JPH04132942A - 光散乱トモグラフイ法 - Google Patents
光散乱トモグラフイ法Info
- Publication number
- JPH04132942A JPH04132942A JP25490990A JP25490990A JPH04132942A JP H04132942 A JPH04132942 A JP H04132942A JP 25490990 A JP25490990 A JP 25490990A JP 25490990 A JP25490990 A JP 25490990A JP H04132942 A JPH04132942 A JP H04132942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- surface layer
- scattered
- crystal
- laser beam
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000003325 tomography Methods 0.000 title claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 6
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 claims description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- 238000001446 dark-field microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体結晶、光学結晶、鉱物結晶等の結晶構
造の欠陥を非破壊的に検出するのに有用な光散乱トモグ
ラフィ技術に係るものであり、特に光散乱トモグラフィ
の検出光の投射の改良に係るものである。
造の欠陥を非破壊的に検出するのに有用な光散乱トモグ
ラフィ技術に係るものであり、特に光散乱トモグラフィ
の検出光の投射の改良に係るものである。
従来技術
光散乱トモグラフィは暗視野顕微鏡の原理を利用して、
結晶内に細く絞ったレーザービームを走査させ欠陥部で
生じる散乱光を受けその散乱像を得て結晶内の欠陥を検
出している。観察する結晶に対して透明な波長のレーザ
ー光源を選択することによりすべての結晶の観察が可能
となる。例えば半導体結晶の観察には赤外線レーザーを
用いる。
結晶内に細く絞ったレーザービームを走査させ欠陥部で
生じる散乱光を受けその散乱像を得て結晶内の欠陥を検
出している。観察する結晶に対して透明な波長のレーザ
ー光源を選択することによりすべての結晶の観察が可能
となる。例えば半導体結晶の観察には赤外線レーザーを
用いる。
第３図に示すようにこの光散乱トモグラフィではレーザ
ーからのレーザー光を絞りレンズ１で数百乃至数十ミク
ロンオーダまで絞り、結晶試料３の側面から結晶内に投
射し、水平に結晶内を走査する。その走査面上に存在す
る結晶の欠陥から垂直方向に出た散乱光を試料の直上の
対物レンズ２を通してビジコンで捕捉し、フレームメモ
リーを介してビデオモニターに結晶の欠陥を表示する。
ーからのレーザー光を絞りレンズ１で数百乃至数十ミク
ロンオーダまで絞り、結晶試料３の側面から結晶内に投
射し、水平に結晶内を走査する。その走査面上に存在す
る結晶の欠陥から垂直方向に出た散乱光を試料の直上の
対物レンズ２を通してビジコンで捕捉し、フレームメモ
リーを介してビデオモニターに結晶の欠陥を表示する。
発明が解決しようとする課題
上に述べたように、レーザー光は観察域に焦点を結び、
この観察域内の結晶欠陥を垂直方向への散乱光によって
対物レンズ２を介して観察するのであるが、試料の基板
３Ｂの表面層３Ｓ内へレーザー光を投射しようとすると
収束光は数十ミクロン（例えば３０ミクロン）の大きさ
であり、表面層は数ミクロン（例えば１−２ミクロン）
の大きさであるため収束光は試料側面で散乱してしまい
、対物レンズ２の視野は暗く表面層３Ｓ内の微小欠陥は
検出できないという問題があった。
この観察域内の結晶欠陥を垂直方向への散乱光によって
対物レンズ２を介して観察するのであるが、試料の基板
３Ｂの表面層３Ｓ内へレーザー光を投射しようとすると
収束光は数十ミクロン（例えば３０ミクロン）の大きさ
であり、表面層は数ミクロン（例えば１−２ミクロン）
の大きさであるため収束光は試料側面で散乱してしまい
、対物レンズ２の視野は暗く表面層３Ｓ内の微小欠陥は
検出できないという問題があった。
本発明の目的は、光散乱トモグラフィを使用して結晶試
料の薄い表面層の微小欠陥を検出するトモグラフィ法を
提供することである。
料の薄い表面層の微小欠陥を検出するトモグラフィ法を
提供することである。
この目的を達成するた約本発明による光散乱トモグラフ
ィ法では結晶表面層内の構造の欠陥を検出しようとする
試料の表面に対して斜めにレーザビームを投射し、表面
層内の構造の欠陥により散乱し、試料の表面から輻射し
たレーザー光を検出して結晶表面層内の構造の欠陥を検
出する。結晶表面層が半導体エピタキシャル層であると
きは、赤外線レーザビームを使用する。
ィ法では結晶表面層内の構造の欠陥を検出しようとする
試料の表面に対して斜めにレーザビームを投射し、表面
層内の構造の欠陥により散乱し、試料の表面から輻射し
たレーザー光を検出して結晶表面層内の構造の欠陥を検
出する。結晶表面層が半導体エピタキシャル層であると
きは、赤外線レーザビームを使用する。
レーザーからのレーザービームは光ファイバーを通して
その光ファイバーの一端に取りつけたレンズを介して平
行光として試料の表面に斜とに投射するのがよい。光フ
ァイバーの使用により検出光の投射位置を自由に選択で
きるからである。
その光ファイバーの一端に取りつけたレンズを介して平
行光として試料の表面に斜とに投射するのがよい。光フ
ァイバーの使用により検出光の投射位置を自由に選択で
きるからである。
実施例
本発明の実施例を第１図に示す。
第１図において、３は試料であり、反動体基板３Ｂに結
晶軸を揃えて成長させたエピタキシャル層３Ｓに光ファ
イバー４の先端に取りつけたレンズ５からのレーザー光
をエピタキシャル層３Ｓの表面に斜めに投射する。投射
角度θは１５乃至２５度である。ビームは投射点から反
射する成分と、投射点から表面層に入り欠陥部で散乱す
る成分と基板を抜ける屈折成分とに分かれる。この内表
面層内での欠陥部で散乱した散乱光の内表面直上に捕捉
された散乱光が散乱像をつくる。
晶軸を揃えて成長させたエピタキシャル層３Ｓに光ファ
イバー４の先端に取りつけたレンズ５からのレーザー光
をエピタキシャル層３Ｓの表面に斜めに投射する。投射
角度θは１５乃至２５度である。ビームは投射点から反
射する成分と、投射点から表面層に入り欠陥部で散乱す
る成分と基板を抜ける屈折成分とに分かれる。この内表
面層内での欠陥部で散乱した散乱光の内表面直上に捕捉
された散乱光が散乱像をつくる。
赤外線レーザーを使用して、Ｓｉの半導体基板３Ｂ上の
Ｇ−Ａｓのエピタキシャル層（厚み４μ）の内部欠陥を
示す顕微鏡写真像を第２図に示す。
Ｇ−Ａｓのエピタキシャル層（厚み４μ）の内部欠陥を
示す顕微鏡写真像を第２図に示す。
第２図ａは従来の試料の側面からビームをエピタキシャ
ル層に投射して撮影した散乱光像であり、第２図すは本
発明に従って斜めにエピタキシャル層にビームを投射し
て撮影した散乱光像を示す。
ル層に投射して撮影した散乱光像であり、第２図すは本
発明に従って斜めにエピタキシャル層にビームを投射し
て撮影した散乱光像を示す。
本発明の方法に従ってビームを投射することにより従来
は観察されなかった欠陥が多く観察されるようになった
。
は観察されなかった欠陥が多く観察されるようになった
。
効果
以上から明らかなように、本発明の検出光投射法によっ
て従来検出できなかった結晶の薄い表面層の欠陥を検出
することができる。
て従来検出できなかった結晶の薄い表面層の欠陥を検出
することができる。
第１図は本発明の実施例を示す。
第２図ａは従来の検出光投射による散乱光像の顕微鏡写
真である。 第２図すは本発明の検出光投射による散乱光像の顕微鏡
写真である。 第３図は従来の検出光投射を示す略図である。 第２図 （ａ） Ｃｈ） 手 続 補 正 書（方式） ％式％ １、事件の表示 平成２年特許願第２５４９０９号 ２、発明の名称 光散乱トモグラフィ法 ３、補正をする者 事件との関係
真である。 第２図すは本発明の検出光投射による散乱光像の顕微鏡
写真である。 第３図は従来の検出光投射を示す略図である。 第２図 （ａ） Ｃｈ） 手 続 補 正 書（方式） ％式％ １、事件の表示 平成２年特許願第２５４９０９号 ２、発明の名称 光散乱トモグラフィ法 ３、補正をする者 事件との関係
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、結晶表面層内の構造の欠陥を検出しようとする試料
の表面に対して斜めにレーザビームを投射し、前記の結
晶表面層内の構造の欠陥により散乱し、前記の試料の表
面から輻射したレーザー光を検出して結晶表面層内の構
造の欠陥を検出することを特徴とする光散乱トモグラフ
ィ法。 ２、レーザービームが赤外線レーザビームであり、結晶
表面層が半導体エピタキシャル層である請求項１に記載
の光散乱トモグラフィ法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25490990A JPH04132942A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 光散乱トモグラフイ法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25490990A JPH04132942A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 光散乱トモグラフイ法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04132942A true JPH04132942A (ja) | 1992-05-07 |
Family
ID=17271535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25490990A Pending JPH04132942A (ja) | 1990-09-25 | 1990-09-25 | 光散乱トモグラフイ法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04132942A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5305079A (en) * | 1991-06-24 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Nondestructive method for detecting defects in thin film using scattered light |
| JP2001053005A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
| WO2008057183A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-15 | Raytheon Company | Method for continuous, in situ evaluation of entire wafers for macroscopic features during epitaxial growth |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01221850A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-05 | Shimadzu Corp | 赤外線散乱顕微鏡 |
| JPH03238348A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-24 | Vti Inc | 材料の微細な欠陥を非破壊で計測する方法及び装置 |
-
1990
- 1990-09-25 JP JP25490990A patent/JPH04132942A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01221850A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-05 | Shimadzu Corp | 赤外線散乱顕微鏡 |
| JPH03238348A (ja) * | 1990-02-06 | 1991-10-24 | Vti Inc | 材料の微細な欠陥を非破壊で計測する方法及び装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5305079A (en) * | 1991-06-24 | 1994-04-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Nondestructive method for detecting defects in thin film using scattered light |
| JP2001053005A (ja) * | 1999-08-06 | 2001-02-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体エピタキシャルウェハおよびその製造方法 |
| WO2008057183A1 (en) * | 2006-11-01 | 2008-05-15 | Raytheon Company | Method for continuous, in situ evaluation of entire wafers for macroscopic features during epitaxial growth |
| US7776152B2 (en) | 2006-11-01 | 2010-08-17 | Raytheon Company | Method for continuous, in situ evaluation of entire wafers for macroscopic features during epitaxial growth |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109477955A (zh) | 干涉散射显微镜 | |
| TWI663394B (zh) | 在工作件中用於缺陷偵測的裝置，方法及電腦程式產品 | |
| JP4312777B2 (ja) | サイドローブが除去された共焦点自己干渉顕微鏡 | |
| JP4716148B1 (ja) | 検査装置並びに欠陥分類方法及び欠陥検出方法 | |
| US20070086005A1 (en) | Optical System and Method for Exciting and Measuring Fluorescence on or in Samples Treated with Fluorescent Pigments | |
| JPH07117496B2 (ja) | 表面検査方法 | |
| JP5268061B2 (ja) | 基板検査装置 | |
| JP2010112803A5 (ja) | ||
| JPH01221850A (ja) | 赤外線散乱顕微鏡 | |
| TW201248692A (en) | Examination method and device for poly-silicon thin film | |
| WO2015133014A1 (ja) | 走査プローブ顕微鏡及び、これを用いた試料測定方法 | |
| KR102633672B1 (ko) | 유리 시트들 상의 표면 결함들을 검출하기 위한 방법들 및 장치 | |
| CN107621552A (zh) | 一种基于悬臂型圆孔探针的偏振调制扫描近场光学显微镜系统装置 | |
| JPH04132942A (ja) | 光散乱トモグラフイ法 | |
| JP6142996B2 (ja) | ビア形状測定装置及びビア検査装置 | |
| CN114217095B (zh) | 一种适用于半导体缺陷定位的扫描探针显微镜 | |
| TWI813782B (zh) | 雷射加工方法、半導體裝置製造方法及檢查裝置 | |
| JP4040777B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH0954099A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
| JP3034390B2 (ja) | 透明板の内部欠陥検査方法及びそのための試料台 | |
| JPS58184116A (ja) | 透光性物体表面の欠陥検査方法 | |
| JP2003161890A (ja) | 形状観察装置 | |
| JP2001124688A (ja) | 走査形プローブ顕微鏡および走査形プローブ顕微鏡における光学像観察方法 | |
| JP3905229B2 (ja) | 多方位同時検出光集光器および走査型近接場顕微鏡 | |
| JP5961909B1 (ja) | 欠陥検査装置 |