KR19980056135A - Synchronous DRAM with Dual Port - Google Patents

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KR19980056135A
KR19980056135A KR1019960075399A KR19960075399A KR19980056135A KR 19980056135 A KR19980056135 A KR 19980056135A KR 1019960075399 A KR1019960075399 A KR 1019960075399A KR 19960075399 A KR19960075399 A KR 19960075399A KR 19980056135 A KR19980056135 A KR 19980056135A
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synchronous dram
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KR1019960075399A
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김금용
문병식
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김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 듀얼포트로 동작하는 싱크로너스 디램에 관한 것이다. 본 발명에 따른 싱크로너스 디램은, 2개의 서로 다른 뱅크를 구비하고 하나의 뱅크가 리드동작시 다른 하나의 뱅크는 라이트동작을 동시에 수행함으로써 듀얼포트로 동작하는 것을 특징으로 한다. 여기에서 상기 리드동작에서는 DQ 핀이 데이터 출력핀으로 사용되고 상기 라이트동작에서는 미지수인 어드레스 핀이 데이터 입력핀으로 사용된다. 따라서 본 발명에 따른 싱크로너스 디램은, 화상처리 씨스템에서 CPU가 메모리장치의 데이터를 CRT에 디스플레이할 때 듀얼포트로 동작함으로써 CPU 시간에 제약없이 뱅크별로 독립적으로 동시에 데이터를 엑세스할 수 있는 장점이 있다.The present invention relates to a synchronous DRAM operating as a dual port. The synchronous DRAM according to the present invention includes two different banks, and when one bank reads, the other bank operates as a dual port by simultaneously performing a write operation. Here, in the read operation, the DQ pin is used as the data output pin, and in the write operation, an unknown address pin is used as the data input pin. Therefore, the synchronous DRAM according to the present invention has an advantage that the CPU can be independently accessed at the same time for each bank independently of the CPU time by operating as a dual port when the CPU displays the data of the memory device on the CRT in the image processing system.

Description

듀얼포트로 동작하는 싱크로너스 디램Synchronous DRAM with Dual Port

본 발명은 화상처리용 싱크로너스 디램에 관한 것으로, 특히 싱글포트이면서 듀얼포트로 동작하는 싱크로너스 디램에 관한 것이다.The present invention relates to a synchronous DRAM for image processing, and more particularly, to a synchronous DRAM that operates as a single port and a dual port.

도 1은 종래의 싱글포트 메모리장치가 화상처리용으로 사용되는 예를 간략히 나타내는 도면이다. 여기에서 싱글포트 메모리장치는 일반적인 디램이 사용된다. 도 1에서와 같이 싱글포트 메모리장치인 디램(3)을 화상처리용으로 사용할 경우, CRT 터미날(2)가 디스플레이되는 동안에는 중앙처리장치(CPU)(1)이 다른 동작을 수행하지 못하게 된다. 따라서 이러한 경우가 CPU 시간의 약 50% 정도를 소비하게 된다.1 is a diagram briefly showing an example in which a conventional single port memory device is used for image processing. The single port memory device uses a general DRAM. As shown in FIG. 1, when the DRAM 3, which is a single port memory device, is used for image processing, the CPU 1 may not perform another operation while the CRT terminal 2 is displayed. So this would consume about 50% of CPU time.

도 2는 종래의 듀얼포트 메모리장치가 화상처리용으로 사용되는 예를 간략히 나타내는 도면이다. 여기에서 듀얼포트 메모리장치는 일반적인 비데오 램이 사용된다. 도 2에서와 같이 듀얼포트 메모리장치인 비데오 램(4)을 화상처리용으로 사용할 경우에는, CRT 터미날(2)가 디스플레이되는 동안에 중앙처리장치(CPU)(1)이 다른 동작을 수행할 수 있으며, 이러한 경우에는 CPU 시간의 약 1% 정도를 소비하게 된다.2 is a diagram briefly showing an example in which a conventional dual port memory device is used for image processing. In this case, the dual port memory device uses a general video RAM. When the video RAM 4, which is a dual port memory device, is used for image processing as shown in FIG. 2, the CPU 1 may perform another operation while the CRT terminal 2 is displayed. In this case, it consumes about 1% of CPU time.

도 3은 도 2의 듀얼포트 메모리장치의 블락도로서, 이를 참조하여 듀얼포트 메모리장치에 대해 간단히 설명하면 다음과 같다. RAM(5)의 한 로우의 모든 데이터가 DTP(Data Transfer Pulse)라는 신호에 의해 제어되어 SAM(Serial Access Memory)(6)으로 전달되고, 전달된 데이터를 SAM(6)이 시어리얼 리드(Serial Read)함으로써 CRT에 뿌려주게 된다. 도 3에 도시되지는 않았지만, RAM 포트는 그래픽 데이터를 필(Fill)하거나 클리어(Clear)하는 등의 그래픽 처리를 위해 사용되며, SAM 포트는 데이터를 외부로 고속 입출력시키는 데 사용된다.3 is a block diagram of the dual port memory device of FIG. 2, which will be described below with reference to the dual port memory device. All data in one row of the RAM 5 is controlled by a signal called a data transfer pulse (DTP) to be transmitted to the serial access memory (SAM) 6, and the transferred data is serialized by the SAM 6 serial. To the CRT. Although not shown in FIG. 3, the RAM port is used for graphic processing such as filling or clearing graphic data, and the SAM port is used for high-speed input / output of data to the outside.

상술하였듯이 일반적인 디램이 화상처리용으로 사용될 경우에는 CPU 시간의 50% 정도가 낭비되는 단점이 있다.As described above, when a general DRAM is used for image processing, about 50% of CPU time is wasted.

따라서 본 발명의 목적은, 종래기술의 단점을 해결하기 위해 싱글포트이면서 듀얼포트로 동작하는 싱크로너스 디램을 제공하는 데 있다.Accordingly, an object of the present invention is to provide a synchronous DRAM operating as a single port and dual port to solve the disadvantages of the prior art.

도 1은 종래의 싱글포트 메모리장치가 화상처리용으로 사용되는 예를 간략히 나타내는 도면BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram schematically showing an example in which a conventional single port memory device is used for image processing.

도 2는 종래의 듀얼포트 메모리장치가 화상처리용으로 사용되는 예를 간략히 나타내는 도면2 is a diagram briefly showing an example in which a conventional dual port memory device is used for image processing;

도 3은 도 2의 듀얼포트 메모리장치의 블락도FIG. 3 is a block diagram of the dual port memory device of FIG. 2.

도 4는 본 발명에 따른 싱글포트 메모리장치인 싱크로너스 디램이 화상처리용으로 사용되는 예를 나타내는 도면4 is a view showing an example in which a synchronous DRAM, which is a single port memory device according to the present invention, is used for image processing;

도 5는 도 4에 사용된 본 발명에 따른 싱크로너스 디램의 실시예를 나타내는 블락도5 is a block diagram illustrating an embodiment of a synchronous DRAM according to the present invention used in FIG. 4.

도 6은 도 5의 싱크로너스 디램의 동작 타이밍도6 is an operation timing diagram of the synchronous DRAM of FIG. 5.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 싱크로너스 디램은, 2개의 서로 다른 뱅크를 구비하고 하나의 뱅크가 리드동작시 다른 하나의 뱅크는 라이트동작을 동시에 수행함으로써 듀얼포트로 동작하는 것을 특징으로 한다.A synchronous DRAM according to the present invention for achieving the above object is characterized by having two different banks, and one bank operates as a dual port by simultaneously performing a write operation while the other bank performs a write operation.

바람직한 실시예에 의하면, 상기 리드동작에서는 DQ 핀이 데이터 출력핀으로 사용되고 상기 라이트동작에서는 미지수인 어드레스 핀이 데이터 입력핀으로 사용된다.According to a preferred embodiment, in the read operation, the DQ pin is used as the data output pin and in the write operation, an unknown address pin is used as the data input pin.

이하 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하고자 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명에서는 화상처리용으로 개발된 듀얼포트 메모리장치의 장점을 싱글포트 메모리장치인 싱크로너스 디램으로 대체하는 것이며, 싱크로너스 디램을 사용하여 약간의 조건을 변경해 듀얼포트 메모리장치와 동일한 기능을 얻는 것이다.In the present invention, the advantage of the dual port memory device developed for image processing is replaced by the synchronous DRAM, which is a single port memory device, and the same function as the dual port memory device is obtained by changing some conditions using the synchronous DRAM.

도 4에 본 발명에 따른 싱글포트 메모리장치인 싱크로너스 디램이 화상처리용으로 사용되는 예가 도시되어 있다. 여기에서는 CRT(2)가 디스플레이되는 동안에 CPU(1)가 다른 동작을 수행할 수 있다. 싱크로너스 디램(7)은 계층적인 메모리 구조를 가지며, CPU(1)에서 요청한 데이터의 히트율(Hit Ratio)를 높여주기 위해 듀얼 뱅크 또는 그 이상의 뱅크로 나누어진다. 이를 구현하기 위해 뱅크 수만큼 내부의 RAS(Row Address Strobe) 체인의 경로가 별도로 존재한다. 이와 같은 특성 때문에 본 발명이 성립될 수 있는 것이다.4 shows an example in which a synchronous DRAM, which is a single port memory device according to the present invention, is used for image processing. Here, the CPU 1 can perform other operations while the CRT 2 is displayed. The synchronous DRAM 7 has a hierarchical memory structure and is divided into dual banks or more banks to increase the hit ratio of data requested by the CPU 1. To implement this, there are separate paths of internal RAS chains as many as the number of banks. Because of these characteristics, the present invention can be established.

도 5는 도 4에 사용된 본 발명에 따른 싱크로너스 디램의 실시예를 나타내는 블락도이다. 도 5를 참조하면, A 뱅크(8)와 B 뱅크(9)가 존재하므로 상기 두 개의 뱅크를 듀얼포트 메모리장치의 RAM 포트 및 SAM 포트와 유사하게 동작시킬 수 있다. 즉 A 뱅크(8)가 리드동작을 하면 B 뱅크(9)가 라이트동작을 해서 서로 별개의 포트로 동작시킬 수 있다. 그러나 싱크로너스 디램은 데이터 패쓰를 공유하므로 A 뱅크(8)에서는, 기존 데이터 패쓰의 DQ 패드를 데이터 출력(Data OUT)으로 사용하고 미지수 상태(Don't Care) 상태인 어드레스 패드를 B 뱅크(9)의 데이터 입력(DIN) 패드로 활용함으로써, 싱글포트 메모리장치인 싱크로너스 디램으로 듀얼포트 메모리장치와 같이 사용할 수 있다.FIG. 5 is a block diagram illustrating an embodiment of a synchronous DRAM according to the present invention used in FIG. 4. Referring to FIG. 5, since the A bank 8 and the B bank 9 exist, the two banks may operate similarly to the RAM port and the SAM port of the dual port memory device. In other words, when the A bank 8 performs the read operation, the B bank 9 can perform the write operation to operate as separate ports. However, because the synchronous DRAM shares the data path, in the A bank 8, the DQ pad of the existing data path is used as the data output and the address pad in the Don't Care state is used in the B bank 9. By using it as a data input (DIN) pad, it can be used as a dual port memory device as a synchronous DRAM as a single port memory device.

도 6은 도 5의 싱크로너스 디램의 동작 타이밍도로서, 여기에서는 듀얼뱅크, CAS 레이턴시 3, 리드버스트 길이 4인 싱크로너스 디램을 예로 들어 설명하겠다. 먼저 CPU 클락에 동기된 내부클락(CLOCK)이 동작되고 A 뱅크의 로우엑티브 명령 및 뱅크 정보를 포함한 A 뱅크의 로우어드레스가 입력되며 이후 소정의 시간(tRCD) 후에 A 뱅크의 리드명령과 A 뱅크의 칼럼어드레스가 입력되면, CAS 레이턴시 3인 시점에 싱크로너스 디램의 기존 데이터 패쓰로 A 뱅크의 데이터가 출력되고 또한 버스트 길이가 4이므로 연속해서 4개의 A 뱅크 데이터가 상기 내부클락(CLOCK)에 동기되어 출력된다. 따라서 이 경우에는 싱글포트 메모리로서 동작하는 것이다. 그러나 이 경우 일반적인 싱크로너스 디램에서는 B 뱅크가 프리차지 또는 멀티뱅크 동작을 수행하지만, 본 발명에 따른 싱크로너스 디램에서는 B 뱅크의 라이트명령이 일반적인 싱크로너스 디램에서 미지수(Don't Care)인 칼럼어드레스 구간에서 B 뱅크의 라이트명령이 입력되고 그때의 어드레스핀을 데이터입력(DIN) 패드로 활용해서 B 뱅크에 라이트 CAS 레이턴시 1인 라이트동작을 수행한다. 또한 버스트 길이가 4이므로 새로 추가된 별도의 내부 카운터에 의해서 연속해서 4개의 B 뱅크의 입력데이터(DIN)이 내부클락(CLOCK)에 동기되어 라이트된다. 이 경우 이전 A 뱅크의 동작과 동시에 B 뱅크가 동작하게 되므로 듀얼포트 메모리장치와 동일한 동작을 수행하는 것이다.FIG. 6 is an operation timing diagram of the synchronous DRAM of FIG. 5. Here, the synchronous DRAM having a dual bank, a CAS latency of 3, and a read burst length of 4 will be described as an example. First, the internal clock synchronized to the CPU clock is operated, and the low address of the bank A including the low-active command and bank information of the bank A is inputted. Then, after a predetermined time tRCD, the read command of the bank A and the bank A of the bank A are input. When the column address is input, data of the A bank is output to the existing data path of the synchronous DRAM at the time of CAS latency 3, and since the burst length is 4, four A bank data are continuously output in synchronization with the internal clock. do. In this case, therefore, it operates as a single port memory. In this case, however, in the general synchronous DRAM, the B bank performs precharge or multi-bank operation. However, in the synchronous DRAM according to the present invention, the write command of the B bank is B in the column address section where Don't Care is unknown in the general synchronous DRAM. The write command of the bank is input, and the address pin at that time is used as a data input (DIN) pad to perform a write operation having a write CAS latency of 1 in the B bank. In addition, since the burst length is 4, the input data DIN of the four B banks is continuously written in synchronization with the internal clock CLOCK by a newly added separate internal counter. In this case, since the B bank is operated at the same time as the previous A bank, the same operation as the dual port memory device is performed.

따라서 본 발명에 따른 싱크로너스 디램은, 화상처리 씨스템에서 CPU가 메모리장치의 데이터를 CRT에 디스플레이할 때 듀얼포트로 동작함으로써 CPU 시간에 제약없이 뱅크별로 독립적으로 동시에 데이터를 엑세스할 수 있는 장점이 있다.Therefore, the synchronous DRAM according to the present invention has an advantage that the CPU can be independently accessed at the same time for each bank independently of the CPU time by operating as a dual port when the CPU displays the data of the memory device on the CRT in the image processing system.

Claims (2)

화상처리용 메모리장치에 있어서, 2개의 서로 다른 뱅크를 구비하고 하나의 뱅크가 리드동작시 다른 하나의 뱅크는 라이트동작을 동시에 수행함으로써 듀얼포트로 동작하는 것을 특징으로 하는 싱크로너스 디램.An image processing memory device comprising: a synchronous DRAM having two different banks, and when one bank reads, the other bank operates as a dual port by simultaneously performing a write operation. 제1항에 있어서, 상기 리드동작에서는 DQ 핀이 데이터 출력핀으로 사용되고 상기 라이트동작에서는 미지수인 어드레스 핀이 데이터 입력핀으로 사용되는 것을 특징으로 하는 싱크로너스 디램.2. The synchronous DRAM according to claim 1, wherein the read operation uses a DQ pin as a data output pin and an unknown address pin is used as a data input pin in the write operation.
KR1019960075399A 1996-12-28 1996-12-28 Synchronous DRAM with Dual Port KR19980056135A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100537205B1 (en) * 1999-12-22 2005-12-16 주식회사 하이닉스반도체 Semiconductor memory device having devided input data strobe and output data strobe
KR100721199B1 (en) * 2005-11-21 2007-05-23 주식회사 하이닉스반도체 Circuit for generating a strobe signal
US7366822B2 (en) 2001-11-26 2008-04-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device capable of reading and writing data at the same time

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