JPH04151858A - ハイブリツドｉｃ及び半導体封止用セラミツクキヤツプ - Google Patents
ハイブリツドｉｃ及び半導体封止用セラミツクキヤツプInfo
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- JPH04151858A JPH04151858A JP27579690A JP27579690A JPH04151858A JP H04151858 A JPH04151858 A JP H04151858A JP 27579690 A JP27579690 A JP 27579690A JP 27579690 A JP27579690 A JP 27579690A JP H04151858 A JPH04151858 A JP H04151858A
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- ceramic
- hybrid
- ceramic cap
- electromagnetic waves
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- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 abstract description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 abstract description 2
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 abstract description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 abstract description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はハイブリッドＩＣ及び半導体封止用セラミック
キャンプに関する。
キャンプに関する。
（従来の技術）
ハイブリッドＩＣ及び半導体封止用セラミックキャンプ
としては従来からアルミナなどのセラミックが用いられ
ていた。
としては従来からアルミナなどのセラミックが用いられ
ていた。
（発明が解決しようとする課題）
しかしながら上記に示すようなセラミックキャンプを用
いてハイブリッドＩＣ及び半導体を封止すると、α線な
どの電磁波及び電気的ノイズにょる障害が生じ易いとい
う欠点がある。
いてハイブリッドＩＣ及び半導体を封止すると、α線な
どの電磁波及び電気的ノイズにょる障害が生じ易いとい
う欠点がある。
本発明は上記の欠点のないハイブリッドＩＣ及び半導体
封止用セラミックキャップを提供することを目的とする
ものである。
封止用セラミックキャップを提供することを目的とする
ものである。
（課題を解決するための手段）
本発明はセラミック製のキャンプの内表面及び／又は外
表面に電磁シールド層を形成してなるハイブリッドＩＣ
及び半導体封止用セラミックキャップに関する。
表面に電磁シールド層を形成してなるハイブリッドＩＣ
及び半導体封止用セラミックキャップに関する。
本発明において電磁シールド層としては、銅。
タングステン、銀、銀−パラジウム、モリブデン等の金
属層を形成することが好ましい。
属層を形成することが好ましい。
電磁シールド層を形成する手段としては特に制限はない
が、メツキ法、印刷法、筆塗り法等で行うことができる
。
が、メツキ法、印刷法、筆塗り法等で行うことができる
。
本発明において用いられるセラミックについても特に制
限はないが９例えばアルミナセラミックを用いることが
好ましい。
限はないが９例えばアルミナセラミックを用いることが
好ましい。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面を引用して説明する。
第４図に示す形状のアルミナセラミック（日立化成工業
製、商品名ハロックス５５２）製のキャンプ１を脱脂液
（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ２０１）で洗浄し、乾
燥後ＮＨ４ＦＮＨ４Ｆ１Ｏ，５重量％） 、（ＮＨ４）
２８０４１ ｇ（４，１重量％）９濃Ｈ２８０４２ｍｌ
（１４，９重量％）及びＨ，０１０ｍ１！（４０，５
重量％）の混合溶液（液湖５０℃）中に５分間浸漬して
粗化を行った。
製、商品名ハロックス５５２）製のキャンプ１を脱脂液
（日立化成工業製、商品名ＨＣＲ２０１）で洗浄し、乾
燥後ＮＨ４ＦＮＨ４Ｆ１Ｏ，５重量％） 、（ＮＨ４）
２８０４１ ｇ（４，１重量％）９濃Ｈ２８０４２ｍｌ
（１４，９重量％）及びＨ，０１０ｍ１！（４０，５
重量％）の混合溶液（液湖５０℃）中に５分間浸漬して
粗化を行った。
次に流水中で十分に水洗し、乾燥後３５０℃に加熱した
ＮａＯＨ融液中に５分間浸漬して再粗化を行った。この
後濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液中に５分間浸漬し、
超音波（出力３００Ｗ）による振動エネルギーを付与し
、セラミックの表面を中和し、ついで水洗を行い無電解
銅めっきを３時間行い、第２図に示すように内表面及び
外表面に電磁シールド層となる厚さ７μｍの銅の被膜２
を形成した。なお無電解めっき液はｐＨ１２，４で第１
表に示す組成のものを用いた。
ＮａＯＨ融液中に５分間浸漬して再粗化を行った。この
後濃度１０重量％のＨ２ＳＯ４溶液中に５分間浸漬し、
超音波（出力３００Ｗ）による振動エネルギーを付与し
、セラミックの表面を中和し、ついで水洗を行い無電解
銅めっきを３時間行い、第２図に示すように内表面及び
外表面に電磁シールド層となる厚さ７μｍの銅の被膜２
を形成した。なお無電解めっき液はｐＨ１２，４で第１
表に示す組成のものを用いた。
第
表
めっき後、下面の突起部分をエツチングして第３図に示
すセラミックキャップを得た。第３図において３はセラ
ミック露出部分である。
すセラミックキャップを得た。第３図において３はセラ
ミック露出部分である。
（発明の効果）
本発明になるＩ・イブリッドＩＣ及び半導体封止用セラ
ミックキャンプは、外部からの電磁波及び電気的ノイズ
の侵入を遮断し、ベアチップＩＣの電磁波及び電気的ノ
イズ影響を少なくシ、誤動作。
ミックキャンプは、外部からの電磁波及び電気的ノイズ
の侵入を遮断し、ベアチップＩＣの電磁波及び電気的ノ
イズ影響を少なくシ、誤動作。
故障を防止することができ、工業的に好適なセラミック
キャンプである。
キャンプである。
第１図及び第２図は本発明の実施例におけるノ・イブリ
ッドＩＣ及び半導体封止用セラミックキャップの製造作
業状態を示す図であシ、第１図はアルミナセラミック製
のキャップを示す断面図、第２図はアルミナセラミック
製のキャップの内表面及び外表面に銅の被膜を形成した
状態を示す断面図並びに第３図は本発明の実施例になる
ハイブリッドＩＣ及び半導体封止用セラミックギャップ
の断面図である。 符号の説明 １・・・アルミナセラミック製のキャンプ２・・・銅の
被膜 ３・・・セラミック露出部分第 図 第 図 アルミナセラミック 製のキヤノン ２銅の被膜 第 図 セラミ ンク露出部分
ッドＩＣ及び半導体封止用セラミックキャップの製造作
業状態を示す図であシ、第１図はアルミナセラミック製
のキャップを示す断面図、第２図はアルミナセラミック
製のキャップの内表面及び外表面に銅の被膜を形成した
状態を示す断面図並びに第３図は本発明の実施例になる
ハイブリッドＩＣ及び半導体封止用セラミックギャップ
の断面図である。 符号の説明 １・・・アルミナセラミック製のキャンプ２・・・銅の
被膜 ３・・・セラミック露出部分第 図 第 図 アルミナセラミック 製のキヤノン ２銅の被膜 第 図 セラミ ンク露出部分
Claims (1)
- １、セラミック製のキャップの内表面及び／又は外表面
に電磁シールド層を形成してなるハイブリッドＩＣ及び
半導体封止用セラミックキャップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27579690A JPH04151858A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | ハイブリツドｉｃ及び半導体封止用セラミツクキヤツプ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27579690A JPH04151858A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | ハイブリツドｉｃ及び半導体封止用セラミツクキヤツプ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04151858A true JPH04151858A (ja) | 1992-05-25 |
Family
ID=17560538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27579690A Pending JPH04151858A (ja) | 1990-10-15 | 1990-10-15 | ハイブリツドｉｃ及び半導体封止用セラミツクキヤツプ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04151858A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028096A3 (en) * | 2001-09-28 | 2003-11-06 | Raytheon Co | Multilayer thin film hydrogen getter |
| TWI382519B (zh) * | 2008-04-21 | 2013-01-11 | Advanced Semiconductor Eng | 利用外蓋之電子元件封裝模組 |
-
1990
- 1990-10-15 JP JP27579690A patent/JPH04151858A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003028096A3 (en) * | 2001-09-28 | 2003-11-06 | Raytheon Co | Multilayer thin film hydrogen getter |
| US6822880B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-11-23 | Raytheon Company | Multilayer thin film hydrogen getter and internal signal EMI shield for complex three dimensional electronic package components |
| TWI382519B (zh) * | 2008-04-21 | 2013-01-11 | Advanced Semiconductor Eng | 利用外蓋之電子元件封裝模組 |
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