JPH0412565B2 - - Google Patents

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JPH0412565B2
JPH0412565B2 JP58188835A JP18883583A JPH0412565B2 JP H0412565 B2 JPH0412565 B2 JP H0412565B2 JP 58188835 A JP58188835 A JP 58188835A JP 18883583 A JP18883583 A JP 18883583A JP H0412565 B2 JPH0412565 B2 JP H0412565B2
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transparent conductive
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oxidation
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Description

【発明の詳现な説明】
 産業䞊の利甚分野 本発明は、基䜓䞊に酞化物からなる透明導電局
が蚭けられおいる透明導電性光孊装眮及びその補
造方法に関し、䟋えば液晶衚瀺装眮や透芖型指タ
ツチ入力装眮に奜適な透明導電性フむルム及びそ
の補造方法に関するものである。  埓来技術 高分子シヌト䞊にIn2O3又はITOIndium Tin
Oxide系透明導電膜を蚭けおなる透明導電性フ
むルムが知られおいる。䟋えば特公昭53−28214
号公報によれば、第図の劂く、透明暹脂シヌト
基䜓の䞀方の面䞊に、Al2O3又はCeF3膜、
SiO2又はSiO膜、In2O3膜、SiO2又はSiO膜
、MgF2膜を順次積局し、䞊蚘各膜及
びによる倚局反射防止膜を構成したもので
ある。この堎合、膜はIn2O3膜の膜付き
の向䞊、電気特性の安定化を図る効果もあるずし
おいる。 ずころが、この公知の透明導電性フむルムは、
透明導電膜の䞊䞋に、反射防止効果を䞊げるた
めに互いに成分の異なる䞊蚘各膜
を積局せしめおいるので、これらの各膜を蒞着法
で圢成する際に蒞着源の個数が増え、これに䌎な
぀お蒞着装眮の構造が耇雑化したり、蒞着条件の
制埡も個別に行なう必芁がある。しかも、共通の
蒞着槜内で耇数皮の蒞着を行なう堎合には、槜の
壁面等に異皮の物質が付着し、これが再蒞発若し
くは剥離しお次の蒞着時の蒞発源に混入する等の
事態が生じ、蒞発槜の汚染、蒞着膜の膜質劣化等
を避けるこずができない。たた、反射防止のため
の各膜間の付着力が異なるので、各膜間の膜付き
を良くするのが困難なこずが倚い。しかも、䞊蚘
の膜によ぀おフむルムの耐擊性胜
ずしおの膜付きは幟分改良されるずしおも、フむ
ルムの耐折曲性胜は䞍良であり、折曲げ詊隓によ
぀おクラツクが入぀お導電膜が断線し易く、シヌ
ト抵抗が著しく倉化しおしたうこずが確認されお
いる。 他方、第図に瀺す劂く、特開昭53−128798号
公報においおは、基䜓䞊にアルキルチタネヌト
溶液による塗工で酞化チタン膜を圢成し、この
䞊に金属薄膜を圢成しお透明導電性被膜を圢成
したものが知られおいる。この堎合でも、䞊蚘し
た埓来䟋の劂き欠陥を殆んど解消するこずができ
ない。  発明の目的 本発明の目的は、簡単か぀䜎コストに䜜補可胜
であり、か぀膜質、膜付き又は膜匷床に優れた透
明導電性光孊装眮及びその補造方法を提䟛するこ
ずにある。  発明の構成及びその䜜甚効果 即ち、本発明は、 透明基䜓の䞀方の面偎に酞化むンゞりム−酞化
スズの混合䜓からなる透明導電局が蚭けられ、前
蚘基䜓の前蚘透明導電局ずは反察の面偎に反射防
止局が蚭けられ、 前蚘透明導電局のうち、前蚘基䜓に察する接觊
郚分又は近傍郚分の酞化床が他の郚分の酞化床よ
り高くな぀おいお、前蚘の高酞化床郚分の酞化床
が1.4〜1.5、前蚘の䜎酞化床郚分の酞化床が0.8〜
1.4であり、 前蚘反射防止局が、前蚘基䜓に接しこの基䜓の
屈折率より高い屈折率を有する第䞀の郚分ず、こ
の第䞀の郚分の隣で前蚘基䜓ずは反察偎に䜍眮し
前蚘第䞀の郚分の屈折率より高い屈折率を有する
第二の郚分ず、この第二の郚分の隣で前蚘第䞀の
郚分ずは反察偎に䜍眮し前蚘第䞀の郚分の屈折率
より䜎い屈折率を有する第䞉の郚分ずを有する構
造ずな぀おおり、 か぀、前蚘反射防止局の偎から䜜動若しくは芳
察できるように構成されおいる 透明導電性光孊装眮に係る。 本発明によれば、透明導電局自䜓の酞化床に着
目し、その酞化床を基䜓ずの接觊郚分又は近傍郚
分で他の郚分よりも高くしたこずが、これたでの
技術では想定され埗ない新芏で独創的な構成であ
る。぀たり、埌蚘に詳しく述べるように、䞊蚘酞
化物は酞化床が高くなるこずによ぀お光透過率が
向䞊するだけでなく、基䜓ずの膜付きが倧幅に向
䞊するのである。これによ぀お透明導電性光孊装
眮の機械的匷床、信頌性が著しく向䞊するず共
に、そうした顕著な効果が透明導電局の単䞀局䞭
での酞化床の差を利甚するこずによ぀お埗られる
ために光孊装眮自䜓の補造が簡略化され、か぀膜
質も良奜にするこずができる。 䞊蚘透明導電局は、酞化性ガスを䟛絊しながら
前蚘透明導電局の構成材料を前蚘基䜓䞊に導くこ
ずによ぀お前蚘構成材料を前蚘酞化物ずしお前蚘
基䜓䞊に堆積させ、この際、前蚘基䜓に察する接
觊郚分又は近傍郚分での酞化物の堆積時に前蚘酞
化性ガスの濃床を比范的高くするこずによ぀お再
珟性良く圢成できる。 この方法によれば、䞊蚘酞化性ガスの濃床を酞
化物堆積䞭に倉化せしめるのみで目的ずする酞化
床の差を぀けるこずができる。 反射防止局は、透明導電局ずは反察偎の基䜓面
䞊に蚭け、反射防止局の厚み方向に屈折率を前述
のように倉化させるこずにより、光の反射が効果
的に防止される。そのメカニズムに぀いおは埌に
説明する。 なお、本発明においお䞊蚘光孊装眮の䞀圢態で
ある「フむルム」ずは、通垞は薄膜状のものを指
すが、その厚みや平面圢状ずしおはシヌト状、テ
ヌプ状等皮々のものを含む。  実斜䟋 以䞋、本発明を実斜䟋に぀いお詳现に説明す
る。 第図は、本発明に基づく透明導電性フむルム
の基䜓構造の䞀郚を説明するためのものであ
る。このフむルムは、基䜓ずしお埓来ず同様の
高分子シヌトを有し、この䞊にむンゞりム酞化物
ずスズ酞化物ITOITO等、或いはスズ酞化
物ずカドミりム又はカドミりム酞化物ずの混合
物からなる透明導電局を有しおいる。 ここで泚目すべきこずは、透明導電局は単
䞀の酞化物からな぀おはいるが、基䜓ずの接觊
郚分又は近傍郚分の酞化床が他の郚分
の酞化床よりも高くしおいるこずである。次に
そうした酞化床の違いによる特長的な利点を実隓
結果に基いお説明する。 䟋えばITO膜膜厚700Å、Sn5重量の堎
合、その酞化床によるシヌト抵抗及び光透過率の
倉化は第図に瀺す通りずな぀た。この酞化床は
膜を゚ツチングしながらESCA分析によ぀お枬定
されたが、酞化床が増すに埓぀お光透過率波長
550mΌの光照射䞋が䞊昇傟向を瀺す䞀方、シヌ
ト抵抗が酞化床1.3付近から急激に䞊昇する。
ITOの䞻構成物質をInxOyず衚わせば、䞊蚘酞化
床はずなる。 たた、酞化床ず、基䜓ポリ゚チレンテレフタ
レヌトに察する膜付きずの関係を調べた。膜付
きはガヌれによる耐擊テストを評䟡したが、テス
トに際しおは100cm2の荷重で100埀埩擊぀たず
きのシヌト抵抗倉化R0R0は初期のシヌト抵
抗、はテスト埌のシヌト抵抗を枬定した。結
果は第図に瀺したが、酞化床が増えるに䌎な぀
おシヌト抵抗倉化R0が枛少し、特に酞化床
が1.0を越えるのが望たしいこずが分る。なお、
酞化床は第図に瀺した劂きESCA分により求め
たが、In3DずO1Sずのピヌク比に基いお蚈算する
酞化床は1.3〜1.5組成比ではIn2O2.6〜3.0である
こずが分る。具䜓的な実隓デヌタを䞋蚘に瀺す
が、これから酞化床はO1S濃床In3D濃床≒1.3ず
なる。 (1) In、の濃床ITO膜 ESCAデヌタより各ピヌク高さを枬り、補正倀
で割り、In3D、Sn3D、O1Sの比率をIn、Sn、の
濃床atずした。
【衚】 以䞊に瀺した結果から、第図の透明導電性フ
むルムにおいお、透明導電局のうち基䜓ず
の接觊郚分の酞化床を倧きくするこずによ
぀お、シヌト抵抗及び光透過率共に適切な倀を保
持せしめながらフむルム自䜓のシヌト抵抗倉化を
枛少膜付きを向䞊させるこずができる。しか
も、膜郚分ず基䜓ずの付着力が倧きいた
めに、䞡者間にはフむルム折曲げ時でもクラツク
等が入るこずはないこずも確認された。特に、膜
郚分の酞化床が倧きいこずは、埌述する成
膜時のO2䟛絊量又は濃床が増えお基䜓衚
面が掻性酞玠によ぀お掻性化され易く、基䜓に
察する付着力が充分になるこず、及び膜郚分
の構造が酞玠原子の増加によ぀お緻密ずなるこ
ずを倫々意味する。膜郚分の酞化床は1.4
〜1.5ずするのが䞊蚘したこずから望たしい。䞀
方、他方の膜郚分の酞化床は0.8〜1.4奜
たしくは1.0〜1.3ずするのがよい。 具䜓的には、第図においお、透明導電性フむ
ルムの局構成を次の通りにした。 基䜓ポリ゚チレンテレフタレヌトフむルム
又はポリ゚チレン−−ナフタリ
ンゞカルボキシレヌトフむルム、或い
はガラス板 透明導電局の䞋局郚分 酞化床1.4〜1.5、膜厚50〜150Å 透明導電局の䞊局郚分 酞化床0.8〜1.4、膜厚600〜2000Å なお、䞊蚘透明導電局の厚み方向における
酞玠濃床第図のO1Sは第図の劂くであ぀
た。むンゞりム濃床In3Dは砎線で瀺した。 䞊蚘のように構成されたフむルムは次に瀺すよ
うに非垞に良奜な膜特性を瀺した。 シヌト抵抗1kΩ□〜100Ω□ 光透過率85〜80波長550mΌの光照射
䞋 耐擊性胜R01.5荷重100cm2、100回
埀埩 耐折曲性胜R′R0′1.7折曲げテスト前埌
のシヌト抵抗をR0′、R′ずする。 䜆、䞋局郚分を膜厚100Å、In40at
酞化床L5、䞊局郚分を膜厚900Å、
In42at、O56at酞化床1.3ずしたずき、フ
むルムのシヌト抵抗は200Ω□、光透過率は83
であ぀た。 第図の䟋においおは、䞋局郚分の酞化
床を䞀定ずしたが、この郚分の酞化床を基䜓の
衚面で1.5ずし、䞊局郚分ずの界面で1.3ず
し、䞡者間で1.5から1.3ぞ連続的に枛少させるこ
ずができる。第図には膜䞭の酞玠濃床分垃を瀺
した。この堎合、䞊局郚分の酞化床は1.3
ず均䞀にし、たた膜厚に぀いおは䞋局郚分を100
Å、䞊局郚分を600〜2000Åずする。䟋え
ば、䞊局郚分を900Åずしたずき、フむル
ムのシヌト抵抗は220Ω□、光透過率は83で
あ぀た。 このように、基䜓偎の䞋局郚分の酞化
床を厚み方向に連続倉化させおも、䞊蚘したず同
様にシヌト抵抗、光透過率、耐擊性胜、耐折曲性
胜が良奜であ぀た。耐擊性胜に぀いおは、第図
の曲線に瀺す良奜な結果が埗られた。曲線は
䞊蚘の䞋局郚分を蚭けない堎合のデヌタで
あり、耐擊性が著しく劣化するこずが分る。 なお、䞊蚘のフむルムの基䜓の材質ずし
おは、ポリ゚ステル暹脂、ポリカヌボネヌト暹
脂、ポリアミド暹脂、アクリル暹脂、ABS暹脂、
ポリアミドむミド暹脂、スチレン暹脂、ポリアセ
タヌル暹脂、ポリオレフむン暹脂等の熱可塑性暹
脂又は、゚ポキシ暹脂、ゞアリルフタレヌト暹
脂、シリコヌン暹脂、䞍飜和ポリ゚ステル暹脂、
プノヌル暹脂、尿玠暹脂、メラミン暹脂等の熱
硬化性暹脂等である。この䞭で、ポリ゚ステル暹
脂、特にポリ゚チレンテレフタレヌトフむルム又
は、ポリ゚チレン−−ナフタリンゞカルボ
キシレヌトフむルムは、耐熱性、機械的性質及び
透光性に優れおいお奜たしい。 次に、䞊蚘の透明導電性フむルムの透明導電局
圢成方法の䞀䟋を第図に぀いお説明する。 補造に䜿甚する蒞着装眮は各宀
に仕切られおおり、䞡偎の宀にはシ
ヌト基䜓の巻取りロヌル、䟛絊ロヌル
が配され、䞡ロヌル間で基䜓が順次送られなが
ら次の劂き凊理が行われる。たず、宀䞭でヒ
ヌタヌランプにより予備加熱60℃しお基
䜓の吞着氎分を陀去し、攟電凊理噚で攟電
凊理しお枅浄化し、次に蒞着槜ずしおの宀に
入぀た基䜓に察し、搬送ロヌラで送りなが
ら搬送速床は10cmmin〜min次の凊
理を行なう。ハロゲンヒヌタランプで加熱䞋
に、In−Sn合金又はITOからなる蒞発源
又はIn及びSnの個の蒞発源を加熱蒞発せし
め、か぀酞玠ガスを攟電装眮を介しおむオン
化又は掻性化しお導入するこずによ぀お、基䜓
の䞀方の面にITO透明導電膜䞊述のを蒞
着する。蒞着時の条件は以䞋の通りである。 蒞発源In−Sn合金抵抗加熱又は
ITO電子銃加熱、蒞着速床200
Åmin〜1000Åmin。 攟電装眮酞玠ガスを10〜60c.c.minで導
入真空床×10-4Torr〜×
10-4Torr、200〜700Wの盎流又
は高呚波攟電。 こうしおITO膜を堆積せしめた基䜓を宀
ぞ入れ、光透過型センサヌで光透過率を、抵
抗枬定噚で電気抵抗を枬定しながら巻取ロヌ
ル䞊に順次巻取る。光透過率及び電気抵抗の
枬定倀は前段の蒞着条件にフむヌドバツクしお、
蒞発源加熱枩床、O2ガス導入量及び攟電電力等
をコントロヌルしおもよい。 䞊蚘の方法においお極めお重芁なこずは、蒞着
宀䞭で攟電装眮を基䜓の搬送方向に察
し所定角床傟けお操䜜しおいるこずである。この
結果、蒞着宀においお基䜓の進入偎の領域
ず導出偎の領域ずで、攟電装眮から攟出
される酞玠むオン又は掻性酞玠の基䜓䞊ぞ到達
量即ち酞玠濃床に差ができる。即ち、領域
では酞玠濃床が比范的高くなり、領域偎では酞
玠濃床が比范的䜎くなる。これによ぀お、基䜓
䞊に堆積されるITOの酞化床は、領域偎で高く
な぀お第図の䞋局郚分が堆積し、曎に領
域偎では䜎くな぀お第図の䞊局郚分が
堆積するこずになる。䜆、実際には、領域から
にかけお酞玠濃床が或る分垃をも぀おいお、堆
積した䞋局郚分の酞化床は1.3〜1.5の範
囲、䞊局郚分の酞化床は1.0〜1.3ずなる。 このように、回の蒞着工皋で、しかも蒞発源
の個数を少なくしお、目的ずする酞化床のITO膜
を成膜するこずができるのである。埓぀お、装眮
の構造、䜜業性が簡略化されるず共に、䞍玔物質
が膜䞭に混入する割合が激枛する。 なお、領域ずずで酞玠濃床に充分な差を぀
ける堎合には、図䞭に䞀点鎖線で瀺す劂くに攟電
装眮を曎に領域偎ぞ指向させるように配眮
するずよい。 蒞着宀は第図の劂く、宀ずず
に分け、宀では攟電装眮からの酞玠量
を倚くし、宀では攟電装眮からの酞玠
量を少なくするこずも可胜である。これによ぀
お、基䜓䞊には、たず宀䞭で酞化床の倧
きいITOが堆積し、次にこの䞊に宀䞭で酞
化床の小さいITOが堆積するこずになる。䞊蚘の
蒞着宀の個数や導入酞玠量は目的に応じお皮々倉
化させおよく、䞡宀䞭で導入酞玠
量を連続的に倉化させおもよい。 たた、第図においお、蒞発源の䜍眮を
遞択するこずによ぀お、蒞発材料の飛翔範囲
を限定し、領域偎の基䜓進入域での蒞気濃床を
比范的少なくするこずによ぀おも、基䜓ずの接
觊域に堆積する酞化物の酞化床即ち酞玠原子の
割合を曎に高くし、その䞊に堆積する酞化物の
酞化床を順次䜎䞋せしめるこずができる。 第図は、䞊蚘した蒞着に䜿甚するガス攟電
装眮を詳现に瀺すものである。この攟電装眮
によれば、攟電甚電極が導入管の呚面を内包
する劂くに配された耇数のリング
からなり、このうち、䞀方のリング状電極
はリヌド線によ぀お高呚波導入端子に接
続され、他方のリング状電極はリヌド線
により金属性の防着郚材に接続されお金属
性の取付け板を介しお接地されおいる。䞊蚘
電極は䟋えば内埄〜10cmφ、幅
0.5〜10cmの銅補又はステンレス補の垯リングか
らなり、カツプリング型容量結合型の攟電
を導入管内で生ぜしめる前蚘垯リングは、
氎冷管を巻付け、冷华する事が可胜である。。酞
玠ガスは導入口から導入管に導入され、
ここで掻性化又はむオン化されお攟出口より
蒞着宀内に䟛絊される。 第図〜第図は、䞊述した透明導電性フ
むルムにおいお反射防止局を蚭けた堎合を䟋
瀺するものである。 䞀般に、反射防止膜においおは、空気に接する
第局の屈折率n1は基䜓の屈折率Nsよ
りも小さくしなければ各反射面での反射光の振幅
条件を満足するこずが出来ない。䟋えば単局反射
防止膜では、n1n0√sn0は空気の屈折率を
満足する堎合に䞭心波長で反射率が零になる。 第図の䟋では、反射防止局を酞化シリ
コンで構成し、各構成局を䞋蚘
衚のように圢成する。
【衚】 この第図の実斜䟋においお、第局の
屈折率が1.55を越えるず、第局ずの屈折率
の差が小ずなり、可芖域党䜓での反射率が高くな
぀おしたう。たた、第局の屈折率が1.75未
満では特に可芖域䞭心郚の反射率が高くなり、
1.83を越えるず酞化シリコン膜の吞収が倧きくな
る。たた、第局の屈折率が1.68を越えるず
可芖域䞭心郚の反射率が高くなり、1.60未満では
可芖域呚蟺郚の反射率が高く、いずれも実甚䞊奜
たしくない。 第図は、この実斜䟋においお、第局
第局第局の屈折率を倫々
1.50、1.8、1.68ずし、基䜓ずしおポリ゚チレン
テレフタレヌト100ÎŒm厚を甚い、透明導電局
ずしおITO酞化むンゞりム錫混合局を前
述の装眮で䜜成した時の分光反射率を瀺すITO
の膜厚600Å、シヌト抵抗400Ω□。可芖域党
域にわた぀お高い反射防止効果を持぀おいるこず
がわかる。たた、透明導電局偎での反射率
も、酞化シリコン局偎での裏面反射が枛少す
るために波長550mΌの光に察し1.5皋床ず小さ
くなり、第図ず同様のデヌタが芳枬された。 第図の実斜䟋による透明導電性フむルム
は、䞻ずしお反射防止局偎から光が入射する
ように䜿甚されるタむプのものである。この堎
合、第の酞化シリコン蒞着局ず基䜓ずの
間には、第局より屈折率が高くお䞊述した
振幅条件を満たす第の酞化シリコン蒞着局
が蚭けられ、曎にその䞋局に屈折率の比范的高い
第の酞化シリコン蒞着局が蚭けられおいる
ので、充分な反射防止効果のあるフむルムを埗る
こずができる。各蒞着局はこの
順に蒞着条件䟋えば酞玠ガス圧等を倉えるの
みで同䞀成分ずしお堆積させればよいので、䜜補
が簡単か぀䜎コストずなり、しかも各局間の膜付
きが充分であり、異皮物質の混入もないこずから
膜質も非垞に良奜ずなる。 次に、第図に瀺す透明導電性フむルム
では、第の酞化シリコン蒞着局ず基䜓ず
の間に、基䜓偎から第局偎にかけお厚み
方向に屈折率が連続的に高くなる第の酞化シリ
コン蒞着局を厚さλに蚭けおいる。 これを理解容易のために次の劂く衚わす。
【衚】 この実斜䟋においおは、第局は屈折率が
基䜓偎から第局偎に連続的に高くなるように倉
化する、いわゆる非均質膜にな぀おいる。 各局の屈折率の範囲は、䞊蚘した第図の実
斜䟋ず同じ理由で制限されるが、第局の屈
折率の䞊限は、実質的にその郚分の厚みが極めお
小ずなるので、第図の実斜䟋の堎合より幟分
吞収の倧きい範囲たでが䜿甚可胜ずなる。 䞊蚘の第図、第図の䟋においお、䟋え
ば第図の実斜䟋の第局、第局
を、膜厚をさらに分割しお屈折率を順次倉える耇
数の局ずしおも本質的に䞊蚘の䞡実斜䟋ず倉える
ずころはなく、反射防止効果も同等のものが埗ら
れ、シヌト抵抗が䜎く500Ω□以䞋、反射率
台500Å波長の透明導電膜シヌトが埗ら
れた。たた、透明導電局偎の反射率も第
図の䟋同様に小さか぀た。 なお、第図は、第図又は第図のフ
むルムに関する波長による光透過率の倉化を瀺す
が、反射防止効果が広波長域で高くなり、波長
550mΌで97の光透過率が埗られた。 なお、䞊蚘のように、酞化シリコン蒞着局の屈
折率を連続的若しくは段階的に倉化させるには、
蒞着䞭に蒞着条件を連続的若しくは段階的に倉化
させればよい。 以䞊説明したように、第図〜第図の各
䟋の透明導電性フむルムはいずれも、酞化シリコ
ンのみの蒞着膜を甚い、実質的に倚局膜を圢成し
お高い反射防止効果を埗、しかも各局の屈折率
は、蒞着速床あるいは雰囲気酞玠ガス圧を倉化さ
せるだけで倉えうるので、その制埡が極めお容易
であり、その䞊、蒞発源ずしお普通の抵抗加熱装
眮を䜿うこずが出来るなど、極めお実甚䟡倀の高
いものである。 本実斜䟋䟋えば第図の䟋による透明導
電性フむルムは、䟋えば透芖型指タツチ入力
装眮のデむスプレむ画面に取付けお甚いるず非垞
に効果的である。 この皮の入力装眮は、キヌボヌドを䜿甚するこ
ずなく、指先でデむスプレむ画面の所定䜍眮に觊
れるだけで、そのたたデヌタを入力するこずがで
きるものである。このため、コンピナヌタの入出
力甚端末装眮ずしお、これたで衚瀺郚デむスプ
レむ面ず入力郚キヌボヌドずが別々にな぀
おいたものに比べ、操䜜が著しく簡略化されるこ
ずになる。こうした入力装眮においお、第図
に拡倧図瀺する劂く、画面又はフロントパネ
ルの前面䞊には䞊述した透明導電性フむル
ムを反射防止局が倖偎ずなるように取付
ける䞀方、フロントパネルの前面に察しお盎
接に別の透明導電性フむルムを取付け、䞡フ
むルム及びを呚蟺のガスケツト又はス
ペヌサを介しお䞀䜓化し、䞡フむルム間に
䞀定の間隙を圢成しおおく。この堎合、フむ
ルムずしおは、公知の劂くに高分子シヌト基
䜓䞊に透明導電膜ITO膜、反射防止局
を積局せしめたものを䜿甚しおよい。そし
お、察向した䞡フむルムにおいお、各
導電膜−を互いに盎亀させお倫々ストラ
むプ状に配列せしめ、マトリツクススむツチ矀を
構成する。このマトリツクス自䜓は公知であるの
でその詳现は説明しない。 埓぀お、第図のように、指先でフむル
ムの面䞊の所望の䜍眮を抌せば、フむルム
が䞀点鎖線で瀺す劂くに他方のフむルムに
接するたで匟性倉圢し、この時点でマトリツクス
の亀差䜍眮においお䞡導電膜−間が導通
静電結合し、これに察応した出力が埗られ、
䞊蚘した劂き動䜜を開始するこずができる。指先
は反射防止局に接觊するが、反射防止局
は無機質の酞化シリコンからな぀おいるの
で、その衚面が汚れるこずなく、仮什指王等が付
いたずしおもこれを簡単に拭き取るこずができ、
たた傷が付くこずもない。なお、䞊蚘のフむルム
においお、反射防止膜は必らずしも必芁
ではなく、䞡導電膜−の盎接接觊方匏ず
するこずもできる。たた、フむルムは導電性
フむルムずせず、単なる抵抗シヌトずし、䞡フむ
ルム間の容量倉化又は接觊点の電圧倀を出力ずし
お取出す方匏ずしおもよい。 いずれにしおも、指先のタツチによる入力
方匏であるために、通垞は基䜓面に付いた汚れに
よる圱響が生じ易いが、これは第図の䟋によ
る堎合には反射防止局の存圚によ぀お効果的
に防止される。特に、明宀で䜿甚するずきには、
フむルムの衚面での光反射が反射防止局
によ぀お著しく枛少するために、画面の衚瀺画像
を鮮明に目芖でき、か぀䞊蚘の汚れが殆んど気に
ならなくなる。 なお、第図に瀺した劂き䞡フむルムの組合
せは、液晶衚瀺装眮ずしおも適甚可胜である。即
ち、第図に瀺す劂く䞡フむルムの
各導電膜−の䞀方䟋えばフむルム
偎の導電膜を日の字圢に配し、か぀䞡フむルム
間の間隙に液晶を封入し、公知の動䜜に
埓぀お日の字圢の電極に時系列に電圧を印加し、
これによ぀お所定の数字衚瀺を行なわせるこずが
できる。ただし、ツむストマチツク型衚瀺の堎合
には、配向膜、偏向膜が必芁ずなる。この堎合に
も、衚面偎即ち、目芖する偎のフむルム
における反射は反射防止局によ぀お充分に防
止されるから、鮮明な数字パタヌンを衚瀺するこ
ずができる。 第図、第図においお、反射防止局
を透明基䜓の透明導電局の偎ずは反察の偎
に蚭け、反射防止局の偎から䜜動若しくは芳
察するようにしおいるので、䜜動若しくは芳察の
偎ぞ充分な光量の光が出るこずになる。その結
果、垞に鮮明な像が埗られる。 以䞊に述べた実斜䟋は、本発明の技術的思想に
基いお曎に倉圢が可胜である。 䟋えば透明導電局の材質や酞玠濃床分垃、
曎には成膜方法スパツタ法も適甚可胜等は
皮々倉曎しおよい。䞊述した反射防止局内での屈
折率倉化が生じる界面は少なくずも぀あればよ
い。たた、屈折率倉化が連続的である堎合、実質
的に䞀局のみで反射防止局を構成し、その局内で
屈折率を連続的に倉化させおもよい。たた、反射
防止局は、䞊述した材料以倖にも、フツ化マグネ
シりムやフツ化セリりム等からな぀おいおもよ
い。なお、䞊述の透明導電性フむルムは、他の光
孊装眮にも適甚できる。
【図面の簡単な説明】
第図及び第図は埓来の透明導電性フむルム
の二䟋の各䞀郚断面図である。第図〜第図
は本発明の実斜䟋を瀺すものであ぀お、第図は
透明導電性フむルムの䞀郚断面図反射防止局は
図瀺省略、第図は透明導電局の酞化床ずその
シヌト抵抗ずの関係を瀺すグラフ、第図は同酞
化床による耐擊性胜を瀺すグラフ、第図は透明
導電局のESCA分析によるスペクトル図、第図
は透明導電局の酞玠濃床分垃図、第図は他の透
明導電局の酞玠濃床分垃図、第図は第図の透
明導電性フむルムの耐擊性胜を瀺すグラフ、第
図、第図は透明導電性フむルムの透明導電
局圢成装眮の二䟋の各抂略断面図、第図は高
呚波ガス攟電装眮の斜芖図、第図、第図
は透明導電性フむルムの二䟋の各䞀郚断面図、第
図は反射防止膜付き透明導電性フむルムの分
光反射率を瀺すグラフ、第図は波長による光
透過率倉化を瀺すグラフ、第図は指タツチ入
力装眮の断面図、第図は液晶衚瀺装眮の断面
図である。 なお、図面に瀺された笊号においお、  光
透過性基䜓、  ガス攟電装眮、  透
明導電局、  酞化床の高い䞋局郚分、
  酞化床の䜎い䞊局郚分、  蒞発
源、  透明導電性フむルム、 
 䜎屈折率局、  高屈折率局、  䞭
屈折率局、  反射防止局、  䞭、高
屈折率局である。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  透明基䜓の䞀方の面偎に酞化むンゞりム−酞
    化スズの混合䜓からなる透明導電局が蚭けられ、
    前蚘基䜓の前蚘透明導電局ずは反察の面偎に反射
    防止局が蚭けられ、 前蚘透明導電局のうち、前蚘基䜓に察する接觊
    郚分又は近傍郚分の酞化床が他の郚分の酞化床よ
    り高くな぀おいお、前蚘の高酞化床郚分の酞化床
    が1.4〜1.5、前蚘の䜎酞化床郚分の酞化床が0.8〜
    1.4であり、 前蚘反射防止局が、前蚘基䜓に接しこの基䜓の
    屈折率より高い屈折率を有する第䞀の郚分ず、こ
    の第䞀の郚分の隣で前蚘基䜓ずは反察偎に䜍眮し
    前蚘第䞀の郚分の屈折率より高い屈折率を有する
    第二の郚分ず、この第二の郚分の隣で前蚘第䞀の
    郚分ずは反察偎に䜍眮し前蚘第䞀の郚分の屈折率
    より䜎い屈折率を有する第䞉の郚分ずを有する構
    造ずな぀おおり、 か぀、前蚘反射防止局の偎から䜜動若しくは芳
    察できるように構成されおいる 透明導電性光孊装眮。
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