JPH04116966A - 高周波集積回路 - Google Patents
高周波集積回路Info
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- JPH04116966A JPH04116966A JP23793290A JP23793290A JPH04116966A JP H04116966 A JPH04116966 A JP H04116966A JP 23793290 A JP23793290 A JP 23793290A JP 23793290 A JP23793290 A JP 23793290A JP H04116966 A JPH04116966 A JP H04116966A
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- JP
- Japan
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- pattern
- capacitor
- high frequency
- integrated circuit
- frequency integrated
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- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野」
この発明は、高周波帯の集積回路に関するものである。
以下、高周波集積回路として、モノリフツクマイクロ波
集積回路増幅器Ｃ以下ＭＭＩＣ増幅器という）を例にと
って説明する。
集積回路増幅器Ｃ以下ＭＭＩＣ増幅器という）を例にと
って説明する。
第３図は従来のＭＭＩＣ増幅器のチンブパター７の一例
を示す平面図である。
を示す平面図である。
図において１口）は高周波トランジスタ、（２）はイン
ダクタ、（３）はコンデンサ、（４）は入力信号端子、
（５）は出力信号端子、（６）は高周波トランジスタｆ
ｌ）の直流バイアス印加端子である。
ダクタ、（３）はコンデンサ、（４）は入力信号端子、
（５）は出力信号端子、（６）は高周波トランジスタｆ
ｌ）の直流バイアス印加端子である。
次に動作について説明する。入力信号端子（４）に印７
１０された信号は、高周波トランジスタ（１）により増
幅され、出力信号端子（５）から取り出される。ここで
、高周波トランジスタ１１）を動作させるｆこめの直流
バイアスは直流バイアス印加端子（６）より供給される
。コンデンサ（３）およびインメ°クタ（２）は高周波
トランジスタｉｌｌの人出力インピーダンスを所定の特
性インピーダンスにインピーダンス整合させるために用
いられる。
１０された信号は、高周波トランジスタ（１）により増
幅され、出力信号端子（５）から取り出される。ここで
、高周波トランジスタ１１）を動作させるｆこめの直流
バイアスは直流バイアス印加端子（６）より供給される
。コンデンサ（３）およびインメ°クタ（２）は高周波
トランジスタｉｌｌの人出力インピーダンスを所定の特
性インピーダンスにインピーダンス整合させるために用
いられる。
従来のＭＭＩＣ増幅器は以上のように溝数されているの
で、要求さＣる特性や使用周波数によっては大容１のコ
ンデンサが必要となる。その結果、コンデンサバター／
の面積が増大し、ＭＭＩＧ増幅器のパターンの大部分が
コンデンサパターントナリ、ＭＭＩＣ増幅器チップの大
面積化によるコストアップを招く等の問題点があった。
で、要求さＣる特性や使用周波数によっては大容１のコ
ンデンサが必要となる。その結果、コンデンサバター／
の面積が増大し、ＭＭＩＧ増幅器のパターンの大部分が
コンデンサパターントナリ、ＭＭＩＣ増幅器チップの大
面積化によるコストアップを招く等の問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するｒこめになさ
れ１こもので、：ンデ／すの占有面積を減らしＴこ小形
の高周波集積回路を得ることを目的とする０ 〔課題を解決するｆこめの手段〕 この発明における高周波集積口路は、ＭＭＩＣ増幅器チ
ノグのコンデンサパターン上に絶縁膜を形成した後、そ
の上にワイヤボンディング用のｔ極端子パターンを積層
形成しＴ二ものである。
れ１こもので、：ンデ／すの占有面積を減らしＴこ小形
の高周波集積回路を得ることを目的とする０ 〔課題を解決するｆこめの手段〕 この発明における高周波集積口路は、ＭＭＩＣ増幅器チ
ノグのコンデンサパターン上に絶縁膜を形成した後、そ
の上にワイヤボンディング用のｔ極端子パターンを積層
形成しＴ二ものである。
この発明においては、コンデンサパターン上に電極端子
パターンを積層し真ので、従来はチップ上で大面積を占
有していたコンデンサパターンの有効利用がされろＤ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図面Ｑこついて説明する。
パターンを積層し真ので、従来はチップ上で大面積を占
有していたコンデンサパターンの有効利用がされろＤ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例を図面Ｑこついて説明する。
第１図はＭＭＩＣ増幅器のチップパターンを示す平面図
、第２図は第１図のＡ−Ａにおける断面図である。
、第２図は第１図のＡ−Ａにおける断面図である。
図−二おいて、（１）〜（６）は第３図の従来例ｔこ示
Ｌ１こものと同等であるので説明を省略する。田はコン
デンサ（３）用の絶縁膜、３υ、■、ニコンデンサ（３
）の電極、田は絶縁膜であるフコンデンサ（３）のパタ
ーン上に入力信号端子（４）、出力信号端子（５）、直
流バイアス印加端子（６）などのワイヤボンディング用
ｔａ端子パターンが積層されている。コンデンサ（３）
と入力信号端子（４）、出力信号端子（５）、直流バイ
アス印加端子（６）の積層構造は第２図に示すように、
絶縁膜３ＧをはさんだＩＥ極（（１）−心でコンデンサ
（３）が形成され、その上にｅ縁１摸ａを形成した後を
二人力信号４子（４）、出力信号端子（５）、直流バイ
アス町別端子（６）を形成して完成する。
Ｌ１こものと同等であるので説明を省略する。田はコン
デンサ（３）用の絶縁膜、３υ、■、ニコンデンサ（３
）の電極、田は絶縁膜であるフコンデンサ（３）のパタ
ーン上に入力信号端子（４）、出力信号端子（５）、直
流バイアス印加端子（６）などのワイヤボンディング用
ｔａ端子パターンが積層されている。コンデンサ（３）
と入力信号端子（４）、出力信号端子（５）、直流バイ
アス印加端子（６）の積層構造は第２図に示すように、
絶縁膜３ＧをはさんだＩＥ極（（１）−心でコンデンサ
（３）が形成され、その上にｅ縁１摸ａを形成した後を
二人力信号４子（４）、出力信号端子（５）、直流バイ
アス町別端子（６）を形成して完成する。
次に動作について説明する。ＭＭＩＣｆ＠＠器チップの
コンデンサ（３）のパターンの上を制用して入の信号端
子＋４） ＆出力信号端子１５）、１′ＩＬ流バイアス
印加端子（６）を積層形成することによって、パターン
面積を増大させることなく電気特性的には従来の欄成と
同様に作用する。
コンデンサ（３）のパターンの上を制用して入の信号端
子＋４） ＆出力信号端子１５）、１′ＩＬ流バイアス
印加端子（６）を積層形成することによって、パターン
面積を増大させることなく電気特性的には従来の欄成と
同様に作用する。
以上のように、この発明によれば半導体基板上に形成さ
れるコンデンサパターン上にワイヤボンディング用のｔ
ｆ＠端子パター／を積層形成しｆこので、高周波集積回
路のパターン縮小化が可能となり、小形化した安価な高
周波集積口路が得られる効果がある。〕
れるコンデンサパターン上にワイヤボンディング用のｔ
ｆ＠端子パター／を積層形成しｆこので、高周波集積回
路のパターン縮小化が可能となり、小形化した安価な高
周波集積口路が得られる効果がある。〕
第１図はこの発明に係る高周波集積口路の一実施例によ
るＭＭＩＣ増幅器のチップパターンを示す平面図、第２
図は第１図のＡ−Ａにおける断面図、第３図は従来のＭ
ＭＩＧ増鳴器のチップパターンを示す平面図である。 図において、（１）は高周波トランジスタ、（２）はイ
ンダクタ、（３）はコンデンサ、（４）は入力信号端子
。 （５）は出力信号端子、（６）は！ｆｉバイアス印加端
子。 ωは絶Ｉ＃膜、＠、■は電極、８３は絶縁膜である。 なお１図中、同一符号は同一 または相当部分を示す〇 第１図 ２ イア７７り ５Ｊゴフイ言ざ】月６子 Ｌ’ １１’ｒＡノぐイアズ印グσＪ４子第２図
るＭＭＩＣ増幅器のチップパターンを示す平面図、第２
図は第１図のＡ−Ａにおける断面図、第３図は従来のＭ
ＭＩＧ増鳴器のチップパターンを示す平面図である。 図において、（１）は高周波トランジスタ、（２）はイ
ンダクタ、（３）はコンデンサ、（４）は入力信号端子
。 （５）は出力信号端子、（６）は！ｆｉバイアス印加端
子。 ωは絶Ｉ＃膜、＠、■は電極、８３は絶縁膜である。 なお１図中、同一符号は同一 または相当部分を示す〇 第１図 ２ イア７７り ５Ｊゴフイ言ざ】月６子 Ｌ’ １１’ｒＡノぐイアズ印グσＪ４子第２図
Claims (1)
- 高周波トランジスタ、抵抗、コンデンサ、インダクタ
などの電気回路部品を半導体基板上に形成した高周波集
積回路において、コンデンサパターン上に絶縁膜を形成
した後、さらにワイヤボンディング用の電極端子パター
ンを積層形成したことを特徴とする高周波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23793290A JPH04116966A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 高周波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23793290A JPH04116966A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 高周波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04116966A true JPH04116966A (ja) | 1992-04-17 |
Family
ID=17022593
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23793290A Pending JPH04116966A (ja) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | 高周波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04116966A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465850B1 (en) | 1999-04-12 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Semiconductor device |
-
1990
- 1990-09-07 JP JP23793290A patent/JPH04116966A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6465850B1 (en) | 1999-04-12 | 2002-10-15 | Nec Corporation | Semiconductor device |
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