JPS6173925A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS6173925A JPS6173925A JP19712384A JP19712384A JPS6173925A JP S6173925 A JPS6173925 A JP S6173925A JP 19712384 A JP19712384 A JP 19712384A JP 19712384 A JP19712384 A JP 19712384A JP S6173925 A JPS6173925 A JP S6173925A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- spacers
- display device
- crystal display
- alignment control
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は液晶表示装置に係わシ、特に強誘電性を示すス
メクチ、り液晶を用いた液晶表示装置に関するものであ
る。
メクチ、り液晶を用いた液晶表示装置に関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
従来のネマチック液晶セルの配向制御はラビングや誘電
体物質の斜方蒸着によシモノドメイン処理がなされてい
た。しかしスメクチック液晶の場合には粘性が高く流動
性がないため、いったん層が形成され界面によりて固定
されると層全体を動かすには非常に大きな力を必要とす
る。
体物質の斜方蒸着によシモノドメイン処理がなされてい
た。しかしスメクチック液晶の場合には粘性が高く流動
性がないため、いったん層が形成され界面によりて固定
されると層全体を動かすには非常に大きな力を必要とす
る。
現在の公知である配向処理方法としては有機高分子膜の
切断面（フィルムエツジ）を結晶成長時の核として用い
、かつ温度勾配を付与して結晶成長させてモノドメイン
セルを得ている。この方法を用いて良好な配向状態を得
るためには上記の有機高分子膜の材質およびその形状が
重要である。
切断面（フィルムエツジ）を結晶成長時の核として用い
、かつ温度勾配を付与して結晶成長させてモノドメイン
セルを得ている。この方法を用いて良好な配向状態を得
るためには上記の有機高分子膜の材質およびその形状が
重要である。
発明の目的
本発明はクシ製形状をしたスペーサ兼配向制御膜を備え
た液晶セル中に強誘電性を示すスメクチック液晶組成物
を封入したことを特徴とする。さらに詳述するならば上
記スペーサ兼配向制御膜を核として封入した強誘電性ス
メクチ、り液晶を良好なモノドメインとした液晶セルを
提供することを目的とする。
た液晶セル中に強誘電性を示すスメクチック液晶組成物
を封入したことを特徴とする。さらに詳述するならば上
記スペーサ兼配向制御膜を核として封入した強誘電性ス
メクチ、り液晶を良好なモノドメインとした液晶セルを
提供することを目的とする。
発明の構成
本発明の液晶表示装置はクシ型形状のスペーサ兼配向制
御膜を備えた液晶セル中に、強誘電性を示すスメクチッ
ク液晶を封入したことを特徴とする液晶表示装置であり
、この構成により良好なモノドメインをもつスメクチッ
ク液晶セルとするものである。
御膜を備えた液晶セル中に、強誘電性を示すスメクチッ
ク液晶を封入したことを特徴とする液晶表示装置であり
、この構成により良好なモノドメインをもつスメクチッ
ク液晶セルとするものである。
実施例の説明
強誘電性を示すスメクチック液晶の代表的なものとして
、カイラルスメクチ、りｄ相（ＳｍＧ ）、カイラルス
メクチ、りＦ相（ＳｍＦ’ ） 、カイラルスメクチ、
りＩ相（８ｍｒ）などがある。
、カイラルスメクチ、りｄ相（ＳｍＧ ）、カイラルス
メクチ、りＦ相（ＳｍＦ’ ） 、カイラルスメクチ、
りＩ相（８ｍｒ）などがある。
これらの強誘電性を示すスメクチック液晶を用いた セ
ルの特徴は従来使用されているツイストネマチ、り型の
セルと較べて非常に速い応答性を示し、ツイストネマ
チ、り型パネルでは実現できないマイクロ秒の応答時間
を示すことである。
ルの特徴は従来使用されているツイストネマチ、り型の
セルと較べて非常に速い応答性を示し、ツイストネマ
チ、り型パネルでは実現できないマイクロ秒の応答時間
を示すことである。
また、通常スメクチ、り液晶は液晶分子配列が若干具な
る相をその温度領域ごとにいくつか併わせもりている。
る相をその温度領域ごとにいくつか併わせもりている。
例えば５Ｏｔ−有する液晶化合物を加熱し、等方性液体
とした後に冷却すれば一般に次のような相変化を示す。
とした後に冷却すれば一般に次のような相変化を示す。
等方性液体−スメクチ、り人相−５ｍＧ″−５ｍ１’ｆ
’→結晶スメクチックム相（ａｍム）は、層内の分子位
置に規則性がなく、ダイレクタは層の面に対して直角で
ある。またａｍムの組織は、通常７１ンシ工イプ組織と
呼ばれる菱形を長く延ばし、少し歪めた形の組織をもっ
ている。ＳｍムからＳｍＧ’に変化すると、７１ンシ工
イズ組織の各菱形の中にストライプが等間隔に現われて
くる。
’→結晶スメクチックム相（ａｍム）は、層内の分子位
置に規則性がなく、ダイレクタは層の面に対して直角で
ある。またａｍムの組織は、通常７１ンシ工イプ組織と
呼ばれる菱形を長く延ばし、少し歪めた形の組織をもっ
ている。ＳｍムからＳｍＧ’に変化すると、７１ンシ工
イズ組織の各菱形の中にストライプが等間隔に現われて
くる。
この上うな相変化を利用することによって目的とするス
メクチック相をモノドメイン化することかで−きる。そ
のためには約０．１℃程度の精度での温度コントロール
が必要であ夛、かつモノドメイン化を誘起させるための
配向制御膜の材質および形状が重要である。
メクチック相をモノドメイン化することかで−きる。そ
のためには約０．１℃程度の精度での温度コントロール
が必要であ夛、かつモノドメイン化を誘起させるための
配向制御膜の材質および形状が重要である。
次に本発明をより一層明確なものとするために一実施例
について具体的に説明する。
について具体的に説明する。
（実施例）
少なくとも一方が透明な電圧印加用電極と付与した２枚
の絶縁基板の一方にリフトオフ法ないしは印刷法により
第１図に示した如くクシ型形状にポリイミド配向制御膜
兼スペーサを形成する。
の絶縁基板の一方にリフトオフ法ないしは印刷法により
第１図に示した如くクシ型形状にポリイミド配向制御膜
兼スペーサを形成する。
このようにして作りた基板を上記ポリイミド膜をスペー
サとして所定の方法により貼シ合わせて液晶セルを作シ
、その中に強誘電性スメクチック液晶、例えばＰ−デシ
ルオキシベンジリデン−Ｐ−アミノ−２−メチルブチル
シンナメイト（ＤＯＢ五ＭＢＣ）すなわち次の構造式を
有する液晶化合物を封入する。
サとして所定の方法により貼シ合わせて液晶セルを作シ
、その中に強誘電性スメクチック液晶、例えばＰ−デシ
ルオキシベンジリデン−Ｐ−アミノ−２−メチルブチル
シンナメイト（ＤＯＢ五ＭＢＣ）すなわち次の構造式を
有する液晶化合物を封入する。
その後パネル内部に設けられた発熱体または外部から加
熱して第１図ムからＢ方向へ温度勾配をつけながら上記
液晶化合物の等方性液体からスメクチ、り人相への転移
温度（１１７℃）まで徐冷する。そして更に徐冷を行な
いスメクチ、り人相からスメクチックＣ相への転移温度
である９３℃より数置Ｃ低い温度、例えば５ｏｃｋで徐
冷をしてストライプドメイ／を形成させつつモノドメイ
ン化する。このようにすることでスメクチック人相のモ
ノドメイン構造をもつ均一なスメクチック液晶セルがで
きる。
熱して第１図ムからＢ方向へ温度勾配をつけながら上記
液晶化合物の等方性液体からスメクチ、り人相への転移
温度（１１７℃）まで徐冷する。そして更に徐冷を行な
いスメクチ、り人相からスメクチックＣ相への転移温度
である９３℃より数置Ｃ低い温度、例えば５ｏｃｋで徐
冷をしてストライプドメイ／を形成させつつモノドメイ
ン化する。このようにすることでスメクチック人相のモ
ノドメイン構造をもつ均一なスメクチック液晶セルがで
きる。
この際第１図に示した形状の配向制御膜はモノドメイン
の領域を拡大する。
の領域を拡大する。
また本発明による配向制御膜蓋スペーサの形状および配
置は第１図に示した例には限定されず、他の一例として
の形状および配置を第２図に示した。
置は第１図に示した例には限定されず、他の一例として
の形状および配置を第２図に示した。
発明の効果
本発明になるクシ型形状の配向制御膜蓋スペーサはその
形状からもわかるように液晶相と配向制御膜とのふれる
面積が大きいことからモノドメイン化が容易でアリ、か
つ広い面積にわたりてモノドメイン化できることがわか
った。
形状からもわかるように液晶相と配向制御膜とのふれる
面積が大きいことからモノドメイン化が容易でアリ、か
つ広い面積にわたりてモノドメイン化できることがわか
った。
一方、配向制御膜としての機能を多くの材質で検討した
結果、ポリイミドまたはポリエチレンテレフタレートを
用いた場合に良好な結果を得ることができた。
結果、ポリイミドまたはポリエチレンテレフタレートを
用いた場合に良好な結果を得ることができた。
またスペーサーとしての機能としても基板との接面積が
広いことから均一な所定セルギヤ、プとするのに非常に
有効であった。
広いことから均一な所定セルギヤ、プとするのに非常に
有効であった。
第１図は本発明によるスペーサ兼配向制御膜を説明する
ための図、第２図は本発明によるスペーサ兼配向制御膜
の他の実施例の説明図である。 １．４・・・・電圧印加用電極を付与した絶縁基板、２
．３，５．６・・・・・・本発明になる配向制御膜兼ス
ペーサ。
ための図、第２図は本発明によるスペーサ兼配向制御膜
の他の実施例の説明図である。 １．４・・・・電圧印加用電極を付与した絶縁基板、２
．３，５．６・・・・・・本発明になる配向制御膜兼ス
ペーサ。
Claims (3)
- （１）クシ型形状のスペーサー兼配向制御膜を備えた液
晶セル中に、強誘電性を示すスメクチック液晶を封入し
たことを特徴とする液晶表示装置。 - （２）クシ型形状のスペーサー兼配向制御膜として有機
高分子膜を用いたことを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の液晶表示装置。 - （３）クシ型形状のスペーサー兼配向制御膜としてポリ
イミドまたはポリエチレンテレフタレート膜を用いたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の液晶表示装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712384A JPS6173925A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19712384A JPS6173925A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6173925A true JPS6173925A (ja) | 1986-04-16 |
Family
ID=16369117
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19712384A Pending JPS6173925A (ja) | 1984-09-20 | 1984-09-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6173925A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109386A (en) * | 1976-03-10 | 1977-09-13 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS5949518A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-22 | Toyo Suchiiruberuto Kogyo Kk | モノドメインを形成する液晶セル |
| JPS59201021A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| JPS6031118A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-16 | Canon Inc | 光学変調素子およびその製法 |
| JPS60188925A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
-
1984
- 1984-09-20 JP JP19712384A patent/JPS6173925A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52109386A (en) * | 1976-03-10 | 1977-09-13 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS5949518A (ja) * | 1982-09-16 | 1984-03-22 | Toyo Suchiiruberuto Kogyo Kk | モノドメインを形成する液晶セル |
| JPS59201021A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-14 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| JPS6031118A (ja) * | 1983-07-30 | 1985-02-16 | Canon Inc | 光学変調素子およびその製法 |
| JPS60188925A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
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