JPH04118957A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

Info

Publication number
JPH04118957A
JPH04118957A JP2236958A JP23695890A JPH04118957A JP H04118957 A JPH04118957 A JP H04118957A JP 2236958 A JP2236958 A JP 2236958A JP 23695890 A JP23695890 A JP 23695890A JP H04118957 A JPH04118957 A JP H04118957A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
integrated circuit
wiring board
circuit device
board
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2236958A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3002512B2 (ja
Inventor
Keiichiro Nakanishi
中西 敬一郎
Minoru Yamada
稔 山田
Tatsuya Saito
達也 斉藤
Kazumichi Yamamoto
山本 一道
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2236958A priority Critical patent/JP3002512B2/ja
Priority to DE69128860T priority patent/DE69128860T2/de
Priority to EP91114958A priority patent/EP0475269B1/en
Priority to US07/755,652 priority patent/US5212403A/en
Publication of JPH04118957A publication Critical patent/JPH04118957A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3002512B2 publication Critical patent/JP3002512B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822Multilayer substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64Impedance arrangements
    • H01L23/647Resistive arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/153Connection portion
    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路チップ内部の論理回路相互の信号伝
達を高速に行なう集積回路装置に係り、特にウェーハス
ケールサイズの様に大型のチップサイズを有する集積回
路チップにおいて高速な信号伝播を実現する場合に好適
な集積回路装置に関するものである。
〔従来の技術〕
現在、集積回路チップ内の論理回路間の信号伝送には、
送端終端方式が広く用いられている。この方式は、集積
回路チップ内部の信号配線の送端側に終端抵抗を接続し
配線を駆動するもので、高抵抗の配線においても信号の
電圧降下が生じないため、配線抵抗の高い集積回路チッ
プ内の信号伝送に有効である。
また、特開昭59−11112540号公報には、LS
I上の配線チャネルの一部の領域で、他のチャネルより
幅の広い配線を設けることによって、配線抵抗を下げ、
信号伝送速度を上げる技術が開示されている。しかしこ
の技術においても以下の問題があった。
■ 特定の領域に幅広の配線が存在するため任意のゲー
トから高速配線を使用したい場合の自由度が低い。
■ チャネル全体の使用効率が低下する。
■ 信号伝送の高速化は可能となるが、信号の遅延が配
線長の2乗に比例するという特性は変わらない。
〔発明が解決しようとする課題〕
最近の集積回路チップの高集積化、大面積化による配線
長の増加に伴い、集積回路チップ内の信号伝播遅延時間
の増加が大きな課題となってきている。
これは、集積回・路チップ内の論理回路間の信号伝送に
用いられる送端終端方式の信号伝播遅延時間が゛、配線
長の2乗に比例するためである。
本発明の目的は、ウェーハスケールサイズの様な大型の
集積回路チップにおいても、信号伝播遅延時間が配線長
の1乗に比例する高速な信号伝送回路を有する集積回路
装置を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
送端終端方式に比べ高速な信号伝送方式として、信号配
線の受端側に終端抵抗を接続する受端終端方式を集積回
路チップ内の信号接続に適用することにより、本発明の
目的を達成することができる。
さらに、送端終端方式を用いるか受端終端方式を用いる
かを、両者の信号伝播遅延時間の比較結果を用いて選択
することにより、効果的に目的を達成することができる
最後に、大規模なチップサイズの集積回路チップを配線
基板上に搭載し、配線基板内の信号配線を用いて、上記
の受端終端方式を実現することにより゛、さらに効果的
に目的を達成することができる。
〔作用〕
送端終端および受端終端伝送方式の配線部分の信号伝播
遅延時間について示す。ここで、高抵抗の伝送線路の送
端に一定電圧を加え、受端を解放した場合の受端電圧波
形および受端を短絡した場合の受端電流波形を観測する
と、受端を解放した場合の受端電圧波形の立ち上がり時
間に比べ、受端を短絡した場合の受端電流波形の立ち上
がり時間が3から10倍程度小さいことが5着流効果と
して知られている。
従来の送端終端方式は、上記の例で受端を解放した場合
に相当し、受端波形の立ち上がり時間としては、最も不
利な場合を用いていることになる。
これに対して、受端終端方式は、上記の例で受端解放と
受端短終の場合の中間の立ち上がり時間を実現すること
ができる。立ち上がり時間を決定する要因は受端の終端
抵抗値であり、抵抗値が小さいほど立ち上がり時間は小
さくなる。
配線基板内の導体はLSI内部はど微細ではなく、また
Cuの様な低抵抗の金属が使用可能なので配線抵抗はL
SIに比べ約3桁はど低くすることができる。受端終端
を行なうためには配線抵抗が十分低い(〜0.5Ω/ 
(!l )必要があり、この点配線基板は有利である。
これに対しLSI内部配線は配線抵抗〜10Ω/mと大
きいので受端終端は適さない。送端終端はデイレイは大
きいが配線抵抗の高い配線でも振幅を落さずに信号を伝
えることができるというのが利点で、これまでLSI内
で用いられてきた。
チップサイズが小さく配線長が短いうちはデイレイはあ
まり問題とならなかったからである。
〔実施例〕
第1図は本発明の一実施例を示す側面図である。
集積回路装![100は、集積回路チップ1および配線
基板2からなる。集積回路チップ1は半田端子6,6′
等により配線基板2と接続されている。
これにより、集積回路チップ内部の論理回路を、スルー
ホール4.配線5.スルーホール4′を介して、配線基
板内で相互接続することが可能となる。また、この配線
5は受端側で終端抵抗9に接続されており、これにより
受端終端の信号伝送が可能となっている。
さらに、配線基板2の裏面には、集積回路装置100と
外部装置(図示せず)との信号接続および集積回路装置
への電源給電を行なうための入呂カピン3がろう付けさ
れている。配線基板2の材料としてはセラミックを、入
出力ピンとしてはコバールを用いることが可能である。
第2図は、上記の実施例における集積回路チップ内およ
び配線基板上の配線方法を示す平面図である。第2図(
a)が集積回路チップ内で論理回路間の配線を行なう場
合、第2図(b)が半田端子を介して配線基板内で論理
回路間の結線を行なう場合を示す。
第2図(a)において、集積回路チップ1内部の論理回
路7,7′は集積回路チップ内部のアルミ配線8により
相互接続されており、これは従来の送端終端の接続方法
と同一である。終端抵抗は、送端側の論理回路7の一部
として、ウェーハ内に拡散抵抗を用いて形成されている
これに対して、配線基板2内部の配線5を用いて、論理
回路7,7′相互の結線を行なう場合は、論理回路7の
出力をアルミ配線8を用いて直接論理回路7′の入力に
は接続せず、−旦半田端子6に接続することにより集積
回路チップ外部に引き出している。この場合、送端側の
論理回路7の終端抵抗は接続しない、第2図(b)に示
すように、この半田端子6により論理回路7は配線基板
2内部の配線5と接続される。同様に、半田端子6′を
介して配線基板2内部の配線5と論理回路7′の入力が
結線され、論理回路7,7′の相互接続を行なうことが
できる。配線5の終端側は、第1図に示したように、配
線基板2上の終端抵抗9に接続されている。
次に、実際の配線に送端終端と受端終端のいずれを適用
するか判断するための、設計フローの一例を示す。まず
従来の送端終端方式によってシステムを設計する0次に
任意のゲート間のデイレイをシュミレーションによって
チエツクする。これは現在の大型計算機の設計ツールと
して周知のデイレイチエツクシステムによって実行する
ことができる。得られた結果により、ある一定値より大
きなデイレイを生じた配線を配線基板を介した受端終端
方式に変更する。このようにして設計したシステムを再
度デイレイシステムによってチエツクして効果を確認す
る。
また上記のように最初からシュミレーションによってチ
エツクする以外に、配線長が長く送端終端には適さない
と予め判る配線は、最初から配線基板を介した受端終端
とした方が効率は良1A。第3図には集積回路内の送端
終端方式の配線と、基板配線内の受端終端方式の配線の
、配線遅延時間と配線長の関係を示すものである。
第3図のグラフの横軸には、相互接続するべき論理回路
間の配線長は、縦軸にはその配線長を信号が伝播するの
に要する遅延時間を示した。破線が従来の送端終端のチ
ップ内信号伝送を用いた場合、実線が配線基板内の配線
による受端終端方式の信号伝送を用いた場合を示す。チ
ップ内配線の回路定数は、配線抵抗R=10Ω/■、配
線容量C=0.2pF/mである。また、配線基板の比
誘電率はεr=6である。
ここで、チップ内配線の配線遅延時間t1、は下記の式
で表せる。
t 1=A(1+Bc、Rfi” 基板内配線の配線遅延時間t2は、下記の式で表わせる
t2=チップ入呂カディレイ+ov7〒ΩただしA、B
、DはLSIや実装系の設計に依存する定数である。こ
のグラフによれば、例えば配線長3(!11で配線方式
を使いわければよいことが判る。
先述のように、集積回路チップ内の配線を用いた送端終
端信号伝送方式では、配線長の2乗に配線遅延時間が比
例するので、配線長が5csを越えると遅延時間が急激
に増加し、高速な信号伝送は期待できなくなる。これに
対して、配線基板内の配線を用いた受端終端信号伝送方
式では、配線長の1乗に配線遅延時間が比例するので、
配線長が153程度と長くなっても、配線遅延時間が約
2nsと小さな値に留まっている。ここで、配線基板内
の配線を用いる場合は、集積回路チップ内の低振幅の信
号で直線配線基板を駆動することは不可能なため、基板
内配線駆動用のバッファ回路を必要とする。第3図の実
線は、このバッファ回路の遅延時間や半田端子による遅
延時間の増加、約insを見込んだ値である。この様な
配線遅延時間の増加分を考慮しても、本発明は従来に比
べ優位性を持っている。
〔発明の効果〕
本発明によれば、信号伝播時間を増加させることなく、
大型の集積回路チップを高密度に実装することが可能と
なるので、従来に比べ、高集積で高速な集積回路装置を
実現することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例を示す縦断面図、第2図(a
3.Cb)は、本発明配線方法を示す平面図、第3図は
、本発明の効果を示すグラフの図である。 1、・・・集積回路チップ、2・・・配線基板、3・・
・入出力ビン、4・・・スルフホール、5・・・配線、
6・・・半田端子、7・・・論理回路、−8・:・チッ
プ内配線、9・・・終端第 ■ 遁 (a) 7  #110路 8   +、、V°μ]l乙傘聚 箇 図 面乙 衆な41 (Q)阿、ン

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、集積回路チップの入出力端子を相互接続するための
    配線を内部に有する配線基板および該配線基板上に搭載
    された集積回路チップからなる集積回路装置において、
    同一の集積回路チップの入力端子および出力端子が、該
    配線基板内の配線により結線されていることを特徴とす
    る集積回路装置。 2、上記集積回路チップ内の論理素子相互を結線する場
    合、該集積回路チップ内の配線を用いるか、あるいは、
    該集積回路内の入出力バッファ回路および該集積回路チ
    ップと上記配線基板の接続手段を介して該配線基板内の
    配線により結線するかを選択可能なことを特徴とする請
    求項1記載の集積回路装置。 3、上記の2種類の配線経路を選択する手段が、上記の
    2種類の信号伝送時間の内、短いものを選択するという
    方法であることを特徴とする請求項2記載の集積回路装
    置。 4、配線基板と、該配線基板上に搭載された集積回路チ
    ップとを有する集積回路装置において、同じ集積回路チ
    ップ内の論理回路が、受端終端された上記配線基板内部
    の配線と、送端終端された上記集積回路チップ内部の配
    線の二種の配線により相互接続されている集積回路装置
    。 5、前記論理回路を、前記配線基板内のスルーホール及
    び配線層を用いて相互接続する請求項4記載の集積回路
    装置。 6、前記配線基板と集積回路チップ内部の配線は、半田
    端子を介して接続されている請求項4記載の集積回路装
    置。 7、前記配線基板内部の配線は、終端側が配線基板上の
    終端抵抗に接続される請求項4記載の集積回路装置。 8、前記配線基板内部の配線を駆動するためのバッファ
    回路を有する請求項4記載の集積回路装置。 9、前記論理回路相互の配線長が3cm以上のときに、
    前記配線基板内部の配線をもちいて接続する請求項4記
    載の集積回路装置。 10、前記論理回路相互の配線長が5cm以上のときに
    、前記配線基板内部の配線をもちいて接続する請求項4
    記載の集積回路装置。 11、配線基板と、該配線基板上に搭載された集積回路
    チップとを有する集積回路装置において、同じ集積回路
    チップ内の論理回路が、遅延時間が配線長の1乗に比例
    する受端終端された配線と、遅延時間が配線長の2乗に
    比例する送端終端された配線の二種の配線により相互接
    続されている集積回路装置。 12、前記受端終端された配線は、前記送端終端された
    配線よりも常に長い請求項11記載の集積回路装置。 13、前記受端終端された配線は、前記配線基板内部の
    配線である請求項11記載の集積回路装置。
JP2236958A 1990-09-10 1990-09-10 集積回路装置 Expired - Fee Related JP3002512B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2236958A JP3002512B2 (ja) 1990-09-10 1990-09-10 集積回路装置
DE69128860T DE69128860T2 (de) 1990-09-10 1991-09-04 Integrierte Schaltungsanordnung mit einem Leitersubstrat und Verfahren zum Verbinden logischer Schaltungen in einer integrierten Schaltungsanordnung
EP91114958A EP0475269B1 (en) 1990-09-10 1991-09-04 Integrated circuit device comprising a wiring substrate and connection method for logic circuits of an integrated circuit device
US07/755,652 US5212403A (en) 1990-09-10 1991-09-06 Integrated circuit device having an ic chip mounted on the wiring substrate and having suitable mutual connections between internal circuits

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2236958A JP3002512B2 (ja) 1990-09-10 1990-09-10 集積回路装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH04118957A true JPH04118957A (ja) 1992-04-20
JP3002512B2 JP3002512B2 (ja) 2000-01-24

Family

ID=17008288

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2236958A Expired - Fee Related JP3002512B2 (ja) 1990-09-10 1990-09-10 集積回路装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5212403A (ja)
EP (1) EP0475269B1 (ja)
JP (1) JP3002512B2 (ja)
DE (1) DE69128860T2 (ja)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5618744A (en) * 1992-09-22 1997-04-08 Fujitsu Ltd. Manufacturing method and apparatus of a semiconductor integrated circuit device
US5501006A (en) * 1993-09-22 1996-03-26 Motorola, Inc. Method for connection of signals to an integrated circuit
US5512765A (en) * 1994-02-03 1996-04-30 National Semiconductor Corporation Extendable circuit architecture
KR100360074B1 (ko) * 1994-03-15 2003-01-24 내셔널 세미콘덕터 코포레이션 2차원멀티칩모듈패키지를사용하는집적회로칩간의논리적3차원상호연결
US5543640A (en) * 1994-03-15 1996-08-06 National Semiconductor Corporation Logical three dimensional interconnections between integrated circuit chips using a two dimensional multi-chip module
WO1998044564A1 (en) * 1997-04-02 1998-10-08 Tessera, Inc. Chip with internal signal routing in external element
US6687842B1 (en) 1997-04-02 2004-02-03 Tessera, Inc. Off-chip signal routing between multiply-connected on-chip electronic elements via external multiconductor transmission line on a dielectric element
US6020633A (en) * 1998-03-24 2000-02-01 Xilinx, Inc. Integrated circuit packaged for receiving another integrated circuit
US6548907B1 (en) * 1998-04-28 2003-04-15 Fujitsu Limited Semiconductor device having a matrix array of contacts and a fabrication process thereof
US6303423B1 (en) 1998-12-21 2001-10-16 Megic Corporation Method for forming high performance system-on-chip using post passivation process
US6495442B1 (en) * 2000-10-18 2002-12-17 Magic Corporation Post passivation interconnection schemes on top of the IC chips
US7381642B2 (en) * 2004-09-23 2008-06-03 Megica Corporation Top layers of metal for integrated circuits
US8421158B2 (en) * 1998-12-21 2013-04-16 Megica Corporation Chip structure with a passive device and method for forming the same
US6936531B2 (en) * 1998-12-21 2005-08-30 Megic Corporation Process of fabricating a chip structure
US8178435B2 (en) * 1998-12-21 2012-05-15 Megica Corporation High performance system-on-chip inductor using post passivation process
US6965165B2 (en) * 1998-12-21 2005-11-15 Mou-Shiung Lin Top layers of metal for high performance IC's
SG93278A1 (en) 1998-12-21 2002-12-17 Mou Shiung Lin Top layers of metal for high performance ics
US7416971B2 (en) * 2004-09-23 2008-08-26 Megica Corporation Top layers of metal for integrated circuits
US6869870B2 (en) * 1998-12-21 2005-03-22 Megic Corporation High performance system-on-chip discrete components using post passivation process
US7405149B1 (en) * 1998-12-21 2008-07-29 Megica Corporation Post passivation method for semiconductor chip or wafer
US7531417B2 (en) * 1998-12-21 2009-05-12 Megica Corporation High performance system-on-chip passive device using post passivation process
JP2001168227A (ja) * 1999-12-08 2001-06-22 Mitsubishi Electric Corp 多ピン・ボールグリッドアレイ・パッケージ用の基板、多ピン・ボールグリッドアレイ・パッケージ及び半導体装置
US6759275B1 (en) * 2001-09-04 2004-07-06 Megic Corporation Method for making high-performance RF integrated circuits
US6489656B1 (en) 2001-10-03 2002-12-03 Megic Corporation Resistor for high performance system-on-chip using post passivation process
US7932603B2 (en) * 2001-12-13 2011-04-26 Megica Corporation Chip structure and process for forming the same
US6798073B2 (en) 2001-12-13 2004-09-28 Megic Corporation Chip structure and process for forming the same
US7279787B1 (en) * 2001-12-31 2007-10-09 Richard S. Norman Microelectronic complex having clustered conductive members
TWI236763B (en) * 2003-05-27 2005-07-21 Megic Corp High performance system-on-chip inductor using post passivation process
US7459790B2 (en) 2003-10-15 2008-12-02 Megica Corporation Post passivation interconnection schemes on top of the IC chips
US8008775B2 (en) * 2004-09-09 2011-08-30 Megica Corporation Post passivation interconnection structures
US7423346B2 (en) * 2004-09-09 2008-09-09 Megica Corporation Post passivation interconnection process and structures
US7355282B2 (en) * 2004-09-09 2008-04-08 Megica Corporation Post passivation interconnection process and structures
US8384189B2 (en) 2005-03-29 2013-02-26 Megica Corporation High performance system-on-chip using post passivation process
TWI320219B (en) 2005-07-22 2010-02-01 Method for forming a double embossing structure
US7833840B2 (en) * 2006-08-03 2010-11-16 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with down-set die pad and method of manufacture thereof
US8749021B2 (en) * 2006-12-26 2014-06-10 Megit Acquisition Corp. Voltage regulator integrated with semiconductor chip
JP5335931B2 (ja) 2008-12-26 2013-11-06 メギカ・コーポレイション 電力管理集積回路を有するチップ・パッケージおよび関連技術
US8648449B2 (en) * 2009-01-29 2014-02-11 International Rectifier Corporation Electrical connectivity for circuit applications
US9070670B2 (en) * 2009-01-29 2015-06-30 International Rectifier Corporation Electrical connectivity of die to a host substrate
US8692360B1 (en) 2010-07-06 2014-04-08 International Rectifier Corporation Electrical connectivity for circuit applications

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3634731A (en) * 1970-08-06 1972-01-11 Atomic Energy Commission Generalized circuit
US4551746A (en) * 1982-10-05 1985-11-05 Mayo Foundation Leadless chip carrier apparatus providing an improved transmission line environment and improved heat dissipation
JPS59182540A (ja) * 1983-04-01 1984-10-17 Hitachi Ltd 半導体装置における配線パタ−ンの設計方法
EP0252115B1 (en) * 1985-12-20 1991-07-17 Hughes Aircraft Company Compressive pedestal for microminiature connections
GB2215121B (en) * 1988-02-10 1991-03-13 Plessey Co Plc Multi-layer integrated circuit devices
US5021869A (en) * 1988-12-27 1991-06-04 Hewlett-Packard Company Monolithic semiconductor chip interconnection technique and arrangement
US5055907A (en) * 1989-01-25 1991-10-08 Mosaic, Inc. Extended integration semiconductor structure with wiring layers

Also Published As

Publication number Publication date
EP0475269A2 (en) 1992-03-18
DE69128860T2 (de) 1998-10-08
EP0475269B1 (en) 1998-02-04
EP0475269A3 (en) 1992-10-14
US5212403A (en) 1993-05-18
DE69128860D1 (de) 1998-03-12
JP3002512B2 (ja) 2000-01-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH04118957A (ja) 集積回路装置
KR100378511B1 (ko) 집적회로용볼그리드어레이패키지
US4210885A (en) Thin film lossy line for preventing reflections in microcircuit chip package interconnections
US8898365B2 (en) Micro-link high-bandwidth chip-to-chip bus
US20210227685A1 (en) Structure for circuit interconnects
US6417462B1 (en) Low cost and high speed 3-load printed wiring board bus topology
Neugebauer et al. Comparison of wafer scale integration with VLSI packaging approaches
Kam et al. 40-Gb/s package design using wire-bonded plastic ball grid array
US4242720A (en) Integrated circuit mounting board having internal termination resistors
Mimura et al. System module: A new chip-on-chip module technology
US5966293A (en) Minimal length computer backplane
GB2323756A (en) Arrangement for enhancing signal integrity on a bus
US8138787B2 (en) Apparatus and method for input/output module that optimizes frequency performance in a circuit
US7550839B2 (en) Integrated circuit package and system interface
Namaki et al. A tunable macro-modeling method for signal transition in mm-wave flip-chip technology
JP2008078314A (ja) 高速信号回路装置
Gustafsson et al. Multi‐chip Modules for Telecom Applications
Poe An Innovative Application of Fan-Out Packaging for Test & Measurement-Grade Products
Hiruta et al. An 820 pin PGA for ultralarge-scale BiCMOS devices
Kuo et al. Electrical performance analysis of fine line on high density package substrate
US6366131B1 (en) System and method for increasing a drive signal and decreasing a pin count
Li et al. Modeling and simulation of multilayer flip-chip package
Loos Leadless 432-pin package and solderless socket for a 622 MHz system
Wen The package bandwidth limitation of high speed broadband products
Emigh Electrical design for high data rate signals in conventional, BT based PBGA substrates using wire bonded interconnection

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees