JPH04125892A - Chip enable signal control circuit in dual port memory element - Google Patents

Chip enable signal control circuit in dual port memory element

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JPH04125892A
JPH04125892A JP2234636A JP23463690A JPH04125892A JP H04125892 A JPH04125892 A JP H04125892A JP 2234636 A JP2234636 A JP 2234636A JP 23463690 A JP23463690 A JP 23463690A JP H04125892 A JPH04125892 A JP H04125892A
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JP
Japan
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signal
state
chip enable
enable signal
clock signal
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Application number
JP2234636A
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Japanese (ja)
Inventor
Hyong-Su Chung
チャン ヒュン―ス
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Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH04125892A publication Critical patent/JPH04125892A/en
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Abstract

PURPOSE: To increase a data transmitting margin and to prevent malfunctions by inputting a clock signal assigning the output signal from a switching means and the completion of data transmission and providing with a latch means outputting a clock signal being a master clock inside a tip. CONSTITUTION: When a first clock signal CLK1 is in a H state, since a signal in a L state is outputted with a fourth NOR gate NO4 , a second clock signal CLK2 outputted from a third NOR gate NO3 becomes inverted signal to the output signal of a second inverter 12 and becomes L state. Next, when the signal CLK1 is transited to the L state, the signal in the H state is outputted with the gate NO4 . In this case, since the signal CLK2 is maintained in the L state regardless of the state of a signal RAS, the active state of the signal CLK2 becomes longer than the signal RAS. By this way, a data transmitting time between dual ports is compensated, the transmitting margin becomes large, and also the data transmission is correctly executed in a prescribed time.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明はジュアルポートメモリ素子におけるチップエネ
ーブル信号制御回路に係わり、特にRAM(ランダム・
アクセス・メモリ)ポートとSAM(シリアル・アクセ
ス・メモリ)との間でのデータ伝送時に、チップを動作
させる信号を制御するジュアルポートメモリ素子におけ
るチップエネーブル信号制御回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a chip enable signal control circuit in a dual-port memory device, and particularly relates to a chip enable signal control circuit in a dual-port memory device, and particularly to a chip enable signal control circuit in a dual-port memory device.
The present invention relates to a chip enable signal control circuit in a dual port memory device that controls signals for operating the chip during data transmission between a serial access memory (access memory) port and a SAM (serial access memory).

(従来の技術) 一般に、ジュアルポートメモリ素子はタラフィック表示
用のVRAM (映像RAM)として使用するために開
発されたメモリ素子である。初期においては、64Kx
4のRAMボート及び256に×4のSAMポートを有
する256に−VRAMが開発された。この時以来、6
4KX4のVRAMの機能を向上させた書き込みパービ
ット(WRB)機能、及びメモリから直列データへリア
ルタイムデータ伝送(RTDT)する機能などが付加さ
れ、VRAMの標準化か成されてきた。
(Prior Art) Generally, a dual port memory device is a memory device developed for use as a VRAM (video RAM) for displaying graphics. Initially, 64Kx
A 256-VRAM was developed with 4 RAM ports and 256 x 4 SAM ports. Since this time, 6
VRAM has been standardized with the addition of a write-per-bit (WRB) function that improves the functionality of 4KX4 VRAM, and a function that performs real-time data transmission (RTDT) from memory to serial data.

現在においては、IN1ビットのVRAMとして256
KX4及び128Kx8などの種類が存在する。
Currently, there are 256 IN1-bit VRAMs.
There are types such as KX4 and 128Kx8.

一方、−膜内なりRAMでは、プロセッサから周辺装置
へ情報を伝送する場合、まずDRAMであるメモリへ情
報を伝送した後に、この伝送された情報に周辺装置かア
クセスすることが成される。
On the other hand, when using an in-film RAM, when transmitting information from a processor to a peripheral device, the information is first transmitted to a memory, which is a DRAM, and then the peripheral device accesses the transmitted information.

この場合、周辺装置からメモリへアクセスが成されてい
る間はプロセッサはメモリへ情報を伝送することができ
ない。しかしながら、VRAMにおいては、その第1ポ
ートを介してVRAMであるメモリへ情報を伝送すると
同時に、周辺装置からメモリへ第2ポー トを介してア
クセスすることが可能である。上記第1ポート及び第2
ポートはそれぞれRAMポート又はSAMボートから成
り、SAMボートは高速のアクセス時間を有するので、
VRAMは高解像度用又は高速画像表示用として広く利
用されている。
In this case, the processor cannot transmit information to the memory while the peripheral device is accessing the memory. However, in a VRAM, it is possible to transfer information to the VRAM memory through its first port while simultaneously accessing the memory from a peripheral device through a second port. The first port and the second port
Each port consists of a RAM port or a SAM boat, and since SAM boats have fast access times,
VRAM is widely used for high resolution or high speed image display.

上記SAMポートにおけるデータ伝送サイクルとして、
読み出し伝送サイクル、書き込み伝送サイクル、及びリ
アルタイム書き込み伝送サイクルなどがある。上記読み
出し伝送サイクルでは、RAMボートに書き込まれたデ
ータかSAMポートへ伝送され、このSAMポートのデ
ータは読み出し可能なモードにセットされる。書き込み
伝送サイクルでは、周辺装置からSAMポートへ書き込
まれたデータがRAMボートへ伝送される。
As the data transmission cycle at the above SAM port,
There are read transmission cycles, write transmission cycles, and real-time write transmission cycles. In the read transmission cycle, the data written in the RAM boat is transmitted to the SAM port, and the data in the SAM port is set to a readable mode. In a write transfer cycle, data written from a peripheral device to a SAM port is transferred to a RAM port.

第3図に従来のジュアルポートメモリ素子におけるチッ
プエネーブル信号制御回路の図を示す。
FIG. 3 shows a diagram of a chip enable signal control circuit in a conventional dual port memory device.

上記チップエネーブル信号制御回路は−の入力端に外部
から印加されるチップエネーブル信号RASを入力する
第1NORゲートNOIと、該第1NORゲートNO1
の出力を人力する第1インバータ11と、該第1インバ
ータ■1の出力を入力する第2インバータ■2と、該第
2インバータI2の出力を−の入力端に入力しクロック
信号CLKを出力する第2NORゲートNO2とを備え
る。
The chip enable signal control circuit includes a first NOR gate NOI which inputs a chip enable signal RAS applied from the outside to a negative input terminal, and a first NOR gate NO1.
A first inverter 11 inputs the output of the first inverter 11, a second inverter 2 receives the output of the first inverter 1, and inputs the output of the second inverter I2 to the negative input terminal to output the clock signal CLK. and a second NOR gate NO2.

ここで、第1NORゲートN O1,及び第2NORゲ
ートNO2の他方の入力端はそれぞれ常時接地されてい
る。
Here, the other input terminals of the first NOR gate NO1 and the second NOR gate NO2 are always grounded.

データ伝送モード時には、第1NORゲートN01はチ
ップエネーブル信号RASを人力し、該チップエネーブ
ル信号RASに対し反転された信号を出力する。この信
号は第1インバータ及び第インバータのそれぞれで反転
されると共に所定時間を遅延され、次いで第2NORゲ
ー)NO2へ入力される。第2NORゲートNO2は該
ゲートへ入力した信号に対し反転されたクロック信号C
LKを出力する。
In the data transmission mode, the first NOR gate N01 inputs the chip enable signal RAS and outputs an inverted signal with respect to the chip enable signal RAS. This signal is inverted by each of the first and second inverters and delayed by a predetermined time, and then input to the second NOR gate (NO2). The second NOR gate NO2 receives a clock signal C which is inverted with respect to the signal input to the gate.
Output LK.

第4図に上記チップエネーブル信号制御回路のデータ伝
送モード時の動作波形図を示す。
FIG. 4 shows an operational waveform diagram of the chip enable signal control circuit in the data transmission mode.

第4図に示すように、クロック信号CLKはチップエネ
ーブル信号RASに対し所定時間を遅延された信号にな
る。
As shown in FIG. 4, the clock signal CLK is a signal delayed by a predetermined time with respect to the chip enable signal RAS.

上記クロック信号CLKはチップ内部のマスククロック
としてシュアルポート間(SAMポートとRAMボート
との間)のデータ伝送を制御する。
The clock signal CLK serves as a mask clock inside the chip and controls data transmission between the physical ports (between the SAM port and the RAM port).

上記シュアルポート間のデータ伝送は上記クロック信号
CLKのアクティブ状態、すなわちチップエネーブル信
号RASのアクティブ状態においてのみ実行される。
Data transmission between the dual ports is performed only when the clock signal CLK is in the active state, that is, the chip enable signal RAS is in the active state.

(発明か解決しようとする課題) しかしながら、従来のジュアルポートメモリ素子におい
ては、シュアルポート間のデータ伝送時間はチップエネ
ーブル信号RASのアクティブ状態内に制限されるので
、データ伝送のマージンが小さいという問題があった。
(Problem to be solved by the invention) However, in conventional dual-port memory devices, the data transmission time between dual ports is limited within the active state of the chip enable signal RAS, so the data transmission margin is small. There was a problem.

また、データ伝送時間がチップエネーブル信号RASの
非アクティブ状態にまで及んだ場合、デ−タ伝送が完了
される前にチップかプリチャージ状態になってしまい、
誤動作を生ずる問題かあった。
Furthermore, if the data transmission time extends to the inactive state of the chip enable signal RAS, the chip will enter the precharge state before the data transmission is completed.
There were some problems that caused malfunctions.

そこで、本発明は上記従来技術の問題点を解消するもの
で、その目的とするところは、シュアルポート間のデー
タ伝送時、データ伝送時間を補償してデータ伝送マージ
ンか大きくなり、誤動作が防止されるジュアルポートメ
モリ素子におけるチップエネーブル信号制御回路を提供
することである。
Therefore, the present invention solves the above-mentioned problems of the prior art.The purpose of the present invention is to compensate for the data transmission time when transmitting data between physical ports, increase the data transmission margin, and prevent malfunctions. An object of the present invention is to provide a chip enable signal control circuit in a dual port memory device.

[発明の構成コ (課題を解決するための手段) 上記課題を解決するための本発明は、チップエネーブル
信号を入力してスイッチング動作を行うスイッチング手
段と、該スイッチング手段からの出力信号及びデータ伝
送の完了時を指定する第1クロック信号を入力し、チッ
プ内部のマスタクロックになる第2クロック信号を出力
するラッチ手段とを備えたことを特徴とする。
[Structure of the Invention (Means for Solving the Problems) The present invention for solving the above problems includes a switching means for performing a switching operation by inputting a chip enable signal, and an output signal and data from the switching means. The device is characterized by comprising a latch means for inputting a first clock signal specifying the time of completion of transmission and outputting a second clock signal serving as a master clock inside the chip.

また、好ましくは、前記第1クロック信号は前記チップ
エネーブル信号のアクティブ状態中に第1エツジを有し
、その後のデータ伝送の完了時に合わせて第2エツジを
有することを特徴とする。
Preferably, the first clock signal has a first edge during an active state of the chip enable signal, and a second edge at the time of completion of subsequent data transmission.

さらに、好ましくは、前記第1クロック信号の第2エツ
ジは前記チップエネーブル信号のアクティブ状態終了後
の非アクティブ状態中に発生し、前記第2クロック信号
は前記チップエネーブル信号のアクティブ状態への遷移
に同期してアクティブ状態へ遷移した後、前記第1クロ
ック信号の第2エツジに同期して非アクティブ状態へ遷
移し、前記第2クロック信号のアクティブ状態か前記チ
ップエネーブル信号のアクティブ状態よりも延長された
ことを特徴とする。
Further preferably, the second edge of the first clock signal occurs during an inactive state after the end of the active state of the chip enable signal, and the second edge of the first clock signal occurs during an inactive state after the end of the active state of the chip enable signal; After transitioning to the active state in synchronization with the transition, the transition to the inactive state is performed in synchronization with the second edge of the first clock signal, and the transition is made from the active state of the second clock signal or the active state of the chip enable signal. It is also characterized by being extended.

(実施例) 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は本発明の一実施例に係わるジュアルポートメモ
リ素子におけるチップエネーブル信号制御回路図である
FIG. 1 is a chip enable signal control circuit diagram in a dual port memory device according to an embodiment of the present invention.

本実施例のチップエネーブル信号制御回路は、従来のチ
ップエネーブル信号制御回路の第2NORゲートNO2
に対しラッチ部10に置き換えたものである。
The chip enable signal control circuit of this embodiment is different from the second NOR gate NO2 of the conventional chip enable signal control circuit.
However, this is replaced with a latch section 10.

第1NORゲートNO1は、従来と同様にチップエネー
ブル信号RASを反転させるスイッチング動作を行う。
The first NOR gate NO1 performs a switching operation to invert the chip enable signal RAS as in the prior art.

また、ラッチ部10は第3NORゲートNO3と、第4
NORゲートNO4とを備える。第3NORゲートNO
3は第2インバータ■2の出力信号を一方の入力端に入
力し、他方の入力端には第4NORゲートNO4の出力
信号を人力し、第2クロック信号CLK2を出力する。
Further, the latch section 10 includes a third NOR gate NO3 and a fourth NOR gate NO3.
NOR gate NO4. 3rd NOR gate NO
3 inputs the output signal of the second inverter 2 to one input terminal, inputs the output signal of the fourth NOR gate NO4 to the other input terminal, and outputs the second clock signal CLK2.

また、第4NORゲートNO4は第3NORゲートNO
3の出力信号CLK2を一方の入力端に人力し、他方の
入力端には第1クロック信号CLKIを入力する。
Further, the fourth NOR gate NO4 is connected to the third NOR gate NO4.
The output signal CLK2 of No. 3 is input to one input terminal, and the first clock signal CLKI is input to the other input terminal.

ここで、第1クロック信号CLKIはデータ伝送の完了
を示す信号である。つまり、第1クロック信号CLKI
はチップエネーブル信号RASのアクティブ状態中に第
1エツジを有し、第2エツジによってデータ伝送の完了
が示される。例えば、第1クロック信号CLKIがL状
態にある場合アクティブ状態であると考えると、その第
1エツジは下降エツジであり、第2エツジは上昇エツジ
になる。
Here, the first clock signal CLKI is a signal indicating completion of data transmission. In other words, the first clock signal CLKI
has a first edge during the active state of the chip enable signal RAS, and a second edge indicates completion of data transmission. For example, if the first clock signal CLKI is considered to be active when it is in the L state, its first edge is a falling edge and its second edge is a rising edge.

第3NORゲートNO3が出力する第2クロック信号C
LK2はチップ内部のマスタクロックになる。
The second clock signal C output by the third NOR gate NO3
LK2 becomes the master clock inside the chip.

以上の構成において、第2図に示された本実施例のチッ
プエネーブル信号制御回路のデータ伝送モード時の動作
波形図を用い、本実施例のチップエネーブル信号制御回
路の動作を説明する。
In the above configuration, the operation of the chip enable signal control circuit of this embodiment will be explained using the operational waveform diagram of the chip enable signal control circuit of this embodiment in the data transmission mode shown in FIG.

データ伝送モード時、従来と同様に第1NORゲートN
O1に入力されたチップエネーブル信号RASに対し所
定時間遅延された反転信号が第3NORゲートNO3に
入力される。また第4NORゲートNO4に第1クロッ
ク信号CLKIが人力される。
In the data transmission mode, the first NOR gate N
An inverted signal delayed by a predetermined time with respect to the chip enable signal RAS input to O1 is input to the third NOR gate NO3. Also, the first clock signal CLKI is input to the fourth NOR gate NO4.

ここで、第1クロック信号CLKIの第1エツジがチッ
プエネーブル信号RASのアクティブ状態中に発生し、
第2エツジが上記信号RASの非アクティブ状態中に発
生する場合、第1クロック信号CLKIかH状態のとき
第4NORゲートN04は必ずL状態の信号を出力する
ので、第3NORゲートNO3から出力される第2クロ
ック信号CLK2は第2インバータ12の出力信号に対
し反転された信号になる。つまり、チップエネーブル信
号RASはアクティブ状態中、すなわちL状態であるの
で第2インバータI2の出力信号はH状態であり、第3
NORゲートNO3がら出力される第2クロック信号C
LK2はL状態になる次いで、第1クロック信号CLK
Iがその第1エツジにおいてL状態へ遷移すると、第4
NORゲートNO4はH状態の信号を出力するようにな
る。この場合、第3NORゲートNO3から出力される
第2クロック信号CLK2はチップエネーブル信号RA
Sの状態に関係なくし状態を維持することになる。すな
わち、チップエネーブル信号RASがH状態である非ア
クティブに遷移した場合にも第2クロック信号CLK2
はL状態の信号を出力するので、第2クロック信号CL
K2のアクティブ状態(L状態)はチップエネーブル信
号RASのアクティブ状態よりも長くなる。換言すれば
、チップエネーブル信号RASのアクティブ状態は実質
的に延長されることになる。
wherein a first edge of the first clock signal CLKI occurs during an active state of the chip enable signal RAS;
When the second edge occurs during the inactive state of the signal RAS, the fourth NOR gate N04 always outputs a signal in the L state when the first clock signal CLKI is in the H state, so that it is output from the third NOR gate NO3. The second clock signal CLK2 is an inverted signal with respect to the output signal of the second inverter 12. That is, since the chip enable signal RAS is in the active state, that is, in the L state, the output signal of the second inverter I2 is in the H state, and the output signal of the third inverter I2 is in the H state.
Second clock signal C output from NOR gate NO3
LK2 goes to L state, then the first clock signal CLK
When I transitions to the L state at its first edge, the fourth
The NOR gate NO4 outputs an H-state signal. In this case, the second clock signal CLK2 output from the third NOR gate NO3 is the chip enable signal RA.
The state will be maintained regardless of the state of S. In other words, even when the chip enable signal RAS transitions to an H state (inactive), the second clock signal CLK2
outputs an L-state signal, so the second clock signal CL
The active state (L state) of K2 is longer than the active state of chip enable signal RAS. In other words, the active state of the chip enable signal RAS is substantially extended.

次いて、第1クロック信号CLKIがその第2エツジに
おいてH状態へ遷移すると、第4NORゲートNO4は
L状態の信号を出力するようになる。また、チップエネ
ーブル信号RASがH状態へ遷移しているので第3NO
RゲートNO3の一方の入力端に入力される信号はL状
態である。それで、第3NORゲートNO3から出力さ
れる第2クロック信号CLK2はH状態になる。これは
、第2クロック信号CLK2のアクティブ状態が第1ク
ロック信号CLKIの第2エツジに同期して終了し、非
アクティブ状態になったことを意味する。
Then, when the first clock signal CLKI transitions to the H state at its second edge, the fourth NOR gate NO4 outputs an L state signal. Also, since the chip enable signal RAS has transitioned to the H state, the 3rd NO.
The signal input to one input terminal of R gate NO3 is in the L state. Therefore, the second clock signal CLK2 output from the third NOR gate NO3 becomes H state. This means that the active state of the second clock signal CLK2 ends in synchronization with the second edge of the first clock signal CLKI and becomes inactive.

なお、第1クロック信号CLKIの第2エツジがチップ
エネーブル信号RASのアクティブ状態中に発生する場
合、第2クロック信号CLK2は上記第2エツジに同期
されること無くし状態を維持し、チップエネーブル信号
RASのアクティブ状態の終了時、すなわちチップエネ
ーブル信号RASが非アクティブ状態へ遷移した時に同
期してH状態へ遷移することに留意しなければならない
Note that when the second edge of the first clock signal CLKI occurs during the active state of the chip enable signal RAS, the second clock signal CLK2 is not synchronized with the second edge and maintains the state, and the chip enable signal RAS remains in the active state. It must be noted that the transition to the H state occurs synchronously when the active state of the signal RAS ends, that is, when the chip enable signal RAS transitions to the inactive state.

従って、データ伝送の完了を示す第1クロック信号CL
KIによってチップ内部のマスククロックのアクティブ
状態が延長されるので、シュアルポート間のデータ伝送
時間が補償されると共に、伝送マージンが大きくなる。
Therefore, the first clock signal CL indicates the completion of data transmission.
Since the active state of the mask clock inside the chip is extended by KI, the data transmission time between the real ports is compensated and the transmission margin is increased.

また、データ伝送時間がチップエネーブル信号RASの
非アクティブ状態にまで及んでもチップがプリチャージ
されないので、所定時間内に正確にデータ伝送を行うこ
とができる。
Further, since the chip is not precharged even if the data transmission time reaches the inactive state of the chip enable signal RAS, data transmission can be performed accurately within a predetermined time.

つまり、シュアルポート間にてデータ伝送時間が補償さ
れて伝送マージンが大きくなると共に、安定なデータ伝
送の動作を行うことができる。
In other words, the data transmission time is compensated between the real ports, the transmission margin is increased, and stable data transmission operation can be performed.

本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、適宜
の設計的変更により、適宜の態様で実施し得るものであ
る。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be implemented in any appropriate manner by making appropriate design changes.

[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、チップエネーブル
信号を人力してスイッチング動作を行うスイッチング手
段と、該スイッチング手段からの出力信号及びデータ伝
送の完了時を指定する第1クロック信号を入力し、チッ
プ内部のマスククロックになる第2クロック信号を出力
するラッチ手段とを備えたので、シュアルポート間のデ
ータ伝送時、データ伝送時間を補償してデータ伝送マー
ジンが大きくなり、誤動作が防止される。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, there is provided a switching means that performs a switching operation by manually inputting a chip enable signal, and a first switch that specifies the output signal from the switching means and the completion time of data transmission. Since it is equipped with a latch means that inputs a clock signal and outputs a second clock signal that becomes a mask clock inside the chip, it compensates for the data transmission time and increases the data transmission margin when transmitting data between the dual ports. Malfunctions are prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例に係わるジュアルポートメモ
リ素子におけるチップエネーブル信号制御回路図、 第2図は第1図に示されたチップエネーブル信号制御回
路のデータ伝送モード時の動作波形図、第3図は従来の
ジュアルポートメモリ素子におけるチップエネーブル信
号制御回路図、第4図は第3図に示されたチップエネー
ブル信号制御回路のデータ伝送モード時の動作波形図で
ある。 NOI・・・第1NORゲート NO3・・・第3NORゲート NO4・・・第4NORゲート 11・・・第1インバータ ■2・・第2インバータ RAS・・・チップエネーブル信号 CLKI・・・第1クロック信号 CLK2・・・第2クロック信号 10・・・ラッチ部 FIG、4
FIG. 1 is a diagram of a chip enable signal control circuit in a dual port memory device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an operational waveform of the chip enable signal control circuit shown in FIG. 1 in data transmission mode. 3 is a diagram of a chip enable signal control circuit in a conventional dual port memory device, and FIG. 4 is an operational waveform diagram of the chip enable signal control circuit shown in FIG. 3 in a data transmission mode. NOI...First NOR gate NO3...Third NOR gate NO4...Fourth NOR gate 11...First inverter ■2...Second inverter RAS...Chip enable signal CLKI...First clock Signal CLK2...Second clock signal 10...Latch section FIG, 4

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)チップエネーブル信号を入力してスイッチング動
作を行うスイッチング手段と、 該スイッチング手段からの出力信号及びデータ伝送の完
了時を指定する第1クロック信号を入力し、チップ内部
のマスタクロックになる第2クロック信号を出力するラ
ッチ手段とを備えたことを特徴とするジュアルポートメ
モリ素子におけるチップエネーブル信号制御回路。
(1) A switching means that inputs a chip enable signal to perform a switching operation, and an output signal from the switching means and a first clock signal that specifies when data transmission is completed and becomes the master clock inside the chip. A chip enable signal control circuit in a dual port memory device, comprising: latch means for outputting a second clock signal.
(2)第1クロック信号はチップエネーブル信号のアク
ティブ状態中に第1エッジを有し、その後のデータ伝送
の完了時に合わせて第2エッジを有することを特徴とす
るジュアルポートメモリ素子におけるチップエネーブル
信号制御回路。
(2) The first clock signal has a first edge during the active state of the chip enable signal, and a second edge coincident with the completion of subsequent data transmission. Enable signal control circuit.
(3)第1クロック信号の第2エッジはチップエネーブ
ル信号のアクティブ状態終了後の非アクティブ状態中に
発生し、第2クロック信号は前記チップエネーブル信号
のアクティブ状態への遷移に同期してアクティブ状態へ
遷移した後、前記第1クロック信号の第2エッジに同期
して非アクティブ状態へ遷移し、前記第2クロック信号
のアクティブ状態が前記チップエネーブル信号のアクテ
ィブ状態よりも延長されたことを特徴とするジュアルポ
ートメモリ素子におけるチップエネーブル信号制御回路
(3) the second edge of the first clock signal occurs during the inactive state after the end of the active state of the chip enable signal, and the second clock signal is synchronous with the transition of the chip enable signal to the active state; After transitioning to an active state, transitioning to an inactive state in synchronization with a second edge of the first clock signal, and the active state of the second clock signal is longer than the active state of the chip enable signal. A chip enable signal control circuit in a dual port memory device characterized by:
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