JPH04125159A - エッチング穴加工方法 - Google Patents
エッチング穴加工方法Info
- Publication number
- JPH04125159A JPH04125159A JP24681690A JP24681690A JPH04125159A JP H04125159 A JPH04125159 A JP H04125159A JP 24681690 A JP24681690 A JP 24681690A JP 24681690 A JP24681690 A JP 24681690A JP H04125159 A JPH04125159 A JP H04125159A
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- Japan
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- hole
- substrate
- etching
- resist layer
- diameter
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- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 46
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 abstract 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、エツチングによる穴加工方法に関する。
[従来の技術]
インクジェットプリンタ用記録ヘッドのオリフィスのよ
うな微細な穴はエツチングによって形成されることが多
い。例えば特開昭57−36668号公報に開示されて
いる技術によれば、この種の穴は以下のようにして形成
される。
うな微細な穴はエツチングによって形成されることが多
い。例えば特開昭57−36668号公報に開示されて
いる技術によれば、この種の穴は以下のようにして形成
される。
全ての面にレジスト層が形成された基板の一方の面側の
レジスト層にフォトマスクを密着して露光することによ
り、形成すべき穴のパターンの潜像がレジスト層に形成
される。この潜像部分のレジスト層がエツチングにより
除去されることにより、レジスト層に穴のパターンが形
成される。この状態で基板をエツチング溶液に浸すこと
により上述のパターンに応じた穴が基板に形成される。
レジスト層にフォトマスクを密着して露光することによ
り、形成すべき穴のパターンの潜像がレジスト層に形成
される。この潜像部分のレジスト層がエツチングにより
除去されることにより、レジスト層に穴のパターンが形
成される。この状態で基板をエツチング溶液に浸すこと
により上述のパターンに応じた穴が基板に形成される。
この場合、基板に形成される穴の深さ及び開口部の径は
エツチング時間に比例することとなり、穴の形状は開口
部側の径が大きく内部に向かってその径が小さくなる円
錐台形状である。
エツチング時間に比例することとなり、穴の形状は開口
部側の径が大きく内部に向かってその径が小さくなる円
錐台形状である。
このように、エツチング時間に比例して開口部の径が大
きくなるため、精度を必要とする面の反対側の面から穴
加工を行い、精度を必要とする面に必要とする精度の開
口が形成されるのを監視しながらエツチング加工するこ
とが従来より行われている。
きくなるため、精度を必要とする面の反対側の面から穴
加工を行い、精度を必要とする面に必要とする精度の開
口が形成されるのを監視しながらエツチング加工するこ
とが従来より行われている。
第3図は、従来のこの種のエツチング加工により形成さ
れた基板の穴の部分断面図である。
れた基板の穴の部分断面図である。
同図に示すように、厚さt。の基板10に円錐台形状の
穴11が形成されている。基板10の上側面10aが精
度を必要とする面でありこの面10aの開口11aの径
が所定の精度範囲に収まるように、基板IOの下側面1
0bからエツチング加工を行う。
穴11が形成されている。基板10の上側面10aが精
度を必要とする面でありこの面10aの開口11aの径
が所定の精度範囲に収まるように、基板IOの下側面1
0bからエツチング加工を行う。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながらこのような従来技術によると、穴加工すべ
き基板の厚さが異なる場合にエツチング加工時間がそれ
ぞれ異なり、精度の高い穴を形成するためには厚さに対
応した加工時間を非常に厳密に管理する必要がある。こ
のため、加工処理作業が著しく煩雑となり、また歩留り
率の悪化及びコストの増大等を招く恐れがある。
き基板の厚さが異なる場合にエツチング加工時間がそれ
ぞれ異なり、精度の高い穴を形成するためには厚さに対
応した加工時間を非常に厳密に管理する必要がある。こ
のため、加工処理作業が著しく煩雑となり、また歩留り
率の悪化及びコストの増大等を招く恐れがある。
従って本発明の目的は、簡易な加工処理作業で精度の高
い穴加工を行うことのできるエツチング穴加工方法を提
供することにある。
い穴加工を行うことのできるエツチング穴加工方法を提
供することにある。
[課題を解決するための手段]
上述の目的を達成するために本発明の要旨は、径の精度
が所望範囲内に収まる深さまで基板の一方の面側から第
1の穴を形成し、基板の他方の面側の第1の穴の位置に
この第1の穴の径より大きな径の第2の穴を第1の穴に
連通ずるまで形成することにある。
が所望範囲内に収まる深さまで基板の一方の面側から第
1の穴を形成し、基板の他方の面側の第1の穴の位置に
この第1の穴の径より大きな径の第2の穴を第1の穴に
連通ずるまで形成することにある。
[作用]
精度を必要とする面側から穴の径の精度が所望範囲内に
収まる深さまでエツチングによって第1の穴を形成する
。その後、第1の穴の位置における反対側の面側から第
2の穴を第1の穴に連通ずるまで形成する。この第2の
穴はその径か第1の穴の径より大きくなるように形成さ
れる。
収まる深さまでエツチングによって第1の穴を形成する
。その後、第1の穴の位置における反対側の面側から第
2の穴を第1の穴に連通ずるまで形成する。この第2の
穴はその径か第1の穴の径より大きくなるように形成さ
れる。
[実施例]
以下本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明のエツチング穴加工方法による一実施例
として、エツチング穴加工により形成された基板の穴の
部分の断面図である。
として、エツチング穴加工により形成された基板の穴の
部分の断面図である。
同図において、20はシリコンウェハ、感光性ガラス(
例えばコーニングジャパン株式会社製のフォトセラム)
、感光性プラスチック、又は金属等からなる基板である
。この基板20には、精度を必要とする上側面20aか
らエツチングによって穴21が形成されている。この穴
21は、加工時に生じるロス角度αにより、上側の開口
21aの径A1が下側の開口21bの径B1より大きい
円錐台形状となっている。この寸法差(AI B+)
が所望の精度範囲内に収まるような深さtlまで穴21
が形成されている。
例えばコーニングジャパン株式会社製のフォトセラム)
、感光性プラスチック、又は金属等からなる基板である
。この基板20には、精度を必要とする上側面20aか
らエツチングによって穴21が形成されている。この穴
21は、加工時に生じるロス角度αにより、上側の開口
21aの径A1が下側の開口21bの径B1より大きい
円錐台形状となっている。この寸法差(AI B+)
が所望の精度範囲内に収まるような深さtlまで穴21
が形成されている。
一方、基板20の精度を必要としない下側面20bから
エツチングによって円錐台形状の穴22が穴21と同軸
に形成されている。この穴22は、穴21に連通してお
り、穴21の径より大きな径を有している。
エツチングによって円錐台形状の穴22が穴21と同軸
に形成されている。この穴22は、穴21に連通してお
り、穴21の径より大きな径を有している。
即ち、穴22の上側の開口22!の径B2が穴21の下
側の開口21bの径B1より大きくなるように形成され
ている。
側の開口21bの径B1より大きくなるように形成され
ている。
第2図(A)〜(D)は本実施例による基板の製造工程
を説明するための説明図である。
を説明するための説明図である。
同図(A)に示すように、厚さt3のシリコンウェハか
らなる基板20にエツチング加工のための前処理を行う
。即ち、基板20の全ての面に、例えば紫外線硬化型の
レジスト層をまず形成し、その基板20の一方の面側(
同図の左側面)のレジスト層を覆うようにフォトマスク
を密着して紫外線露光を行う。このときフォトマスクに
は形成すべき穴2Iのパターンが形成されており、これ
によってレジスト層上に穴21のパターンの潜像が形成
される。次にこのレジスト層に形成された潜像部分をエ
ツチングにより除去する。
らなる基板20にエツチング加工のための前処理を行う
。即ち、基板20の全ての面に、例えば紫外線硬化型の
レジスト層をまず形成し、その基板20の一方の面側(
同図の左側面)のレジスト層を覆うようにフォトマスク
を密着して紫外線露光を行う。このときフォトマスクに
は形成すべき穴2Iのパターンが形成されており、これ
によってレジスト層上に穴21のパターンの潜像が形成
される。次にこのレジスト層に形成された潜像部分をエ
ツチングにより除去する。
この状態で基板20をエツチング溶液に浸すことにより
、同図(B)に示すように、上述のパターンに応じた穴
21が基板20に形成される。この場合、エツチング時
間は正確に調整され、穴21が所定の深さtlとなるよ
うに制御される。この深さt。
、同図(B)に示すように、上述のパターンに応じた穴
21が基板20に形成される。この場合、エツチング時
間は正確に調整され、穴21が所定の深さtlとなるよ
うに制御される。この深さt。
は、ロス角度αによる穴21の上側の開口の径A1と底
面の径B1との寸法差(AI −Bl )が所望の精度
範囲内に収まるような深さである。なお、このロス角度
αは、基板20の材質により異なるものであり、例えば
シリコンウェハ(方位100)の場合は、54°となる
。
面の径B1との寸法差(AI −Bl )が所望の精度
範囲内に収まるような深さである。なお、このロス角度
αは、基板20の材質により異なるものであり、例えば
シリコンウェハ(方位100)の場合は、54°となる
。
次に、同図(C)に示すように、基板2Gの反対側の面
、即ち精度を必要としない側の面からのエツチング加工
のための前処理を行う。即ち、上述のごとく形成した穴
21を含む基板20の全ての面にレジスト層をまず形成
し、その基板20の他方の面側(同図の右側面)のレジ
スト層を覆うようにフォトマスクを密着して紫外線露光
を行う。このときフォトマスクには形成すべき穴22の
パターンが形成されており、これによってレジスト層上
の穴21と同軸の位置に穴22のパターンの潜像が形成
される。次にこのレジスト層に形成された潜像部分をエ
ツチングにより除去する。
、即ち精度を必要としない側の面からのエツチング加工
のための前処理を行う。即ち、上述のごとく形成した穴
21を含む基板20の全ての面にレジスト層をまず形成
し、その基板20の他方の面側(同図の右側面)のレジ
スト層を覆うようにフォトマスクを密着して紫外線露光
を行う。このときフォトマスクには形成すべき穴22の
パターンが形成されており、これによってレジスト層上
の穴21と同軸の位置に穴22のパターンの潜像が形成
される。次にこのレジスト層に形成された潜像部分をエ
ツチングにより除去する。
この状態で基板20をエツチング溶液に浸すことにより
、同図(D)に示すように、上述のパターンに応じた穴
22が、基板20の精度を必要としない側の面からのエ
ツチングにより形成される。この場合、穴22の底部が
穴21に連通ずるまでエツチング加工される。穴22の
底面の径は、穴21の底面の径より大きくなるように設
定されている。エツチング時間は、穴22が穴21に連
通するように調整するのみでよく、さほど高い精度は要
求されない。
、同図(D)に示すように、上述のパターンに応じた穴
22が、基板20の精度を必要としない側の面からのエ
ツチングにより形成される。この場合、穴22の底部が
穴21に連通ずるまでエツチング加工される。穴22の
底面の径は、穴21の底面の径より大きくなるように設
定されている。エツチング時間は、穴22が穴21に連
通するように調整するのみでよく、さほど高い精度は要
求されない。
従って、基板20の厚さt3にばらつきがあっても穴2
2の開口の径及び深さが変化するだけであって、穴21
の径の精度にはほとんど影響はない。その結果、精度を
必要とする穴21だけエツチング時間を厳しく管理すれ
ばよく、基板20の厚さt3のばらつきの影響がないの
で製造が容易になり、歩留まりが著しく向上し、さらに
コストを大幅に低減することができる。
2の開口の径及び深さが変化するだけであって、穴21
の径の精度にはほとんど影響はない。その結果、精度を
必要とする穴21だけエツチング時間を厳しく管理すれ
ばよく、基板20の厚さt3のばらつきの影響がないの
で製造が容易になり、歩留まりが著しく向上し、さらに
コストを大幅に低減することができる。
[発明の効果]
以上詳細に説明したように本発明によれば、径の精度が
所望範囲内に・収まる深さまで基板の一方の面側から第
1の穴を形成し、基板の他方の面側の第1の穴の位置に
この第1の穴の径より大きな径の第2の穴を第1の穴に
連通ずるまで形成しているので、加工すべき基板の厚さ
にばらつきがあっても簡易な加工処理作業で精度の高い
穴加工を行うことができる。
所望範囲内に・収まる深さまで基板の一方の面側から第
1の穴を形成し、基板の他方の面側の第1の穴の位置に
この第1の穴の径より大きな径の第2の穴を第1の穴に
連通ずるまで形成しているので、加工すべき基板の厚さ
にばらつきがあっても簡易な加工処理作業で精度の高い
穴加工を行うことができる。
第1図は本発明のエツチング穴加工方法による一実施例
として、エツチング穴加工により形成された基板の穴の
部分の断面図、第2図は第1図の実施例による基板の製
造工程を説明するための説明図、 第3図は従来のエツチング加工により形成された基板の
穴の部分断面図である。 20・・・・・・基板、 22・・・・・・穴。
として、エツチング穴加工により形成された基板の穴の
部分の断面図、第2図は第1図の実施例による基板の製
造工程を説明するための説明図、 第3図は従来のエツチング加工により形成された基板の
穴の部分断面図である。 20・・・・・・基板、 22・・・・・・穴。
Claims (1)
- 径の精度が所望範囲内に収まる深さまで基板の一方の面
側から第1の穴を形成し、該基板の他方の面側の前記第
1の穴の位置に該第1の穴の径より大きな径の第2の穴
を前記第1の穴に連通するまで形成することを特徴とす
るエッチング穴加工方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24681690A JPH04125159A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | エッチング穴加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24681690A JPH04125159A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | エッチング穴加工方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04125159A true JPH04125159A (ja) | 1992-04-24 |
Family
ID=17154118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24681690A Pending JPH04125159A (ja) | 1990-09-17 | 1990-09-17 | エッチング穴加工方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04125159A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998051506A1 (fr) * | 1997-05-14 | 1998-11-19 | Seiko Epson Corporation | Procede de formation d'ajutage pour injecteurs et procede de fabrication d'une tete a jet d'encre |
-
1990
- 1990-09-17 JP JP24681690A patent/JPH04125159A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998051506A1 (fr) * | 1997-05-14 | 1998-11-19 | Seiko Epson Corporation | Procede de formation d'ajutage pour injecteurs et procede de fabrication d'une tete a jet d'encre |
US6375858B1 (en) | 1997-05-14 | 2002-04-23 | Seiko Epson Corporation | Method of forming nozzle for injection device and method of manufacturing inkjet head |
US6863375B2 (en) | 1997-05-14 | 2005-03-08 | Seiko Epson Corporation | Ejection device and inkjet head with silicon nozzle plate |
KR100514711B1 (ko) * | 1997-05-14 | 2005-09-15 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 분사 장치의 노즐 형성 방법 및 잉크 젯 헤드의 제조 방법 |
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