JPH04112577A - 導電パターンの修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、たとえば密着型イメージセンナの複数の充電
変換素子毎の個別電極などの導電パターンを修正する方
法に関する。

［従来の技術］ 例えばファクシミリ通信装置などにおいて、原稿像を読
み取るに際して密着型イメージセンサが用いられている
。密着型イメージセンサは、比較的長尺のイメージセン
ナを原稿面に密着させ、当該センサに配置された光源が
原稿面を照射し、その反射光を多数の光電変換素子列で
充電変換し、画像信号を得るようにしている。

第２図は、本発明の基礎となる密着型イメージセンサ（
以下イメージセンサと略す）１の斜視図であり、第３図
は第２区の切断面線■−■から見た断面Ｚである。第２
図および第３図は従来技術および実施例において共通に
参照する。イメージセンサ１は、透明なガラス基板２の
板面上にクロムＣｒ、アルミニウムＡ１などから成る共
通電極層３を形成し、この共通電極層３を被覆し、かつ
カラス基板２のほぼ全体に亘ってアモルファスシリコン
ａ−Ｓｉから成る光電変換層４を、たとえばグロー放電
分解法により形成する。

さらに光電変換層４の上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物
）などの透明な導電性材料から成る透明電極５およびク
ロム、アルミニウムなどから成る金属層６を順次積層す
ると共に、エツチング処理を施し、所要形状の個別電極
層７を構成する。また、共通電極層３、光電変換層４お
よび透明を極５には個別電極層７毎に、光通過孔８を形
成し、個々の読取り素子９が構成される。この上には接
着剤層２０を介して保護ガラス２１が被着される。

すなわち、前記ガラス基板２に間して、共通電極層３と
は反対側に配置される光源１０からの光は、ガラス基板
２および光通過孔８を介して、原稿１１を照射し、その
反射光によって共通電極層３および個別電極７との間に
電流が流れ、画像が読取られる。

このとき隣接する個別電極層７の間に第５図の基本的構
成を示す区に示されるように、個別電極層７を形成する
際のエツチング処理において、透明電極５や金属層６を
構成する材料が残留して残留片１２が形成され、隣接す
る個別電極層７の間で短絡を生じてしまう場合がある。

その原因は、■エツチング処理に先立つマスク形成時に
用いられるホトレジスト中に、塵埃や微少な金属粒子な
どの異物が混入し、当該異物がガラス基板２のほぼ全面
に■って形成されているＩＴＯ膜や、クロム、アルミニ
ウムなどからなる成る金属膜上に残留し、透明電極５お
よび金属層６をパターン形成する際に異物の箇所がエツ
チング不十分となり。

異物に対応する部分の工Ｔ○膜や金属膜が残留し、前記
異物を含んで残留片１２が形成される。■前述した異物
によるホトレジストの局所的露光不足により、前記残留
片１２を生じる。■異物の混入によりホトレジストが局
所的に厚くなり、ホトレジストが現像不足となり、これ
により前述した残留片１２が生じる、などが挙げられる
。

このような残留片１２を除去するために従来では、 （方法１）ガラス基板２上に再びホトレジストを塗布し
、局所的な露光を行い、金属層６を構成するクロムやア
ルミニウムのエツチングおよび透明９ｗ１５を形成する
ＩＴＯのエツチングを行い、前記残留片１２をエツチン
グにより除去する。

（方法２）レーザ光線を残留片１２に照射し、残留片１
２を切断して除去する。

［発明が解決しようとする課題］ 上記従来例では、下記のような問題点を有している。

（方法１）ホトレジストの再塗布、局所露光、現像、ア
ルミニウムのエツチング処理、クロムのエツチング処理
、ＩＴＯのエツチング処理、不要部分のホトレジストの
剥離処理および洗滌処理などと多大な工数を要し、また
長時間を要してしまう。

（方法２）レーザ光を用いる場合では、短時間で第７図
に示されるように残留片１２を除去してパターンの修正
処理を行うことができる。しかしながら、第８図の断面
Ｚに示されるように、レーザ光によりクロムやアルミニ
ウム膜およびＩＴＯ膜を除去するに止まらず、光電変換
層４の照射部分を溶解し、露出面４ａ、４ｂ付近は低抵
抗となり、これにより共通電極層３と個別電極層７との
間で暗電流が増加し、画像読み取り処理上の信頼性が低
下してしまうことになる。

本発明の目的は、上述の技術的課題を解消し、積層体の
除去処理を行うことができる導電パターンの修正方法を
提供することである。

［課題を解決するための手段］ 本発明は、基体上にインジウム錫酸化物から成る第１層
と導電膜または絶縁膜のいずれか一方から成る第２層と
を積層した積層体をエツチング手法により所要パターン
に形成した後、第１層および／または第２層から成る不
要な積層体部を加熱手段によって局部的に加熱し、第１
層もしくは第２層の少なくともいずれか一方を脆弱化さ
せて除去することを特徴とする導電パターンの修正方法
である。

［作　用］ 本発明に従えば、基体上にインジウム錫酸化物から成る
第１層と、第１層上に形成される導電膜または絶縁膜の
いずれか一方から成る第２層とから成る積層体を、エツ
チング手法により所要パターンに形成する。前記パター
ンの間に前記積層体から成る残留物が存するときには、
加熱手段により局部的に加熱し、第１層もしくは第２層
の少なくともいずれか一方を脆弱化させて残留物を除去
する。

これにより、基体上の残留物を除去するに当たって、積
層体から成る残留物のみを除去することができ、基体に
悪影響を及ぼすことなく残留物のみを除去することがで
きるという除去処理が可能となる。

［実施例］ 第１図は、本発明の一実施例に用いられる加熱袋２１３
のブロックＸであり、第２図および第３図は本発明の基
礎となる構成のイメージセンサ１の斜視刃および第２図
の切断面線■−■から見た断面Ｚである。加熱装置１３
は、第２図および第３図示のように形成されたイメージ
センサ１において、後述するような残留物の除去処理を
行う際に用いられる。加熱装置１３は加熱用治具１４と
、加熱用治具１４への通電量を制御し、加熱用治具１４
における発熱量を所望の程度に制御する温度１１１ｆ１
ｉ装置Ｆ１５とを備える。

加熱用治具１４は、保持部１６と、温度制御装置１５に
接続コード１７を介して接続された電熱体を収納する発
熱部１８と、発熱部１８に一体に構成され、発熱部１８
からの熱が伝達されて後述する除去作業を行う銅なとか
ら成る先細（先端は例として断面が７字型または５０μ
ｍＸ１５０μｍの角状）の作業部１９とを含んで構成さ
れる。

第４図はイメージセンサ１の製造工程を説明する工程図
である。第３図を併せて参照して、工程ａ１では透明な
ガラス基板２の板面上にクロムＣｒ、アルミニウムＡ１
などから成る共通電極層３を形成し、工程ａ２ではこの
共通電極層３を被覆し、かつガラス基板２のほぼ全体に
亘ってアモルファスシリコンａ−８ｔから成る光電変換
層４を、たとえばグロー放電分解法により形成する。工
程ａ３では、さらに光電変換層４の上にＩＴＯ（インジ
ウムスズ酸化物）などの透明な導電性材料かた成る透明
電極５を形成し、工程ａ４ではクロム、アルミニウムな
どから成る金属層６を順次積層する。工程ａ５では、こ
れらの積層体にエツチング処理を施し、所要形状の透明
電極５および金属層６から成る個別電極層７を構成する
。

また、共通電極層３、光電変換層４および透明電極５に
は個別電極Ｎ７毎に、光通過孔８を形成し、個々の読取
り素子９が構成される。すなわち、前記ガラス基板２に
間して、共通電極層３とは反対側に配置される光源１０
からの光は、ガラス基板２および光通過孔８を介して、
原稿１１を照射し、その反°射光によって共通電極層３
および個別を極７との闇に電流が流れ、画像が読取られ
る。

工程ａ６では、工程ａ５のエツチング処理によって形成
された個別電極層７に対して個別電極層７間の短絡や切
断などの異常の有無を検査する。

そのときエツチング処理に用いられるホトレジストの微
細片やクロム、アルミニウム、ＩＴＯの微細片および塵
埃などが、エツチング処理以前に光電変換層４上でガラ
ス基板２のほぼ全面に亘って形成される透明電極５や金
属層６上もしくはその中に残留し、この部分に関して従
来技術で説明した■項〜■項の理由により、第５図に示
される残留片１２が形成される。残留片１２は第６図に
示されるように、前記透明電極５や金属層６から成る積
層体がエツチング処理されることなく残留している構成
である。

このような残留片１２が前記ａ６のパターン検査工程で
検出された場合、工程ａ７で修正処理を行う１本実施例
の修正処理は第１ｘ示の加熱装置１３を用いる。すなわ
ち温度制御装置１５の制御作用により、加熱用治具１４
の作業部１９を２００℃〜３５０℃に昇温し、残留片１
２に１秒〜１０秒間接触させる。前述したように残留片
１２は、下層がＩＴＯなどから成る透明電極層であり、
上層がクロム、アルミニウムなどから成る金属層である
。ＩＴＯ膜は形成時は非晶質状態であり、前記・温度に
加熱されることにより結晶化して脆弱化する。したがっ
て脆弱化した部分に対応する前記金属層は容易に剥離さ
れ、除去できる。このような除去された残留片１２は、
作業部１９の先端に付着して取除くことができる。この
ようにして前記工程ａ７の修正処理が終了し、工程ａ８
で完成品が得られる。

このようにして本実施例は１秒〜１０秒程度の比較的短
時間で、個別電極層７に関するパターン修正を行うこと
ができ、しかもレーザー光発生装置やエツチング装置、
露光装置などの装置が不要となり、イメージセンサ１の
製造工程を簡略化することができる。またこの加熱によ
る残留片１２の除去は、充電変換層４に損傷を与えるこ
となく実現される。このため、得られるイメージセンサ
１の品質が安定化し、動作上の信頼性が向上する。

すなわち本実施例は、ガラス基板２上の個別電極層７の
パターン修正に関して、透明電極５と金属層６との積層
体から成る残留片１２のみを除去することができる高精
度の除去作業を達成できるものである。

前記実施例において、ＩＴＯから成る透明電極５上に積
層されるのは、たとえばシリコンカーバイト５ｉＣ１窒
化シリコン５ｉｓＮ＜または酸化シリコン５ｉＯｚなど
の絶縁膜であってもよく、この場合でも下層のＩＴＯの
所定箇所を局部的に加熱することにより、パターンの修
正を行うことができる。：！た１７０層とたとえば金属
層６との積層順序は前記実施例と逆であってもよい。本
発明において、除去される層は前記実施例において、透
明電極５と金属層６とのいずれか一方であってもよい。

［発明の効果］ 以上のように本発明に従えば、パターンの間に前記積層
体から成る残留物が存するときには、加熱手段により局
部的に加熱し、第１層もしくは第２層の少なくともいず
れか一方を脆弱化させて残留物を除去する。これにより
、基体上の残留物を除去するに当たって、積層体から成
る残留物のみを除去することができ、基体に悪影響を及
ぼすことなく残留物のみを除去することができるという
高精度の除去処理が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例に用いられる加熱装置１３の
ブロック図、第２図は本発明の基礎となる構成のイメー
ジセンサ１の斜視図、第３図は第２図の切断面線■−■
から見た断面図、第４図は本実施例の製造工程を説明す
る工程図、第５図は残留片１２を説明する平面図、第６
図は第５図の切断面線■−■から見た断面図、第７図は
残留片１２の除去作用？説明する平面図、第８図は第７
図の切断面線■−■から見た断面図である。 １・・・イメージセンサ、４・・・光電変換層、５・・
・透明ｔｆ！、６・・・金属層、７・・・個羽ｔｉ層、
１２・・・残留片、１３・・・加熱装置 代理人　　弁理士　西較　圭一部 、１１ 第 図 ／１ 第５ 図 第６ 図 第 図 第８ 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基体上にインジウム錫酸化物から成る第１層と導電膜ま
   たは絶縁膜のいずれか一方から成る第２層とを積層した
   積層体をエッチング手法により所要パターンに形成した
   後、第１層および／または第２層から成る不要な積層体
   部を加熱手段によって局部的に加熱し、第１層もしくは
   第２層の少なくともいずれか一方を脆弱化させて除去す
   ることを特徴とする導電パターンの修正方法。