JPH04137606U - 電圧制御発振器 - Google Patents

電圧制御発振器

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JPH04137606U
JPH04137606U JP4448291U JP4448291U JPH04137606U JP H04137606 U JPH04137606 U JP H04137606U JP 4448291 U JP4448291 U JP 4448291U JP 4448291 U JP4448291 U JP 4448291U JP H04137606 U JPH04137606 U JP H04137606U
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JP
Japan
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varactor diode
capacitor
circuit
transistor
coil
Prior art date
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Application number
JP4448291U
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English (en)
Inventor
修二 安部
Original Assignee
株式会社東芝
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Publication date
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  • Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】バラクタダイオードを、見掛け上低容量化する
とともに、見掛け上の容量変化比を大きくする。 【構成】λ/4差動増幅器は、バラクタダイオードD1
、コイルL2 ,L3 、コンデンサC1 ,C5 から構成
されている。制御電圧Vt の入力端子はコンデンサC1
を介して基準電位点に接続されるとともに、バラクタダ
イオードD1 のカソードに接続されている。バラクタダ
イオードD1 のアノードは、コイルL1 を介して基準電
位点に接続されるとともに、コイルL3 とコンデンサC
5 の直列回路を介してバラクタダイオードD1 のカソー
ドに接続されている。バラクタダイオードD1 のアノー
ドは、一方のトランジスタQ2 のコレクタにコンデンサ
C2 で容量結合すると共に、その同調回路で同調した周
波数成分だけ帰還容量(コンデンサC3 )を介して他方
のトランジスタQ1に同相で正帰還をかけ、発振動作す
るようにしている。これにより、バラクタダイオード
を、見掛け上低容量化するとともに、見掛け上の容量変
化比を大きくする。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】 [考案の目的]
【0002】
【産業上の利用分野】
本考案は高周波電気機器に用いられる電圧制御発振器に係り、特に特に安価な 回路部品で高周波高変化比を実現できる電圧制御発振器に関する。
【0003】
【従来の技術】
図3に従来のλ/4差動増幅器を使用した電圧制御発振器を示す。周知のよう にλ/4差動増幅器は、トランジスタQ1 のコレクタを直流電源Vccに接続し、 トランジスタQ2 のコレクタをコイルL1 を介して直流電源Vccに接続するとと もに、エミッタを電流源IE に接続している。これを発振器として使用する場合 、バラクタダイオードD1 、コンデンサC1 、コイルL2 から成る主同調回路( 分布定数回路としてはλ/4同調回路を構成しており、主としてコンデンサC1 が短縮容量を形成している)を一方のトランジスタQ2 のコレクタにコンデンサ C2 で容量結合すると共に、その同調回路で同調した周波数成分だけ帰還容量と 成るコンデンサC3 を介して他方のトランジスタQ1 のベースに同相で正帰還を かけ、発振動作するようにしている。また、トランジスタQ2 のベースには高周 波的に接地するためのコンデンサC4 を接続している。バラクターダイオードD 1 の一端には抵抗R1 を介して制御電圧Vt を加え、この電圧によつて発振周波 数を制御できるようにしている。発振出力はトランジスタQ1 のベースから取り 、これに接続される負荷としてミキサやバッファアンプ等に供給される。
【0004】 尚、トランジスタQ1 のベースは、コンデンサC3 を介して、実線に示すよう に、バラクタダイオードD1 のアノードに接続してもよく、破線に示すように、 バラクタダイオードD1 のカソードに接続してもよい。また、図3においてはλ /4差動増幅器のベースバイアス回路は省略して図示していない。
【0005】 このような電圧制御発振器では、発振周波数の可変領域はバラクタダイオード D1 の容量変化比と、コンデンサC1 の容量によってほとんど決定される。高周 波高変化比を得るためには、コンデンサC1 の容量をバラクタダイオードD1 に 比べて十分大きくし、バラクタダイオードD1 の容量変化比を大きくしなければ ならない。しかし実際には、コンデンサC1 の容量(短絡容量)を大きくすると 、電圧Vt が低い時、バラクタダイオードD1 の直列等価抵抗値(rs )が増大 することによって振幅条件を満足できなくなり発振停止に至る。また、500M Hz〜2GHzの発振周波数を得るためには、バラクタダイオードD1 の容量値 が小さくなければならないが、低容量バラクタで高変化比を得るのは困難である ため、高周波で高変化比の電圧制御発振器を設計するのは難しい。
【0006】 このことを具体的な数値で説明すると、図3の従来例では、600MHz〜1 GHzの周波数帯の電圧制御発振器で、制御電圧Vt が2V〜25Vの可変範囲 で、高周波高変化比が1.8程度が限界であった。
【0007】
【考案が解決しようとする課題】
上記した従来の電圧制御発振器では、高周波高変化比を得るためには、主同調 回路のコンデンサの容量をバラクタダイオードに比べて十分大きくし、バラクタ ダイオードの容量変化比を大きくしなければならないが、コンデンサの容量を大 きくすると、バラクタダイオードの直列等価抵抗値(rs )が増大し、振幅条件 を満足できなくなり発振停止に至る。また、500MHz〜2GHzの発振周波 数を得ることのできる低容量バラクタダイオードで高変化比を得るのは困難であ るため、高周波で高変化比の電圧制御発振器を設計するのは難しい。
【0008】 本考案は前記の問題点を除去し、バラクタダイオードを、見掛け上低容量化す るとともに、見掛け上の容量変化比を大きくすることを目的とする。
【0009】 [考案の構成]
【0010】
【課題を解決するための手段】
この考案に係る電圧制御発振器は、エミッタが共通の電流源に接続され、コレ クタが直流電源に接続されて差動増幅器を構成する第1及び第2のトランジスタ と、この第2のトランジスタのベースを、高周波的に基準電位点に短絡するため の短絡回路と、第1のコンデンサとバラクタダイオードの直列回路およびこの直 列回路に並列に接続された第1のコイルとから成り、前記第2のトランジスタの コレクタに結合容量を介して接続された同調回路と、この同調回路で同調した周 波数成分を前記第1のトランジスタのベースへ正帰還をかける帰還回路と、前記 同調回路のバラクタダイオードに同調周波数制御用の制御電圧を供給する手段と 、前記バラクタダイオードに並列に接続した第2のコイルと第2のコンデンサの 直列回路とを具備したことを特徴とする。
【0011】
【作用】
このような構成によれば、バラクタダイオードに並列に接続したコイルとコン デンサの直列回路により、バラクタダイオードを見掛け上低容量化するとともに 、見掛け上の容量変化比を大きくすることができる。
【0012】
【実施例】
以下、本考案の実施例を図面を参照して説明する。
【0013】 図1は本考案に係る電圧制御発振器の一実施例を示す回路図であり、図2と同 様の構成要素には同じ符号を付している。
【0014】 図1において、本実施例で異なるのは、バラクタダイオードD1 のアノードを コイルL3 とコンデンサC5 の直列回路を介してバラクタダイオードD1 のカソ ードに接続したことである。これ以外の構成は図3の従来例と同様になっている 。
【0015】 さらに詳細に説明すると、本実施例のλ/4差動増幅器は、バラクタダイオー ドD1 、コイルL2 ,L3 、コンデンサC1 ,C5 から構成されている。
【0016】 制御電圧Vt の入力端子はコンデンサC1 を介して基準電位点に接続されると ともに、バラクタダイオードD1 のカソードに接続されている。バラクタダイオ ードD1 のアノードは、コイルL1 を介して基準電位点に接続されるとともに、 コイルL3 と直流防止用コンデンサC5 の直列回路を介してバラクタダイオード D1 のカソードに接続されている。バラクタダイオードD1 のアノードは、一方 のトランジスタQ2 のコレクタにコンデンサC2 で容量結合すると共に、その同 調回路で同調した周波数成分だけ帰還容量(コンデンサC3 )を介して他方のト ランジスタQ1 に同相で正帰還をかけ、発振動作するようにしている。
【0017】 コイルL3 のインダクタンスは、以下の数式を満足するように設定されている 。
【0018】
【数1】
【0019】 但し、L3 はコイルL3 のインダクタンス、f0 発振周波数、D1 はバラクタ ダイオードD1 の容量値を示している。また、コンデンサC5 は、容量値がバラ クタダイオードD1 に対して十分大きな値になっており、パスコンデンサとして の働きを持っている。
【0020】 尚、λ/4差動増幅器のベースバイアス回路は省略して図示していない。
【0021】 このような電圧制御発振器によれば、バラクタダイオードD1 の見掛け上の容 量は、コンデンサC5 により、バラクタダイオードD1 の単独の容量より小さく くなり、バラクタダイオードD1 の直列等価抵抗値(rs )が増大を押さえるこ とが出来る。また、コイルL3 を式(ア)が成り立つように設けたことにより、 コイルL3 の発振によって、バラクタダイオードD1 の見掛け上の容量変化比を 大きくするができ、高周波で高変化比の電圧制御発振器を設計することができる 。
【0022】 このことを具体的な数値で説明すると、600MHz〜1GHzの周波数帯の 電圧制御発振器で、制御電圧Vt が2V〜25Vの可変範囲で、高周波高変化比 が2.2が得られる。
【0023】 図2は図1の実施例の変形例を示す回路図であり、図2と同様の構成要素には 同じ符号を付している。
【0024】 本変形例で異なるのは、トランジスタQ1 のベースを、コンデンサC3 を介し て、バラクタダイオードD1 のアノードに接続する代わりに、破線に示すように 、バラクタダイオードD1 のカソードに接続している。
【0025】 このような構成によっても、図1の実施例と同様の効果が得られる。
【0026】
【考案の効果】
本考案によれば、バラクタダイオードを見掛け上低容量化するとともに、見掛 け上の容量変化比を大きくするができ、高周波で高変化比の電圧制御発振器を設 計することができる。
【0027】
【図面の簡単な説明】
【0028】
【図1】本考案に係る電圧制御発振器の一実施例を示す
回路図。
【0029】
【図2】図1の電圧制御発振器の実施例の変形例を示す
回路図。
【0030】
【図3】従来の電圧制御発振器を示す回路図。
【0031】
【符号の説明】
C1 ,C2 ,C3 ,C4 ,C5 コンデンサ D1 バラクタダイオード IE 直流電源 L2 ,L3 コイル Q1 ,Q2 トランジスタ R1 抵抗 Vcc 直流電源 Vt 制御電圧

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 エミッタが共通の電流源に接続され、コ
    レクタが直流電源に接続されて差動増幅器を構成する第
    1及び第2のトランジスタと、この第2のトランジスタ
    のベースを、高周波的に基準電位点に短絡するための短
    絡回路と、第1のコンデンサとバラクタダイオードの直
    列回路およびこの直列回路に並列に接続された第1のコ
    イルとから成り、前記第2のトランジスタのコレクタに
    結合容量を介して接続された同調回路と、この同調回路
    で同調した周波数成分を前記第1のトランジスタのベー
    スへ正帰還をかける帰還回路と、前記同調回路のバラク
    タダイオードに同調周波数制御用の制御電圧を供給する
    手段と、前記バラクタダイオードに並列に接続した第2
    のコイルと第2のコンデンサの直列回路とを具備したこ
    とを特徴とする電圧制御発振器。
JP4448291U 1991-06-13 1991-06-13 電圧制御発振器 Pending JPH04137606U (ja)

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