JPH04148844A - 酸素ガスセンサ - Google Patents

酸素ガスセンサ

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JPH04148844A
JPH04148844A JP2274482A JP27448290A JPH04148844A JP H04148844 A JPH04148844 A JP H04148844A JP 2274482 A JP2274482 A JP 2274482A JP 27448290 A JP27448290 A JP 27448290A JP H04148844 A JPH04148844 A JP H04148844A
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JP
Japan
Prior art keywords
thin film
electrodes
zinc oxide
oxygen
oxide thin
Prior art date
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Pending
Application number
JP2274482A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Okano
寛 岡野
Kenichi Shibata
賢一 柴田
Kazuhiko Kuroki
黒木 和彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本考案は高温炉内の酸素ガス分圧を測定する等、高温時
の酸素ガス濃度を検出する酸素ガスセンサに関するもの
である。
(ロ)従来の技術 高温で使用される酸素ガスセンサとしては、酸ふイオン
伝専性ジルコニア固体電解質を用いたものが、例えば、
1990年4 JJ2 OB発行の雑誌” 「ニュート
ン」別+1+1[センサの全てJ”の第188頁に記載
されているように公知である。
この酸素ガスセンサは固体電解質の両面にガス透過性の
ある多孔質の白金電極を設けて構成される。そして、・
100℃以−1−に保持した状態で、固体′電解質の両
側に酸素濃度の異なるガスを供給すると、酸素濃度の高
い側から低い側に向がって、酸素がイオンの形で移動し
、両電極間に酸素濃度に応じた起電力が発生する。従っ
て、 一方の4!極側に酸素濃度が既知の気体を用いれ
ば、他方の電極側の酸素濃度が求まる。
この酸素センサはダイナミックレンジが広く、に低濃度
まで測定可能である。その測定可能範囲は01〜100
%、測定精度は約±2%である。
しかしながら、センサ素子の大きさが]0mmX20m
mX 20mm程でやや大きい。
(ハ)発明が解決しようとする課題 本発明はt;を米のジルコニア酸素ガスセンサと同等も
しくは、低濃度ではそれ以−1−の能力を有しながら、
小型化が可能な酸素ガスセンサを提供することを目的と
するものである。
(ニ)課題を解決するための手段 上述の点に鑑み、本発明の酸素ガスセンサは、基板と、
この基板上に形成された酸化亜鉛薄膜と、この酸化亜鉛
薄膜−1−に形成されたインターディジタル電極と、こ
のインターディジタル電極の両側に形成された反射電極
とを備える弾性表面波共振器を構成し、これをセンサ素
子とする。そして、酸化亜鉛薄膜表面の酸素濃度に応じ
たセンサ素子の共振強度の変化に基づいて酸素濃度を検
出することを特徴とするものである。
(ホ)作用 酸化亜鉛薄膜表面では、表面(=1近の酸素濃度に応じ
て次の様な平俊i反応が生じている。
Zn O−Z n + % Os そして、酸化亜鉛薄膜表面の酸素濃度が低いと、反応は
右辺方向に進み、酸化亜鉛薄膜の結晶中に酸素欠落が生
じて電気機械結合係数は低下する。反対に、酸素濃度が
高いと、左辺方向に反応が進むので、結晶中の酸素欠落
は減少するので、電気機械結合係数は大きくなる。した
がって、電気機械結合係数が変化すると弾性表面共振器
の共振強度が変化するので、共振強度の変化に基づいて
酸素濃度が検出される。
(へ)実施例 以下、図面に基づき本発明の一実施例を説明する。
第1図は本発明の酸素ガスセンサを示す図であり、(A
 ) ハ1]:1rii図、(B)は側li面図である
同図において、(1)はシリコン、白金またはアルミナ
等からなる基板である。(2)は単結晶酸化亜鉛(Z 
no )薄膜であり、スパッタ法あるいはイオンブレー
ティング法により、基板(1,)lに形成される。酸化
亜鉛薄膜(2)のC軸は基板(1)に対して垂直方向に
向いている。膜厚は2〜3pmである。
(3)は弾性表面波を励振及び受信するインターディジ
タル電極、(4)(5)はインターディジタル−し極の
両側に配置され、インターディジタル゛1[極(3)の
方向へ弾性表面波を反射する反射電極である。これら電
極(3)(4)(5)は白金からなり、酸化亜鉛薄膜(
2)上に真空蒸着により膜厚1μmの白金膜を成膜した
後、フォトリソグラフィーにより所定パターンが形成さ
れている。このセンサ素子の大きさはW ]、 mmX
 I、2 mm X H0,5mmである。
このような構成のセンサ素子は、インターディジタル電
極(3)の電極(3a)(3b)間に電圧を印加すると
、弾性表面波が励起され、左右の反射電極(4)(5)
によって反射され、反射電極(4)(5)間で反射を繰
り返すことにより定在波となり共振器として働く。その
共振周波数は、インターディジタル電極(3)の電極間
ピッチできまる。
第2図は、」二連の用に構成されたセン→力素子(6)
を含む発振回路を示す図である。センサ素子(6)のイ
ンタディジタル電極(3)の各電極(3a)(3b)は
夫々トランジスタ(7)のコレクタ、ベースに接続され
ている。(8)(9)(1,0)(月)(12)は抵抗
、(13)(1,4)(15)(1,6)はコンテ゛ン
サ、(17)は出力端イ、(18)は〔^:流電圧\I
Cが供給される電源端子である。
出力端子(17)から出力される信号の出力レベルは、
センサ素子(6)の酸化亜鉛薄膜(2)の電気機械結合
係数によ)フ変化する。これは、電気機械結合係数が大
きいほど酸化亜鉛薄膜(2)表面を伝播する弾性表面波
が励起されやすくなるためである。
酸化亜鉛薄膜(2)の電気機械結合係数は、酸化lIF
飴薄膜(2)表面の酸素濃度により変化する。これは酸
化亜鉛薄膜(2)表1r11では次の様な平fg!7反
応が生じているからである。
Z n O21n+%0□ つまり、酸化亜鉛薄膜(2)表面の酸素濃度が低いと、
反応は右辺方向に進み、酸化亜鉛薄膜(2)の結晶+1
弓こ酸素欠落が生じて電気機械結合係数は低下する。反
j=1に、酸素濃−度が高いと、左辺方向に反応が進む
ので、結晶中の酸素欠落は減少するので、電気機械結合
係数は大きくなる。
したがって、第2図の回路構成において、酸化亜鉛薄膜
(2)表面の酸素濃度に応じて、出力端子(17)から
の出力レベルが変化する。
第3図は雰囲気温度T = 500.600.700.
800.900゜1.000℃における酸素濃度(mo
1%)に列する出力共振レベルの変化量を示す図である
。尚、共振周波数は100MI(Zである。
この特性図から明らかなように、酸素濃度が高くなるに
つれて、共振レベルが高くなる。したがって、共振レベ
ルから酸素濃度が検出できる。
共振レベルは、酸素濃度が約30mo1%以上から変化
量が少なくなり、酸素濃度50mo1%以−1−では共
振レベルは一定となっている。これは酸素濃度がこの範
囲のときは酸化1■ス鉛薄膜(2)の結晶中の酸素欠落
は殆ど無くなるので、電気機械結合係数が一定となるか
らである。よって、酸素濃度30mo1%以)゛では、
特に高感度に測定可能となる。
また、雰囲気温度が高くなるほど、共振レベルの変化量
は急峻に変化するので、雰囲気温度が高いほど感度が高
くなる。
共振レベルは温度により変化するので、実際にこのセン
サを使用する際には、あらかじめ共振レベルが一定とな
る酸素濃度50%以1−の雰囲気における共振レベルを
測定し、それとの差から酸素濃度を得る。このような方
法で測定した場合、例えば、雰囲気温度1000℃のと
きに、5mo1%以下の低濃度では±0.1%以Fの高
精度で測定できる。
また、他の方法としては、熱電対等で雰囲気温度を測定
して温度補償する方法がある。さらに、センサ素子と隣
接して同様のセンザ素f−を酸素濃度50mo1%以1
−の雰囲気中に密封して、その出力を基(1らとして使
用する方法がある。この方法では、さらに高精度に測定
することができる。
(1・)発明の効果 以]−に説明したように、本発明の酸素ガスセンサは、
薄膜の電気機械結合係数の変化に基づく共振強度の変化
を利用する弾性表面波共振器型の構造であるので、小型
にでき、また特に低い酸素濃度では高感度である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の酸素ガスセンサの外観を示す図、第2
図はその酸素ガスセンサを用いた共振回路を示す図、第
3図は本発明の酸素ガスセンサの酸素濃度に対する共振
特性を示す図である。 (1)・・・基板、(2)・・・酸化亜鉛薄膜、(3)
・・・インクディジタル、(4,)(5)・・・反射電
極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板と、該基板上に形成された酸化亜鉛薄膜と、
    該酸化亜鉛薄膜上に形成されたインターディジタル電極
    と、該インターディジタル電極の両側に形成された反射
    電極とよりなるセンサ素子を有し、 前記酸化亜鉛薄膜表面の酸素濃度に応じた該センサ素子
    の共振強度の変化に基づいて酸素濃度を検出することを
    特徴とする酸素ガスセンサ。
JP2274482A 1990-10-12 1990-10-12 酸素ガスセンサ Pending JPH04148844A (ja)

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