JPH04117402U - 抵抗器 - Google Patents
抵抗器Info
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- JPH04117402U JPH04117402U JP2874391U JP2874391U JPH04117402U JP H04117402 U JPH04117402 U JP H04117402U JP 2874391 U JP2874391 U JP 2874391U JP 2874391 U JP2874391 U JP 2874391U JP H04117402 U JPH04117402 U JP H04117402U
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Links
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- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 抵抗器５に放熱板７を取りつけて、抵抗器か
ら出る熱を放熱することで抵抗器の断線を防止する。 【構成】 薄板もしくは箔でなる帯状の抵抗器５の両端
をアルミ・ベース絶縁基板１上の回路パターン３に半田
４付けし、抵抗器の上部より薄板の放熱用セラミック基
板７を載置して両者の間に高熱伝導シリコン６を充填す
ることで両者を接合しかつ熱伝導する。
ら出る熱を放熱することで抵抗器の断線を防止する。 【構成】 薄板もしくは箔でなる帯状の抵抗器５の両端
をアルミ・ベース絶縁基板１上の回路パターン３に半田
４付けし、抵抗器の上部より薄板の放熱用セラミック基
板７を載置して両者の間に高熱伝導シリコン６を充填す
ることで両者を接合しかつ熱伝導する。
Description
【０００１】
本考案は、抵抗器に係り、抵抗体に放熱板を設けたことに関する。
【０００２】
従来、家庭電気機器等に使用されるインバータをモジュール化したパワーモジ
ュールには三相交流波形合成や周辺機器制御用等としてジャイアントトランジス
タやＡＣ−ＤＣ変換用整流ダイオード等の大電流を使用する半導体素子を使用し
ている。これら半導体素子を過電流から守るため、過電流検出用抵抗を設け、そ
の両端での電圧ドロップをモニタリングし、電圧降下が異常に大きくなった場合
には即座にフリップフロップ回路等を動作させ大電流を使用する半導体素子の電
源回路等を遮断する方法が用いられていた。抵抗には正常動作時でも１０Ａ〜２
０Ａの電流が流れ、異常時には１００Ａ程度の電流が流れるため抵抗値としては
０．１Ω以下、電力としては５Ｗ以上のものを使用している。しかしながら、異
常時の電流が大きいために抵抗体の発熱による伸びおよび冷却時の縮みが影響し
、繰り返し過電流を流すと抵抗体が機械的に疲労しやがて断線にいたる問題があ
った。
【０００３】
本考案は、上記従来の技術の問題点に鑑みなされたもので、抵抗器に放熱板を
取りつけて、抵抗器から出る熱を放熱することで抵抗器の断線を防止する。
【０００４】
上記課題を解決するために本考案では、薄板もしくは箔でなる帯状の抵抗体の
両端をアルミ・ベース絶縁基板上に形成した回路パターンに半田付けし、該抵抗
体の上部より薄板でなる帯状のセラミック基板を乗せ、両者の接合と熱伝導のた
めに高熱伝導部材を充填した構造の抵抗器を提供するものである。
【０００５】
上記構成によれば、薄板もしくは箔でなる帯状の抵抗器の両端をアルミ・ベー
ス絶縁基板上の回路パターンに半田付けし、抵抗器の上部より帯状でかつ箔状の
放熱用セラミック基板を載置して両者の間に高熱伝導シリコンを充填することで
両者を接合しかつ熱伝導する。
【０００６】
本考案の実施例を添付図面を参照して詳細に説明する。図１は本考案の抵抗器
の一実施例を示す断面図、図２は同抵抗器の他の実施例を示す断面図である。
【０００７】
図において、１はアルミ・ベース絶縁基板で、上部に絶縁材２を載置し、その
上に銅箔のランド３を形成し、ランド３の端片に抵抗器５を半田４にて固定され
ている。５は抵抗器で、例えば、銅・ニッケル合金を材料にした帯状もしくは箔
状の抵抗体である。７はセラミック基板で、抵抗器５の上部に載置され、高熱伝
導シリコン６によりセラミック基板７と抵抗器５は接合されると共に両者間の熱
伝導を行う。上記構成で、抵抗器５に大電流（１００Ａ程度）が流れると抵抗器
５から大きな熱が発生する。この熱は高熱伝導シリコン６によりセラミック基板
７に伝導され、セラミック基板７から周囲に放熱される。このようにして抵抗器
５で発生する大きな熱量は放熱されるため抵抗器５の温度は一定値以下に抑えら
れるので、抵抗器５の熱膨張および熱収縮も一定に抑えられ抵抗器５の断線が防
止される。図２は他の実施例を示すもので、抵抗器５はセラミック基板７にて上
下から挟まれた構造である。抵抗器５とセラミック基板７の間には高熱伝導シリ
コン６が接合材として充填されると共に熱伝導材をかねている。抵抗器５に大電
流（１００Ａ程度）が流れると抵抗器５から大きな熱が発生する。この熱は高熱
伝導シリコン６によりセラミック基板７に伝導され、セラミック基板７から周囲
に放熱される。このようにして抵抗器５で発生する大きな熱量は放熱されるため
抵抗器５の温度は一定値以下に抑えられるので、抵抗器５の熱膨張および熱収縮
も一定に抑えられ抵抗器５の断線が防止される。
【０００８】
以上のように本考案においては、抵抗器に高熱伝導シリコンを介してセラミッ
ク基板を取りつけることで、抵抗器の温度上昇を抑えることができ抵抗器の膨張
が小さくなり抵抗器の断線を防止することができる効果は大きい。
【図１】本考案の抵抗器の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】本考案の抵抗器の他の実施例を示す断面図であ
る。
る。
１ アルミ・ベース絶縁基板
２ 絶縁材
３ ランド
４ 半田
５ 抵抗器
６ 高熱伝導シリコン
７ セラミック基板
Claims (2)
- 【請求項１】 薄板もしくは箔でなる帯状の抵抗体の両
端をアルミ・ベース絶縁基板上に形成した回路パターン
に半田付けし、該抵抗体の上部より薄板でなる帯状のセ
ラミック基板を乗せ、両者の接合と熱伝導のために高熱
伝導部材を充填した構造の抵抗器。 - 【請求項２】 上記抵抗体の両面を上記セラミック基板
で挟み、上記高熱伝導部材を充填することを特徴とする
請求項１記載の抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2874391U JPH04117402U (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2874391U JPH04117402U (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04117402U true JPH04117402U (ja) | 1992-10-21 |
Family
ID=31912779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2874391U Pending JPH04117402U (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04117402U (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS475698U (ja) * | 1971-02-10 | 1972-09-19 | ||
| JPS5711385A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-21 | Tokyo Shibaura Electric Co | Display unit |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP2874391U patent/JPH04117402U/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS475698U (ja) * | 1971-02-10 | 1972-09-19 | ||
| JPS5711385A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-21 | Tokyo Shibaura Electric Co | Display unit |
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