却型赤外
線検知用冷却容器を提供することである。
課題を解決するための手段
ベース上に電子冷却素子をその発熱面を接触させて搭載
し、該電子冷却素子の吸熱面上に赤外線検知素子を固着
するとともに、該電子冷却素子及び赤外線検知素子をコ
バールから形成されたケース内に密封した電子冷却型赤
外線検知器において、前記ベースをコバールから形成さ
れた外側ベースの中央嵌合穴中に、銅から形成された内
側ベースを嵌合・接合して構成し、該内側ベース上に電
子冷却素子を搭載する。
し、該電子冷却素子の吸熱面上に赤外線検知素子を固着
するとともに、該電子冷却素子及び赤外線検知素子をコ
バールから形成されたケース内に密封した電子冷却型赤
外線検知器において、前記ベースをコバールから形成さ
れた外側ベースの中央嵌合穴中に、銅から形成された内
側ベースを嵌合・接合して構成し、該内側ベース上に電
子冷却素子を搭載する。
作 用
このように電子冷却素子を搭載するベース部分を熱伝導
率の良い銅から形成したため、放熱効率を向上すること
ができる。一方、環状のコバールケースと接合する外側
ベース部分はコバールから形成したため、両部材をロー
付により接合しても変形が起こることはない。
率の良い銅から形成したため、放熱効率を向上すること
ができる。一方、環状のコバールケースと接合する外側
ベース部分はコバールから形成したため、両部材をロー
付により接合しても変形が起こることはない。
実施例
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。本実施例の説明において、第3図に示した従来例と実
質的に同一構成部分については同一符号を付し、重複を
避けるためにその説明を省略する。
。本実施例の説明において、第3図に示した従来例と実
質的に同一構成部分については同一符号を付し、重複を
避けるためにその説明を省略する。
第1図は本発明の実施例に係る電子冷却型赤外線検知器
30の断面図を示しており、この実施例が第3図に示し
た従来例と相違する点は、ベース32をコバールから形
成された外側ベース34に銅から形成された内側ベース
36を接合して構成した点である。本実施例のその他の
構成は、第3図に示した従来例の構成と同様である。
30の断面図を示しており、この実施例が第3図に示し
た従来例と相違する点は、ベース32をコバールから形
成された外側ベース34に銅から形成された内側ベース
36を接合して構成した点である。本実施例のその他の
構成は、第3図に示した従来例の構成と同様である。
ベース32をこのように二重構造にしたので、環状下側
ケース20を外側ベース34に約800℃で銀ローでロ
ー付し、室温に冷却しても、下側ケース20と外側ベー
ス34がどちらもコバールから形成されているため、熱
膨張率の差に基づく変形が生じることはない。また、外
側ベース34に接合された内側ベース36は熱伝導率の
良い銅から形成されているため、図示しないヒートシン
クへの放熱効率を向上することができ、その結果ベルチ
ェ素子6の冷却性能が向上する。
ケース20を外側ベース34に約800℃で銀ローでロ
ー付し、室温に冷却しても、下側ケース20と外側ベー
ス34がどちらもコバールから形成されているため、熱
膨張率の差に基づく変形が生じることはない。また、外
側ベース34に接合された内側ベース36は熱伝導率の
良い銅から形成されているため、図示しないヒートシン
クへの放熱効率を向上することができ、その結果ベルチ
ェ素子6の冷却性能が向上する。
次に第2図を参照して、上述した実施例の望ましい接合
部の形状について説明する。コバールから形成された外
側ベース34の概略中央部分には、小径穴35aと大径
穴35bから構成された中央嵌合穴35が形成されてい
る。そして、小径穴35aと大径穴35bとで段差部3
4aが形成されている。
部の形状について説明する。コバールから形成された外
側ベース34の概略中央部分には、小径穴35aと大径
穴35bから構成された中央嵌合穴35が形成されてい
る。そして、小径穴35aと大径穴35bとで段差部3
4aが形成されている。
一方、銅から形成された内側ベース36は、小径穴35
aに嵌合する小径上部36aと大径穴35bに嵌合する
大径下部36bから構成されており、大径下部36bの
外周には環状突起部38が一体的に立設されている。内
側ベース36と外側ベース34との接合は、環状突起部
38の先端を外側ベース340段差部34aに、例えば
銀ローを使用してロー付することにより達成される。外
側ベース34と内側ベース36の熱膨張率の差による応
力は、環状突起部38が変形することにより吸収される
。
aに嵌合する小径上部36aと大径穴35bに嵌合する
大径下部36bから構成されており、大径下部36bの
外周には環状突起部38が一体的に立設されている。内
側ベース36と外側ベース34との接合は、環状突起部
38の先端を外側ベース340段差部34aに、例えば
銀ローを使用してロー付することにより達成される。外
側ベース34と内側ベース36の熱膨張率の差による応
力は、環状突起部38が変形することにより吸収される
。
第2図のように接合された状態において、内側ベース3
6の下端面は外側ベース34の下端面よりもわずかばか
り突出している。このように熱伝導率の良い内側ベース
36を外側ベース34よりも突出させることにより、内
側ベース36を図示しないヒートシンクに接触させて、
積極的に放熱することができる。
6の下端面は外側ベース34の下端面よりもわずかばか
り突出している。このように熱伝導率の良い内側ベース
36を外側ベース34よりも突出させることにより、内
側ベース36を図示しないヒートシンクに接触させて、
積極的に放熱することができる。
発明の効果
コバールの熱伝導率は165W/m−にで銅の熱伝導率
は417W/m−にであるため、本発明の二重構造ベー
スで冷却容器を構成することにより、容器形状になんら
変形を起こすことなく放熱効率を飛躍的に向上できると
いう効果を奏する。
は417W/m−にであるため、本発明の二重構造ベー
スで冷却容器を構成することにより、容器形状になんら
変形を起こすことなく放熱効率を飛躍的に向上できると
いう効果を奏する。
第1図は本発明実施例の断面図、
第2図は実施例の要部拡大断面図、
13図は従来例の断面図である。
4.32・・・ベース、
6・・・ベルチェ素子、
16・・・赤外線検知素子、
18・・・ケース、
24・・・セラミック基板、
26・・・赤外線透過窓、
34・・・外側ベース、
34a・・・段差部、
6・・・内側ベース、
8・・・環状突起部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ベース(32)上に電子冷却素子(6)をその発熱
面を接触させて搭載し、該電子冷却素子(6)の吸熱面
上に赤外線検知素子(16)を固着するとともに、該電
子冷却素子(6)及び赤外線検知素子(16)をコバー
ルから形成されたケース(18)内に密封した電子冷却
型赤外線検知器において、 前記ベース(32)をコバールから形成された外側ベー
ス(34)の中央嵌合穴(35)中に、銅から形成され
た内側ベース(36)を嵌合・接合して構成し、該内側
ベース(36)上に電子冷却素子(6)を搭載したこと
を特徴とする赤外線検知器用冷却容器。 2、前記内側ベース(36)の下端を前記外側ベース(
34)の下端から突出させて内側ベース(36)を外側
ベース(34)に接合したことを特徴とする請求項3、
前記外側ベース(34)の中央嵌合穴(35)に段差部
(34a)を設けるとともに、前記内側ベース(36)
に環状突起部(38)を一体的に形成し、該環状突起部
(38)先端を前記段差部(34a)に接合したことを
特徴とする請求項2記載の赤外線検知器用冷却容器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2276312A JPH07119646B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 赤外線検知器用冷却容器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2276312A JPH07119646B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 赤外線検知器用冷却容器 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04152228A true JPH04152228A (ja) | 1992-05-26 |
JPH07119646B2 JPH07119646B2 (ja) | 1995-12-20 |
Family
ID=17567703
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2276312A Expired - Lifetime JPH07119646B2 (ja) | 1990-10-17 | 1990-10-17 | 赤外線検知器用冷却容器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH07119646B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3884616B2 (ja) * | 1997-11-19 | 2007-02-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置およびこれを用いた撮像装置 |
-
1990
- 1990-10-17 JP JP2276312A patent/JPH07119646B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3884616B2 (ja) * | 1997-11-19 | 2007-02-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置およびこれを用いた撮像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07119646B2 (ja) | 1995-12-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CA2179052C (en) | Integrated silicon vacuum micropackage for infrared devices | |
KR101910575B1 (ko) | 적외선 검출기 및 적외선 이미지 센서 | |
JP2021009152A (ja) | ウェハレベルパッケージ内の熱赤外線センサアレイ | |
US20060169902A1 (en) | Infrared sensor | |
US20120235044A1 (en) | Infrared sensor module | |
JP5001007B2 (ja) | 最適化された表面を活用する赤外線センサー | |
JP2006047085A (ja) | 赤外線センサ装置およびその製造方法 | |
EP3729022A1 (en) | An infra-red device | |
US10636777B2 (en) | Infra-red device | |
JP3580126B2 (ja) | 赤外線センサ | |
KR102637014B1 (ko) | 적외선 감지 센서 모듈 | |
JP4758118B2 (ja) | 赤外線検出器および赤外線検出器のガス吸着手段活性化方法 | |
US5045123A (en) | Thermopile | |
JPH04152228A (ja) | 赤外線検知器用冷却容器 | |
US20200232853A1 (en) | Non-contact type infrared temperature sensor module | |
JP2011203226A (ja) | 赤外線センサモジュール | |
JPH09133578A (ja) | 赤外線検出素子 | |
JP2906154B2 (ja) | サーモパイル | |
JPH1183633A (ja) | 熱型赤外線検出器 | |
JPH11258041A (ja) | サーモパイル型赤外線センサ | |
JPH10115556A (ja) | 赤外線検出器 | |
JP2004093535A (ja) | 熱型赤外線固体撮像装置およびその製造方法 | |
JPH05157622A (ja) | 熱型赤外線センサ | |
KR20180016143A (ko) | 비접촉식 적외선 온도 센서 모듈 | |
KR102638226B1 (ko) | 적외선 감지 센서 및 이 센서를 포함하는 열화상 카메라 모듈 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071220 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081220 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091220 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101220 Year of fee payment: 15 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |