JPH04115581A - 熱流束計 - Google Patents
熱流束計Info
- Publication number
- JPH04115581A JPH04115581A JP2236787A JP23678790A JPH04115581A JP H04115581 A JPH04115581 A JP H04115581A JP 2236787 A JP2236787 A JP 2236787A JP 23678790 A JP23678790 A JP 23678790A JP H04115581 A JPH04115581 A JP H04115581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thermoelectromotive force
- layers
- heat flux
- force material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims abstract description 48
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 3
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910000809 Alumel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001006 Constantan Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000219112 Cucumis Species 0.000 description 1
- 235000015510 Cucumis melo subsp melo Nutrition 0.000 description 1
- FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N [4,6-bis(cyanoamino)-1,3,5-triazin-2-yl]cyanamide Chemical compound N#CNC1=NC(NC#N)=NC(NC#N)=N1 FJJCIZWZNKZHII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910001179 chromel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明ζよ 工業用機器からの放熱量の測定や熱ロスの
監視を行なう熱流束計に関する。
監視を行なう熱流束計に関する。
従来の技術
従来 熱流束計は第３図に示す様番へ 熱伝導率が既知
である平板】の上面と下面とに熱電対２を形成し その
周囲を絶縁体３で保護したものが用いられている。熱電
対２（よ 複数の熱電対４を多数直列に結んだもので、
材料として（よ 銅とコンスタンタンまたはクロメルと
アルメル等が用いられている。熱電対４の接点はスポッ
ト溶接されており、平板１の上面と下面に位置し 上面
と下面の温度差で起電力が発生する。したがって、熱電
対２の両端には 熱電対４の１つあたりの起電力に熱電
対４の数を乗じた電圧が得られる。この電圧を測定して
、平板１の上面下面の温度差を算出Ｌ 平板１の熱伝導
率を考慮することにより熱流束を求めていも 発明が解決しようとする課題 しかしなが収 このような熱流束計は 使用している熱
電対４の素線径が大きいことか叙１、絶縁体３が厚くな
ることにより、測定すべき部分の伝熱条件と熱流束計設
置部分の伝熱条件が異なり、正確な放熱等が測定できな
（℃２、熱電対４の接点位置は平板１と接触する場合と
離れる場合があり、温度差の測定に誤差を生じる。
である平板】の上面と下面とに熱電対２を形成し その
周囲を絶縁体３で保護したものが用いられている。熱電
対２（よ 複数の熱電対４を多数直列に結んだもので、
材料として（よ 銅とコンスタンタンまたはクロメルと
アルメル等が用いられている。熱電対４の接点はスポッ
ト溶接されており、平板１の上面と下面に位置し 上面
と下面の温度差で起電力が発生する。したがって、熱電
対２の両端には 熱電対４の１つあたりの起電力に熱電
対４の数を乗じた電圧が得られる。この電圧を測定して
、平板１の上面下面の温度差を算出Ｌ 平板１の熱伝導
率を考慮することにより熱流束を求めていも 発明が解決しようとする課題 しかしなが収 このような熱流束計は 使用している熱
電対４の素線径が大きいことか叙１、絶縁体３が厚くな
ることにより、測定すべき部分の伝熱条件と熱流束計設
置部分の伝熱条件が異なり、正確な放熱等が測定できな
（℃２、熱電対４の接点位置は平板１と接触する場合と
離れる場合があり、温度差の測定に誤差を生じる。
等の問題があっ九
本発明（上 上記課題を解決するもので、測定すべき部
分の伝熱条件に影響を与えずミ かつ誤差のない熱流束
計を提供することを目的とするものである。
分の伝熱条件に影響を与えずミ かつ誤差のない熱流束
計を提供することを目的とするものである。
課題を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するため番へ 絶縁性基板上
に形成された複数個の第１の導電体層と、その複数個の
それぞれの第１の導電体層の上に形成された複数個の高
熱起電力材料層と、その複数個のそれぞれの高熱起電力
材料層の一方の側面端部に形成された第１の絶縁層と他
方の側面端部に形成されかつその一方の端部が前述の複
数個の第１の導電体層の間を通り前述の絶縁性基板に延
びた第２の絶縁層と、 前述の複数個のそれぞれの高熱起電力材料層の上に形成
されかつその一方の端部が、 隣接する高熱起電力材料
層とそれぞれ直列に接続するために前述の第１および第
２の絶縁層の間を通り、隣接する第１の導電体層の端部
に接続された第２の導電体層とを有する構成よりなる。
に形成された複数個の第１の導電体層と、その複数個の
それぞれの第１の導電体層の上に形成された複数個の高
熱起電力材料層と、その複数個のそれぞれの高熱起電力
材料層の一方の側面端部に形成された第１の絶縁層と他
方の側面端部に形成されかつその一方の端部が前述の複
数個の第１の導電体層の間を通り前述の絶縁性基板に延
びた第２の絶縁層と、 前述の複数個のそれぞれの高熱起電力材料層の上に形成
されかつその一方の端部が、 隣接する高熱起電力材料
層とそれぞれ直列に接続するために前述の第１および第
２の絶縁層の間を通り、隣接する第１の導電体層の端部
に接続された第２の導電体層とを有する構成よりなる。
作用
本発明は上記構成により、薄膜で形成された熱流束計は
薄く構成することが可能であり、熱流束計全体の熱抵抗
が小さくなり、測定すべき部分の伝熱条件への影響が極
めて少なくなる。また温度差を測定する距離力（高熱起
電力材料の膜厚により決定されることか収 位置による
誤差が生じない等により、測定すべき部分の伝熱条件に
影響を与え慣 かつ誤差が抑制されも 実施例 以下に本発明による実施例を図面により説明すも 第１
図は本発明の第１の実施例であり、熱流束計の断面構成
を示すものであａ 絶縁性基板１１の片面にＣよ 第１の導電体層１２が多
数並んでおり２ その上部には高熱起電力材料層１３が
位置している。高熱起電力材料層１３の上部に（よ 第
２の導電体層１４が位置し 第２の導電体層１４は隣接
する第１の導電体層１２と電気的に結ばれている。導電
体層１２および１４の材料としては 電気抵抗の小さい
銅またはアルミニウムが用いられる。導電体層１２と高
熱起電力材料層１３との界面１５および高熱起電力材料
層１３と導電体層１４との界面１６は 真空装置内にお
いて順に成膜されるためへ 電気的および熱的な接触抵
抗は極めて小さし℃ 導電体層１４ｊ１膜厚方向に変形
した形状とする必要があるが、 ステップカバレージの
大きい成膜法を使用することで容易に形成可能であム
界面１５および１６以外の部分、つまり 高熱起電力材
料層１３の端部は 電気的に導電体層１４と導通しない
よう番ミ第１の絶縁層１７および第２の絶縁層１８が位
置している。絶縁層１７および１８（よ 測定する熱流
束への影響が少なくなるように 高熱起電力材料層１３
の熱伝導率と同等の熱伝導率を有する材料が用いられる
。したがって、各高熱起電力材料層１３（よ 導電体層
１２および１４を介して直列に接続されている。熱流束
計の上部１よ 絶縁性の保護膜１９で覆われている。各
部の膜厚１よ 導電体層１２および１４が数百から数千
人、高熱起電力材料層１３が数千人から数十ミクロンで
ある。
薄く構成することが可能であり、熱流束計全体の熱抵抗
が小さくなり、測定すべき部分の伝熱条件への影響が極
めて少なくなる。また温度差を測定する距離力（高熱起
電力材料の膜厚により決定されることか収 位置による
誤差が生じない等により、測定すべき部分の伝熱条件に
影響を与え慣 かつ誤差が抑制されも 実施例 以下に本発明による実施例を図面により説明すも 第１
図は本発明の第１の実施例であり、熱流束計の断面構成
を示すものであａ 絶縁性基板１１の片面にＣよ 第１の導電体層１２が多
数並んでおり２ その上部には高熱起電力材料層１３が
位置している。高熱起電力材料層１３の上部に（よ 第
２の導電体層１４が位置し 第２の導電体層１４は隣接
する第１の導電体層１２と電気的に結ばれている。導電
体層１２および１４の材料としては 電気抵抗の小さい
銅またはアルミニウムが用いられる。導電体層１２と高
熱起電力材料層１３との界面１５および高熱起電力材料
層１３と導電体層１４との界面１６は 真空装置内にお
いて順に成膜されるためへ 電気的および熱的な接触抵
抗は極めて小さし℃ 導電体層１４ｊ１膜厚方向に変形
した形状とする必要があるが、 ステップカバレージの
大きい成膜法を使用することで容易に形成可能であム
界面１５および１６以外の部分、つまり 高熱起電力材
料層１３の端部は 電気的に導電体層１４と導通しない
よう番ミ第１の絶縁層１７および第２の絶縁層１８が位
置している。絶縁層１７および１８（よ 測定する熱流
束への影響が少なくなるように 高熱起電力材料層１３
の熱伝導率と同等の熱伝導率を有する材料が用いられる
。したがって、各高熱起電力材料層１３（よ 導電体層
１２および１４を介して直列に接続されている。熱流束
計の上部１よ 絶縁性の保護膜１９で覆われている。各
部の膜厚１よ 導電体層１２および１４が数百から数千
人、高熱起電力材料層１３が数千人から数十ミクロンで
ある。
また 熱流束計全体の厚みも数十ミクロン程度である。
このように構成された熱流束計を、図面の上下方向に流
れる熱流束の測定に使用する。これにより、界面１５お
よび１６には熱流束に比例した温度差が生じる。界面１
５および１６は異種金属で形成されていることか仮 起
電力が生じる。このとき、高熱起電力材料層１３は直列
に並んでいることから、熱流束計の両端にＣｔ 高熱
起電力材料層１３の１つあたりの起電力に素子数を乗じ
た起電力が生じることになる。
れる熱流束の測定に使用する。これにより、界面１５お
よび１６には熱流束に比例した温度差が生じる。界面１
５および１６は異種金属で形成されていることか仮 起
電力が生じる。このとき、高熱起電力材料層１３は直列
に並んでいることから、熱流束計の両端にＣｔ 高熱
起電力材料層１３の１つあたりの起電力に素子数を乗じ
た起電力が生じることになる。
ここで、生じる起電力の値を示す。高熱起電力材料層１
３のゼーベック係数を１０ｍＶ／Ｋ、熱伝導率を５ Ｗ
／ ｍ Ｋ、膜厚を５μｍとする。熱流束をｑ、素子
数を１００とすると、起電力Ｅ ｔｉＥ＝１０−’・ｑ
（Ｖ） で与えられる。起電力を測定する電圧計の分解能を１０
μＶとすると、測定できる熱流束の分解能（よ ＩＯＷ
／ｍ２である。つまり、実用的な熱流束の測定に対して
充分な分解能を得ることができる。
３のゼーベック係数を１０ｍＶ／Ｋ、熱伝導率を５ Ｗ
／ ｍ Ｋ、膜厚を５μｍとする。熱流束をｑ、素子
数を１００とすると、起電力Ｅ ｔｉＥ＝１０−’・ｑ
（Ｖ） で与えられる。起電力を測定する電圧計の分解能を１０
μＶとすると、測定できる熱流束の分解能（よ ＩＯＷ
／ｍ２である。つまり、実用的な熱流束の測定に対して
充分な分解能を得ることができる。
一般的に使用されるｑ＝ １０００Ｗ／ｍ２における高
熱起電力材料層１３の両端の温度差１よ １１０１ｄｅ
であり、熱流束計の全体の温度差も同様に低Ｌｙ し
たがって、本発明による熱流速計を設置した場合に 熱
流速計設置による測定部の伝熱条件への影響はほとんど
生じなく、正確な熱流速が計測できる。また 界面１５
と１６の距離（よ 高熱起電力材料層１３の膜厚のみで
決定されることか収 測定位置による測定誤差は皆無に
等しく一以上のように本発明においては 高熱起電力材
料層および導電体層を薄く構成することにより、測定す
べき部分の伝熱条件に影響を与えず、かつ誤差のない熱
流束計が提供される。
熱起電力材料層１３の両端の温度差１よ １１０１ｄｅ
であり、熱流束計の全体の温度差も同様に低Ｌｙ し
たがって、本発明による熱流速計を設置した場合に 熱
流速計設置による測定部の伝熱条件への影響はほとんど
生じなく、正確な熱流速が計測できる。また 界面１５
と１６の距離（よ 高熱起電力材料層１３の膜厚のみで
決定されることか収 測定位置による測定誤差は皆無に
等しく一以上のように本発明においては 高熱起電力材
料層および導電体層を薄く構成することにより、測定す
べき部分の伝熱条件に影響を与えず、かつ誤差のない熱
流束計が提供される。
第２図は本発明の第２の実施例であり、熱流束計の断面
構成を示すものである。
構成を示すものである。
絶縁性基・板２１の片面に（よ 第１の導電体層２２が
多数並んでおり、その上部には一対のＰ型窩熱起電力材
料層２３とＮ型高熱起電力材料層２４が位置していも
高熱起電力材料層２３および２４の上部には第２の導電
体層２５が位置ＬＰ型嵩高熱起電力材料層３の上部に位
置する導電体層２５は隣接する第１の導電体層２２の上
部に位置するＮ型高熱起電力材料層２４と電気的に結ば
れている。まｆ−Ｎ型高熱起電力材料層２４の上部に位
置する導電体層２５は隣接する導電体層２２の上部に位
置するＰ型窩熱起電力材料層２３と電気的に結ばれてい
る。導電体層２２および２５の材料としては 電気抵抗
の小さい銅またはアルミニウムが用いられる。導電体層
２２および２５と高熱起電力材料層２３および２４との
界面２６から２９（友 真空装置内において成膜される
ためＣζ電気的および熱的な接触抵抗は極めて小さもも
界面２６から２９以外の部分ｃヨ 電気的に導通し
ないよう番二 第１の絶縁層３０および第２の絶縁層３
１が位置している。絶縁層３０および３１（上側室する
熱流束への影響が少なくなるように 高熱起電力材料層
２３および２４の熱伝導率と同等の熱伝導率を有する材
料が用いられる。したがって、各高熱起電力材料層２３
および２４（瓜 導電体層２２および２５を介して直列
に接続されている。熱流束計の上部（主 絶縁性の保護
膜３２で覆われている。各部の膜厚は 導電体層２２お
よび２５が数百から数千人、高熱起電力材料層２３およ
び２４が数千人から数十ミクロンである。また熱流速計
全体の厚みも数十ミクロン程度である。
多数並んでおり、その上部には一対のＰ型窩熱起電力材
料層２３とＮ型高熱起電力材料層２４が位置していも
高熱起電力材料層２３および２４の上部には第２の導電
体層２５が位置ＬＰ型嵩高熱起電力材料層３の上部に位
置する導電体層２５は隣接する第１の導電体層２２の上
部に位置するＮ型高熱起電力材料層２４と電気的に結ば
れている。まｆ−Ｎ型高熱起電力材料層２４の上部に位
置する導電体層２５は隣接する導電体層２２の上部に位
置するＰ型窩熱起電力材料層２３と電気的に結ばれてい
る。導電体層２２および２５の材料としては 電気抵抗
の小さい銅またはアルミニウムが用いられる。導電体層
２２および２５と高熱起電力材料層２３および２４との
界面２６から２９（友 真空装置内において成膜される
ためＣζ電気的および熱的な接触抵抗は極めて小さもも
界面２６から２９以外の部分ｃヨ 電気的に導通し
ないよう番二 第１の絶縁層３０および第２の絶縁層３
１が位置している。絶縁層３０および３１（上側室する
熱流束への影響が少なくなるように 高熱起電力材料層
２３および２４の熱伝導率と同等の熱伝導率を有する材
料が用いられる。したがって、各高熱起電力材料層２３
および２４（瓜 導電体層２２および２５を介して直列
に接続されている。熱流束計の上部（主 絶縁性の保護
膜３２で覆われている。各部の膜厚は 導電体層２２お
よび２５が数百から数千人、高熱起電力材料層２３およ
び２４が数千人から数十ミクロンである。また熱流速計
全体の厚みも数十ミクロン程度である。
このように構成された熱流束計を、図面の上下方向に流
れる熱流束の測定に使用す４ これにより、界面２６と
２７の間および界面２８と２９の間には熱流束に比例し
た温度差が生じる。界面２６から２９は異種金属で形成
されていることから、起電力が生じる。このとき、高熱
起電力材料層２３と２４は直列よ かつ、交互に並んで
いることか収 熱流束計の両端に（よ 高熱起電力材料
層２３および２４の１つあたりの起電力に素子数を乗じ
た起電力が生じることになる。用いる高熱起電力材料層
２３と２４の物性値（よ ゼーベック係数の正負が逆以
外はすべて等しいことが望ましい力丈多少異なっていて
も測定された起電力から正確な熱流束を算出することは
容易であム ここで、生じる起電力の値を示す。高熱超電力材料層２
３と２４の物性が等しいとして、ゼーベック係数を±１
０ｍＶ／Ｋ、熱伝導率を５ Ｗ ／ ｍＫ、膜厚を５μ
ｍとする。熱流束をｑ、素子数を１００とすると、起電
力Ｅ（よ Ｅ＝１０−’・ｑ （Ｖ） で与えられる。起電力を測定する電圧計の分解能を１０
μＶとすると、測定できる熱流束の分解能ＥＬ １０
Ｗ／ｍ２である。つまり、実用的な熱流束の測定に対し
て充分な分解能を得ることができる。
れる熱流束の測定に使用す４ これにより、界面２６と
２７の間および界面２８と２９の間には熱流束に比例し
た温度差が生じる。界面２６から２９は異種金属で形成
されていることから、起電力が生じる。このとき、高熱
起電力材料層２３と２４は直列よ かつ、交互に並んで
いることか収 熱流束計の両端に（よ 高熱起電力材料
層２３および２４の１つあたりの起電力に素子数を乗じ
た起電力が生じることになる。用いる高熱起電力材料層
２３と２４の物性値（よ ゼーベック係数の正負が逆以
外はすべて等しいことが望ましい力丈多少異なっていて
も測定された起電力から正確な熱流束を算出することは
容易であム ここで、生じる起電力の値を示す。高熱超電力材料層２
３と２４の物性が等しいとして、ゼーベック係数を±１
０ｍＶ／Ｋ、熱伝導率を５ Ｗ ／ ｍＫ、膜厚を５μ
ｍとする。熱流束をｑ、素子数を１００とすると、起電
力Ｅ（よ Ｅ＝１０−’・ｑ （Ｖ） で与えられる。起電力を測定する電圧計の分解能を１０
μＶとすると、測定できる熱流束の分解能ＥＬ １０
Ｗ／ｍ２である。つまり、実用的な熱流束の測定に対し
て充分な分解能を得ることができる。
一般的に使用されるｑ ＝ ］、 ０００ Ｗ／ｍ２に
おける高熱起電力材料層２３および２４の両端の温度差
１；１ １０−”ｄｅｇであり、熱流束計の全体の温度
差も同様に低Ｌｙ したがって、本発明による熱流束
計を設置した場合に 熱流束計設置による測定部の伝熱
条件への影響はほとんど生じなく、正確な熱流束が計測
できる。また 界面２６と２７の距離および界面２８と
２９の距離（友 高熱起電力材料層２３および２４の膜
厚のみで決定されることか収 膜厚の分布を制御するこ
とにより、測定位置による測定誤差は皆無に等しく一 以上のように本発明において（よ 高熱起電力材料層お
よび導電体層を薄く構成することにより、測定すべき部
分の伝熱条件に影響を与えず、かつ誤差のない熱流束計
が提供される。
おける高熱起電力材料層２３および２４の両端の温度差
１；１ １０−”ｄｅｇであり、熱流束計の全体の温度
差も同様に低Ｌｙ したがって、本発明による熱流束
計を設置した場合に 熱流束計設置による測定部の伝熱
条件への影響はほとんど生じなく、正確な熱流束が計測
できる。また 界面２６と２７の距離および界面２８と
２９の距離（友 高熱起電力材料層２３および２４の膜
厚のみで決定されることか収 膜厚の分布を制御するこ
とにより、測定位置による測定誤差は皆無に等しく一 以上のように本発明において（よ 高熱起電力材料層お
よび導電体層を薄く構成することにより、測定すべき部
分の伝熱条件に影響を与えず、かつ誤差のない熱流束計
が提供される。
発明の効果
以上の実施例から明らかなように本発明によれは 絶縁
性基板の上に形成された複数個の第１の導電体層と、 その複数個のそれぞれの第１の導電体層の上に形成され
た複数個の高熱起電力材料層と、その複数個のそれぞれ
の高熱起電力材料層の一方の側面端部に形成された第１
の絶縁層と他方の側面端部に形成されかつその一方の端
部が前述の複数個の第１の導電体層の間を通り前述の絶
縁性基板に延びた第２の絶縁層と、 前述の複数個のそれぞれの高熱起電力材料層の上に形成
されかつその一方の端部が、 隣接する高熱起電力材料
層とそれぞれ直列に接続するために前述の第１および第
２の絶縁層の間を通り、隣接する第１の導電体層の端部
に接続された第２の導電体層とを有する構成よりなるの
で、熱抵抗が小さく、測定すべき部分の伝熱条件への影
響が極めて少なくて、正確な測定ができて、温度差を測
定する距離が高熱起電力材料層の膜厚により決定されて
、位置による誤差が生じなｔ、ｋ 小型へ 正確な熱
流束計を提供できる。
性基板の上に形成された複数個の第１の導電体層と、 その複数個のそれぞれの第１の導電体層の上に形成され
た複数個の高熱起電力材料層と、その複数個のそれぞれ
の高熱起電力材料層の一方の側面端部に形成された第１
の絶縁層と他方の側面端部に形成されかつその一方の端
部が前述の複数個の第１の導電体層の間を通り前述の絶
縁性基板に延びた第２の絶縁層と、 前述の複数個のそれぞれの高熱起電力材料層の上に形成
されかつその一方の端部が、 隣接する高熱起電力材料
層とそれぞれ直列に接続するために前述の第１および第
２の絶縁層の間を通り、隣接する第１の導電体層の端部
に接続された第２の導電体層とを有する構成よりなるの
で、熱抵抗が小さく、測定すべき部分の伝熱条件への影
響が極めて少なくて、正確な測定ができて、温度差を測
定する距離が高熱起電力材料層の膜厚により決定されて
、位置による誤差が生じなｔ、ｋ 小型へ 正確な熱
流束計を提供できる。
第１図は本発明の第１の実施例の熱流束計の断面医 第
２図は本発明の第２の実施例の熱流束計の断面医 第３
図は従来の熱流束計の斜視図であム １１・・・絶縁性基板、１２・・・第１の導電体層 １
３・・・高熱起電力材料層１４・・・第２の導電体層Ｉ
７・・・第１の絶縁層 １８・・・第２の絶縁胤 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第 図 第 図
２図は本発明の第２の実施例の熱流束計の断面医 第３
図は従来の熱流束計の斜視図であム １１・・・絶縁性基板、１２・・・第１の導電体層 １
３・・・高熱起電力材料層１４・・・第２の導電体層Ｉ
７・・・第１の絶縁層 １８・・・第２の絶縁胤 代理人の氏名 弁理士 小鍜治 明 ほか２名第 図 第 図
Claims (4)
- （１）絶縁性基板上に形成された複数個の第１の導電体
層と、 その複数個のそれぞれの第１の導電体層の上に形成され
た複数個の高熱起電力材料層と、 その複数個のそれぞれの高熱起電力材料層の一方の側面
端部に形成された第１の絶縁層と他方の側面端部に形成
されかつその一方の端部が前記複数個の第１の導電体層
の間を通り前記絶縁性基板に延びた第２の絶縁層と、 前記複数個のそれぞれの高熱起電力材料層の上に形成さ
れかつその一方の端部が、隣接する高熱起電力材料層と
それぞれ直列に接続するために前記第１および第２の絶
縁層の間を通り、隣接する第１の導電体層の端部に接続
された第２の導電体層とを有する熱流束計。 - （２）絶縁性基板上に形成された複数個の第１の導電体
層と、 その第１の導電体層の上に、それぞれ一つの第１の導電
体層の上にＰ型およびＮ型の一対が一定の間隙をあけて
並ぶように順次Ｐ型およびＮ型の対が繰り返して形成さ
れた複数個の高熱起電力材料層と、 そのＰ型およびＮ型の高熱起電力材料層の間に形成され
かつ一方の端部が前記第１の導電体層の間を通り前記絶
縁性基板に延びた第１の絶縁層と一方の端部が前記高熱
起電力材料層の表面より上に延びた第２の絶縁層と、 その高熱起電力材料層の表面より上に延びた第２の絶縁
層の間の、前記第１の絶縁層を挟んで、隣接する第１の
導電体層上に形成されたＰ型およびＮ型の高熱起電力材
料層の上に、その隣接するＰ型およびＮ型の高熱起電力
材料層を直列に接続するため連続して形成された複数個
の第２の導電体層とを有する熱流束計。 - （３）第１および第２の絶縁層の熱伝導率を高熱起電力
材料層の熱伝導率と同等にした請求項１または２記載の
熱流束計。 - （４）第２の導電体層を含む表面を保護膜で覆った請求
項１、２または３記載の熱流束計。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2236787A JPH04115581A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 熱流束計 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2236787A JPH04115581A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 熱流束計 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04115581A true JPH04115581A (ja) | 1992-04-16 |
Family
ID=17005791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2236787A Pending JPH04115581A (ja) | 1990-09-05 | 1990-09-05 | 熱流束計 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04115581A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7699520B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro heat flux sensor array |
| WO2018008440A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 株式会社デンソー | 熱流束センサモジュールおよびその製造方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5565124A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Mitsubishi Atom Power Ind Inc | Thermal flow flux meter |
| JPS59154331A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-03 | Toshiba Corp | 放射熱流束計 |
| JPS59198784A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-11-10 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 熱電デバイス及びその製法 |
| JPS6384171A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 熱電変換素子 |
| JPS63102382A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜型熱電変換素子モジユ−ルの製造方法とその構造体 |
| JPS63110778A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 熱電素子の製造方法 |
| JPH01183862A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層熱電素子およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-09-05 JP JP2236787A patent/JPH04115581A/ja active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5565124A (en) * | 1978-11-10 | 1980-05-16 | Mitsubishi Atom Power Ind Inc | Thermal flow flux meter |
| JPS59154331A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-03 | Toshiba Corp | 放射熱流束計 |
| JPS59198784A (ja) * | 1983-04-07 | 1984-11-10 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 熱電デバイス及びその製法 |
| JPS6384171A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Toshiba Corp | 熱電変換素子 |
| JPS63102382A (ja) * | 1986-10-20 | 1988-05-07 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 薄膜型熱電変換素子モジユ−ルの製造方法とその構造体 |
| JPS63110778A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 熱電素子の製造方法 |
| JPH01183862A (ja) * | 1988-01-18 | 1989-07-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層熱電素子およびその製造方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7699520B2 (en) | 2006-02-03 | 2010-04-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro heat flux sensor array |
| US8104952B2 (en) | 2006-02-03 | 2012-01-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Micro heat flux sensor array |
| WO2018008440A1 (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 株式会社デンソー | 熱流束センサモジュールおよびその製造方法 |
| JP2018004475A (ja) * | 2016-07-04 | 2018-01-11 | 株式会社デンソー | 熱流束センサモジュールおよびその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6508585B2 (en) | Differential scanning calorimeter | |
| US7175343B2 (en) | Multi-element thermocouple | |
| KR100690926B1 (ko) | 마이크로 열유속 센서 어레이 | |
| EP0349618B1 (en) | Heat flux gage | |
| JP5619183B2 (ja) | 熱計測値を供給するように計装されたタービン構成部品 | |
| WO2021176793A1 (ja) | サーモパイル型センサ | |
| JPH04115581A (ja) | 熱流束計 | |
| JP5056086B2 (ja) | 熱式センサ | |
| CN106918398B (zh) | 一种电脑cpu用测温热电偶结构 | |
| CN111157573B (zh) | 薄膜热导率的测量装置及测量方法 | |
| JP2000055743A (ja) | 多点計測平均温度計 | |
| JPH0552666A (ja) | 平面測温センサー | |
| CN109470365B (zh) | 一种校准显微红外热像仪的器件及校准方法 | |
| JPH118417A (ja) | 熱電素子 | |
| KR101825461B1 (ko) | 열전효과를 이용하는 온-웨이퍼 전력공급장치 및 그 제조방법 | |
| JPS62139339A (ja) | 測温ウエハ | |
| JP2008157892A (ja) | 電流検出器、電流検出用具及び電流検出方法 | |
| Kleiner et al. | Thermal conductivity of thin silicon dioxide films in integrated circuits | |
| TW201923320A (zh) | 熱通量感測器及熱量計測裝置 | |
| JPH0584867B2 (ja) | ||
| JPH0643906B2 (ja) | フローセンサ | |
| JP3284731B2 (ja) | 配線評価装置およびその使用方法 | |
| KR20090079423A (ko) | 열전달률 측정 소자 | |
| KR20000059127A (ko) | 온도 측정용 웨이퍼 제작방법 및 이 웨이퍼를 이용한온도측정 방법 | |
| KR102119757B1 (ko) | 다층 저항-열전식 온도측정 웨이퍼 센서 및 그 제조 방법 |