JPH04127530A - 洗浄及び乾燥装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【産業上の利用分野】

本発明は、半導体ウェーハを洗浄、乾燥した後、十分な
清浄度を維持したまま、次工程にウェーハを渡すことが
可能な洗浄及び乾燥装置に関する。 ｒ従来の技術】 Ｍ　ＯＳ　　Ｌ　　Ｓ　　Ｉ　　（Ｍｅｔａｌ　　０ｘ
ｉｄｅ　　Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　　Ｌａｒｇｏ
　５ｃａｌｅ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）の高集積化、
微細化に伴って酸化膜の薄膜化が進み、ウェーハ表面汚
染の除去や自然酸化膜の生成を抑制することが安定なデ
バイス特性を得るために必要になってきた。特に、洗浄
後に導入される汚染や自然酸化膜の成長によって、良好
なエピタキシャル成長や眉間接続が阻害される問題があ
る。 この様な問題にたいして従来装置は洗浄、乾燥を個別装
置で行なう、また改良された従来装置においても洗浄、
乾燥は一貫装置で行なうが、乾燥後は作業者やロボット
がウェーハをケースに入れて搬送するなど、上記の問題
に体する十分な対策が施されていない。即ち、洗浄工程
と乾燥工程との間、また乾燥後の搬送においてウェーハ
はクリーンルーム中の大気に晒され、新たな汚染物の付
着や自然酸化膜の成長が起る。 なお、自然酸化膜の除去装置として、無水ＨＦ蒸気を使
ってＳ　ｉ　Ｏ，除去する装置（ＥＸＣＡＬＩ　Ｂ　Ｕ
　ＲＴＭガスプロセスシステム（プロセスおよび装置の
概要）米国ＦＳＩ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ技術資
料）が開発されているが、上記問題の本質的な解決には
至っていない。

【発明が解決しようとする課題１ 上記従来技術は洗浄工程と乾燥工程の間、また乾燥後の
搬送においてウェーハはクリーンルーム中の大気に晒さ
れることに対して十分な配慮がされておらず、新たな汚
染の付着や自然酸化膜の成長によって良好なエピタキシ
ャル成長や眉間接続が阻害される等の問題があった。 本発明はこの様な問題を解決する洗浄及び乾燥装置を提
供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するために本発明による洗浄及び乾燥装
置は、同一チェンバ中で洗浄及び乾燥を行なう、更にこ
の洗浄及び乾燥を行なったチェンバをウェーハキャリア
として用いる。 本発明による洗浄及び乾燥装置は、洗浄及び乾燥に用い
るチェンバをウェーハキャリアとして用いるために、チ
ェンバと洗浄液・超純水・高純度窒素・ハロゲンガス等
の供給、排出ラインとを着脱する着脱機構を備えている
。 また本発明による洗浄及び乾燥装置は、洗浄及び乾燥を
効果的に行なうために、紫外光または赤外光を照射する
ための窓を備えている。 また本発明による洗浄及び乾燥装置は、チェンバ中の窒
素・ハロゲンガス等を効率的に排気するために、排気口
を備えている。 【作用】 本発明の装置は、洗浄・乾燥後、ウェーハの搬送、待機
中を通してチェンバ中の雰囲気をコントロールできる。 このためウェーハを大気に晒すことなく、コントロール
された清浄な雰囲気に保つことができる。これによって
、ウェーハへの新たな汚染の付着や自然酸化膜の成長を
抑えることができる。

【実施例１ 以下、本発明の実施例につき１図面を参照して詳細に説
明する。第１図は本発明の洗浄及び乾燥装置の概略構成
図である。 本発明の装置は、ウェーハの洗浄・乾燥及び搬送を行な
うチェンバ１と、このチェンバに洗浄液・超純水２、高
純度窒素・ハロゲンガス３等を供給する供給ラインと、
これらを排出するための排出ライン４と、これらの供給
、排出ラインとチェンバとを着脱するための着脱機構５
〜８などを備えている。 また本発明の装置は、必要に応じて、洗浄及び乾燥を効
果的に行なうために紫外光または赤外光を照射するため
の窓９を備えている。 また本発明の装置は、必要に応じて、チェンバ中の窒素
・ハロゲンガス等を効率的に排気するための排気口１０
を備えている。 本発明の装置においてウェーハの洗浄、乾燥、保管は次
の様にして行なう、まず５着脱機構によってチェンバと
洗浄液・超純水、高純度窒素・ハロゲンガス等を供給す
る供給ライン及びこれらを排出するための排出ラインと
を接続する。なお、必要に応じて超純水、高純度窒素等
によってチェンバの内部、着脱機構のライン内部等をク
リーンニングする。 次にチェンバの中にウェーハ１１を入れる。 次に高純度窒素・ハロゲンガス等の供給ラインから高純
度窒素を供給し、チェンバ中の大気を高純度窒素で置換
する。なお、チェンバ内の大気を高純度窒素で効率的に
置換したい場合には、排気口にクライオポンプ又はター
ボ分子ポンプなどを接続しチェンバ中の大気を排気した
後、高純度窒素を導入する。 次に洗浄液・超純水ラインから洗浄液、超純水を供給し
ウェーハを洗浄、リンスし、廃液は排出ラインから排出
する。なお、必要に応じてハロゲンガスの供給、紫外光
照射を行なう。 次に、高純度窒素・ハロゲンガス等の供給ラインから高
純度窒素を供給し、ウェーハを乾燥させる。なお、必要
に応じて赤外光の照射を行なう。 次に着脱機構によってチェンバと洗浄液・超純水、高純
度窒素・ハロゲンガス等の供給ライン及び排出ラインと
を切り離し、ウェーハをチェンバに入れたまま搬送する
。なお、搬送後ウェーハを保管する場合は、ウェーハを
チェンバに入れたまま保管しても良いが、搬送先にも高
純度窒素の供給ライン及び排出ラインを前もって用意し
、着脱機構によってこれらのラインとチェンバとを再び
接続しチェンバ内部を窒素でパージしても良い。 更に、上記洗浄、乾燥に引き続いて薄膜形成や酸化など
の処理を行なう場合、上記チェンバから薄膜形成や酸化
などの装置のロードロック室にウェーハを挿入すれば、
ウェーハを全く大気に晒さずに、ウェーハの処理を進め
ることが出来る。 第２図に第１図の着脱機構の一実施例を示す。 同図の様にすると着脱部分（２つの三方向バルブの間）
も洗浄液、ガス等を流すことによってウェーハを処理す
る前に洗浄することが出来る。また、洗浄液、ガス等を
使用しないときは必要に応じてこれらを循環させて、滞
留による純度劣化を防止する。 本発明は上記一実施例に限定されず、種々の変形を加え
て実施できる。例えば、高純度窒素ガスの替わりにアル
ゴン等の不活性ガス、或いは水素等のガスを用いても良
い。また、洗浄、乾燥をより効率的に行なうために加熱
した洗浄液、超純水。 高純度窒素、ハロゲンガス等を用いても良い。また、ハ
ロゲンガスによる洗浄中に紫外光を照射して光化学反応
を利用しても良い。 また上記実施ではチェンバ中のウェーハが１枚である場
合を示したが、チェンバ中のウェーハが多数枚になって
も良い。 ■発明の効果】 以上説明した如く本発明により、チェンバの内部には大
気が入り込まず、ウェーハの洗浄、乾燥、搬送、保管を
通してウェーハを大気に晒すことなく、コントロールさ
れた清浄な雰囲気に保つことができる。これによって、
ウェーハへの新たな汚染の付着や自然酸化膜の成長が少
ない洗浄及び乾燥装置が提供される。 また、本発明は閉じた空間でウェーハを処理できるので
、ドラフトごとウェーハを大気から遮断する場合に比べ
て大量の窒素を必要としない。また、閉じた空間である
ので大気から隔離も容易である。 また、本発明は同一空間でウェーハを処理するので搬送
系が少なくてすみ、装置がシンプルである。また、搬送
系によってウェーハが汚染される機会も少ない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を説明するための断面図であ
る。第２図は第１図の着脱機構を説明するための図であ
る。 符号の説明 １・・・チェンバ、２・・・供給ライン、３・・・供給
ライン、４・・・排出ライン、５〜８・・・着脱機構、
９・・・照射窓、１０・・・排気口。 １・・・ウェーハ、 １２・・・ランプ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、洗浄及び乾燥装置において、外気と密閉したチェン
   バを備え、かつ洗浄液、超純水、高純度窒素、ハロゲン
   ガス等のうち少なくとも一つ以上の導入機構と排出機構
   とを備え、更にこれらの導入、排出機構をチェンバから
   着脱可能な構造としたことを特徴とする洗浄及び乾燥装
   置。 ２、上記チェンバをウェーハキャリア、またはウェーハ
   保管ケースとして用いることを特徴とする請求項１記載
   の洗浄及び乾燥装置。 ３、上記チェンバの少なくとも一部において、紫外光ま
   たは赤外光を照射できる窓を備えたことを特徴とする請
   求項１もしくは２記載の洗浄及び乾燥装置。 ４、上記チェンバに真空排気口を備えたことを特徴とす
   る請求項１ないし３のいずれかに記載の洗浄及び乾燥装
   置。 ５、上記請求項１記載のチェンバを備えたこと特徴とす
   る半導体製造装置。