JPH04130634A - バンプ電極の形成方法 - Google Patents
バンプ電極の形成方法Info
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ＩＣチップなどに適用されるバンプ電極の
形成方法に関するものである。
形成方法に関するものである。
近年、半導体装置の実装方法において、多ビン化、薄型
化および微細化が進んでいる。これに対応する技術とし
て、メツキ処理によりバンプ電極を形成する方法がある
。しかし、メツキ処理によりバンプ電極を形成するため
には複雑なメツキ工程が必要であり、また形成できるバ
ンプ電極の高さに限界がある。そこで、このメツキ処理
によるバンプ電極の形成方法に代わるものとして、スタ
ッドバンプ法によるバンプ電極の形成方法がある（特開
昭６３−３０４５８７ ）。
化および微細化が進んでいる。これに対応する技術とし
て、メツキ処理によりバンプ電極を形成する方法がある
。しかし、メツキ処理によりバンプ電極を形成するため
には複雑なメツキ工程が必要であり、また形成できるバ
ンプ電極の高さに限界がある。そこで、このメツキ処理
によるバンプ電極の形成方法に代わるものとして、スタ
ッドバンプ法によるバンプ電極の形成方法がある（特開
昭６３−３０４５８７ ）。
以下、このスタッドバンプ法によるバンプ電極の形成方
法を説明する。
法を説明する。
第３図（ａ）〜（ｅｌは従来のバンプ電極の形成方法を
示す工程順断面図である。
示す工程順断面図である。
第３図（ａ）〜ｔｅｌにおいて、ｌはキャピラリ、２は
ワイヤ、３はボール、４はＩＣチップ、５は電極パッド
、６は底部、７は頭頂部を示す。
ワイヤ、３はボール、４はＩＣチップ、５は電極パッド
、６は底部、７は頭頂部を示す。
第３図ｆａｔに示すように、キャピラリｌの先端に導出
されたワイヤ２の先端を電気トーチなとて溶融すること
により、ボール３か形成される。
されたワイヤ２の先端を電気トーチなとて溶融すること
により、ボール３か形成される。
次に第３図（ｂ）に示すように、ＩＣチップ４上の電極
バッド５にキャピラリ１によりボール３を圧着し、底部
６を形成する。この際、形成した底部６とキャピラリ１
から導出されたワイヤ２とは繋がった状態となっている
。
バッド５にキャピラリ１によりボール３を圧着し、底部
６を形成する。この際、形成した底部６とキャピラリ１
から導出されたワイヤ２とは繋がった状態となっている
。
次に第３図ｆｃ）および第３図（ｄ）に示すように、底
部６とワイヤ２とが繋がった状態で、キャピラリ１をル
ープ状（矢印入方向）に移動させることにより、キャピ
ラリｌの先端が底部６の上部近傍に移動される。
部６とワイヤ２とが繋がった状態で、キャピラリ１をル
ープ状（矢印入方向）に移動させることにより、キャピ
ラリｌの先端が底部６の上部近傍に移動される。
そして第３図ｔｅｌに示すように、キャピラリ１の先端
が底部６に押し当てられることにより、底部６から延び
たワイヤ２か切断され、ワイヤ２の切断部は底部６に圧
着されることにより、バンプ電極が形成される。底部６
上には、ワイヤ２による折り返し部分すなわち頭頂部７
か形成される。
が底部６に押し当てられることにより、底部６から延び
たワイヤ２か切断され、ワイヤ２の切断部は底部６に圧
着されることにより、バンプ電極が形成される。底部６
上には、ワイヤ２による折り返し部分すなわち頭頂部７
か形成される。
このように形成された従来のバンプ電極を第４図ｆａ１
． （ｂ）に示す。
． （ｂ）に示す。
第４図（ａｌに示すように、従来のバンプ電極は、キャ
ピラリｌによりＩＣチップ４の電極パッド５上にボール
３を圧着させ形成した底部６上に、頭頂部７が形成され
る。この頭頂部７はワイヤ２を折り返した形状であり、
また頭頂部７の先端部すなわち頭頂部７とワイヤ２の切
断部とは、底部６に圧着される。また第４図（ｂｌに示
すバンプ電極は第４図（ａ）に示すバンプ電極の頭頂部
７を平坦化したものである。
ピラリｌによりＩＣチップ４の電極パッド５上にボール
３を圧着させ形成した底部６上に、頭頂部７が形成され
る。この頭頂部７はワイヤ２を折り返した形状であり、
また頭頂部７の先端部すなわち頭頂部７とワイヤ２の切
断部とは、底部６に圧着される。また第４図（ｂｌに示
すバンプ電極は第４図（ａ）に示すバンプ電極の頭頂部
７を平坦化したものである。
このような従来のバンプ電極は、第４図（ａｌに示す形
状または、第４図（ｂｌに示す形状で電極間の接続接点
として用いられる。
状または、第４図（ｂｌに示す形状で電極間の接続接点
として用いられる。
しかしながら、このような従来のバンプ電極の形成方法
は、電極パット５上にボール３を圧着した後、キャピラ
リＩをループ状（矢印Ａ方向）に移動させ、その後キャ
ピラリｌの先端を底部に押し当てることにより、底部６
から延びたワイヤ２を切断するため、底部６上に形状の
不安定な頭頂部７すなわち底部６から延びたワイヤ２に
よる折り返し部分が形成される。その結果、形成したバ
ンプ電極の高さが不均一となり、また折り返したワイヤ
の先端すなわちワイヤの切断部と底部とか圧着不良を起
こすという問題があった。
は、電極パット５上にボール３を圧着した後、キャピラ
リＩをループ状（矢印Ａ方向）に移動させ、その後キャ
ピラリｌの先端を底部に押し当てることにより、底部６
から延びたワイヤ２を切断するため、底部６上に形状の
不安定な頭頂部７すなわち底部６から延びたワイヤ２に
よる折り返し部分が形成される。その結果、形成したバ
ンプ電極の高さが不均一となり、また折り返したワイヤ
の先端すなわちワイヤの切断部と底部とか圧着不良を起
こすという問題があった。
この発明の目的は上記問題点に鑑み、バンプ電極の形状
を安定させることができ、ワイヤの切断部と底部との圧
着不良を防止することのできるバンプ電極の形成方法を
提供することである。
を安定させることができ、ワイヤの切断部と底部との圧
着不良を防止することのできるバンプ電極の形成方法を
提供することである。
この発明のバンプ電極の形成方法は、キャピラリにより
電極パットにボールを圧着した後、この圧着位置からキ
ャピラリを垂直上方向、水平方向。
電極パットにボールを圧着した後、この圧着位置からキ
ャピラリを垂直上方向、水平方向。
垂直下方向および上記水平方向と逆の水平方向に移動さ
せることによりキャピラリの位置を圧着位置から水平方
向にわずかに移動させた後、キャピラリの先端を圧着し
たボールに押し当てることにより、圧着したボールから
延びたワイヤを圧潰切断する。
せることによりキャピラリの位置を圧着位置から水平方
向にわずかに移動させた後、キャピラリの先端を圧着し
たボールに押し当てることにより、圧着したボールから
延びたワイヤを圧潰切断する。
この発明の構成によれば、キャピラリにより電極パット
にボールを圧着した後、この圧着位置からキャピラリを
垂直上方向、水平方向、垂直下方向および上記水平方向
と逆の水平方向に移動させることによりキャピラリの位
置を圧着位置から水平方向にわずかに移動させた後、キ
ャピラリの先端を圧着したボールに押し当てることによ
り圧着したボールから延びたワイヤを圧潰切断する。し
たがって、圧着したボール上にワイヤをほとんど残さず
にワイヤを切断することができ、従来のような圧着した
ボール上のワイヤの折り返し部分を形成することがない
。
にボールを圧着した後、この圧着位置からキャピラリを
垂直上方向、水平方向、垂直下方向および上記水平方向
と逆の水平方向に移動させることによりキャピラリの位
置を圧着位置から水平方向にわずかに移動させた後、キ
ャピラリの先端を圧着したボールに押し当てることによ
り圧着したボールから延びたワイヤを圧潰切断する。し
たがって、圧着したボール上にワイヤをほとんど残さず
にワイヤを切断することができ、従来のような圧着した
ボール上のワイヤの折り返し部分を形成することがない
。
この発明の一実施例を第１図（ａｌ〜（ｄ）ないし第２
図（ａｌ、 （ｂｌに基づいて説明する。
図（ａｌ、 （ｂｌに基づいて説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）はこの発明の一実施例のバンプ電
極の形成方法を示す工程順断面図である。
極の形成方法を示す工程順断面図である。
第１図（ａ）〜（ｄ）において、ｌはキャピラリである
。
。
このキャピラリｌは例えばセラミック製または人エルビ
ー製のものであり、通常のワイヤボンディングに用いる
ものであれば特に限定されない。２はワイヤであり、こ
のワイヤ２の材料としては、例えば直径２０〔μｍ〕〜
３０〔μｍ〕の金線を用いる。３はボール、４はＩＣチ
ップ、５は電極パッド、６は圧着されたボール３からな
る底部である。
ー製のものであり、通常のワイヤボンディングに用いる
ものであれば特に限定されない。２はワイヤであり、こ
のワイヤ２の材料としては、例えば直径２０〔μｍ〕〜
３０〔μｍ〕の金線を用いる。３はボール、４はＩＣチ
ップ、５は電極パッド、６は圧着されたボール３からな
る底部である。
第１図（ａｌに示すように、キャピラリｌの先端に導出
したワイヤ２の先端を電気トーチにより溶融することに
より、ボール３を形成する。
したワイヤ２の先端を電気トーチにより溶融することに
より、ボール３を形成する。
次に第１図（ｂｌに示すように、ＩＣチップ４の電極パ
ッド５上に、キャピラリ１によりボール３を圧着させ、
底部６を形成する。この際のキャピラリｌの位置を圧着
位置とする。また形成した底部６とワイヤ２とは繋がっ
た状態となっている。
ッド５上に、キャピラリ１によりボール３を圧着させ、
底部６を形成する。この際のキャピラリｌの位置を圧着
位置とする。また形成した底部６とワイヤ２とは繋がっ
た状態となっている。
次に第１図（Ｃ）に示すように、キャピラリｌを圧着位
置から垂直上方向ａに移動させ、次に水平方向すに移動
させ、続いて垂直下方向Ｃに移動させた後、水平方向す
と逆の水平方向ｄに移動させることにより、キャピラリ
ｌの位置を圧着位置かられずかに水平方向に移動させる
。
置から垂直上方向ａに移動させ、次に水平方向すに移動
させ、続いて垂直下方向Ｃに移動させた後、水平方向す
と逆の水平方向ｄに移動させることにより、キャピラリ
ｌの位置を圧着位置かられずかに水平方向に移動させる
。
そして第１図Ｆｄｌに示すように、キャピラリ１をさら
に垂直下方向に移動させ、キャピラリ１の先端を底部６
に押し当てることにより、底部６から延びたワイヤ２を
圧潰切断する。
に垂直下方向に移動させ、キャピラリ１の先端を底部６
に押し当てることにより、底部６から延びたワイヤ２を
圧潰切断する。
このように形成したバンプ電極の形状を第２図（ａｌ、
（ｂ）に示す。
（ｂ）に示す。
第２図（ａｌ、 （ｂ）はこの発明の一実施例のバンプ
電極の形成方法により形成したバンプ電極の形状を示す
断面図である。
電極の形成方法により形成したバンプ電極の形状を示す
断面図である。
第２図（ａ）に示すように、バンプ電極Ｘは、ＩＣチッ
プ４の電極パッド５上に形成した底部６に、僅かにワイ
ヤ２が残置した形状となる。また第２図（ａｌに示すバ
ンプ電極Ｘに、従来と同様にして平坦化を施すと、第２
図（ｂｌに示すように、底部６のみで構成されるバンプ
電極Ｙを得ることかできる。
プ４の電極パッド５上に形成した底部６に、僅かにワイ
ヤ２が残置した形状となる。また第２図（ａｌに示すバ
ンプ電極Ｘに、従来と同様にして平坦化を施すと、第２
図（ｂｌに示すように、底部６のみで構成されるバンプ
電極Ｙを得ることかできる。
このように、キャピラリ１により電極パッド５にボール
３を圧着した後、キャピラリｌを圧着位置から垂直上方
向ａ、水平方向す、垂直下方向すおよび水平方向ｄの順
に移動させることにより、キャピラリ１の位置を圧着位
置から水平方向にわずかに移動させた後、キャピラリｌ
の先端を底部６に押し当てることにより、底部６がら延
びるワイヤ２を切断する。したがって、従来のように、
底部６上にワイヤ２による折り返し部分すなわち頭頂部
７が形成されることなく、底部６上にはワイヤ２が殆ど
残置することがない。したがって、形状の安定したバン
プ電極を得ることができ、底部６とワイヤ２の切断部と
が圧着不良を起こすこともなくなる。
３を圧着した後、キャピラリｌを圧着位置から垂直上方
向ａ、水平方向す、垂直下方向すおよび水平方向ｄの順
に移動させることにより、キャピラリ１の位置を圧着位
置から水平方向にわずかに移動させた後、キャピラリｌ
の先端を底部６に押し当てることにより、底部６がら延
びるワイヤ２を切断する。したがって、従来のように、
底部６上にワイヤ２による折り返し部分すなわち頭頂部
７が形成されることなく、底部６上にはワイヤ２が殆ど
残置することがない。したがって、形状の安定したバン
プ電極を得ることができ、底部６とワイヤ２の切断部と
が圧着不良を起こすこともなくなる。
なおバンプ電極の高さが不足する場合には、太いワイヤ
を用いて、ボールの直径を大きくすることにより、底部
の高さを高くするか、またはボールを電極パッドに圧着
させる際のキャピラリの加重を小さくすることにより、
底部の高さを高くすれば良い。
を用いて、ボールの直径を大きくすることにより、底部
の高さを高くするか、またはボールを電極パッドに圧着
させる際のキャピラリの加重を小さくすることにより、
底部の高さを高くすれば良い。
この発明のバンプ電極の形成方法によれば、キャピラリ
により電極パットにボールを圧着した後、この圧着位置
からキャピラリを垂直上方向、水平方向、垂直下方向お
よび上記水平方向と逆の水平方向に移動させることによ
りキャピラリの位置を圧着位置から水平方向にわずかに
移動させた後、キャピラリの先端を圧着したボールに押
し当てることにより、圧着したボールから延びたワイヤ
を圧潰切断する。したがって、圧着したボール上にワイ
ヤを殆ど残置させることなく、ワイヤを切断することが
できる。その結果、形成したバンプ電極の形状を安定さ
せることができ、圧着したボールとワイヤの切断部との
圧着不良も防止することができる。
により電極パットにボールを圧着した後、この圧着位置
からキャピラリを垂直上方向、水平方向、垂直下方向お
よび上記水平方向と逆の水平方向に移動させることによ
りキャピラリの位置を圧着位置から水平方向にわずかに
移動させた後、キャピラリの先端を圧着したボールに押
し当てることにより、圧着したボールから延びたワイヤ
を圧潰切断する。したがって、圧着したボール上にワイ
ヤを殆ど残置させることなく、ワイヤを切断することが
できる。その結果、形成したバンプ電極の形状を安定さ
せることができ、圧着したボールとワイヤの切断部との
圧着不良も防止することができる。
第１図（ａ）〜（ｄｌはこの発明の一実施例のバンプ電
極の形成方法を示す工程順断面図、第２図（ａｌ、 （
ｂｌは同バンプ電極の形成方法により形成したバンプ電
極を示す断面図、第３図（ａ）〜ｆｅ）は従来のバンプ
電極の形成方法を示す工程順断面図、第４図（ａ）。 （ｂ）は従来のバンプ電極の形成方法により形成したバ
ンプ電極を示す断面図である。 １・・・キャピラリ、２・・・ワイヤ、３・・・ボール
、５・・・電極パッド
極の形成方法を示す工程順断面図、第２図（ａｌ、 （
ｂｌは同バンプ電極の形成方法により形成したバンプ電
極を示す断面図、第３図（ａ）〜ｆｅ）は従来のバンプ
電極の形成方法を示す工程順断面図、第４図（ａ）。 （ｂ）は従来のバンプ電極の形成方法により形成したバ
ンプ電極を示す断面図である。 １・・・キャピラリ、２・・・ワイヤ、３・・・ボール
、５・・・電極パッド
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 キャピラリの先端に導出したワイヤの先端にボールを形
成する工程と、このボールを電極パッドに圧着する工程
と、この圧着したボールから延びたワイヤを切断する工
程とを含むバンプ電極の形成方法であって、 前記キャピラリにより前記電極パットに前記ボールを圧
着した後、この圧着位置から前記キャピラリを垂直上方
向、水平方向、垂直下方向および前記水平方向と逆の水
平方向に移動させることにより前記キャピラリの位置を
前記圧着位置から水平方向にわずかに移動させた後、前
記キャピラリの先端を前記圧着したボールに押し当てる
ことにより前記圧着したボールから延びたワイヤを圧潰
切断することを特徴とするバンプ電極の形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252316A JP2567512B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | バンプ電極の形成方法 |
| US07/761,717 US5172851A (en) | 1990-09-20 | 1991-09-17 | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
| US07/937,466 US5299729A (en) | 1990-09-20 | 1992-08-28 | Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2252316A JP2567512B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | バンプ電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04130634A true JPH04130634A (ja) | 1992-05-01 |
| JP2567512B2 JP2567512B2 (ja) | 1996-12-25 |
Family
ID=17235559
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2252316A Expired - Lifetime JP2567512B2 (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | バンプ電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2567512B2 (ja) |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2252316A patent/JP2567512B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2567512B2 (ja) | 1996-12-25 |
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