JPH04130099A - BN被覆Si↓3N↓4ウィスカー及びその製造方法 - Google Patents
BN被覆Si↓3N↓4ウィスカー及びその製造方法Info
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- JPH04130099A JPH04130099A JP2248754A JP24875490A JPH04130099A JP H04130099 A JPH04130099 A JP H04130099A JP 2248754 A JP2248754 A JP 2248754A JP 24875490 A JP24875490 A JP 24875490A JP H04130099 A JPH04130099 A JP H04130099A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、BN被覆Si3N4ウィスカーとその製造方
法に関するものであり、セラミックス複合用材料として
公的に用いられるものについての提案である。
法に関するものであり、セラミックス複合用材料として
公的に用いられるものについての提案である。
最近、セラミックスの曲げ強度や靭性を向上させる方法
として、SiCウィスカーやS i 3 N 4ウィス
カーなどをセラミックス中に充填して複合化する試みが
なされている。しかし、このような試みについては、ま
ずウィスカーを複合化する場合、マトリックス(母材)
とウィスカー界面の結合性に問題があった。すなわち、
マトリックス(母材)とウィスカー界面の結合性が強す
ぎたり、弱すぎたりすると、クラックディフレクション
やウィスカーのプルアウト効果が減少し、強度や靭性の
向上につながらなくなるという問題点があったのである
。
として、SiCウィスカーやS i 3 N 4ウィス
カーなどをセラミックス中に充填して複合化する試みが
なされている。しかし、このような試みについては、ま
ずウィスカーを複合化する場合、マトリックス(母材)
とウィスカー界面の結合性に問題があった。すなわち、
マトリックス(母材)とウィスカー界面の結合性が強す
ぎたり、弱すぎたりすると、クラックディフレクション
やウィスカーのプルアウト効果が減少し、強度や靭性の
向上につながらなくなるという問題点があったのである
。
このような実情に鑑み、マトリックスとウィスカーとの
結合性を改善するために、従来、ウィスカー表面をカー
ボン、酸化物、あるいは窒化物で被覆する方法が研究さ
れてきた。たとえば、被覆方法に着目すると、従来、■
CVD法、■ゾル・ゲル法等の方法が提案されている。
結合性を改善するために、従来、ウィスカー表面をカー
ボン、酸化物、あるいは窒化物で被覆する方法が研究さ
れてきた。たとえば、被覆方法に着目すると、従来、■
CVD法、■ゾル・ゲル法等の方法が提案されている。
まず、CVD法を利用した例としては、ウィスカー表面
にメタンガスや水素ガスを接触反応させることにより、
その表面を炭素膜で被覆したウィスカーを製造する方法
が知られている。
にメタンガスや水素ガスを接触反応させることにより、
その表面を炭素膜で被覆したウィスカーを製造する方法
が知られている。
また、ゾル・ゲル法を利用した例としては、硝酸アルミ
ニウム水溶液中にウィスカーを添加し、その後、この水
溶液中にアンモニア水溶液を加えることにより、ウィス
カーの表面に、水酸化アルミニウムを形成させ、そして
熱処理を施すことにより、ウィスカー表面にアルミナを
繊維強化セラミックス被覆することとしたウィスカーの
製造方法(特開昭64−87600号公報)がある。
ニウム水溶液中にウィスカーを添加し、その後、この水
溶液中にアンモニア水溶液を加えることにより、ウィス
カーの表面に、水酸化アルミニウムを形成させ、そして
熱処理を施すことにより、ウィスカー表面にアルミナを
繊維強化セラミックス被覆することとしたウィスカーの
製造方法(特開昭64−87600号公報)がある。
その他、ウィスカーをBNで被覆する行も提案されてい
る。例えば、特開平1−188475号公報には、ウィ
スカー複合SiC焼結体の場合、靭性や強度が向上する
ことが指摘されている。
る。例えば、特開平1−188475号公報には、ウィ
スカー複合SiC焼結体の場合、靭性や強度が向上する
ことが指摘されている。
〔発明が解決しようとする課題]
しかしながら、特開平1−188475号公報に開示さ
れているウィスカーの製造方法は、SiCウィスカーの
表面にCVD法によりBNを被覆する方法であり、製造
工程が複雑で、コスト的に高い。
れているウィスカーの製造方法は、SiCウィスカーの
表面にCVD法によりBNを被覆する方法であり、製造
工程が複雑で、コスト的に高い。
そこで、本発明者らは、BN被覆ウィスカーを簡単に、
かつ安価に製造することを目指し、とくにSiCウィス
カーではなくSi3N4ウィスカーについて検討を行っ
た。
かつ安価に製造することを目指し、とくにSiCウィス
カーではなくSi3N4ウィスカーについて検討を行っ
た。
その結果、Si:+N4ウィスカーを溶融硼砂中に浸漬
することにより、ウィスカー表面に窒化物(BN)を形
成させることを考えた。ただし、セラミックス(バルク
状)へのBN被覆については、日本セラミックス協会、
1988年基礎討論会資料(3DO1)にも、それの試
みがなされたことについての報告があるが、それはあく
までもバルク状セラミックスに対する報告である。
することにより、ウィスカー表面に窒化物(BN)を形
成させることを考えた。ただし、セラミックス(バルク
状)へのBN被覆については、日本セラミックス協会、
1988年基礎討論会資料(3DO1)にも、それの試
みがなされたことについての報告があるが、それはあく
までもバルク状セラミックスに対する報告である。
この点について、本発明者らの研究によれば、Si3N
4ウィスカーに対してのBN被覆については、上記資料
に開示のようなバルクに対する条件では被覆層が厚くな
り過ぎ、また被覆層が粗くなりすぎるという問題が生じ
た。
4ウィスカーに対してのBN被覆については、上記資料
に開示のようなバルクに対する条件では被覆層が厚くな
り過ぎ、また被覆層が粗くなりすぎるという問題が生じ
た。
そこで、本発明者らは、このような問題点についてもさ
らに検討を行ったところ、Si3N4ウィスカーへの被
覆に適する特有の条件があることを知見し、本発明に想
到した。
らに検討を行ったところ、Si3N4ウィスカーへの被
覆に適する特有の条件があることを知見し、本発明に想
到した。
本発明の目的は、BNN被覆 i 3 N 4ウィスカ
ーを簡単に、かつ安価に製造することで、従来技術の上
述した問題点を克服することにある。
ーを簡単に、かつ安価に製造することで、従来技術の上
述した問題点を克服することにある。
(課題を解決するための手段〕
本発明の玉揚の目的は、S i 、N 4ウィスカーの
表面に、該ウィスカーの直径に対して5〜25%に相当
する厚みにてBNを被覆したことを特徴とするBN被覆
5isN4ウィスカー、および周期律表第■〜■族及び
■族から選ばれる1種または2種以上の元素、あるいは
それらの化合物からなる触媒を、S i 3 N 4ウ
ィスカーを含む650″C〜800°Cに保持した溶融
硼砂中に、1時間以下の時間浸漬し、前記Si:+N4
ウィスカーの表面に、該ウィスカーの直径に対して5〜
25%に相当する厚みにてBNを被覆し、その後熱処理
することを特徴とするBN被覆Si3N4ウィスカーを
製造する方法にある。
表面に、該ウィスカーの直径に対して5〜25%に相当
する厚みにてBNを被覆したことを特徴とするBN被覆
5isN4ウィスカー、および周期律表第■〜■族及び
■族から選ばれる1種または2種以上の元素、あるいは
それらの化合物からなる触媒を、S i 3 N 4ウ
ィスカーを含む650″C〜800°Cに保持した溶融
硼砂中に、1時間以下の時間浸漬し、前記Si:+N4
ウィスカーの表面に、該ウィスカーの直径に対して5〜
25%に相当する厚みにてBNを被覆し、その後熱処理
することを特徴とするBN被覆Si3N4ウィスカーを
製造する方法にある。
なお、上記BN被覆5isN4ウィスカーについては、
さらに900″C以上の温度で熱処理することによって
表面のより平滑なウィスカーであって、かつウィスカー
とBN層の密着したBNN被覆 i 3 N aウィス
カーを得ることができる。
さらに900″C以上の温度で熱処理することによって
表面のより平滑なウィスカーであって、かつウィスカー
とBN層の密着したBNN被覆 i 3 N aウィス
カーを得ることができる。
ウィスカー表面にBNを被覆する際、従来技術のように
、単にSi3Ngバルクを溶融硼砂中浸漬しただけでは
、浸漬温度および浸漬時間の増加とともにBN層が望ま
しくない厚さに肥厚化する傾向がある。すなわち、S
i x N 4バルク表面に、剥離しにくく面粗さの小
さいBN層を形成させるためには、浸漬温度および浸漬
時間のコントロールが必要になる。この点、従来技術の
下でのBN被覆層は数μm〜数十μmの厚さとなってお
り、そのために、浸漬温度1ooo″C前後、浸漬時間
数時間の条件で溶融硼砂中への浸漬を行っていた。
、単にSi3Ngバルクを溶融硼砂中浸漬しただけでは
、浸漬温度および浸漬時間の増加とともにBN層が望ま
しくない厚さに肥厚化する傾向がある。すなわち、S
i x N 4バルク表面に、剥離しにくく面粗さの小
さいBN層を形成させるためには、浸漬温度および浸漬
時間のコントロールが必要になる。この点、従来技術の
下でのBN被覆層は数μm〜数十μmの厚さとなってお
り、そのために、浸漬温度1ooo″C前後、浸漬時間
数時間の条件で溶融硼砂中への浸漬を行っていた。
しかし、これでは、上述したように被覆層の剥離が生じ
、表面粗さも大きい皮膜にしかならない。本発明におい
て目指す望ましいBN層は、少なくとも5i=N4ウィ
スカーの直径より薄い方が好ましく、とくにウィスカー
の直径の5%〜25%に相当する厚みとすることがより
好ましい。それは、BN層厚さがウィスカーの直径の5
%以下では膜厚が薄すぎて、マトリックスとの混合途中
で剥離、割れ等の障害が起こるからである。また、25
%以上の厚さになると、逆に厚すぎるために剥離・割れ
が発生しやすくなり、セラミックス複合材料として好ま
しくない。
、表面粗さも大きい皮膜にしかならない。本発明におい
て目指す望ましいBN層は、少なくとも5i=N4ウィ
スカーの直径より薄い方が好ましく、とくにウィスカー
の直径の5%〜25%に相当する厚みとすることがより
好ましい。それは、BN層厚さがウィスカーの直径の5
%以下では膜厚が薄すぎて、マトリックスとの混合途中
で剥離、割れ等の障害が起こるからである。また、25
%以上の厚さになると、逆に厚すぎるために剥離・割れ
が発生しやすくなり、セラミックス複合材料として好ま
しくない。
次に、S i 3 N 4ウィスカーを溶融硼砂中に浸
漬する場合、良好なりN層を形成するためには、浸漬温
度650〜800℃が好ましい。それは、浸漬温度が6
50°Cより低いと反応が遅く進行するために実用的な
製造方法でなくなる。一方、浸漬温度が800°Cより
高いと、BN層が剥離しゃすくなるために好ましくない
。
漬する場合、良好なりN層を形成するためには、浸漬温
度650〜800℃が好ましい。それは、浸漬温度が6
50°Cより低いと反応が遅く進行するために実用的な
製造方法でなくなる。一方、浸漬温度が800°Cより
高いと、BN層が剥離しゃすくなるために好ましくない
。
上記の処理;すなわち、浸漬処理が終了したら、そのB
N被覆ウィスカーを室温まで冷却する。引続きこのウィ
スカーは温水で洗浄する。
N被覆ウィスカーを室温まで冷却する。引続きこのウィ
スカーは温水で洗浄する。
このようにして得たものは、緻密で表面の滑らかなりN
層を表面に有するSi、N、ウィスカーとなる。なお、
洗浄は、冷水でもかまわないが、作業時間を短縮するた
めには、温水の方が好ましい。
層を表面に有するSi、N、ウィスカーとなる。なお、
洗浄は、冷水でもかまわないが、作業時間を短縮するた
めには、温水の方が好ましい。
上記溶融硼砂浴には、触媒として、周期律表第■〜■族
及び■族から選ばれる1種または2種以上の元素、ある
いは化合物を添加する。これらの触媒は、溶融硼砂中O
Bの動きを活発にする作用を有するため、5isN−ウ
ィスカーを浸漬した場合に、5tsN4ウィスカー中の
Siが速やかにBに置換され、BN層の形成を容易にす
るのである。
及び■族から選ばれる1種または2種以上の元素、ある
いは化合物を添加する。これらの触媒は、溶融硼砂中O
Bの動きを活発にする作用を有するため、5isN−ウ
ィスカーを浸漬した場合に、5tsN4ウィスカー中の
Siが速やかにBに置換され、BN層の形成を容易にす
るのである。
次に、上記溶融硼砂浴への浸漬処理の後は、洗浄し、必
要により引続き熱処理を施す。
要により引続き熱処理を施す。
このようにして得られた本発明BNN被覆層i3N4ウ
ィスカー、セラミックスマトリックス中に配合し焼結を
行うことにより、曲げ強度、靭性に優れた複合セラミッ
クスを製造することができる。
ィスカー、セラミックスマトリックス中に配合し焼結を
行うことにより、曲げ強度、靭性に優れた複合セラミッ
クスを製造することができる。
触媒としてCr粉末を添加した溶融硼砂(NazB40
+)浴中に、S i 3N−ウィスカー(平均直径約0
.5μm)を、浸漬温度750”C1浸漬時間10分間
の条件で浸漬処理した。得られたBNN被覆層i z
N 4ウィスカーを冷却後、温水洗浄を行った。回収し
たBN被覆ウィスカーを1400″C1窒素雰囲気中で
1時間熱処理を行った。
+)浴中に、S i 3N−ウィスカー(平均直径約0
.5μm)を、浸漬温度750”C1浸漬時間10分間
の条件で浸漬処理した。得られたBNN被覆層i z
N 4ウィスカーを冷却後、温水洗浄を行った。回収し
たBN被覆ウィスカーを1400″C1窒素雰囲気中で
1時間熱処理を行った。
得られたBN被覆5isN4ウィスカーについて、X線
回折測定、SEM、EPMA観察を行ったところ、S
i z N−ウィスカー表面に、厚さ約0.1μmの粗
度の小さいなめらかなりN層が確認できた。
回折測定、SEM、EPMA観察を行ったところ、S
i z N−ウィスカー表面に、厚さ約0.1μmの粗
度の小さいなめらかなりN層が確認できた。
そして、かかるBN被覆5isN−ウィスカーを、Si
Cセラミックス中に配合し焼結を行ったところ、曲げ強
度、靭性ともに優れたSiC配合セラミックスを得るこ
とができた。第1表にこのときの焼結体特性を示す。
Cセラミックス中に配合し焼結を行ったところ、曲げ強
度、靭性ともに優れたSiC配合セラミックスを得るこ
とができた。第1表にこのときの焼結体特性を示す。
比較例1
触媒としてCr粉末を添加した溶融硼砂(Nag B
a O?)浴中に、5isN4ウィスカー(平均直径約
0.5μm)を、浸漬温度750°C1浸漬時間2時間
の条件で浸漬処理してBN被覆層を得た。このウィスカ
ーを冷却後、温水にて洗浄した0回収したウィスカーを
上記実施例と同様の熱処理を施した。
a O?)浴中に、5isN4ウィスカー(平均直径約
0.5μm)を、浸漬温度750°C1浸漬時間2時間
の条件で浸漬処理してBN被覆層を得た。このウィスカ
ーを冷却後、温水にて洗浄した0回収したウィスカーを
上記実施例と同様の熱処理を施した。
得られたBNN被覆層i 3 N mウィスカーについ
て、X線回折測定、SEM、EPMA観察を行ったとこ
ろ、S i s N 4ウイス力−表面に、厚さ約2μ
mのBN層が確認できた。
て、X線回折測定、SEM、EPMA観察を行ったとこ
ろ、S i s N 4ウイス力−表面に、厚さ約2μ
mのBN層が確認できた。
そこで、上記のようにして製造したBN被覆Si3N、
ウィスカーをSiC粉末中に配合し焼結を行ったところ
、このウィスカーについては、曲げ強度、靭性ともに無
コーテイング品より低い値になることが確かめられた。
ウィスカーをSiC粉末中に配合し焼結を行ったところ
、このウィスカーについては、曲げ強度、靭性ともに無
コーテイング品より低い値になることが確かめられた。
比較例2
触媒としてCr粉末を添加した溶融硼砂(Naz B
40 t)浴中に、S i s N 4ウィスカー(平
均直径約0.5μm)を、浸漬温度1000”C1浸漬
時間10分間の条件で浸漬処理した。得られたウィスカ
ーを冷却後、温水洗浄した。回収したBN被覆ウィスカ
ーを実施例と同様の熱処理を施した。
40 t)浴中に、S i s N 4ウィスカー(平
均直径約0.5μm)を、浸漬温度1000”C1浸漬
時間10分間の条件で浸漬処理した。得られたウィスカ
ーを冷却後、温水洗浄した。回収したBN被覆ウィスカ
ーを実施例と同様の熱処理を施した。
得られたBNN被覆層i3N4ウィスカーついて、X線
回折測定、SEM、EPMA観察を行ったところ、S
i 3 N aウィスカー表面に、厚さ約2.5μmの
BN層が確認できた。
回折測定、SEM、EPMA観察を行ったところ、S
i 3 N aウィスカー表面に、厚さ約2.5μmの
BN層が確認できた。
そこで、上記のようにして得られたBNN被覆層i 3
N 4ウィスカーをSiC粉末中に配合し焼結を行っ
たところ、このウィスカーについては曲げ強度、靭性と
もに無コーテイング品より低い値になることが確かめら
れた。
N 4ウィスカーをSiC粉末中に配合し焼結を行っ
たところ、このウィスカーについては曲げ強度、靭性と
もに無コーテイング品より低い値になることが確かめら
れた。
比較例3
触媒としてCr粉末を添加した溶融硼砂(Naz B
407)浴中に、Si3N4ウイスカ−(平均直径約0
.5μm)を、浸漬温度750°C1浸漬時間10分間
の条件で浸漬処理を施した。このウィスカーを冷却後、
温水洗浄した。そこで、このようにして得られたS i
3 N 4ウィスカーについて、X線回折測定、SE
M、EPMA観察を行ったところ、S ;sNaウィス
カー表面に、厚さ約0.1μmの粗いBN層が確認でき
た。
407)浴中に、Si3N4ウイスカ−(平均直径約0
.5μm)を、浸漬温度750°C1浸漬時間10分間
の条件で浸漬処理を施した。このウィスカーを冷却後、
温水洗浄した。そこで、このようにして得られたS i
3 N 4ウィスカーについて、X線回折測定、SE
M、EPMA観察を行ったところ、S ;sNaウィス
カー表面に、厚さ約0.1μmの粗いBN層が確認でき
た。
また、このBNN被覆層i3N4ウィスカーSiC粉末
中に配合し焼結を行ったところ、曲げ強度、靭性ともに
無コーテイング品よりも高い値であったが、熱処理品と
比べて低い値になることが判った。
中に配合し焼結を行ったところ、曲げ強度、靭性ともに
無コーテイング品よりも高い値であったが、熱処理品と
比べて低い値になることが判った。
以上発明したように本発明によれば、密着性に優れると
共に表面粗度の小さいBN被覆層を有するS i s
N 4ウィスカーを簡単にかつ安価に製造することがで
きる。しかも、かかるBN被覆ウィスカーをセラミック
スマトリックス中に配合したものについては、曲げ強度
および靭性に優れたセラミックスの複合材料とすること
ができる。
共に表面粗度の小さいBN被覆層を有するS i s
N 4ウィスカーを簡単にかつ安価に製造することがで
きる。しかも、かかるBN被覆ウィスカーをセラミック
スマトリックス中に配合したものについては、曲げ強度
および靭性に優れたセラミックスの複合材料とすること
ができる。
特許出願人 日本重化学工業株式会社
代理人 弁理士 小 川 順 三
同 弁理士 中 村 盛 夫
Claims (2)
- 1.Si_3N_4ウィスカーの表面に、該ウィスカー
の直径に対して5〜25%に相当する厚みにてBNを被
覆したことを特徴とするBN被覆Si_3N_4ウィス
カー。 - 2.周期律表第III〜IV族及びVIII族から選ばれる1種
または2種以上の元素、あるいはそれらの化合物からな
る触媒を、Si_3N_4ウィスカーを含む650℃〜
800℃に保持した溶融硼砂中に浸漬し、前記Si_3
N_4ウィスカーの表面に、該ウィスカーの直径に対し
て5〜25%に相当する厚みにてBNを被覆し、その後
熱処理することを特徴とするBN被覆Si_3N_4ウ
ィスカーの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2248754A JPH04130099A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | BN被覆Si↓3N↓4ウィスカー及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2248754A JPH04130099A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | BN被覆Si↓3N↓4ウィスカー及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04130099A true JPH04130099A (ja) | 1992-05-01 |
Family
ID=17182880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2248754A Pending JPH04130099A (ja) | 1990-09-20 | 1990-09-20 | BN被覆Si↓3N↓4ウィスカー及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04130099A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015533768A (ja) * | 2012-09-27 | 2015-11-26 | エラクレスHerakles | Cmc製部品の製造方法 |
-
1990
- 1990-09-20 JP JP2248754A patent/JPH04130099A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015533768A (ja) * | 2012-09-27 | 2015-11-26 | エラクレスHerakles | Cmc製部品の製造方法 |
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