JPH04137079A - Icメモリカード - Google Patents
IcメモリカードInfo
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- JPH04137079A JPH04137079A JP2257377A JP25737790A JPH04137079A JP H04137079 A JPH04137079 A JP H04137079A JP 2257377 A JP2257377 A JP 2257377A JP 25737790 A JP25737790 A JP 25737790A JP H04137079 A JPH04137079 A JP H04137079A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- eeprom
- program
- card
- logic
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- YPJMOVVQKBFRNH-UHFFFAOYSA-N 1-(9-ethylcarbazol-3-yl)-n-(pyridin-2-ylmethyl)methanamine Chemical compound C=1C=C2N(CC)C3=CC=CC=C3C2=CC=1CNCC1=CC=CC=N1 YPJMOVVQKBFRNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は、EEPROMを内蔵したICメモリカードに
係り、とくに、外部装置の故障等により論理電源やプロ
グラム電源が遮断されるような事態が発生しても、カー
ド内部のバッファメモリの内容やEEPROM素子自体
が破壊されるのを防ぐことのできるようにしたICメモ
リカートに関する。
係り、とくに、外部装置の故障等により論理電源やプロ
グラム電源が遮断されるような事態が発生しても、カー
ド内部のバッファメモリの内容やEEPROM素子自体
が破壊されるのを防ぐことのできるようにしたICメモ
リカートに関する。
背景技術
メモリカードには、日本電子工業振興協会が標準仕様と
してまとめた「ICメモリカードカイトラインVer、
4Jに適合するものが知られている。このICメモリ
カードに搭載する半導体メモリには、SRAM、MAS
K ROM、EPROM、 EEPROM等があげられ
る。EEPROMとしては、たとえば東芝製の7G58
FIO00Pや、日立製作新製のHN29G101等が
適用できる。
してまとめた「ICメモリカードカイトラインVer、
4Jに適合するものが知られている。このICメモリ
カードに搭載する半導体メモリには、SRAM、MAS
K ROM、EPROM、 EEPROM等があげられ
る。EEPROMとしては、たとえば東芝製の7G58
FIO00Pや、日立製作新製のHN29G101等が
適用できる。
これらのEEPROMには、通常2種類の電源が必要で
ある。すなわち、論理電源としての5v電源(Vcc)
と、プログラム電源としての12V電源(Vpp)とで
ある。プログラム電源は、メモリにデータを書き込んだ
り、書き込んだデータを消去するのに使用される。
ある。すなわち、論理電源としての5v電源(Vcc)
と、プログラム電源としての12V電源(Vpp)とで
ある。プログラム電源は、メモリにデータを書き込んだ
り、書き込んだデータを消去するのに使用される。
ところで、EEPROMでは、論理電圧Vccとプログ
ラム電圧VPPの投入、遮断順序か指定されている。電
源投入時には、論理電圧Vccを投入した後プログラム
電圧VPI)を投入し、遮断面には、 プログラム電圧
vppを遮断した後、論理電圧Vccを遮断するように
指定されている。そのため、ICメモリカードに電源を
供給する主機器側では、EEPROMの指定を満たすた
めに、電源の投入・遮断順序をあらかしめ設定し、規定
の順序に従ってオン・オフを行うようになっている。し
かしながら、たとえば主機器側に故障か発生し、論理電
圧VccかICメモリカードに供給されず、プログラム
電圧vppのみが供給された場合、上記順序が守られな
いこととなり、EEPROMが破壊されるおそれがあっ
た。
ラム電圧VPPの投入、遮断順序か指定されている。電
源投入時には、論理電圧Vccを投入した後プログラム
電圧VPI)を投入し、遮断面には、 プログラム電圧
vppを遮断した後、論理電圧Vccを遮断するように
指定されている。そのため、ICメモリカードに電源を
供給する主機器側では、EEPROMの指定を満たすた
めに、電源の投入・遮断順序をあらかしめ設定し、規定
の順序に従ってオン・オフを行うようになっている。し
かしながら、たとえば主機器側に故障か発生し、論理電
圧VccかICメモリカードに供給されず、プログラム
電圧vppのみが供給された場合、上記順序が守られな
いこととなり、EEPROMが破壊されるおそれがあっ
た。
目的
本発明は、このような従来技術の欠点を解消し、外部装
置の故障等により電源の投入・遮断順序が守られず、プ
ログラム電源のみかカートに供給される状態か発生して
も、カード内部のEEPROMか破壊されるのを防ぐこ
とのできるようにしたICメモリカードを提供すること
を目的とする。
置の故障等により電源の投入・遮断順序が守られず、プ
ログラム電源のみかカートに供給される状態か発生して
も、カード内部のEEPROMか破壊されるのを防ぐこ
とのできるようにしたICメモリカードを提供すること
を目的とする。
発明の開示
本発明によれば、論理電源およびプログラム電源の2種
類の電源によって駆動されるEEPROMとEEPRO
M用のバッファメモリとを内蔵し、かつ、電源投入時に
は論理電源を投入した後でプログラム電源を投入し、電
源遮断時にはプログラム電源を遮断した後で論理電源を
遮断するように定められたICメモリカードは、論理電
源を八ツクア・ンフする第1のバックアップ手段と、プ
ログラム電源をバックアップする第2のバックアップ手
段と、論理電源の電圧低下を検出する検出手段と、検出
手段の出力に基づいて、第1および第2のバンクアップ
電源をEEPROMに供給する給電手段と、検出手段の
出力に基づいて、バッファメモリの内容をEEPROM
に退避する退避手段と、退避終了後、プログラム電源を
遮断し、次いで論理電源を遮断する遮断手段とを具備す
る。
類の電源によって駆動されるEEPROMとEEPRO
M用のバッファメモリとを内蔵し、かつ、電源投入時に
は論理電源を投入した後でプログラム電源を投入し、電
源遮断時にはプログラム電源を遮断した後で論理電源を
遮断するように定められたICメモリカードは、論理電
源を八ツクア・ンフする第1のバックアップ手段と、プ
ログラム電源をバックアップする第2のバックアップ手
段と、論理電源の電圧低下を検出する検出手段と、検出
手段の出力に基づいて、第1および第2のバンクアップ
電源をEEPROMに供給する給電手段と、検出手段の
出力に基づいて、バッファメモリの内容をEEPROM
に退避する退避手段と、退避終了後、プログラム電源を
遮断し、次いで論理電源を遮断する遮断手段とを具備す
る。
実施例の説明
次に、添付図面を参照して、本発明によるICメモリカ
ートの実施例を詳細に説明する。
ートの実施例を詳細に説明する。
第1図は、この発明の一実施例の構成を示すブロック図
である9同図において、本実施例によるICメモリカー
ド1は、ICメモリカードの本体部分10と、電源制御
回路20とを含んだ構成になっている。
である9同図において、本実施例によるICメモリカー
ド1は、ICメモリカードの本体部分10と、電源制御
回路20とを含んだ構成になっている。
カード本体部分lOは、SRAM II と、制御回路
12と、EEPROM 13とを内蔵している。SRA
M 11は、EEPROM 13の速度がdいために、
これを補償するためのバッファメモリとして設けられて
いる。制御回路12は、アドレス線AD、データ線DT
およびコントロール線CTを通して外部装置(主機器)
に接続され、外部装置から指定されたアドレスによって
、EEPROM 13のアドレスを指定し、このアドレ
スにデータを書き込んだり読み出したりする。この場合
、書込みは、−旦、SRAM 11に書き込んだ後に行
われる。また、書込み、読出しの選択はコントロール線
CTを通して行われる。
12と、EEPROM 13とを内蔵している。SRA
M 11は、EEPROM 13の速度がdいために、
これを補償するためのバッファメモリとして設けられて
いる。制御回路12は、アドレス線AD、データ線DT
およびコントロール線CTを通して外部装置(主機器)
に接続され、外部装置から指定されたアドレスによって
、EEPROM 13のアドレスを指定し、このアドレ
スにデータを書き込んだり読み出したりする。この場合
、書込みは、−旦、SRAM 11に書き込んだ後に行
われる。また、書込み、読出しの選択はコントロール線
CTを通して行われる。
カード本体部分10には、論理電圧Vccとプログラム
電源νppが電源制御回路20を介して供給されている
。この電源制御回路20が本発明特有のものであり、論
理電源Vce用の5vのバックアップ電源21と、プロ
グラム電源VPP用の12Vのバックアップ電源22と
が接続されている。これらのバックアップ電源21およ
び22には2次電池を用いるのがよいが、充電回路を備
えたコンテンサを使用することも可能である。
電源νppが電源制御回路20を介して供給されている
。この電源制御回路20が本発明特有のものであり、論
理電源Vce用の5vのバックアップ電源21と、プロ
グラム電源VPP用の12Vのバックアップ電源22と
が接続されている。これらのバックアップ電源21およ
び22には2次電池を用いるのがよいが、充電回路を備
えたコンテンサを使用することも可能である。
第2図は、電源制御回路20の構成を示す回路図である
。この回路は、5vと12Vの2系統の回路とマイクロ
プロセッサ23とを有している。先ず、5vの系統は、
比較器囲P−5と、切換スイッチX5W−5と、スイフ
チ5W−5とから構成されている。また!2Vの系統は
、比較器CMP−12と、切換スイッチX5W−5と、
スイッチ5W−5とから構成されている。
。この回路は、5vと12Vの2系統の回路とマイクロ
プロセッサ23とを有している。先ず、5vの系統は、
比較器囲P−5と、切換スイッチX5W−5と、スイフ
チ5W−5とから構成されている。また!2Vの系統は
、比較器CMP−12と、切換スイッチX5W−5と、
スイッチ5W−5とから構成されている。
比較器CMP−5は、主機器側からの5V(以下、シス
テム5Vと呼ぶ)とパンクアップ電源21がらの5V(
以下、カード5Vと呼ぶ)とを比較し、これら2人力の
電圧が等しければ「0」を出力し、等しくなければ「1
」を出力するものである。同様に比較器CMP−12は
、主機器側からの12V(以下、システム12Vと呼ぶ
)とバックアップ電源22からの12V(以下、カート
’12Vと呼ぶ)とを比較し、これら2人力の電圧が等
しければ「0」を出力し、等しくなければ「1」を出力
するものである。
テム5Vと呼ぶ)とパンクアップ電源21がらの5V(
以下、カード5Vと呼ぶ)とを比較し、これら2人力の
電圧が等しければ「0」を出力し、等しくなければ「1
」を出力するものである。同様に比較器CMP−12は
、主機器側からの12V(以下、システム12Vと呼ぶ
)とバックアップ電源22からの12V(以下、カート
’12Vと呼ぶ)とを比較し、これら2人力の電圧が等
しければ「0」を出力し、等しくなければ「1」を出力
するものである。
比較器CMP−5の出力は、切換スイッチX5W−5の
制御端子とマイクロプロセッサ23とに供給される。こ
れにより、システム5vが供給されているときには、比
較器CMP−5の出力が「0」となり、切換スイッチX
5W−5はシステム5V側に切り換えられる。同様に、
比較器CMP−12の出力は、切換スイッチX5W−1
2の制御端子とマイクロプロセッサ23とに供給される
。これにより、システム12Vが供給されているときに
は、比較器GNP−12の出力が「0」となり、切換ス
イッチX5W−12はシステム12V側に切り換えられ
る。
制御端子とマイクロプロセッサ23とに供給される。こ
れにより、システム5vが供給されているときには、比
較器CMP−5の出力が「0」となり、切換スイッチX
5W−5はシステム5V側に切り換えられる。同様に、
比較器CMP−12の出力は、切換スイッチX5W−1
2の制御端子とマイクロプロセッサ23とに供給される
。これにより、システム12Vが供給されているときに
は、比較器GNP−12の出力が「0」となり、切換ス
イッチX5W−12はシステム12V側に切り換えられ
る。
マイクロプロセッサ23は、比較器CMP−5と比較器
GNP−12からの信号によって、スイッチ5111−
5とスイッチ5W−12のオン・オフ制御を行うととも
に、SRAM 11の退避制御を行う。すなわち、SR
AM 11の内容をEEPROM +3に退避せよとの
指令SRAM−Fを制御回路12に送るとともに、制御
回路12から退避終了信号F−ENDを受は取るように
なっている。
GNP−12からの信号によって、スイッチ5111−
5とスイッチ5W−12のオン・オフ制御を行うととも
に、SRAM 11の退避制御を行う。すなわち、SR
AM 11の内容をEEPROM +3に退避せよとの
指令SRAM−Fを制御回路12に送るとともに、制御
回路12から退避終了信号F−ENDを受は取るように
なっている。
第3A図および第3B図は、マイクロプロセッサ23の
動作を示すフローチャートである。同図において、ステ
ップS1〜S7は電源投入時の、またステップS8〜S
15は電源遮断時の動作に対応するものである。なお、
初期状態は、システム5v、システム+2Vがともに供
給されていない状態、すなわち比較器CMP−5および
比較器GNP−12がともにrlJの状態にあるものと
する。
動作を示すフローチャートである。同図において、ステ
ップS1〜S7は電源投入時の、またステップS8〜S
15は電源遮断時の動作に対応するものである。なお、
初期状態は、システム5v、システム+2Vがともに供
給されていない状態、すなわち比較器CMP−5および
比較器GNP−12がともにrlJの状態にあるものと
する。
この初期状態において、マイクロプロセッサ23は、ス
イッチ5W−5およびスイッチ5W−12をオフとして
、カート5VJ ヨUカート12V ノEEPROM
13 ヘの供給を遮断する(ステップSl)。次にステ
ップS2において、システム5vがオンになったか、言
い替えれば、比較器CMP−5が「0」になったが否か
を調へる。オンになった場合には、比較器CMP−5か
らの信号によって切換スイフチX5W−5がシステム5
v側に切り替わるが、これと同時にマイクロプロセッサ
23は、ステップS3にてスイッチ5W−5をオンとし
てシステム5vをEEPROM +3に供給し、待ち状
態にはいる(ステップS4)。一方、オンにならなかっ
たならば、ステップS2からステップSlに戻る。こう
して、システム5VがEEPROM 13に供給される
ようになる。
イッチ5W−5およびスイッチ5W−12をオフとして
、カート5VJ ヨUカート12V ノEEPROM
13 ヘの供給を遮断する(ステップSl)。次にステ
ップS2において、システム5vがオンになったか、言
い替えれば、比較器CMP−5が「0」になったが否か
を調へる。オンになった場合には、比較器CMP−5か
らの信号によって切換スイフチX5W−5がシステム5
v側に切り替わるが、これと同時にマイクロプロセッサ
23は、ステップS3にてスイッチ5W−5をオンとし
てシステム5vをEEPROM +3に供給し、待ち状
態にはいる(ステップS4)。一方、オンにならなかっ
たならば、ステップS2からステップSlに戻る。こう
して、システム5VがEEPROM 13に供給される
ようになる。
次に、ステップS5において、システム5vがオフにな
ったか否か、つまり、比較器CMP−5が「1」にな、
ったか否かを問う。オフになった場合は、ステップS+
に戻る。オンのままであれば、ステップS6に進み、シ
ステム12Vがオンになったが否かを調べる。オンにな
った場合には、比較器CMP−125からの信号によっ
て切換スイッチX5W−12がシステム12V側に切り
替わるが、これと同時にマイクロプロセッサ23は、ス
テップS7にてスイッチ5W−12をオンとして、シス
テム12V ヲEEPROM 13 ニ91J9する。
ったか否か、つまり、比較器CMP−5が「1」にな、
ったか否かを問う。オフになった場合は、ステップS+
に戻る。オンのままであれば、ステップS6に進み、シ
ステム12Vがオンになったが否かを調べる。オンにな
った場合には、比較器CMP−125からの信号によっ
て切換スイッチX5W−12がシステム12V側に切り
替わるが、これと同時にマイクロプロセッサ23は、ス
テップS7にてスイッチ5W−12をオンとして、シス
テム12V ヲEEPROM 13 ニ91J9する。
オンにならなかった場合は、ステップs5に戻る。こう
してシステム5vおよび12Vが供給されると、EEP
ROM +3は、これらの電圧によって駆動される。
してシステム5vおよび12Vが供給されると、EEP
ROM +3は、これらの電圧によって駆動される。
次いで、マイクロプロセッサ23は、ステップS8にお
いて、システム12Vがオフになったか否かすなわち比
較器CHP−12が「1」になったか否かを調べる。オ
フになっていなければ、ステップS9において、システ
ム5Vがオフになったか否か、つまり比較器GNP−5
がrlJになったか否かを調ベオフになっていなければ
、ステップS8に戻る。ステップS8において、システ
ム12Vがオフの場合切換スイッチX5W−12はカー
ト12V側に切り替わる。同様に、ステップS9におい
て、システム5vがオフの場合、切換スイッチX5W−
5はカード5v側に切り替わる6ステツプS8あるいは
ステップS8の結果がオフの場合は、ステフプSIOへ
進み、以下のようにして、SRAM 11の内容をEE
PROM 13に退避する。
いて、システム12Vがオフになったか否かすなわち比
較器CHP−12が「1」になったか否かを調べる。オ
フになっていなければ、ステップS9において、システ
ム5Vがオフになったか否か、つまり比較器GNP−5
がrlJになったか否かを調ベオフになっていなければ
、ステップS8に戻る。ステップS8において、システ
ム12Vがオフの場合切換スイッチX5W−12はカー
ト12V側に切り替わる。同様に、ステップS9におい
て、システム5vがオフの場合、切換スイッチX5W−
5はカード5v側に切り替わる6ステツプS8あるいは
ステップS8の結果がオフの場合は、ステフプSIOへ
進み、以下のようにして、SRAM 11の内容をEE
PROM 13に退避する。
先ず、ステップSIOにおいて、マイクロプロセッサ2
3は、制御回路12へSRAM退避命令SR^トFを供
給する。次いで、ステップSllにおいて、退避終了信
号F−ENDを待ち、この信号を受は取り次第、ステッ
プS12にてSRAM退避命令をオフとする。こうして
、退避が終了したならば、ステップS12でスイッチ5
W−12をオフとした後、所定の時間をおいて(ステッ
プS14 ) 、 ステツプS15にてスイッチ5W
−5をオフとする。
3は、制御回路12へSRAM退避命令SR^トFを供
給する。次いで、ステップSllにおいて、退避終了信
号F−ENDを待ち、この信号を受は取り次第、ステッ
プS12にてSRAM退避命令をオフとする。こうして
、退避が終了したならば、ステップS12でスイッチ5
W−12をオフとした後、所定の時間をおいて(ステッ
プS14 ) 、 ステツプS15にてスイッチ5W
−5をオフとする。
こうして、外部からプログラム電圧VPPが加えられて
いても、論理電圧Vccか遮断されたときには、カート
5vニヨツテEEPROM13ニ5vカ供給すれ、SR
AM 11の内容がEEPROM 13に退避される。
いても、論理電圧Vccか遮断されたときには、カート
5vニヨツテEEPROM13ニ5vカ供給すれ、SR
AM 11の内容がEEPROM 13に退避される。
その後、先ずプログラム電圧VPPが遮断され、次いで
カード5vが遮断される。これによって、EEPROM
13が破壊されるのを防ぐことができる。
カード5vが遮断される。これによって、EEPROM
13が破壊されるのを防ぐことができる。
効 果
以上説明したように、本発明は、プログラム電圧のみが
EPROM旧こ供給されるといった不都合を解消したの
で、EEPROMの破壊を防くことができる。
EPROM旧こ供給されるといった不都合を解消したの
で、EEPROMの破壊を防くことができる。
さらに、外部電源遮断時には、バックアップ電源に切り
換えた後、SRAMの内容をEEPROMに退避し、そ
の後で、バックアップ電源を落とすようにしたので、S
RAMの内容を保存することができる。
換えた後、SRAMの内容をEEPROMに退避し、そ
の後で、バックアップ電源を落とすようにしたので、S
RAMの内容を保存することができる。
とくにこの点は、EEPROMを内蔵したICメモリカ
ードで速度の遅いEEPROMのためのバッファメモリ
としてSRAMを使用する場合、不意に電源が落ちても
、バッファメモリの内容がEEPROMに転送されない
才ま失われてしまうことが防がれるので、効果的である
。
ードで速度の遅いEEPROMのためのバッファメモリ
としてSRAMを使用する場合、不意に電源が落ちても
、バッファメモリの内容がEEPROMに転送されない
才ま失われてしまうことが防がれるので、効果的である
。
第1図は、この発明によるICメモリカードの一実施例
の全体構成を示すブロック図、 第2図は、第1図に示す実施例における電源制御回路の
具体例を示す回路図、 第3A図および第3日図は、同実施例におけるマイクロ
プロセッサの動作を例示するフローチャートである。 主 部分の符号の説明 1 、 、 、 IC:メモリカート10、、、メモ
リカード氷体部分 11゜ 12゜ 13゜ 20゜ 21 。 22、− 23゜ cc PP RAM 制御回路 EPROM 電源制御回路 第1のバックアップ電源 第2のバックアップ電源 マイクロプロセッサ 論理電圧 プログラム電圧
の全体構成を示すブロック図、 第2図は、第1図に示す実施例における電源制御回路の
具体例を示す回路図、 第3A図および第3日図は、同実施例におけるマイクロ
プロセッサの動作を例示するフローチャートである。 主 部分の符号の説明 1 、 、 、 IC:メモリカート10、、、メモ
リカード氷体部分 11゜ 12゜ 13゜ 20゜ 21 。 22、− 23゜ cc PP RAM 制御回路 EPROM 電源制御回路 第1のバックアップ電源 第2のバックアップ電源 マイクロプロセッサ 論理電圧 プログラム電圧
Claims (3)
- 1. 論理電源およびプログラム電源の2種類の電源に
よって駆動されるEEPROMと、該EEPROM用の
バッファメモリとを内蔵し、かつ、電源投入時には論理
電源を投入した後でプログラム電源を投入し、電源遮断
時にはプログラム電源を遮断した後で論理電源を遮断す
るように定められたICメモリカードにおいて、 前記論理電源をバックアップする第1のバックアップ手
段と、 前記プログラム電源をバックアップする第2のバックア
ップ手段と、 前記論理電源の電圧低下を検出する検出手段と、 該検出手段の出力に基づいて、前記第1および第2のバ
ックアップ電源を前記EEPROMに供給する給電手段
と、 前記検出手段の出力に基づいて、前記バッファメモリの
内容を前記EEPROMに退避する退避手段と、 前記退避終了後、前記プログラム電源を遮断し、次いで
前記論理電源を遮断する遮断手段とを具備することを特
徴とするICメモリカード。 - 2. 請求項1に記載のICメモリカードにおいて、前
記第1および第2のバックアップ手段は、2次電池を含
むことを特徴とするICメモリカード。 - 3. 請求項1に記載のICメモリカードにおいて、前
記第1および第2のバックアップ手段は、コンテンサを
含むことを特徴とするICメモリカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2257377A JPH04137079A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Icメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2257377A JPH04137079A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Icメモリカード |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04137079A true JPH04137079A (ja) | 1992-05-12 |
Family
ID=17305546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2257377A Pending JPH04137079A (ja) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Icメモリカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04137079A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04338890A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | Sharp Corp | Icメモリカード |
US6158656A (en) * | 1997-07-16 | 2000-12-12 | Denso Corporation | Final accommodation device for power-source drop |
JP2008269635A (ja) * | 2008-06-02 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体処理装置 |
-
1990
- 1990-09-28 JP JP2257377A patent/JPH04137079A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04338890A (ja) * | 1991-05-16 | 1992-11-26 | Sharp Corp | Icメモリカード |
US6158656A (en) * | 1997-07-16 | 2000-12-12 | Denso Corporation | Final accommodation device for power-source drop |
JP2008269635A (ja) * | 2008-06-02 | 2008-11-06 | Renesas Technology Corp | 半導体処理装置 |
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