JPH0414735Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0414735Y2
JPH0414735Y2 JP18269186U JP18269186U JPH0414735Y2 JP H0414735 Y2 JPH0414735 Y2 JP H0414735Y2 JP 18269186 U JP18269186 U JP 18269186U JP 18269186 U JP18269186 U JP 18269186U JP H0414735 Y2 JPH0414735 Y2 JP H0414735Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
ferroelectric liquid
high frequency
substrates
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP18269186U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6388829U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP18269186U priority Critical patent/JPH0414735Y2/ja
Publication of JPS6388829U publication Critical patent/JPS6388829U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0414735Y2 publication Critical patent/JPH0414735Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
  • Exposure Or Original Feeding In Electrophotography (AREA)
  • Combination Of More Than One Step In Electrophotography (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔考案の技術分野〕 本考案は強誘電性液晶を用いた液晶装置に関す
る。
〔考案の技術的背景とその問題点〕
近年、液晶表示装置の分野では、高速応答性を
有する強誘電性液晶を用いることが提案されてい
る。この強誘電性液晶としては、カイラルスメク
チツクC相またはカイラルスメクチツクH相を示
すものを用いることが検討されている。この液晶
はら旋状の分子配列構造を有しており、液晶分子
が螺旋軸に対して傾いて配列されている。そし
て、この液晶は電界に対して強誘電性を示し、電
界の向きに応じて自発分極を反転させて高速で応
答する。従つて、この強誘電性液晶を用いること
により液晶表示装置の応答性を高め高速スイツチ
ング性を与えることができる。
一方、最近液晶素子として、対向配置した一対
の透明な基板の内面に互に対向する電極を形成し
且つ一対の基板間に液晶を封入して、光の透過を
制御する多数のシヤツタ部を配列形成したもの
(液晶シヤツタ)が実用化され、この液晶素子は
光書込み式プリンタの光書込みなどに用いられつ
つある。そして、この液晶素子においても、応答
性を高めるために強誘電性液晶を用いることが検
討されている。
しかして、強誘電性液晶は常温では粘度が高
く、均一な配向が得られないので、強誘電性液晶
を用いた液晶素子においては、強誘電性液晶を配
向させるために、強誘電性液晶を加熱して等方性
液体とし、その後に徐冷して均一なスメクチツク
C*相にして配向させる方法が採用されている。
この場合の強誘電性液晶の相変化は、ISO→Ch→
SmA→Sc*である。
しかるに、従来の強誘電性液晶を用いた液晶素
子では、セル内部に封入された強誘電性液晶を加
熱するために、セル外部に電熱ヒータを設け、こ
の電熱ヒータによりセルを加熱する構造が採用さ
れている。
しかしながら、この構造では液晶素子のセルの
部品数が増加して構成が複雑化し、また電熱ヒー
タの熱が影響を与えないように液晶素子の周辺に
設ける部品に対して防熱対策を施す必要があると
いう問題点がある。
〔考案の目的〕
本考案は前記事情に基づいてなされたもので、
強誘電性液晶を均一に配向させるための加熱手段
を改良し、液晶セルの構成を簡素化と、且つ周辺
部品に熱的影響を与えることがない液晶装置を提
供することを目的とするものである。
〔考案の概要〕
本考案の液晶装置は、対向配置した一対の基板
の夫々の内面に電極および配向膜を形成し且つ前
記一対の基板間に強誘電性液晶を封入してなる液
晶素子と、この液晶素子の前記一対の基板に形成
された対向する電極間に高周波電圧を印加して前
記強誘電性液晶を等方性となる温度に加熱した後
徐冷し、前記強誘電性液晶を均一に配向させるた
めの高周波印加手段とを具備することを特徴とす
るものである。
〔考案の実施例〕
以下本考案の一実施例を図面について説明す
る。
本考案を適用する液晶装置を第2図および第3
図について説明する。この液晶装置は光書込み式
プリンタの光書込み用として用いる横長形のもの
である。
図中1,2は透明なガラス板からなる一対の基
板で、この基板1,2は対向配置されて枠形のシ
ール材3を介して接着されている。
一方の基板1の内面には多数の信号電極4…が
長手方向に間隔を存して互い違いに形成してあ
る。信号電極4…は透明電極と金属電極とからな
るもので、透明電極は例えば共通接続された2個
のシヤツタ電極4a,4aと端子電極4bを形成
し、金属電極はシヤツタ電極4a,4aを除く透
明電極の表面上を覆つて形成する。これにより各
信号電極4には透明電極によりシヤツタ電極4a
…,4a…が配列形成される。また、基板1の一
面の液晶封入部つまり前記シヤツタ電極4a…,
4a…配列部に帯状をなす配向膜5を形成する。
なお、配向膜5は必要に応じてラビング処理を施
す。基板2は基板1より細長いもので、その一面
に帯状をなす2本の共通電極6,6を長手方向に
沿い平行に形成する。共通電極6,6は透明電極
と、前記基板1のシヤツタ電極4a…,4a…と
対向する部分を除いて透明電極の表面を覆う金属
電極とからなるものであり、各共通電極6,6に
は透明電極からなるシヤツタ電極6a…,6a…
が配列形成される。また、基板1の一面の液晶封
入部つまりシヤツタ電極6a…,6a…の配列部
を覆つて帯状の配向膜7を形成する。なお、必要
に応じて配向膜7にラビング処理を施す。
また、基板1,2とシール材3とで囲まれた部
分には強誘電性液晶8が封入してある。ここで、
強誘電性液晶8は、二色性を有する強誘電性液晶
または強誘電性液晶に二色性染料を溶解した液晶
組成物をさしている。強誘電性液晶は、カイラル
スメクチツクC相を示す液晶、例えばP−デシル
オキシベンジリデン−P′−アミノ−ス−メチルブ
チルシンナメートを使用する。この強誘電性液晶
は、層状構造をなし、各層毎に分子長軸が変化
し、層に対して直角な方向にら旋軸を有するら旋
状分子配列を示し、液晶分子がら旋軸に対して傾
いているものである。なお強誘電性液晶8は常温
ではペースト状態をなしているので、液晶素子の
セルを製造する際には、強誘電性液晶を予め加熱
して流動性を増し、対向する基板1,2とシール
材とで囲われる領域に注入するか、又は基板1,
2のいずれか一方の内面に設けた配向膜の表面に
ペースト状をなす強誘電性液晶8を所定厚さで塗
布して膜を形成する。そして、後述する配向方向
によりペースト状の強誘電性液晶8を均一に配向
させる。
そして、基板1のシヤツタ電極4a…,4a
…、このシヤツタ電極と対向する基板2のシヤツ
タ電極6a…,6a…および両シヤツタ電極間に
ある強誘電性液晶8により多数のシヤツタS…,
S…が配列構成される。
なお、シール材3には空気逃がし孔9を形成
し、シール材3を挟んで基板1,2を接合する時
にシール材3で囲まれた基板1,2間に存在する
空気を外部へ排出し、その後空気逃がし孔9を閉
じる。
このように構成した液晶装置における電極に高
周波電圧を印加する高周波印加手段を第1図につ
いて説明する。図中11は印字データ制御部で、
これは外部機器から送られる印字データを受け、
印字すべき文字のパターンの各ドツトに対応した
各シヤツタ部S…の開閉を制御するための印字デ
ータをセグメントドライバー12に出力する。こ
の印字データ制御部11からのデータの出力は、
クロツク・タイミングパルス発生部13で発生す
るクロツク・タイミングパルスに同期して行なわ
れる。セグメントドライバー12は、印字データ
制御部11からのデータを受け、文字パターンの
ドツトに応じて液晶素子の信号電極4…,4…に
オンパターン信号またはオフパターン信号を印加
する。コモンドライバー14は、クロツク・タイ
ミングパルス発生部13で発生したクロツク・タ
イミングパルスに基づいて、コモン信号を発生
し、このコモン信号液晶素子のコモン電極6,6
に印加する。
高周波発生部15は、周波数が変化する高周波
を発生し得、この高周波はコモンドライバー14
及びセグメントドライバー12に供給される。温
度検出部16は、液晶素子の温度を検出する温度
検出素子17を備え、この温度検出素子からの温
度信号を受け、この温度信号を増幅し、波形整形
した後A/D変換して温度データ信号を配向制御
部18へ与える。配向制御部18は、液晶の配向
を均一に再び配向させるための再配向指令に従つ
て動作を開始し、予め設定された加熱、又は冷却
速度に従つて前記高周波発生部15に、高周波制
御信号を出力する。
次に液晶装置における強誘電性液晶8を配向さ
せる液晶装置の動作について説明する。この液晶
装置は、シール材3で囲まれた基板1,2の間隙
に封入されている強誘電性液晶8を対向する電極
間に高周波電圧を印加することによつて加熱し、
その後徐冷することにより液晶を均一に配向させ
るものである。まず、再配向指令信号により配向
制御部18より、液晶を加熱するための高周波を
発生させる信号が高周波発生部15に与えられ
る。前記高周波発生部15は強誘電性液晶8を加
熱するための高周波電圧を発生する。高周波発生
部15で発生させた高周波電圧は、セグメントド
ライバー12及びコモンドライバー14に供給さ
れ、液晶装置の各信号電極4…,4…および共通
電極6,6に印加される。この両電極間に高周波
電圧が印加されると、強誘電性液晶8に電流i=
4CV+V/R(但し、:周波数、C:容量、
V:電圧、R:抵抗である。)が流れる。電圧の
周波数fを高周波にすると、電流iが増大する。
そうすると、熱Q=1/JRI2(但し、J:定数)
が強誘電性液晶8に蓄えられ、液晶8は加熱され
て温度上昇し等方性の液体となる。強誘電性液晶
8に対する温度制御は次のように行なう。温度検
出素子17が強誘電性液晶8の温度を検出し、温
度検出部16が配向制御部18に温度データを出
力する。配向制御部18は、検出された温度デー
タを参照しつつ、予め記憶された冷却速度に従つ
て、高周波の周波数を可変とする高周波制御信号
を高周波発生部15へ与え、高周波発生部15
は、発生する高周波の周波数を徐々に低下させた
高周波電圧をコモンドライバー14及びセグメン
トドライバー12に供給する。つまり、液晶に印
加する高周波の周波数を順次低くすることによ
り、発生する熱量を低下させて徐冷するのであ
る。例えば約1℃/分の冷却速度で徐冷すると、
強誘電性液晶8は均一に配向したスメクチツク
C*相が得られる。強誘電性液晶8は約116℃で等
方性の液体となり、約63℃ないし95℃でSm*Cを
示す。このようにして液晶装置の基板1,2間に
封入した強誘電性液晶8を均一に配向させること
ができる。
尚、この考案は液晶装置に強誘電性液晶を封入
した後に初期配向をさせる場合、及び、この液晶
装置を用いた装置を作動させる前の起動時ごとに
行なわれる予熱の期間ごとに、乱れた配向を均一
に再配向させる装置に適用することができる。
〔考案の効果〕
以上説明したように本考案によれば、液晶装置
のセルに封入した強誘電性液晶を配向させるため
に、セルに形成した液晶駆動用の電極を利用して
この電極に高周波電圧を印加することにより、強
誘電性液晶を加熱し、また徐冷するので、セルの
外部に液晶加熱用の電熱ヒータを特別に設ける必
要がなく、セルの部品点数が減少して構成が簡素
化される。また、セルの周辺に設ける部品に熱的
影響を与えることがないので、周辺部品に特別な
防熱対策を施す必要もない。
【図面の簡単な説明】
図面は本考案の一実施例を示し、第1図は高周
波印加手段を示す回路図、第2図および第3図は
液晶装置を示す平面図および横断面図である。 1,2……基板、4……信号電極、6……共通
電極、8……強誘電性液晶、15……高電圧発生
部、17……温度検出素子、18……配向制御
部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 対向配置した一対の基板の夫々の内面に電極お
    よび配向膜を形成し且つ前記一対の基板間に強誘
    電性液晶を封入してなる液晶素子と、この液晶素
    子の前記一対の基板に形成された対向する電極間
    に高周波電圧を印加して前記強誘電性液晶を等方
    性となる温度に加熱した後徐冷し、前記強誘電性
    液晶を均一に配向させるための高周波印加手段と
    を具備することを特徴とする液晶装置。
JP18269186U 1986-11-27 1986-11-27 Expired JPH0414735Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18269186U JPH0414735Y2 (ja) 1986-11-27 1986-11-27

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18269186U JPH0414735Y2 (ja) 1986-11-27 1986-11-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6388829U JPS6388829U (ja) 1988-06-09
JPH0414735Y2 true JPH0414735Y2 (ja) 1992-04-02

Family

ID=31128724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18269186U Expired JPH0414735Y2 (ja) 1986-11-27 1986-11-27

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0414735Y2 (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6388829U (ja) 1988-06-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4472026A (en) Electrothermal matrix addressable liquid crystal display
JPS6230614B2 (ja)
US4675699A (en) Image-recording apparatus
JPH0414735Y2 (ja)
JPS6262334A (ja) 液晶素子
JPH09311354A (ja) 液晶表示素子の製造方法
JPS63121021A (ja) 強誘電性液晶層の配向回復方法
JPS6147930A (ja) 液晶電気光学装置
JP2641370B2 (ja) 液晶表示装置の製造方法
JPS62299815A (ja) 強誘電性液晶表示素子の製造方法
JPS6123118A (ja) 光スイツチ素子
US20020085132A1 (en) Pressure sealing apparatus and method for ferro-electric liquid crystal display
JPH03290619A (ja) 液晶セル
JPS62153835A (ja) 液晶素子
JPH0290124A (ja) 液晶電気光学素子
JPH01140126A (ja) 液晶表示装置
JP2662945B2 (ja) 画像記録装置
JPS6120572Y2 (ja)
JPS6279427A (ja) 液晶装置
JPS61197677A (ja) 画像記録方法
KR100243037B1 (ko) 액정셀 제조방법
JPS6250734A (ja) 液晶セル
JPH07159789A (ja) 液晶の配向方法
JPS6173925A (ja) 液晶表示装置
JPS6377021A (ja) 相転移型液晶表示素子