JPH0249417A - フォトレジストパターン形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0249417A JPH0249417A JP63200885A JP20088588A JPH0249417A JP H0249417 A JPH0249417 A JP H0249417A JP 63200885 A JP63200885 A JP 63200885A JP 20088588 A JP20088588 A JP 20088588A JP H0249417 A JPH0249417 A JP H0249417A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- photoresist
- wafer
- exposure
- center
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- Pending
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 41
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハ面へのフォトレジストパター
ン形成方法に関する。
ン形成方法に関する。
半導体つ、エバの一主面にフォトレジストパターンを形
成する場合、ウェハ面へのフォトレジストの塗布は一般
にスピンコード法で行われる。すなわち、ウェハの一主
面の中心部にフォトレジストを供給しながらウェハを中
心軸のまわりに回転させ、遠心力によりレジストを拡げ
てウェハ面にレジスト膜を塗布する。このようにして塗
布したレジスト膜に所要のパターン露光を行ってフォト
レジストパターンを形成する。
成する場合、ウェハ面へのフォトレジストの塗布は一般
にスピンコード法で行われる。すなわち、ウェハの一主
面の中心部にフォトレジストを供給しながらウェハを中
心軸のまわりに回転させ、遠心力によりレジストを拡げ
てウェハ面にレジスト膜を塗布する。このようにして塗
布したレジスト膜に所要のパターン露光を行ってフォト
レジストパターンを形成する。
ところが、従来、ウェハの中央部と周縁部に同一形状の
レジストパターンを形成しようとした場合、同一である
べきパターン幅寸法が中央部のパターンと周縁部のパタ
ーンとで相違するという欠点があった。例えば、ポジ型
レジストの場合、中央部に比べて周縁部のレジストパタ
ーンの幅寸法は、残部パターン幅寸法が大きくなり、穴
あけパターンの幅寸法が小さくなる。このようなウェハ
の中央部と周縁部との幅寸法の相違はレジストの粘度が
高くなる程大きくなり問題となる。
レジストパターンを形成しようとした場合、同一である
べきパターン幅寸法が中央部のパターンと周縁部のパタ
ーンとで相違するという欠点があった。例えば、ポジ型
レジストの場合、中央部に比べて周縁部のレジストパタ
ーンの幅寸法は、残部パターン幅寸法が大きくなり、穴
あけパターンの幅寸法が小さくなる。このようなウェハ
の中央部と周縁部との幅寸法の相違はレジストの粘度が
高くなる程大きくなり問題となる。
この発明は、上述の欠点を除去して、ウェハ全面にわた
ってレジストパターン幅寸法を精度良く一定に制御でき
るフォトレジストパターンの形成方法を提供することを
目的とする。
ってレジストパターン幅寸法を精度良く一定に制御でき
るフォトレジストパターンの形成方法を提供することを
目的とする。
上記の目的は、この発明によれば、半導体ウェハをその
中心軸のまわりに回転させながらこのウェハの中心にフ
ォトレジストを供給してこのウェハの一主面にフォトレ
ジスト膜を形成し所要のパターン露光を行ってフォトレ
ジストパターンを形成する方法において、前記ウェハの
中央部から周縁部に向かって露光量を増大または減少さ
せながらパターン露光を行うことによって達成される。
中心軸のまわりに回転させながらこのウェハの中心にフ
ォトレジストを供給してこのウェハの一主面にフォトレ
ジスト膜を形成し所要のパターン露光を行ってフォトレ
ジストパターンを形成する方法において、前記ウェハの
中央部から周縁部に向かって露光量を増大または減少さ
せながらパターン露光を行うことによって達成される。
ポジ型フォトレジスト膜にパターン露光する場合、同一
露光量で露光すると、レジスト膜の膜厚によりレジスト
パターンの幅寸法が異なり、膜厚が厚くなるにつれて穴
あけパターンの幅寸法が小さくなり残部パターンの幅寸
法は大きくなる。
露光量で露光すると、レジスト膜の膜厚によりレジスト
パターンの幅寸法が異なり、膜厚が厚くなるにつれて穴
あけパターンの幅寸法が小さくなり残部パターンの幅寸
法は大きくなる。
方、レジスト膜の膜厚が均一な場合、パターン露光の露
光量を増減するとレジストパターン幅は変化し、露光量
が増すにつれて穴あけパターンの幅寸法は大きくなり残
部パターンの幅寸法は小さくなる。ネガ型フォトレジス
トの場合には、このような膜厚、露光量とレジストパタ
ーン幅寸法との関係はポジ型の場合の逆となる。
光量を増減するとレジストパターン幅は変化し、露光量
が増すにつれて穴あけパターンの幅寸法は大きくなり残
部パターンの幅寸法は小さくなる。ネガ型フォトレジス
トの場合には、このような膜厚、露光量とレジストパタ
ーン幅寸法との関係はポジ型の場合の逆となる。
この発明は、このような現象に着目してなされたもので
ある。すなわち、半導体ウェハにスピンコード法でフォ
トレジスト膜を塗布した場合、ウェハの中央部より周縁
部に向かってレジスト膜厚は連続的に厚くなる。そこで
、レジストへのパターン露光に際して、この膜厚の変化
に対応して露光量をウェハの中心部から周縁部へ向かっ
て連続的にポジ型フォトレジストの場合には増加させ、
ネガ型フォトレジストの場合には減少させることにより
、レジストパターン幅寸法を一定となるように精度良く
制御し、そのばらつきをなくすことが可能となる。
ある。すなわち、半導体ウェハにスピンコード法でフォ
トレジスト膜を塗布した場合、ウェハの中央部より周縁
部に向かってレジスト膜厚は連続的に厚くなる。そこで
、レジストへのパターン露光に際して、この膜厚の変化
に対応して露光量をウェハの中心部から周縁部へ向かっ
て連続的にポジ型フォトレジストの場合には増加させ、
ネガ型フォトレジストの場合には減少させることにより
、レジストパターン幅寸法を一定となるように精度良く
制御し、そのばらつきをなくすことが可能となる。
第２図は、直径４インチ（約１００＋ｔ＋ｍ＞ のＳ
ｉウェハの一主面にＣＰＳｌｏｏという高粘度フォトレ
ジストをスピンコード法で塗布してレジスト膜を形成し
たときの、ウェハ中心からの距離とレジスト膜厚との関
係を示す線図である。レジスト膜厚はウェハの中心部か
ら周縁部に向かって連続的に厚くなり、中心部と周縁部
とでは約０．１５μｍの膜厚差が生じる。
ｉウェハの一主面にＣＰＳｌｏｏという高粘度フォトレ
ジストをスピンコード法で塗布してレジスト膜を形成し
たときの、ウェハ中心からの距離とレジスト膜厚との関
係を示す線図である。レジスト膜厚はウェハの中心部か
ら周縁部に向かって連続的に厚くなり、中心部と周縁部
とでは約０．１５μｍの膜厚差が生じる。
このようにして形成されたポジ型フォトレジスト膜に、
従来の露光量一定の方法でパターン幅寸法４．０μｍの
マスクを用いてパターン露光を行ったところ、第１図の
点線に示すように、レジスト穴あけパターン幅寸法がウ
ェハの中心部から周縁部に向かって連続的に小さくなり
、中心部と周縁部とでは約０．６μｍの寸法差が生じた
。これに対して、この発明による方法、すなわち、レジ
スト膜厚に対応してウェハの中心部から周縁部に向かっ
て連続的に露光量を増大させながらパターン露光を行っ
たところ、第１図の実線に示すようにウェハの中心部と
周縁部とでレジスト穴あけパターン幅寸法にほとんど差
が発生しなかった。ネガ型フォトレジスト膜の場合では
、ポジ型の場合とは逆に、従来の露光方法ではレジスト
穴あけパターン幅寸法はウェハの中心部から周縁部に向
かって連続的に大きくなりポジ型の場合と同等の寸法差
が生じるが、この発明の方法に従って露光量をウェハの
中心部から周縁部に向かって連続的に減少させながらパ
ターン露光を行うことにより、レジスト穴あけパターン
幅寸法を一定に制御することができる。
従来の露光量一定の方法でパターン幅寸法４．０μｍの
マスクを用いてパターン露光を行ったところ、第１図の
点線に示すように、レジスト穴あけパターン幅寸法がウ
ェハの中心部から周縁部に向かって連続的に小さくなり
、中心部と周縁部とでは約０．６μｍの寸法差が生じた
。これに対して、この発明による方法、すなわち、レジ
スト膜厚に対応してウェハの中心部から周縁部に向かっ
て連続的に露光量を増大させながらパターン露光を行っ
たところ、第１図の実線に示すようにウェハの中心部と
周縁部とでレジスト穴あけパターン幅寸法にほとんど差
が発生しなかった。ネガ型フォトレジスト膜の場合では
、ポジ型の場合とは逆に、従来の露光方法ではレジスト
穴あけパターン幅寸法はウェハの中心部から周縁部に向
かって連続的に大きくなりポジ型の場合と同等の寸法差
が生じるが、この発明の方法に従って露光量をウェハの
中心部から周縁部に向かって連続的に減少させながらパ
ターン露光を行うことにより、レジスト穴あけパターン
幅寸法を一定に制御することができる。
上述のように、６０ＣＰＳ程度以上のような高粘度の７
オトレジストを用いて塗膜を形成し、大きな膜厚差が生
じるような場合でも、パターン露光の際の露光量を膜厚
に対応して変化させるという簡単な方法で、レジスト穴
あけパターン幅寸法のばらつきをなくすことができる。
オトレジストを用いて塗膜を形成し、大きな膜厚差が生
じるような場合でも、パターン露光の際の露光量を膜厚
に対応して変化させるという簡単な方法で、レジスト穴
あけパターン幅寸法のばらつきをなくすことができる。
従って、これに対応するレジスト残部パターン幅寸法も
当然ばらつきがなくなり、ウェハ全面にわたって幅寸法
が精度良く所定寸法に制御されたフォトレジストパター
ンを形成できることになる。
当然ばらつきがなくなり、ウェハ全面にわたって幅寸法
が精度良く所定寸法に制御されたフォトレジストパター
ンを形成できることになる。
この発明によれば、半導体ウェハの一主面にスピンコー
ド法でフォトレジスト膜を形成し、所要のパターン露光
を行ってフォトレジストパターンを形成する方法におい
て、ウェハの中央部から周縁部に向かってフォトレジス
ト膜の膜厚に対応して露光量を増大または減少させなが
らパターン露光を行ってフォトレジストパターンを形成
する。
ド法でフォトレジスト膜を形成し、所要のパターン露光
を行ってフォトレジストパターンを形成する方法におい
て、ウェハの中央部から周縁部に向かってフォトレジス
ト膜の膜厚に対応して露光量を増大または減少させなが
らパターン露光を行ってフォトレジストパターンを形成
する。
このように露光量を調整することにより、ウェハ全面に
わたって精度良く均一に一定の幅寸法のフォトレジスト
パターンを形成することが可能となる。その結果、半導
体チップの歩留りを改善することができ、さらに微細加
工精度も一段と向上させることができる。しかも、この
発明の方法によれば、現像方法やレジスト塗布装置など
を根本的に改良゛する必要はなく、単に露光量を調整す
るだけで簡単にフォトレジストパターン幅寸法を制御で
きるので、得られる効果は大きい。
わたって精度良く均一に一定の幅寸法のフォトレジスト
パターンを形成することが可能となる。その結果、半導
体チップの歩留りを改善することができ、さらに微細加
工精度も一段と向上させることができる。しかも、この
発明の方法によれば、現像方法やレジスト塗布装置など
を根本的に改良゛する必要はなく、単に露光量を調整す
るだけで簡単にフォトレジストパターン幅寸法を制御で
きるので、得られる効果は大きい。
第１図はこの発明の一実施例の方法および従来例の方法
で形成されたポジ型フォトレジスト穴あけパターン幅寸
法とウェハ中心からの距離との関係を示す線図、第２図
はスピンコード法で塗布されたフォトレジスト膜厚とウ
ェハ中心からの距離ウェハ中心かうの距離（ｍｍ） 第２図
で形成されたポジ型フォトレジスト穴あけパターン幅寸
法とウェハ中心からの距離との関係を示す線図、第２図
はスピンコード法で塗布されたフォトレジスト膜厚とウ
ェハ中心からの距離ウェハ中心かうの距離（ｍｍ） 第２図
Claims (1)
- １）半導体ウェハをその中心軸のまわりに回転させなが
らこのウェハの中心にフォトレジストを供給してこのウ
ェハの一主面にフォトレジスト膜を形成し所要のパター
ン露光を行ってフォトレジストパターンを形成する方法
において、前記ウェハの中央部から周縁部に向かって露
光量を増大または減少させながらパターン露光を行うこ
とを特徴とするフォトレジストパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200885A JPH0249417A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | フォトレジストパターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63200885A JPH0249417A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | フォトレジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0249417A true JPH0249417A (ja) | 1990-02-19 |
Family
ID=16431863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63200885A Pending JPH0249417A (ja) | 1988-08-11 | 1988-08-11 | フォトレジストパターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0249417A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183188A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655043A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Ushio Inc | Device for irradiating light |
| JPS5851514A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-26 | Toshiba Corp | ウエハ露光方法及びその装置 |
-
1988
- 1988-08-11 JP JP63200885A patent/JPH0249417A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5655043A (en) * | 1979-10-12 | 1981-05-15 | Ushio Inc | Device for irradiating light |
| JPS5851514A (ja) * | 1981-09-22 | 1983-03-26 | Toshiba Corp | ウエハ露光方法及びその装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183188A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nikon Corp | 走査型露光装置 |
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