JPH04147615A - Ｍｏｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｍｏｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH04147615A JPH04147615A JP27265690A JP27265690A JPH04147615A JP H04147615 A JPH04147615 A JP H04147615A JP 27265690 A JP27265690 A JP 27265690A JP 27265690 A JP27265690 A JP 27265690A JP H04147615 A JPH04147615 A JP H04147615A
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- JP
- Japan
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- gas
- reaction tube
- cooling
- wall
- pressure
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- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002360 explosive Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体の結晶成長を実施する装置に関する
ものである。
ものである。
第２図は、従来のＭＯＣＶＤ装置の反応管周辺を示す断
面図であり、図において（１）は反応管、（２）はウェ
ハをセントするサセプタ、（３）は反応管（１）を冷却
するために設けられた冷却用外壁、ａυはガス入口、（
財）はガス排気管、（へ）はサセプタ（２）の温度コン
トロール用のＲＦコイル、αηは反応管（１１の冷却用
の水、（２）は水入口、鱒は水出口である。
面図であり、図において（１）は反応管、（２）はウェ
ハをセントするサセプタ、（３）は反応管（１）を冷却
するために設けられた冷却用外壁、ａυはガス入口、（
財）はガス排気管、（へ）はサセプタ（２）の温度コン
トロール用のＲＦコイル、αηは反応管（１１の冷却用
の水、（２）は水入口、鱒は水出口である。
次に動作について説明する。ウェハをサセプタ（２）上
にセットし、そのサセプタ（２）を反応管ｆＩＩ内にセ
ットする。所望の結晶成長が行なわれるようガスをガス
人口ａυから流入する。一方、ＲＦコイルａ′５にて高
周波加熱にて、サセプタ（２）上のウェハを加熱してお
くことにより、結晶成長が行なわれる。
にセットし、そのサセプタ（２）を反応管ｆＩＩ内にセ
ットする。所望の結晶成長が行なわれるようガスをガス
人口ａυから流入する。一方、ＲＦコイルａ′５にて高
周波加熱にて、サセプタ（２）上のウェハを加熱してお
くことにより、結晶成長が行なわれる。
ここで、反応管（１）内壁近傍での原料ガスの熱分解を
防止するために、反応管（１１を冷却する必要がある。
防止するために、反応管（１１を冷却する必要がある。
そのため、反応管（１）を二重構造として外側の冷却用
外壁（３）内にて水冷を行なう、なお、水入口ａ咎から
水出口α初へ常に水０１が循環し水冷する。
外壁（３）内にて水冷を行なう、なお、水入口ａ咎から
水出口α初へ常に水０１が循環し水冷する。
従来のＭＯＣＶＤ装置は以上のように構成されているの
で、何らかの原因で反応管にリークが生じ、水が反応管
内に侵入すると原料ガス（有機金属ガス（ＭＯガス））
と爆発的に反応し、危険性をはらんでいるという問題点
があった。
で、何らかの原因で反応管にリークが生じ、水が反応管
内に侵入すると原料ガス（有機金属ガス（ＭＯガス））
と爆発的に反応し、危険性をはらんでいるという問題点
があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、水と原料ガス（ＭＯガス）の爆発的な反応と
いった危険を生じることなく安全な装置にできると共に
、反応管のリークを早期発見できるＭＯＣＶＤ装置を得
ることを目的とする。
たもので、水と原料ガス（ＭＯガス）の爆発的な反応と
いった危険を生じることなく安全な装置にできると共に
、反応管のリークを早期発見できるＭＯＣＶＤ装置を得
ることを目的とする。
Ｃ７２題を解決するための手段〕
この発明に係るＭＯＣＶＤ装置は、反応管の冷却材料を
Ｈｅガスとするとともに、冷却器を用いて）（ｅガスを
冷却し復水器を設けて、Ｈｅガスの露点を充分低くして
おく、更に反応管の微小な亀裂を発見するためにＨｅガ
スを加圧器で加圧し、反応管内へＨｅガスをリークする
よう設定する。
Ｈｅガスとするとともに、冷却器を用いて）（ｅガスを
冷却し復水器を設けて、Ｈｅガスの露点を充分低くして
おく、更に反応管の微小な亀裂を発見するためにＨｅガ
スを加圧器で加圧し、反応管内へＨｅガスをリークする
よう設定する。
そして、反応管からのガス排気管において、排気ガスを
サンプリングして常時Ｈｅガスをモニタしたものである
。
サンプリングして常時Ｈｅガスをモニタしたものである
。
〔作用〕
この発明におけるＭＯＣＶＤ装置は、反応管の冷却材料
には、結晶成長の原料ガス（ＭＯガス）と反応しないＨ
ｅガスを使用し反応管内にリークしても反応せず、その
ままガス排気管へ出ていく。
には、結晶成長の原料ガス（ＭＯガス）と反応しないＨ
ｅガスを使用し反応管内にリークしても反応せず、その
ままガス排気管へ出ていく。
そこで、排気ガスをサンプリングしてＨｅガス量を常時
モニタすることが可能となり、微小なＨｅガス量感知す
る。
モニタすることが可能となり、微小なＨｅガス量感知す
る。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、ｉｌｌ〜＋３１．（Ｉυ〜（へ）は第２図
の従来例に示したものと同等であるので説明を省略する
。（４）は冷却用のＨｅガス入口、（５）はＨｅガス出
口、（６）はＨｅガス０ｅの露点を低く保つための復水
器、（７）はＨｅガスａＳ冷却用の冷却器、（８）はＨ
ｅガスａｅを一定圧に保つためのスタビライザ、（９）
はＨｅガスボンベ、ＱωがＨｅガス（２）の圧力を上げ
るための加圧器である。
図において、ｉｌｌ〜＋３１．（Ｉυ〜（へ）は第２図
の従来例に示したものと同等であるので説明を省略する
。（４）は冷却用のＨｅガス入口、（５）はＨｅガス出
口、（６）はＨｅガス０ｅの露点を低く保つための復水
器、（７）はＨｅガスａＳ冷却用の冷却器、（８）はＨ
ｅガスａｅを一定圧に保つためのスタビライザ、（９）
はＨｅガスボンベ、ＱωがＨｅガス（２）の圧力を上げ
るための加圧器である。
次に動作について説明する。ウェハのセットや温度コン
トロール、又原料ガス（ＭＯガス）の動作は第２図の従
来例と同様である。従来同様反応管（１）を冷却する必
要がある。そのため、反応管（１１を二重構造として外
側に冷却用外壁（３）を設ける。
トロール、又原料ガス（ＭＯガス）の動作は第２図の従
来例と同様である。従来同様反応管（１）を冷却する必
要がある。そのため、反応管（１１を二重構造として外
側に冷却用外壁（３）を設ける。
そこへ、Ｈｅガスボンペイ９）から供給したＨｅガス０
［９をＨｅガス入口（４）から流入する。このＨｅガス
αｅは冷却器（７）にて冷却しておく、Ｈｅガス入口（
４）から入ったＨｅガスＯ１ＯはＨｅガス出口（５１か
ら出て循環性をもたせる。これにより、反応管ｔｘｔの
冷却効果を得る。又、反応管（１）に微小なリークが発
生したときの早期発見を目的として、微小な亀裂がらで
も）（ｅガスαｅがリークしてくるよう加圧器α〔にて
Ｈｅガスａυの圧力を上げておき、スタビライザ（８）
にて圧力を一定に保つようにしておく、これにより、若
干のリークが発生したとき反応管がらの排気ガスをサン
プリングしてＨｅディテクタα謙で常時Ｈｅガス（ト）
をモニタしておき反応管＋１１のリークを早期発見する
。一方、安全性を向上させるためＨｅガス（至）が結露
しないよう復水器（６）にて充分露点を低く保つ。
［９をＨｅガス入口（４）から流入する。このＨｅガス
αｅは冷却器（７）にて冷却しておく、Ｈｅガス入口（
４）から入ったＨｅガスＯ１ＯはＨｅガス出口（５１か
ら出て循環性をもたせる。これにより、反応管ｔｘｔの
冷却効果を得る。又、反応管（１）に微小なリークが発
生したときの早期発見を目的として、微小な亀裂がらで
も）（ｅガスαｅがリークしてくるよう加圧器α〔にて
Ｈｅガスａυの圧力を上げておき、スタビライザ（８）
にて圧力を一定に保つようにしておく、これにより、若
干のリークが発生したとき反応管がらの排気ガスをサン
プリングしてＨｅディテクタα謙で常時Ｈｅガス（ト）
をモニタしておき反応管＋１１のリークを早期発見する
。一方、安全性を向上させるためＨｅガス（至）が結露
しないよう復水器（６）にて充分露点を低く保つ。
以上のように、この発明によれば冷却材料をＨｅガスと
したので反応管内の原料ガス（ＭＯガス）と反応せず、
反応管にリークが発生しても爆発等の危険を生じない安
全な装置を得ることができる。又、Ｈｅディテクタによ
り反応管内のＨｅガスのリーク両を常時モニタしている
ので、反応管の劣化状況を常に把握できる装置が得られ
る効果がある。
したので反応管内の原料ガス（ＭＯガス）と反応せず、
反応管にリークが発生しても爆発等の危険を生じない安
全な装置を得ることができる。又、Ｈｅディテクタによ
り反応管内のＨｅガスのリーク両を常時モニタしている
ので、反応管の劣化状況を常に把握できる装置が得られ
る効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるＭＯＣＶＤ装置の反
応管周辺を示す断面図、第２図は従来のＭＯＣＶＤ装置
の反応管周辺を示す断面図である。 図において、＋１１は反応管、（２）はサセプタ、（３
）は冷却用外壁、（４）はＨｅガス入口、（５）はＨｅ
ガス出口、（６）は復水器、（７〕は冷却器、（８）は
スタビライザ、（９）はＨｅガスボンベ、顛は加圧器、
０υはガス入口、（転）は除外装置、ａ湯はＨｅディテ
クタ、（財）はガス排気管、αりはＲＦコイル、ａＱは
Ｈｅガスでる。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
応管周辺を示す断面図、第２図は従来のＭＯＣＶＤ装置
の反応管周辺を示す断面図である。 図において、＋１１は反応管、（２）はサセプタ、（３
）は冷却用外壁、（４）はＨｅガス入口、（５）はＨｅ
ガス出口、（６）は復水器、（７〕は冷却器、（８）は
スタビライザ、（９）はＨｅガスボンベ、顛は加圧器、
０υはガス入口、（転）は除外装置、ａ湯はＨｅディテ
クタ、（財）はガス排気管、αりはＲＦコイル、ａＱは
Ｈｅガスでる。 なお図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- 反応管を二重構造とし、反応管の外側に冷却用の外壁
を有するＭＯＣＶＤ装置において、当該外壁中に冷却、
加圧したＨｅガスを一定圧流したことを特徴とするＭＯ
ＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27265690A JPH04147615A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | Ｍｏｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27265690A JPH04147615A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | Ｍｏｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04147615A true JPH04147615A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17516965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27265690A Pending JPH04147615A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | Ｍｏｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04147615A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007081428A (ja) * | 2006-12-08 | 2007-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| WO2007040033A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 冷却システム、その運転方法およびその冷却システムが用いられたプラズマ処理システム |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP27265690A patent/JPH04147615A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007040033A1 (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 冷却システム、その運転方法およびその冷却システムが用いられたプラズマ処理システム |
| JP2007081428A (ja) * | 2006-12-08 | 2007-03-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
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