JPH04109569A - 電気回路部材 - Google Patents
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- JPH04109569A JPH04109569A JP2225085A JP22508590A JPH04109569A JP H04109569 A JPH04109569 A JP H04109569A JP 2225085 A JP2225085 A JP 2225085A JP 22508590 A JP22508590 A JP 22508590A JP H04109569 A JPH04109569 A JP H04109569A
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Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は電気回路部材に関する。
本発明は、たとえば電気回路部品どうしを電気的に接続
して構成される電気回路部材を封止してなる電気回路装
置に適用される。
して構成される電気回路部材を封止してなる電気回路装
置に適用される。
[従来の技術]
従来、電気回路部品どうしを電気的に接続して構成され
る電気回路部材を封止してなる電気回路装置における電
気回路部品どうしの電気的接続に関する技術としては、
以下に述べる技術が知られている。
る電気回路部材を封止してなる電気回路装置における電
気回路部品どうしの電気的接続に関する技術としては、
以下に述べる技術が知られている。
■ワイヤーボンディング方法
第11図及び第12図はワイヤーボンディング方法によ
って接続され、封止された半導体装置の代表例を示して
おり、以下、第11図及び第12図に基づきワイヤーボ
ンディング方法を説明する。
って接続され、封止された半導体装置の代表例を示して
おり、以下、第11図及び第12図に基づきワイヤーボ
ンディング方法を説明する。
この方法は、Agペースト3等を用いて半導体素子4を
素子搭載部2に固定支持し、次いで、半導体素子4の接
続部5と、リードフレーム1の所望の接続部6とを金等
の極細金属線7を用いて電気的に接続する方法である。
素子搭載部2に固定支持し、次いで、半導体素子4の接
続部5と、リードフレーム1の所望の接続部6とを金等
の極細金属線7を用いて電気的に接続する方法である。
接続後にトランスファーモールド法等の方法でエポキシ
樹脂等の熱硬化性樹脂8を用いて半導体素子4とリード
フレーム1を封止し、その後、樹脂封止部品から外に延
びたリードフレーム1の不要部分を切断し、所望の形に
曲げ、半導体装置9を作る。
樹脂等の熱硬化性樹脂8を用いて半導体素子4とリード
フレーム1を封止し、その後、樹脂封止部品から外に延
びたリードフレーム1の不要部分を切断し、所望の形に
曲げ、半導体装置9を作る。
■T A B (Tape Automated Bo
nding)法(例えば、特開昭59−139636号
公報参照)第13図はTAE法により接続され、封止さ
れた半導体装置の代表例を示す。
nding)法(例えば、特開昭59−139636号
公報参照)第13図はTAE法により接続され、封止さ
れた半導体装置の代表例を示す。
この方法は、テープキャリア方式による自動ボンディン
グ法である。この方法を第13図に基づいて説明する。
グ法である。この方法を第13図に基づいて説明する。
キャリアフィルム基板16と半導体素子4とを位置決め
した後、キャリアフィルム基板16のインナーリード部
17と半導体素子4の接続部5とを熱圧着することによ
り接続する方法である。接続後にエポキシ樹脂等の熱硬
化性の樹脂20.21で封止し、半導体装置9とする。
した後、キャリアフィルム基板16のインナーリード部
17と半導体素子4の接続部5とを熱圧着することによ
り接続する方法である。接続後にエポキシ樹脂等の熱硬
化性の樹脂20.21で封止し、半導体装置9とする。
■CCB (Controlled Co11apse
Boncling)法(例えば、特公昭42−209
6号公報、特開昭60=57944号公報参照) 第14図はCCB法によって接続封止された半導体装置
の代表例を示す。この方法を第14図に基づき説明する
。なお、本方法はフリップチップボンディング法とも言
われている。
Boncling)法(例えば、特公昭42−209
6号公報、特開昭60=57944号公報参照) 第14図はCCB法によって接続封止された半導体装置
の代表例を示す。この方法を第14図に基づき説明する
。なお、本方法はフリップチップボンディング法とも言
われている。
半導体素子4の接続部5に予め半田バンブ31を設け、
半田バンブ31が設けられた半導体素子4を回路基板3
2上に位置決めして搭載する。その後、半田を加熱溶融
することにより回路基板32と半導体素子4とを接続さ
せ、フラックス洗浄後封止して半導体装置9を作る。
半田バンブ31が設けられた半導体素子4を回路基板3
2上に位置決めして搭載する。その後、半田を加熱溶融
することにより回路基板32と半導体素子4とを接続さ
せ、フラックス洗浄後封止して半導体装置9を作る。
■第15図及び第16図に示す方法
第1の半導体素子4の接続部5以外の部分にポリイミド
等よりなる絶縁膜71を形成せしめ、接続部5にはAu
等よりなる金属材70を設け、次いで、金属材70及び
絶縁膜71の露出面73゜72を平らにする。一方、第
2の半導体素子4゜の接続部5′以外の部分にポリイミ
ド等よりなる絶縁膜71′を形成し、接続部5°にはA
u等よりなる金属材70゛を設け、次いで金属材70′
及び絶縁膜71°の露出面73’ 、72′を平坦にす
る。
等よりなる絶縁膜71を形成せしめ、接続部5にはAu
等よりなる金属材70を設け、次いで、金属材70及び
絶縁膜71の露出面73゜72を平らにする。一方、第
2の半導体素子4゜の接続部5′以外の部分にポリイミ
ド等よりなる絶縁膜71′を形成し、接続部5°にはA
u等よりなる金属材70゛を設け、次いで金属材70′
及び絶縁膜71°の露出面73’ 、72′を平坦にす
る。
その後、第16図に示すように第1の半導体素子4と第
2の半導体素子4゛とを位置決め後熱圧着することによ
り、第1の半導体素子4の接続部5と第2の半導体素子
4゛の接続部5゛とを、金属材70,70°を介して接
続する。
2の半導体素子4゛とを位置決め後熱圧着することによ
り、第1の半導体素子4の接続部5と第2の半導体素子
4゛の接続部5゛とを、金属材70,70°を介して接
続する。
■第17図に示す方法
第1の回路基板75と第2の回路基板75° との間に
、絶縁物質77中に導電粒子79を分散させた異方性導
電膜78を介在させ、第1の回路基板75と第2の回路
基板75°とを位置決めした後、加圧、もしくは加圧・
加熱し、第1の回路基板75の接続部76と第2の回路
基板75゛の接線部76゛とを接続する方法である。
、絶縁物質77中に導電粒子79を分散させた異方性導
電膜78を介在させ、第1の回路基板75と第2の回路
基板75°とを位置決めした後、加圧、もしくは加圧・
加熱し、第1の回路基板75の接続部76と第2の回路
基板75゛の接線部76゛とを接続する方法である。
■第18図に示す方法
第1の回路基板75と第2の回路基板75゛との間に、
Fe、Cu等よりなる金属線82が一定方向に向けて配
されている絶縁物質81からなるエラスチックコネクタ
ー83を介在させ、第1の回路基板75と第2の回路基
板75゛ とを位置決めした後加圧し、第1の回路基板
75の接続部76と第2の回路基板75゛の接続部76
°とを接続する方法である。
Fe、Cu等よりなる金属線82が一定方向に向けて配
されている絶縁物質81からなるエラスチックコネクタ
ー83を介在させ、第1の回路基板75と第2の回路基
板75゛ とを位置決めした後加圧し、第1の回路基板
75の接続部76と第2の回路基板75゛の接続部76
°とを接続する方法である。
[発明が解決しようとする課題]
しかしながら、従来の前記ボンディング法には以下のよ
うな問題点がある。
うな問題点がある。
■ワイヤーボンディング法
■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内部に配置
するように設計すると、極細金属線7は、その線径が極
めて小さいため、半導体素子4の外周縁部10あるいは
リードフレームの素子搭載部2の外周縁部11に接触し
易くなる。極細金属線7がこれら外周縁部lOあるいは
11に接触すると電気的に短絡する。さらに、極細金属
縁7の長さを長くせざるをえず、このためトランスファ
ーモールド成形時に極細金rr4線7が変形しやすくな
り、この変形が大きいときには、極細金属線7同士が接
触し電気的に短絡する。
するように設計すると、極細金属線7は、その線径が極
めて小さいため、半導体素子4の外周縁部10あるいは
リードフレームの素子搭載部2の外周縁部11に接触し
易くなる。極細金属線7がこれら外周縁部lOあるいは
11に接触すると電気的に短絡する。さらに、極細金属
縁7の長さを長くせざるをえず、このためトランスファ
ーモールド成形時に極細金rr4線7が変形しやすくな
り、この変形が大きいときには、極細金属線7同士が接
触し電気的に短絡する。
従って、半導体素子4の接続部5は半導体素子4上の周
辺に配置する必要が生じ、回路設計上の制限を受けざる
をえな(なる。
辺に配置する必要が生じ、回路設計上の制限を受けざる
をえな(なる。
■半導体素子4とリードフレーム1とを極細金属線7で
接続するため、接続に必要な水平方向の広がりを必要と
し、これを小さくしようとすると上記■で述べた短絡が
生じる。よって、ワイヤーボンディング法では、接続に
必要な水平方向の大きさを小さくすることはできず、高
密度の実装には不向きである。
接続するため、接続に必要な水平方向の広がりを必要と
し、これを小さくしようとすると上記■で述べた短絡が
生じる。よって、ワイヤーボンディング法では、接続に
必要な水平方向の大きさを小さくすることはできず、高
密度の実装には不向きである。
■ワイヤーボンディング法においては、隣接する極細金
属縁7同士の接触を避けるためには半導体素子4上の接
続部のピッチ寸法(隣接する接続部の中心間距離)とし
である程度の間隔をとらざるを得ない。従って、半導体
素子4の大きさが決まれば必然的に接続部5の最大数が
決まる。しかして、ワイヤーボンディング法では、この
ピッチ寸法が通常0.2mm程度と大きいので、接続部
の数は少な(せざるを得な(なる。
属縁7同士の接触を避けるためには半導体素子4上の接
続部のピッチ寸法(隣接する接続部の中心間距離)とし
である程度の間隔をとらざるを得ない。従って、半導体
素子4の大きさが決まれば必然的に接続部5の最大数が
決まる。しかして、ワイヤーボンディング法では、この
ピッチ寸法が通常0.2mm程度と大きいので、接続部
の数は少な(せざるを得な(なる。
■ワイヤーボンディング作業に時間がかかる。
特に、接続点数が多くなるとボンディング時間が長くな
り生産効率が悪くなる。
り生産効率が悪くなる。
■何らかの要因でトランスファーモールド条件の許容範
囲を越すと、極細金属線7が変形したり最悪の場合には
切断したりする。
囲を越すと、極細金属線7が変形したり最悪の場合には
切断したりする。
また、半導体素子4上の接続部5においては、極細金属
線7と合金化されないA1が露出しているためA1腐食
が生じ易くなり、信頼性の低下が生じる。
線7と合金化されないA1が露出しているためA1腐食
が生じ易くなり、信頼性の低下が生じる。
■TAB法
■半導体素子4の接続部5を半導体素子4の内側に位置
するように設計すると、キャリアフィルム基板16のイ
ンナーリード部17の長さでか長くなるため、インナー
リード部17が変形し易くなり、インナーリード部を所
望の接続部5に接続できなかったり、インナーリード部
17が半導体素子4の接続部5以外の部分に接触したり
する。
するように設計すると、キャリアフィルム基板16のイ
ンナーリード部17の長さでか長くなるため、インナー
リード部17が変形し易くなり、インナーリード部を所
望の接続部5に接続できなかったり、インナーリード部
17が半導体素子4の接続部5以外の部分に接触したり
する。
これを避けるためには半導体素子4の接続部5を半導体
素子4上の周辺に配置する必要が生じ、設計上の制限を
受ける。
素子4上の周辺に配置する必要が生じ、設計上の制限を
受ける。
■TAB法においても、半導体素子4上の接続部のピッ
チ寸法は0.09〜0.15mm程度にとる必要があり
、従って、ワイヤーボンディング法の問題点◎で述べた
のと同様に、接続部の数を増加させることは難しくなる
。
チ寸法は0.09〜0.15mm程度にとる必要があり
、従って、ワイヤーボンディング法の問題点◎で述べた
のと同様に、接続部の数を増加させることは難しくなる
。
oTAB法も接続の方向としては、ワイヤーボンディン
グ法と同様に、水平方向への接続であるため、水平方向
の大きさを小さくすることは困難であり、高密度の実装
には不向きである。
グ法と同様に、水平方向への接続であるため、水平方向
の大きさを小さくすることは困難であり、高密度の実装
には不向きである。
■キャリアフィルム基板16のインナーリード部17が
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触しないように
するには、そのためのインナーリード部17の接続形状
が要求されるためコスト高となる。
半導体素子4の接続部5以外の部分に接触しないように
するには、そのためのインナーリード部17の接続形状
が要求されるためコスト高となる。
■半導体素子4の接続部5とインナーリード部17とを
接続するためには、半導体素子4の接続部5またはイン
ナーリード部17の接続部に金バンブをつけなければな
らず、コスト高となる。
接続するためには、半導体素子4の接続部5またはイン
ナーリード部17の接続部に金バンブをつけなければな
らず、コスト高となる。
■半導体素子4の熱膨張係数が、樹脂20,21の熱膨
張係数と異なるため、半導体装置9に熱が加わった場合
、熱応力が発生し、半導体素子4の特性劣化を生じる。
張係数と異なるため、半導体装置9に熱が加わった場合
、熱応力が発生し、半導体素子4の特性劣化を生じる。
さらには、半導体素子4又は樹脂20あるいは樹脂21
に割れが生じ、装置の信頼性が低下する。このような現
象は半導体素子4の大きさが大きい場合に顕著になる。
に割れが生じ、装置の信頼性が低下する。このような現
象は半導体素子4の大きさが大きい場合に顕著になる。
■CCB法
■半導体素子4の接続部5に半田バンブ31を形成させ
なければならないためコスト高になる。
なければならないためコスト高になる。
■バンブの半田量が多いと隣接する半田バンブ間にブリ
ッジ(隣接する半田バンブ同士が接触する現象)が生じ
、逆にバンブの半田量が少ないと半導体素子4の接続部
5と回路基板32の接続部33が接続しな(なり電気的
導通がとれなくなる。すなわち、接続の信頼性が低(な
る。
ッジ(隣接する半田バンブ同士が接触する現象)が生じ
、逆にバンブの半田量が少ないと半導体素子4の接続部
5と回路基板32の接続部33が接続しな(なり電気的
導通がとれなくなる。すなわち、接続の信頼性が低(な
る。
さらに、半田量、接続の半田形状が接続の信頼性に影響
するじGeometric Optimization
ofControlled Co11apse In
terconnections”、L、S。
するじGeometric Optimization
ofControlled Co11apse In
terconnections”、L、S。
Goldman、 IBM J、 RES、 DEVE
LOP、 19B9. MAY、 pp、 251−2
65、 ”Re1iability of Contr
olled Co11apseInter−conne
ctions”、 K、 C,Norris、 A、H
,Landzberg。
LOP、 19B9. MAY、 pp、 251−2
65、 ”Re1iability of Contr
olled Co11apseInter−conne
ctions”、 K、 C,Norris、 A、H
,Landzberg。
IBM J、RES、DEVELOP、1969.MA
Y、pp、226−271. ろう接技術研究会技術
資料、No、 017−’84、ろう接技術研究会発行
、参照)という問題点がある。
Y、pp、226−271. ろう接技術研究会技術
資料、No、 017−’84、ろう接技術研究会発行
、参照)という問題点がある。
このように、半田バンブの量の多少が接続の信頼性に影
響するため半田バンブ31の量のコントロールが必要と
されている。
響するため半田バンブ31の量のコントロールが必要と
されている。
■半田バンブ31が半導体素子4の内側に存在すると接
続が良好に行われたか否かの目視検査が難しくなる。
続が良好に行われたか否かの目視検査が難しくなる。
■半導体素子の放熱性が悪い(ElectronicP
ackaging Technology 1987.
1. (Vol、3.No、l) pp。
ackaging Technology 1987.
1. (Vol、3.No、l) pp。
66−71.NIKKEI MICRODEVICES
1986.5.pp、97−108゜参照)ため、放
熱特性を良好たらしめるために多大な工夫が必要とされ
る。
1986.5.pp、97−108゜参照)ため、放
熱特性を良好たらしめるために多大な工夫が必要とされ
る。
■半導体素子4の接続部と回路基板32の接続部とを位
置合わせして接続する5urface DownMou
nt方式であるため位置合わせが困難であり、製造装置
は大がかりとなる。また、マウント後リフローし接続す
るのであるが、搬送中に位置ずれを生じたりする。
置合わせして接続する5urface DownMou
nt方式であるため位置合わせが困難であり、製造装置
は大がかりとなる。また、マウント後リフローし接続す
るのであるが、搬送中に位置ずれを生じたりする。
■第15図及び第16図に示す技術
■絶縁膜71の露出面72及び金属材70の露出面73
を平らにしなければならず、更に絶縁膜71°の露出面
72゛及び金属材70′の露出面73゛を平らにしなけ
ればならず、そのための工程が増し、コスト高になる。
を平らにしなければならず、更に絶縁膜71°の露出面
72゛及び金属材70′の露出面73゛を平らにしなけ
ればならず、そのための工程が増し、コスト高になる。
■絶縁膜71の露出面72と金属材70の露出面73と
に凹凸があったり、絶縁膜71″の露出面72゛と金属
材70゛の露出面73゛とに凹凸があったりすると、金
属材70と金属材70’ とが接続しな(なり、信頼性
が低下する。
に凹凸があったり、絶縁膜71″の露出面72゛と金属
材70゛の露出面73゛とに凹凸があったりすると、金
属材70と金属材70’ とが接続しな(なり、信頼性
が低下する。
■この方式においても、5urface Down M
ount方式であるので、CCB法の問題点■で述べた
と同様に、位置合わせが困難であり、製造装置が大がか
りなものになる。
ount方式であるので、CCB法の問題点■で述べた
と同様に、位置合わせが困難であり、製造装置が大がか
りなものになる。
■第17図に示す技術
■位置決め後、接続部76と接続部76゛とを加圧して
接続する際に、圧力が一定にはかかりにくいため接続状
態にバラツキが生じ、その結果、接続部における接触抵
抗値のバラツキが大きくなる。そのため、接続の信頼性
が乏しくなる。また、多量の電流を流すと、発熱等の現
象が生じるので、多量の電流を流したい場合には不向き
である。
接続する際に、圧力が一定にはかかりにくいため接続状
態にバラツキが生じ、その結果、接続部における接触抵
抗値のバラツキが大きくなる。そのため、接続の信頼性
が乏しくなる。また、多量の電流を流すと、発熱等の現
象が生じるので、多量の電流を流したい場合には不向き
である。
■圧力が一定にかけられたとしても、異方性導電膜78
の導電粒子79の配列により抵抗値のバラツキが大きく
なる。そのため、接続の信頼性に乏しくなる。また、多
量の電流を流したい場合には不向きである。
の導電粒子79の配列により抵抗値のバラツキが大きく
なる。そのため、接続の信頼性に乏しくなる。また、多
量の電流を流したい場合には不向きである。
■隣接する接続部のピッチ(隣接する接続部中心間の距
離)を狭くすると、隣接する接続部の間の抵抗値が小さ
くなることから高密度な接続には不向きである。また、
導電粒子79はランダムに分散されてはいるが、粒子の
密度の高い部分では、粒子同士が接触し接続部を短絡し
てしまうため高密度な接続には不向きである。
離)を狭くすると、隣接する接続部の間の抵抗値が小さ
くなることから高密度な接続には不向きである。また、
導電粒子79はランダムに分散されてはいるが、粒子の
密度の高い部分では、粒子同士が接触し接続部を短絡し
てしまうため高密度な接続には不向きである。
■回路基板75.75’の接続部76.76’の出っ張
り量h+のバラツキにより抵抗値が変化するため、hl
のバラツキ量を少なくすることが必要である。
り量h+のバラツキにより抵抗値が変化するため、hl
のバラツキ量を少なくすることが必要である。
■さらに、異方性導電膜を、半導体素子と回路基板との
接続、または第1の半導体素子と第2の半導体素子との
接続に使用した場合、上記■〜■の欠点のほか、半導体
素子の接続部にバンブを形成し、凸状態にしなければ接
続を行うことができず、バンブ形成のためコスト高とな
る。
接続、または第1の半導体素子と第2の半導体素子との
接続に使用した場合、上記■〜■の欠点のほか、半導体
素子の接続部にバンブを形成し、凸状態にしなければ接
続を行うことができず、バンブ形成のためコスト高とな
る。
■第18図に示す技術
■加圧が必要であり、加圧治具が必要となる。
■エラスチックコネクター83の金属線82と第1の回
路基板′75の接続部76、または第2の回路基板75
゛の接続部76゛との接触抵抗は加圧力及び表面状態に
より変化するため、接続の信頼性に乏しい。
路基板′75の接続部76、または第2の回路基板75
゛の接続部76゛との接触抵抗は加圧力及び表面状態に
より変化するため、接続の信頼性に乏しい。
■エラスチックコネクター83の金属線82は剛体であ
るため、加圧力が大であるとエラスチックコネクター8
3や第1の回路基板75及び第2の回路基板75°の表
面が破損する可能性が大きい。また、加圧力が小である
と、接続の信頼性が乏しくなる。
るため、加圧力が大であるとエラスチックコネクター8
3や第1の回路基板75及び第2の回路基板75°の表
面が破損する可能性が大きい。また、加圧力が小である
と、接続の信頼性が乏しくなる。
■さらに、回路基板75.75’の接続部76.76’
の出っ張り量h2またはエラスチックコネクター83の
金属線82の出っ張り量h3とそのバラツキが抵抗値変
化および破損に影響を及ぼすので、バラツキを少なくす
る工夫が必要とされる。
の出っ張り量h2またはエラスチックコネクター83の
金属線82の出っ張り量h3とそのバラツキが抵抗値変
化および破損に影響を及ぼすので、バラツキを少なくす
る工夫が必要とされる。
■さらに、エラスチックコネクターを半導体素子と回路
基板との接続または第1の半導体素子と第2の半導体素
子との接続に使用した場合、■〜■と同様な欠点を生じ
る。
基板との接続または第1の半導体素子と第2の半導体素
子との接続に使用した場合、■〜■と同様な欠点を生じ
る。
[課題を解決するための手段]
本発明によれば、
電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に埋設さ
れた複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導電部材
の一端が上記保持体の一方の面において露出しており、
また、該電気的導電部材の他端が上記保持体の他方の面
において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1つの接続部を有し、該接続部において、上
記保持体の一方の面において露出している電気的導電部
材のうちの少なくとも1つの一端と接続せしめられてお
り、また、上記接続部を有する面の少なくとも一部と上
記保持体との間に介在せしめられた電気的絶縁材料より
なる接着剤により上記保持体と接着されている電気回路
部品と; 少なくとも1つの接続部を有し、該接続部において、上
記保持体の他方の面において露出している電気的導電部
材のうちの少なくとも1つの他端と接続せしめられてい
る他の電気回路部品と;を有することを特徴とする電気
回路部材、が提供される。
れた複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導電部材
の一端が上記保持体の一方の面において露出しており、
また、該電気的導電部材の他端が上記保持体の他方の面
において露出している電気的接続部材と; 少なくとも1つの接続部を有し、該接続部において、上
記保持体の一方の面において露出している電気的導電部
材のうちの少なくとも1つの一端と接続せしめられてお
り、また、上記接続部を有する面の少なくとも一部と上
記保持体との間に介在せしめられた電気的絶縁材料より
なる接着剤により上記保持体と接着されている電気回路
部品と; 少なくとも1つの接続部を有し、該接続部において、上
記保持体の他方の面において露出している電気的導電部
材のうちの少なくとも1つの他端と接続せしめられてい
る他の電気回路部品と;を有することを特徴とする電気
回路部材、が提供される。
本発明においては、上記他の電気回路部品が、その接続
部を有する面の少なくとも一部と上記保持体との間に介
在せしめられた電気的絶縁材料よりなる接着剤により上
記保持体と接着されている態様がある。
部を有する面の少なくとも一部と上記保持体との間に介
在せしめられた電気的絶縁材料よりなる接着剤により上
記保持体と接着されている態様がある。
また、本発明においては、上記電気回路部品の接続部と
上記電気的導電部材との接続、及び/または上記他の電
気回路部品の接続部と上記電気的導電部材との接続が、
これら接続部と上記電気的導電部材の一端及び/または
他端とを金属化及び/または合金化することによりなさ
れている態様がある。
上記電気的導電部材との接続、及び/または上記他の電
気回路部品の接続部と上記電気的導電部材との接続が、
これら接続部と上記電気的導電部材の一端及び/または
他端とを金属化及び/または合金化することによりなさ
れている態様がある。
以下に本発明の構成要件につき個別に説明する。
(電気回路部品)
本発明における電気回路部品としては、たとえば、トラ
ンジスタ、IC等の半導体素子や、樹脂回路基板、セラ
ミック基板、金属基板、シリコン基板、フラットデイス
プレィのガラス基板等の回路基板(以下、単に「回路基
板」ということがある)や、リードフレーム等が挙げら
れる。
ンジスタ、IC等の半導体素子や、樹脂回路基板、セラ
ミック基板、金属基板、シリコン基板、フラットデイス
プレィのガラス基板等の回路基板(以下、単に「回路基
板」ということがある)や、リードフレーム等が挙げら
れる。
なお、電気的接続部材に接続される電気回路部品及び他
の電気回路部品は、1つだけ存在しても良いし、複数個
存在しても良い。
の電気回路部品は、1つだけ存在しても良いし、複数個
存在しても良い。
本発明に係る電気回路部品としては、接続部を有するも
のが対象となる。接続部の数は問わないが、接続部の数
が多ければ多いほど本発明の効果が顕著となる。
のが対象となる。接続部の数は問わないが、接続部の数
が多ければ多いほど本発明の効果が顕著となる。
また、接続部の存在位置も問わないが、電気回路部品の
内部に存在するものほど本発明の効果は顕著となる。
内部に存在するものほど本発明の効果は顕著となる。
なお、接続部は電気的導電材料である。
(電気的接続部材)
本発明に係る電気的接続部材は、電気的絶縁材料からな
る保持体に複数の電気的導電部材が埋設されている。埋
設されている導電部材同士は電気的に絶縁されている。
る保持体に複数の電気的導電部材が埋設されている。埋
設されている導電部材同士は電気的に絶縁されている。
この電気的導電部材の一端は保持体の一方の面において
露出しており、他端は保持体の他方の面において露出し
ている。
露出しており、他端は保持体の他方の面において露出し
ている。
さらに、電気的接続部材は、1層でもよいし、2M以上
の多層からなるものでもよい。
の多層からなるものでもよい。
(電気的導電部材)
電気的導電部材は電気的に導電性を示すものならば何で
もよい。金属材料が一般的であるが、金属材料以外にも
超電導性を示す無機材料等でもよい。
もよい。金属材料が一般的であるが、金属材料以外にも
超電導性を示す無機材料等でもよい。
電気的導電部材としては、金が好ましいが、余り外の任
意の金属あるいは合金を使用することもできる。たとえ
ば、Ag、 Be、 Ca、 Mg、 Mo、 Ni、
W、 Fe、 Ti 。
意の金属あるいは合金を使用することもできる。たとえ
ば、Ag、 Be、 Ca、 Mg、 Mo、 Ni、
W、 Fe、 Ti 。
In、Ta、Zn、Cu、Al、 Sn、Pb−3n、
PPb−3n−A、Pb−3n−Bi等の金属あるいは
合金が挙げられる。
PPb−3n−A、Pb−3n−Bi等の金属あるいは
合金が挙げられる。
金属部材及び合金部材は、同一の電気的接続部材におい
て同種の金属が存在していてもよいし、異種の金属が存
在していてもよい。さらに、電気的接続部材の金属部材
及び合金部材の1個が同種の金属乃至合金でできていて
もよいし、異種の金属乃至合金でできていてもよい。さ
らに、金属、合金以外であっても導電性を示すならば、
金属材料に有機材料または無機材料の一方または両方を
包含せしめた材料でもよい。
て同種の金属が存在していてもよいし、異種の金属が存
在していてもよい。さらに、電気的接続部材の金属部材
及び合金部材の1個が同種の金属乃至合金でできていて
もよいし、異種の金属乃至合金でできていてもよい。さ
らに、金属、合金以外であっても導電性を示すならば、
金属材料に有機材料または無機材料の一方または両方を
包含せしめた材料でもよい。
さらに、電気的導電部材の断面は円形、四角形、楕円形
、その他任意の形状とすることができるが、応力の過度
の集中を避けるためなるべく角のない形状が望ましい。
、その他任意の形状とすることができるが、応力の過度
の集中を避けるためなるべく角のない形状が望ましい。
また、電気的導電部材の太さは特に限定されない。電気
回路部品の接続部のピッチを考慮して、数μmから数十
μmに自由に設計できる。
回路部品の接続部のピッチを考慮して、数μmから数十
μmに自由に設計できる。
なお、電気的導電部材の露出部は保持体と同一面として
もよいし、また、保持体の面から突出させてもよい。こ
の突出は片面だけでもよいし、両面でもよい。しかし、
電気回路部品の接続部と安定した接続を行うためには、
保持体から数LLm〜十数μm突出していることが望ま
しい。さらに、突出させた場合にはバンブ状にしてもよ
い。
もよいし、また、保持体の面から突出させてもよい。こ
の突出は片面だけでもよいし、両面でもよい。しかし、
電気回路部品の接続部と安定した接続を行うためには、
保持体から数LLm〜十数μm突出していることが望ま
しい。さらに、突出させた場合にはバンブ状にしてもよ
い。
また、電気的導電部材の間隔は、電気回路部品の接続部
同士の間隔と同一間隔としてもよいし、それよりも狭い
間隔としてもよい。狭い間隔とした場合には電気回路部
品と電気的接続部材との位置決めを要することなく、電
気回路部品と電気的接続部材とを接続することが可能と
なる。
同士の間隔と同一間隔としてもよいし、それよりも狭い
間隔としてもよい。狭い間隔とした場合には電気回路部
品と電気的接続部材との位置決めを要することなく、電
気回路部品と電気的接続部材とを接続することが可能と
なる。
また、電気的導電部材は保持体中に垂直に配する必要は
なく、保持体の一方の面側から保持体の他方の面側に向
かって斜行していてもよい。
なく、保持体の一方の面側から保持体の他方の面側に向
かって斜行していてもよい。
(保持体)
保持体は、電気的絶縁材料からなる。
電気的絶縁材料ならばいかなるものでもよい。
電気的絶縁材料としては有機材料、無機材料が挙げられ
る。また、電気的導電部材同士が電気的に絶縁されるよ
うに処理を施した金属または合金材料でもよい。さらに
、有機材料中に、粉体、繊維等、所望の形状をした無機
材料、金属材料、合金材料の一種または複数種を分散さ
せて保有せしめてもよい。さらに、無機材料中に、粉体
、繊維等、所望の形状をした有機材料、金属材料、合金
材料の一種または複数種を分散させて保有せしめてもよ
い。また、金属材料あるいは合金材料中に、粉体、繊維
等、所望の形状をした有機材料、無機材料の一種または
複数種を分散させて保有せしめてもよい。なお、保持体
が金属材料あるいは合金材料よりなる場合は、例えば、
電気的導電部材との接触面に樹脂等の電気的絶縁材料を
付与すればよい。
る。また、電気的導電部材同士が電気的に絶縁されるよ
うに処理を施した金属または合金材料でもよい。さらに
、有機材料中に、粉体、繊維等、所望の形状をした無機
材料、金属材料、合金材料の一種または複数種を分散さ
せて保有せしめてもよい。さらに、無機材料中に、粉体
、繊維等、所望の形状をした有機材料、金属材料、合金
材料の一種または複数種を分散させて保有せしめてもよ
い。また、金属材料あるいは合金材料中に、粉体、繊維
等、所望の形状をした有機材料、無機材料の一種または
複数種を分散させて保有せしめてもよい。なお、保持体
が金属材料あるいは合金材料よりなる場合は、例えば、
電気的導電部材との接触面に樹脂等の電気的絶縁材料を
付与すればよい。
ここで、有機材料としては、例えば、絶縁性の樹脂を用
いればよく、樹脂としては、熱硬化性樹脂、紫外線硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。例えば、ポリ
イミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエ
ーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリ
スチレン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リジフェニールエーテル樹脂、ポリベンジルイミダゾー
ル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、メタクリル酸
メチル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フェノー
ル樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アルキッド樹脂、シ
リコーン樹脂、その他の樹脂を使用することができる。
いればよく、樹脂としては、熱硬化性樹脂、紫外線硬化
性樹脂、熱可塑性樹脂のいずれでもよい。例えば、ポリ
イミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエ
ーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリ
スチレン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポ
リジフェニールエーテル樹脂、ポリベンジルイミダゾー
ル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、メタクリル酸
メチル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フェノー
ル樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メタ
クリル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アルキッド樹脂、シ
リコーン樹脂、その他の樹脂を使用することができる。
なお、これらの樹脂の中から、熱伝導性のよい樹脂を使
用すれば、半導体素子が熱を持ってもその熱を樹脂を介
して放熱することができるのでより好ましい。さらに、
樹脂として、回路基板と同じかあるいは同程度の熱膨張
率を有するものを選択し、また、有機材料中に少なくと
も1ケの穴あるいは複数の気泡を存在せしめれば、熱膨
張・熱収縮に基づく、電気回路装置の信頼性の低下を一
層防止することが可能となる。
用すれば、半導体素子が熱を持ってもその熱を樹脂を介
して放熱することができるのでより好ましい。さらに、
樹脂として、回路基板と同じかあるいは同程度の熱膨張
率を有するものを選択し、また、有機材料中に少なくと
も1ケの穴あるいは複数の気泡を存在せしめれば、熱膨
張・熱収縮に基づく、電気回路装置の信頼性の低下を一
層防止することが可能となる。
無機材料、金属材料としては、例えば、Sigh。
B2011. A120m、 Na2O,KaO,Ca
b、 ZnO,Bad、 pbo、 5b20z。
b、 ZnO,Bad、 pbo、 5b20z。
AS203 、 La2O3,ZrfXh、 Bad、
PzOs 、 TiO2,MgO,SiC,Bed。
PzOs 、 TiO2,MgO,SiC,Bed。
BP、 BN、 AIN、 BC,TaC,’ TiB
2. CrB2. TiN、 Si sN4. Ta2
05等のセラミック、ダイヤモンド、ガラス、カーボン
、ボロン等の無機材料や、Ag、Cu、Au、Al、B
e、C:a。
2. CrB2. TiN、 Si sN4. Ta2
05等のセラミック、ダイヤモンド、ガラス、カーボン
、ボロン等の無機材料や、Ag、Cu、Au、Al、B
e、C:a。
Mg、 Mo、Fe、Ni、Si、Co、Mn、W等の
金属又は合金を用いればよい。
金属又は合金を用いればよい。
(接続)
電気的接続部材と電気回路部品の接続部との接続には下
記の4つの構成が考えられる。
記の4つの構成が考えられる。
なお、1個の電気的接続部材の各面に、1個または2個
以上の電気回路部品が接続されていてもよいが、その接
続された電気回路部品のうちの少なくとも1個が下記の
構成による接続がなされていればよい。
以上の電気回路部品が接続されていてもよいが、その接
続された電気回路部品のうちの少なくとも1個が下記の
構成による接続がなされていればよい。
■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の一端と一方の電気回路部品の接続部とが、ま
た、保持体の他方の面において露出している複数の電気
的導電部材の他端と他方の電気回路部品の接続部とが、
それぞれ、次の■〜■で述べる金属化及び/又は合金化
以外の方法で接続されている構成。
導電部材の一端と一方の電気回路部品の接続部とが、ま
た、保持体の他方の面において露出している複数の電気
的導電部材の他端と他方の電気回路部品の接続部とが、
それぞれ、次の■〜■で述べる金属化及び/又は合金化
以外の方法で接続されている構成。
■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の少なくとも1つの一端と一方の電気回路部品
の接続部の少なくとも1つとが金属化及び/又は合金化
することにより接続され、一方、保持体の他方の面にお
いて露出している複数の電気的導電部材の他端と他方の
電気回路部品の接続部とが金属化及び/又は合金化以外
の方法で接続されている構成。
導電部材の少なくとも1つの一端と一方の電気回路部品
の接続部の少なくとも1つとが金属化及び/又は合金化
することにより接続され、一方、保持体の他方の面にお
いて露出している複数の電気的導電部材の他端と他方の
電気回路部品の接続部とが金属化及び/又は合金化以外
の方法で接続されている構成。
■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の一端と一方の電気回路部品の接続部とが金属
化及び/又は合金化以外の方法で接続され、一方、保持
体の他方の面において露出している複数の電気的導電部
材の少なくとも1つの他端と他方の電気回路部品の接続
部の少なくとも1つとが金属化及び/又は合金化するこ
とにより接続されている構成。
導電部材の一端と一方の電気回路部品の接続部とが金属
化及び/又は合金化以外の方法で接続され、一方、保持
体の他方の面において露出している複数の電気的導電部
材の少なくとも1つの他端と他方の電気回路部品の接続
部の少なくとも1つとが金属化及び/又は合金化するこ
とにより接続されている構成。
■保持体の一方の面において露出している複数の電気的
導電部材の少なくとも1つの一端と一方の電気回路部品
の接続部の少なくとも1つとが金属化及び/又は合金化
することにより接続され、また、保持体の他方の面にお
いて露出している複数の電気的導電部材の少なくとも1
つの他端と他方の電気回路部品の接続部の少なくとも1
つとが金属化及び/又は合金化することにより接続され
ている構成。
導電部材の少なくとも1つの一端と一方の電気回路部品
の接続部の少なくとも1つとが金属化及び/又は合金化
することにより接続され、また、保持体の他方の面にお
いて露出している複数の電気的導電部材の少なくとも1
つの他端と他方の電気回路部品の接続部の少なくとも1
つとが金属化及び/又は合金化することにより接続され
ている構成。
次に、上記の接続のうち金属化及び/又は合金化による
接続について述べる。
接続について述べる。
接続しようとする電気的導電部材と接続部とが同種の純
金属よりなる場合には、金属化により形成される接続体
は電気的導電部材あるいは接続部と同種の結晶構造とな
る。なお、金属化の方法としては、たとえば、電気的導
電部材の端とその端に対応する接続部とを接触させた後
、適宜の温度に加熱すれば良い。加熱により接続部近傍
において原子の拡散等が生じ、拡散部が金属化状態とな
り接続体が形成される。
金属よりなる場合には、金属化により形成される接続体
は電気的導電部材あるいは接続部と同種の結晶構造とな
る。なお、金属化の方法としては、たとえば、電気的導
電部材の端とその端に対応する接続部とを接触させた後
、適宜の温度に加熱すれば良い。加熱により接続部近傍
において原子の拡散等が生じ、拡散部が金属化状態とな
り接続体が形成される。
接続しようとする電気的導電部材と接続部とが異種の純
金属よりなる場合には、形成される接続体は両金属の合
金よりなる。合金化の方法としては、たとえば、電気的
導電部材の端とその端に対応する接続部とを接触させた
後、適宜の温度に加熱すれば良い。加熱により接触部近
傍において原子の拡散等が生じ、接触部近傍に固溶体あ
るいは金属間化合物よりなる層が形成され、この層が接
続体となる。
金属よりなる場合には、形成される接続体は両金属の合
金よりなる。合金化の方法としては、たとえば、電気的
導電部材の端とその端に対応する接続部とを接触させた
後、適宜の温度に加熱すれば良い。加熱により接触部近
傍において原子の拡散等が生じ、接触部近傍に固溶体あ
るいは金属間化合物よりなる層が形成され、この層が接
続体となる。
なお、電気的導電部材にAuを使用し、電気回路部品の
接続部にA1を使用した場合には、200〜350℃の
加熱温度が好ましい。
接続部にA1を使用した場合には、200〜350℃の
加熱温度が好ましい。
接続しようとする電気的導電部材と接続部とのうちの一
方が純金属よりなり他方が合金よりなる場合、あるいは
両者が同種あるいは異種の合金よりなる場合には、接続
体は合金よりなる。
方が純金属よりなり他方が合金よりなる場合、あるいは
両者が同種あるいは異種の合金よりなる場合には、接続
体は合金よりなる。
1個の電気的接続部材中における複数の電気的導電部材
同士についてみると、それぞれの電気的導電部材が同種
の金属あるいは合金よりなる場合、それぞれが異種の金
属あるいは合金からなる場合、又さらに1ケの電気的導
電部材で同種の金属あるいは合金、異種の金属あるいは
合金よりなる場合、その他の場合があるが、そのいずれ
の場合であっても上記の金属化あるいは合金化が行われ
る・一方、接続部についても同様である。
同士についてみると、それぞれの電気的導電部材が同種
の金属あるいは合金よりなる場合、それぞれが異種の金
属あるいは合金からなる場合、又さらに1ケの電気的導
電部材で同種の金属あるいは合金、異種の金属あるいは
合金よりなる場合、その他の場合があるが、そのいずれ
の場合であっても上記の金属化あるいは合金化が行われ
る・一方、接続部についても同様である。
なお、電気的導電部材あるいは接続部は、両者の接続部
において、金属あるいは合金であればよく、その他の部
分は例えば金属にガラス、金属に樹脂が配合された状態
であってもよい。
において、金属あるいは合金であればよく、その他の部
分は例えば金属にガラス、金属に樹脂が配合された状態
であってもよい。
なお、接続強度を高めるためには、接続される部分の表
面粗度を小さくすることが好ましい(特に0,3μm以
下が好ましい)。また、接続される部分の表面に合金化
しやすい金属あるいは合金よりなるメツキ層を設けても
よい。
面粗度を小さくすることが好ましい(特に0,3μm以
下が好ましい)。また、接続される部分の表面に合金化
しやすい金属あるいは合金よりなるメツキ層を設けても
よい。
上記の金属化あるいは合金化以外の接続を行うには、例
えば、電気回路部品を押圧することにより電気回路部品
の接続部と露出している電気的接続部材の電気的導電部
材とを圧接する。
えば、電気回路部品を押圧することにより電気回路部品
の接続部と露出している電気的接続部材の電気的導電部
材とを圧接する。
また、電気回路部品と電気的接続部材とを加圧した際に
、これらの間に介在せしめた接着剤を硬化させ、該接着
剤の硬化収縮力により電気回路部品と電気的接続部材と
の間に圧縮力を生じさせ、その圧縮力により電気回路部
品の接続部と露出している電気的導電部材とを接続する
。
、これらの間に介在せしめた接着剤を硬化させ、該接着
剤の硬化収縮力により電気回路部品と電気的接続部材と
の間に圧縮力を生じさせ、その圧縮力により電気回路部
品の接続部と露出している電気的導電部材とを接続する
。
(接着剤)
接着剤は電気的絶縁材料からなる。
接着剤としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、紫外線
硬化樹脂が挙げられる。また、これらの樹脂を混合した
ものでもよい。
硬化樹脂が挙げられる。また、これらの樹脂を混合した
ものでもよい。
また、これらのベースとなる樹脂としては、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、
ポリアミド・イミド、5BR5EVA、ポリエステル、
ボリアリレート、ユリア樹脂、メラミン樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、シアノアクリレート、酢酸ビニルアクリル樹脂
エマルジョン、ポリウレタンなどが挙げられる。
脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、
ポリアミド・イミド、5BR5EVA、ポリエステル、
ボリアリレート、ユリア樹脂、メラミン樹脂、酢酸ビニ
ル樹脂、シアノアクリレート、酢酸ビニルアクリル樹脂
エマルジョン、ポリウレタンなどが挙げられる。
これらの接着剤の機能としては、電気的導電部材と電気
回路部品の接続部とを硬化時の収縮力により圧接し、電
気的に接続する働きと、電気回路部品を保持するための
機械的に接続する働きとがある。
回路部品の接続部とを硬化時の収縮力により圧接し、電
気的に接続する働きと、電気回路部品を保持するための
機械的に接続する働きとがある。
また、これらの接着剤を硬化させる方法としては、加熱
によってもよいし、また、U■光によってもよい。
によってもよいし、また、U■光によってもよい。
[作用]
本発明では、上記電気的接続部材を使用して、電気回路
部品と他の電気回路部品とを接続しているので、電気回
路部品の接続部を外周部はもとより内部にも配置するこ
とが可能となり、接続部の数を増加させることができ、
ひいては高密度化が可能となる。
部品と他の電気回路部品とを接続しているので、電気回
路部品の接続部を外周部はもとより内部にも配置するこ
とが可能となり、接続部の数を増加させることができ、
ひいては高密度化が可能となる。
また、電気的接続部材に使用する金属部材の量は少ない
ため、たとえ高価である金を金属部材として使用したと
してもコスト低減が可能となる。
ため、たとえ高価である金を金属部材として使用したと
してもコスト低減が可能となる。
また、本発明では、電気的接続部材と電気回路部品とを
接着剤を用いて固定しているため、接続部の大きさが小
さくなり接続面積が縮小されても十分な接続強度を得る
ことが可能となり、より高密度化が可能となる。
接着剤を用いて固定しているため、接続部の大きさが小
さくなり接続面積が縮小されても十分な接続強度を得る
ことが可能となり、より高密度化が可能となる。
また、本発明では、電気的接続部材と電気回路部品とを
接着剤により固定しているため、電気回路部品の接続部
と電気的導電部材との接続の強度は、従来の電気的接続
部材を用いたものより高くなっている。従来の方法では
一般にこの部分の接続強度を高くすると、接続の安定性
(例えば、接触抵抗値またはそのバラツキ幅)は高くな
る(接触抵抗値は小さくなり、バラツキ幅は小さくなる
)が、接続する領域が大型化すると熱膨張係数の差から
熱応力を接続部に受けやすくなり信頼性が低下してしま
う。しかし、本発明では、電気回路部品と他の電気回路
部品との間に電気的接続部材を介して接続しているため
、熱応力を受けても電気的接続部材が変形することによ
り熱応力を緩和し、接続部にかかる力を小さくすること
ができる。したがって、従来の接続方法では困難であっ
た接続部の安定性を高め、さらに、信頼性を高めること
が可能となる。
接着剤により固定しているため、電気回路部品の接続部
と電気的導電部材との接続の強度は、従来の電気的接続
部材を用いたものより高くなっている。従来の方法では
一般にこの部分の接続強度を高くすると、接続の安定性
(例えば、接触抵抗値またはそのバラツキ幅)は高くな
る(接触抵抗値は小さくなり、バラツキ幅は小さくなる
)が、接続する領域が大型化すると熱膨張係数の差から
熱応力を接続部に受けやすくなり信頼性が低下してしま
う。しかし、本発明では、電気回路部品と他の電気回路
部品との間に電気的接続部材を介して接続しているため
、熱応力を受けても電気的接続部材が変形することによ
り熱応力を緩和し、接続部にかかる力を小さくすること
ができる。したがって、従来の接続方法では困難であっ
た接続部の安定性を高め、さらに、信頼性を高めること
が可能となる。
また、接着剤により電気回路部品の接続部と電気的導電
部材との接続を行う場合には、金属化または合金化によ
る接続を行う際に必要であった加熱温度を大幅に低下さ
せることが可能であり、耐熱性の低い電気回路部品を加
圧治具なしで接続することが可能となる。
部材との接続を行う場合には、金属化または合金化によ
る接続を行う際に必要であった加熱温度を大幅に低下さ
せることが可能であり、耐熱性の低い電気回路部品を加
圧治具なしで接続することが可能となる。
さらに、1つの電気回路部品に複数の他の電気回路部品
を接続させるときには、不良の他の電気回路部品のみを
接着剤の接着強度を加熱もしくは薬品により低下させる
ことにより取りはずすことが可能となり、歩留を大幅に
高めることが可能となる。
を接続させるときには、不良の他の電気回路部品のみを
接着剤の接着強度を加熱もしくは薬品により低下させる
ことにより取りはずすことが可能となり、歩留を大幅に
高めることが可能となる。
また、本発明では電気的接続部材を介して電気回路部品
と他の電気回路部品とを接続しているため、電気回路部
品を接続したテープ状の電気的接続部材を用いれば微細
な接続部を持つ電気回路部品でも他の電気回路部品と接
続できる自動接続機を容易に設計でき、安定した接合特
性を持つ電気回路装置を低コストで提供できる。
と他の電気回路部品とを接続しているため、電気回路部
品を接続したテープ状の電気的接続部材を用いれば微細
な接続部を持つ電気回路部品でも他の電気回路部品と接
続できる自動接続機を容易に設計でき、安定した接合特
性を持つ電気回路装置を低コストで提供できる。
[実施例]
以下、図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
(第1実施例)
第1図(a) 、 (b)は本発明の第1の実施例を示
す模式的断面図である。第1図(a)の断面図では、電
気回路部品である半導体素子101と、電気的接続部材
125の両面に接着剤301が設けられているものと、
他の電気回路部品である回路基板1、04とが接続され
ていない状態を示している。
す模式的断面図である。第1図(a)の断面図では、電
気回路部品である半導体素子101と、電気的接続部材
125の両面に接着剤301が設けられているものと、
他の電気回路部品である回路基板1、04とが接続され
ていない状態を示している。
また、第1図(b)の断面図では、半導体素子101の
接続部102と回路基板104の接続部105とを位置
合わせした後に電気的接続部材125を介して接続した
状態を示している。
接続部102と回路基板104の接続部105とを位置
合わせした後に電気的接続部材125を介して接続した
状態を示している。
以下に本実施例をより詳細に説明する。
まず、電気的接続部材125の一製造例を説明しつつ電
気的接続部材125を説明する。
気的接続部材125を説明する。
第2図(a)〜(f)に電気的接続部材125の一製造
例を示す。
例を示す。
まず、銅箔等の金属シートからなる基体501を準備し
(第2図(a))、この基体501上に、スピンコー
ターにより感光性のポリイミド樹脂505を塗布して、
100℃前後の温度にてブリベイクを行った (第2図
(b))。なお、塗布したポリイミド樹脂505の膜厚
は、硬化収縮による減少を考慮して、製造される電気的
接続部材における保特休の所望の膜厚よりも厚くしてお
いた。所定のパターンをなしたフォトマスク(図示せず
)を介して光をポリイミド樹脂505に照射した(露光
した)後、現像を行った。露光された部分にはポリイミ
ド樹脂505が残存し、露光されなかった部分には現像
処理によりポリイミド樹脂が除去されて複数の穴142
が形成された(第2図(C))。
(第2図(a))、この基体501上に、スピンコー
ターにより感光性のポリイミド樹脂505を塗布して、
100℃前後の温度にてブリベイクを行った (第2図
(b))。なお、塗布したポリイミド樹脂505の膜厚
は、硬化収縮による減少を考慮して、製造される電気的
接続部材における保特休の所望の膜厚よりも厚くしてお
いた。所定のパターンをなしたフォトマスク(図示せず
)を介して光をポリイミド樹脂505に照射した(露光
した)後、現像を行った。露光された部分にはポリイミ
ド樹脂505が残存し、露光されなかった部分には現像
処理によりポリイミド樹脂が除去されて複数の穴142
が形成された(第2図(C))。
200〜400℃まで温度を上げてポリイミド樹脂50
5の硬化を行った後、エツチング液中に基体501を浸
漬させてエツチングを行い、穴142に連通する凹部5
02を基体501に形成した(第2図(d))。次いで
、基体501を共通電極として金メツキを施して、穴1
42、凹部502に金150を充填し、バンブが形成さ
れるまで金メツキを続けた (第2図(e))。最後に
基体501をエツチングにより除去して、電気的接続部
材125を製造した(第2図(f))。
5の硬化を行った後、エツチング液中に基体501を浸
漬させてエツチングを行い、穴142に連通する凹部5
02を基体501に形成した(第2図(d))。次いで
、基体501を共通電極として金メツキを施して、穴1
42、凹部502に金150を充填し、バンブが形成さ
れるまで金メツキを続けた (第2図(e))。最後に
基体501をエツチングにより除去して、電気的接続部
材125を製造した(第2図(f))。
このようにして製造された電気的接続部材125にあっ
ては、金150が導電部材を構成し、ポリイミド樹脂5
05が保持体111を構成する。
ては、金150が導電部材を構成し、ポリイミド樹脂5
05が保持体111を構成する。
なお、電気的接続部材125における各部分の寸法は、
ポリイミド樹脂505(保持体111)の厚さを約10
μm、穴142の直径(導電部材の直径)を約12μm
、該穴のピッチを約40μmとし、導電部材の突出高さ
を表裏とも約5μw程度とした。
ポリイミド樹脂505(保持体111)の厚さを約10
μm、穴142の直径(導電部材の直径)を約12μm
、該穴のピッチを約40μmとし、導電部材の突出高さ
を表裏とも約5μw程度とした。
さらに、本発明ではこの電気的接続部材125の導電部
材の露出しているそれぞれの面にエポキシ樹脂をベース
樹脂とする熱硬化性樹脂をロールコータ−またはスピン
コーターにより塗布し溶剤を加熱により除去し、接着剤
層を形成した(図示せず)。
材の露出しているそれぞれの面にエポキシ樹脂をベース
樹脂とする熱硬化性樹脂をロールコータ−またはスピン
コーターにより塗布し溶剤を加熱により除去し、接着剤
層を形成した(図示せず)。
次に、第1図(a)に示すように、半導体素子101、
両面に接着剤301の層を設けた電気的接続部材125
、回路基板104を用意した。本例で使用した半導体素
子101、回路基板104は、その内部に多数の接続部
102,105を有しているものであった。
両面に接着剤301の層を設けた電気的接続部材125
、回路基板104を用意した。本例で使用した半導体素
子101、回路基板104は、その内部に多数の接続部
102,105を有しているものであった。
半導体素子101の接続部102と回路基板104の接
続部105との位置関係が接続時と等しくなるように半
導体素子101と回路基板104とを位置決めし、かつ
それぞれの接続部102.105とが対向している間に
、両面に接着剤層301を設けた電気的接続部材125
を挿入した(第1図(a))。
続部105との位置関係が接続時と等しくなるように半
導体素子101と回路基板104とを位置決めし、かつ
それぞれの接続部102.105とが対向している間に
、両面に接着剤層301を設けた電気的接続部材125
を挿入した(第1図(a))。
このとき電気的接続部材125の導電部材107の露出
している部分の大きさが、半導体素子101の接続部1
02及び回路基板104の接続部105のそれぞれ隣接
する間隔に半導体素子101と回路基板104との位置
決め精度を加えたものより小さく、かつ、それぞれの接
続部に少なくとも1個以上の導電部材107が接続され
るように、導電部材107を保持体111中に配置して
おいた。このようにすることにより、接続時には半導体
素子101と回路基板104とを位置決めするだけで、
電気的接続部材125の位置決めを行わなくても接続が
行えた。
している部分の大きさが、半導体素子101の接続部1
02及び回路基板104の接続部105のそれぞれ隣接
する間隔に半導体素子101と回路基板104との位置
決め精度を加えたものより小さく、かつ、それぞれの接
続部に少なくとも1個以上の導電部材107が接続され
るように、導電部材107を保持体111中に配置して
おいた。このようにすることにより、接続時には半導体
素子101と回路基板104とを位置決めするだけで、
電気的接続部材125の位置決めを行わなくても接続が
行えた。
そして、半導体素子101と回路基板104との位置決
めが終了した後に、半導体素子101と回路基板104
とを加圧及び150〜200℃に加熱することにより、
電気的接続部材125の両面に設けられている接着剤層
301が軟化し、突圧している導電部材107上の接着
剤は半導体素子101と保持体111との間及び回路基
板104と保持体111との間に流れ出し、導電部材1
07とそれぞれの接続部102,105とが接触し、さ
らにエポキシ樹脂が半導体素子101と電気的接続部材
125、及び回路基板104と電気的接続部材125と
を接着した。このとき、エポキシ樹脂の硬化収縮反応に
より導電部材107とそれぞれの接続部102,105
とは常に接触した状態が保たれ、電気的接続が維持され
た(第1図(b))。
めが終了した後に、半導体素子101と回路基板104
とを加圧及び150〜200℃に加熱することにより、
電気的接続部材125の両面に設けられている接着剤層
301が軟化し、突圧している導電部材107上の接着
剤は半導体素子101と保持体111との間及び回路基
板104と保持体111との間に流れ出し、導電部材1
07とそれぞれの接続部102,105とが接触し、さ
らにエポキシ樹脂が半導体素子101と電気的接続部材
125、及び回路基板104と電気的接続部材125と
を接着した。このとき、エポキシ樹脂の硬化収縮反応に
より導電部材107とそれぞれの接続部102,105
とは常に接触した状態が保たれ、電気的接続が維持され
た(第1図(b))。
(第2実施例)
第3図(a)〜(C)は第2の実施例を表す模式的断面
図である。
図である。
本実施例においては、まず半導体素子101の接続部1
02と電気的接続部材125の導電部材107とを20
0〜350℃の温度で熱圧着し接続した(第3図(a)
)。
02と電気的接続部材125の導電部材107とを20
0〜350℃の温度で熱圧着し接続した(第3図(a)
)。
この時、半導体素子101の接続部102を構成するA
1と導電部材107を構成するAuとが金属化及び/ま
たは合金化し接続された。また、第1実施例で述べたよ
うな導電部材の配置を採ったので半導体素子101の接
続部102と導電部材107との位置決めを行う必要な
く接続できた。
1と導電部材107を構成するAuとが金属化及び/ま
たは合金化し接続された。また、第1実施例で述べたよ
うな導電部材の配置を採ったので半導体素子101の接
続部102と導電部材107との位置決めを行う必要な
く接続できた。
尚、導電部材107の配置を半導体素子101の接続部
102と同じにして、導電部材107と半導体素子10
1の接続部102とを位置決めして接続してもよい。
102と同じにして、導電部材107と半導体素子10
1の接続部102とを位置決めして接続してもよい。
次に、半導体素子101と接続された電気的接続部材1
25の接続されてない面に接着剤301を塗布する(第
3図(b))。この接着剤301は紫外線硬化型のもの
を用いた。
25の接続されてない面に接着剤301を塗布する(第
3図(b))。この接着剤301は紫外線硬化型のもの
を用いた。
接着剤の塗布の仕方としてはディッピングでもよいし、
溶剤にとかしてスプレーで塗布して(よい。本実施例で
は半導体素子101は電気的接続部材125と接続され
ているため、このような工程であってもハンドリングは
極めてよく、また、電気的接続部材125をテープ状に
し、複数の半導体素子を接続することも可能であるから
、工程の自動化、及び連続化を容易に行うことができる
。
溶剤にとかしてスプレーで塗布して(よい。本実施例で
は半導体素子101は電気的接続部材125と接続され
ているため、このような工程であってもハンドリングは
極めてよく、また、電気的接続部材125をテープ状に
し、複数の半導体素子を接続することも可能であるから
、工程の自動化、及び連続化を容易に行うことができる
。
次に、回路基板であるガラス基板104を準備し、その
接続部105と半導体素子101の接続部102とが対
向する位置関係になるように位置決めした後、加圧し、
ガラス基板側から紫外線を照射した。突出している導電
部材上の接着剤301は加圧により押しのけられ、該導
電部材はガラス基板104の接続部と接触した。また、
照射された紫外線により接着剤301は電気的接続部材
125とガラス基板104とを接着し、また、そのとき
の硬化収縮反応により導電部材とガラス基板の接続部1
05とはより安定した接触状態を保つことができ、半導
体素子101とガラス基板104とは電気的に接続され
た (第3図(C))。
接続部105と半導体素子101の接続部102とが対
向する位置関係になるように位置決めした後、加圧し、
ガラス基板側から紫外線を照射した。突出している導電
部材上の接着剤301は加圧により押しのけられ、該導
電部材はガラス基板104の接続部と接触した。また、
照射された紫外線により接着剤301は電気的接続部材
125とガラス基板104とを接着し、また、そのとき
の硬化収縮反応により導電部材とガラス基板の接続部1
05とはより安定した接触状態を保つことができ、半導
体素子101とガラス基板104とは電気的に接続され
た (第3図(C))。
また、この後に100〜200℃に加熱することにより
、さらに、接着力が増し安定した接続を得ることができ
た。
、さらに、接着力が増し安定した接続を得ることができ
た。
(第3実施例)
第4図(a)〜(c)は第3の実施例を示す模式的断面
図である。
図である。
本実施例においては、まず、半導体素子101と、電気
的接続部材125の片面に接着剤301が設けられたも
のとを準備した (第4図(a))。
的接続部材125の片面に接着剤301が設けられたも
のとを準備した (第4図(a))。
次に、これらを100〜200℃で加熱圧着することに
より導電部材107と半導体素子101の接続部102
とを接続した (第4図(b))。
より導電部材107と半導体素子101の接続部102
とを接続した (第4図(b))。
次に、回路基板104の接続部105と半導体素子10
1の接続部101とが対向するように位置決めした後に
加圧し、接続した(第4図(C))。
1の接続部101とが対向するように位置決めした後に
加圧し、接続した(第4図(C))。
この時、加圧力を継続してかけられるようにバネ、ネジ
等を用いた治具(図示せず)により、半導体素子101
と回路基板104とを加圧した。
等を用いた治具(図示せず)により、半導体素子101
と回路基板104とを加圧した。
本実施例では、バネ、ネジ等の加圧力により接続してい
るため、不良が発生した場合には、素早く不良部品のみ
を交換することが可能となり、また、電気的接続部材1
25を一方の電気回路部品に接着しているため、接続時
に部品点数が増加することな(容易に接続することがで
きた。
るため、不良が発生した場合には、素早く不良部品のみ
を交換することが可能となり、また、電気的接続部材1
25を一方の電気回路部品に接着しているため、接続時
に部品点数が増加することな(容易に接続することがで
きた。
また、電気的接続部材125の片面に設けた接着剤30
1は、回路基板側に設けても同様の効果がある。
1は、回路基板側に設けても同様の効果がある。
(第4実施例)
第5図(a) 、 (b)は第4の実施例を示す模式的
断面図である。
断面図である。
本実施例においては、導電部材の突出表面に拡散防止の
Ni層302と半田層303とを形成した電気的接続部
材125を用いた。この電気的接続部材の製造に際し、
上記第2図(d)で基体501に凹部を形成した後、N
iを電気メツキにて凹部表面を覆うように1μm程度形
成し、更にAuメツキを行い、反対の面にAuが突出し
バンブを形成したら、再びNiメツキにてそのバンブ表
面を覆うように1μm程度のNi層を形成し、そして基
体501を除去した。次に、この電気的接続部材を半田
槽に漬け、突出しているバンブ部のみに半田層を形成し
た。
Ni層302と半田層303とを形成した電気的接続部
材125を用いた。この電気的接続部材の製造に際し、
上記第2図(d)で基体501に凹部を形成した後、N
iを電気メツキにて凹部表面を覆うように1μm程度形
成し、更にAuメツキを行い、反対の面にAuが突出し
バンブを形成したら、再びNiメツキにてそのバンブ表
面を覆うように1μm程度のNi層を形成し、そして基
体501を除去した。次に、この電気的接続部材を半田
槽に漬け、突出しているバンブ部のみに半田層を形成し
た。
別の製造方法としては、上記基体501の凹部にNi層
を形成する前に、電気メツキにて半田層を形成し、次に
Ni層を形成し、Auメツキを行い、Ni層を形成し、
半田層を形成した後に、基体501を除去し電気的接続
部材を得る方法もある。
を形成する前に、電気メツキにて半田層を形成し、次に
Ni層を形成し、Auメツキを行い、Ni層を形成し、
半田層を形成した後に、基体501を除去し電気的接続
部材を得る方法もある。
次に、この電気的接続部材の表面に接着剤を転写させて
形成した。これは、接着剤をセパレーター(シリコン処
理ポリエステルフィルム)上に塗布し、この接着剤面と
電気的接続部材とを貼合せた後、セパレーターを取りは
ずし接着剤を電気的接続部材上に転写させることで行っ
た。
形成した。これは、接着剤をセパレーター(シリコン処
理ポリエステルフィルム)上に塗布し、この接着剤面と
電気的接続部材とを貼合せた後、セパレーターを取りは
ずし接着剤を電気的接続部材上に転写させることで行っ
た。
回路基板101の接続部102と回路基板104の接続
部105との位置関係が互いに対向するように位置決め
を行い、かつ、その間に上記電気的接続部材を挿入した
(第5図(a))。
部105との位置関係が互いに対向するように位置決め
を行い、かつ、その間に上記電気的接続部材を挿入した
(第5図(a))。
次に、回路基板101と回路基板104とを100〜2
00℃に加熱、加圧することにより、導電部材表面の半
田層とそれぞれの接続部102゜105を形成している
金属とが1合金化し接続され、接続部以外の部分は接着
剤により接着された(第5図(b))。
00℃に加熱、加圧することにより、導電部材表面の半
田層とそれぞれの接続部102゜105を形成している
金属とが1合金化し接続され、接続部以外の部分は接着
剤により接着された(第5図(b))。
また、本実施例では、回路基板と回路基板との接続であ
ったが、同様の方法で、半導体素子パッケージの外部リ
ードと回路基板との接続やTABパッケージのアウター
リードと回路基板との接続を行うこともできる。
ったが、同様の方法で、半導体素子パッケージの外部リ
ードと回路基板との接続やTABパッケージのアウター
リードと回路基板との接続を行うこともできる。
(第5実施例)
第6図(a)、(b) 、第7図(a)〜(C)、第8
図(a)〜(C)、第9図(a)〜(c)は第5の実施
例を示す模式的断面図である。
図(a)〜(C)、第9図(a)〜(c)は第5の実施
例を示す模式的断面図である。
本実施例では、電気的接続部材1250表面には、接着
剤層を形成せず、半導体素子101の接続部102を有
する面上に接着剤301を設けたものと、回路基板10
4の接続部105を有する面上に接着剤301を設けた
ものとの両方、あるいは、いずれか一方の電気回路部品
に接着剤層を設けたものを用いた。半導体素子1.01
及び回路基板104上の接着剤301の形成は、デイス
ペンサーにより接着剤を塗布することで行った。
剤層を形成せず、半導体素子101の接続部102を有
する面上に接着剤301を設けたものと、回路基板10
4の接続部105を有する面上に接着剤301を設けた
ものとの両方、あるいは、いずれか一方の電気回路部品
に接着剤層を設けたものを用いた。半導体素子1.01
及び回路基板104上の接着剤301の形成は、デイス
ペンサーにより接着剤を塗布することで行った。
第6図の場合は、半導体素子101及び回路基板104
の両方に接着剤301を設けたものと電気的接続部材1
25とを準備した。そして、半導体素子101の接続部
102と回路基板104の接続部105とが互いに対向
する位置関係になるように位置決めを行い、かつ、その
間に電気的接続部材125を挿入した (第6図(a)
)。それ以降は、第1実施例と同様とした。
の両方に接着剤301を設けたものと電気的接続部材1
25とを準備した。そして、半導体素子101の接続部
102と回路基板104の接続部105とが互いに対向
する位置関係になるように位置決めを行い、かつ、その
間に電気的接続部材125を挿入した (第6図(a)
)。それ以降は、第1実施例と同様とした。
第7図の場合は、回路基板104にのみ接着剤301を
設けたものを用いた。その他は、第2実施例と同様とし
た。
設けたものを用いた。その他は、第2実施例と同様とし
た。
第8図の場合は、半導体素子101にのみ接着剤301
を設けたものを用いた。その他は、第3実施例と同様で
ある。
を設けたものを用いた。その他は、第3実施例と同様で
ある。
第9図の場合は、回路基板101及び回路基板104の
両方に接着剤301を設けたものを用いた。その他は、
第4実施例と同様とした。また、接着剤が付着性を有す
る場合には、第9図(c)に示すように、電気的接続部
材125をいずれか一方の電気回路部品に仮とめし、そ
れから、電気回路部品同士を位置決め後接続するという
ことも行える。
両方に接着剤301を設けたものを用いた。その他は、
第4実施例と同様とした。また、接着剤が付着性を有す
る場合には、第9図(c)に示すように、電気的接続部
材125をいずれか一方の電気回路部品に仮とめし、そ
れから、電気回路部品同士を位置決め後接続するという
ことも行える。
(第6実施例)
第10図(a)〜(f)は第6実施例を示す模式的断面
図である。
図である。
本実施例は、電気的接続部材の保持体上の一部に接着剤
を設け、導電部材と電気回路部品の接続部とが接続され
る部分には、接着剤が存在しないようにすることにより
、より接続の信頼性を高くすることをねらったものであ
る。
を設け、導電部材と電気回路部品の接続部とが接続され
る部分には、接着剤が存在しないようにすることにより
、より接続の信頼性を高くすることをねらったものであ
る。
保持体上に接着剤層を形成する方法として、第4実施例
にて示したような転写させる方式を採り、このとき接着
剤をマスキングにより所望の位置及び形状にてセパレー
ターに形成した。そして、電気的接続部材と位置合わせ
を行いつつ加圧し、接着剤301を保持体上に転写させ
た。
にて示したような転写させる方式を採り、このとき接着
剤をマスキングにより所望の位置及び形状にてセパレー
ターに形成した。そして、電気的接続部材と位置合わせ
を行いつつ加圧し、接着剤301を保持体上に転写させ
た。
そして、半導体素子101の接続部102と回路基板1
04の接続部105とが、互いに対向する位置関係にな
るように位置決めを行い、かつ、その間に上記電気的接
続部材を挿入した (第10図(a))。
04の接続部105とが、互いに対向する位置関係にな
るように位置決めを行い、かつ、その間に上記電気的接
続部材を挿入した (第10図(a))。
そして、半導体素子101と回路基板104とを100
〜200℃に加熱し加圧することにより接着剤が硬化し
、半導体素子101と電気的接続部材及び、回路基板1
04と電気的接続部材とを接着した (第10図(b)
)。この時の硬化収縮反応により、それぞれの接続部と
導電部材とは加圧された状態を保ち、電気的に接続され
た。本実施例では、接続部と導電部材との間には、まっ
た(接着剤が存在しないため、極めて安定した接触を得
ることができ高い電気的信頼性が得られた。
〜200℃に加熱し加圧することにより接着剤が硬化し
、半導体素子101と電気的接続部材及び、回路基板1
04と電気的接続部材とを接着した (第10図(b)
)。この時の硬化収縮反応により、それぞれの接続部と
導電部材とは加圧された状態を保ち、電気的に接続され
た。本実施例では、接続部と導電部材との間には、まっ
た(接着剤が存在しないため、極めて安定した接触を得
ることができ高い電気的信頼性が得られた。
第10図(c)は、第2実施例と同様に、半導体素子1
01の接続部102と導電部材とを熱圧着により接続し
た後に、接着剤301を電気的接続部材の反対側の面に
設け、回路基板104と接続したものである。
01の接続部102と導電部材とを熱圧着により接続し
た後に、接着剤301を電気的接続部材の反対側の面に
設け、回路基板104と接続したものである。
第10図(d)は、接着剤を上記のように保持体の一部
分にのみ設けたことを除いて第3実施例と同様である。
分にのみ設けたことを除いて第3実施例と同様である。
第10図(e)〜(f)は、接着剤層を上記のように保
持体の一部分にのみ設けたことを除いて第4実施例と同
様である。
持体の一部分にのみ設けたことを除いて第4実施例と同
様である。
また、接着剤層を設けるのは、電気的接続部材の保持体
上の一部分だけに限定されることはなく、同様の方法で
電気回路部品側の一部分に設けてもよいことは第5実施
例で述べたとおりである。
上の一部分だけに限定されることはなく、同様の方法で
電気回路部品側の一部分に設けてもよいことは第5実施
例で述べたとおりである。
さらに、2液性の接着剤のように主剤と硬化剤とが分離
されているものは、例えば、電気回路部品側に硬化剤、
電気的接続部材側に主剤を設け、両者が接触し加圧及び
加熱されたときに反応するようにしてもよい。
されているものは、例えば、電気回路部品側に硬化剤、
電気的接続部材側に主剤を設け、両者が接触し加圧及び
加熱されたときに反応するようにしてもよい。
[発明の効果]
本発明は以上のように構成したので次の数々の効果が得
られる。
られる。
(1)半導体素子と回路基板、リードフレーム等の電気
回路部品との接続において、信頼性の高い接続が得られ
る。したがって、従来用いられてきたワイヤーボンディ
ング方式、TAB方式、CCB方式等にとってかわるこ
とが可能となる。
回路部品との接続において、信頼性の高い接続が得られ
る。したがって、従来用いられてきたワイヤーボンディ
ング方式、TAB方式、CCB方式等にとってかわるこ
とが可能となる。
(2)本発明によると電気回路部品の接続部をいかなる
位置(特に内部)にも配置することができることから、
ワイヤーボンディング方式、TA、B方式よりさらに多
点の接続が可能となり、多ビン数接続向きの方式となる
。さらに、電気的接続部材の隣接導電部材間に予め絶縁
部材が存在することにより、配列ピッチを小さくしても
隣接導電部材間の電気的導通が起こらないことにより、
CCB方式よりもさらに多点接続が可能となる。
位置(特に内部)にも配置することができることから、
ワイヤーボンディング方式、TA、B方式よりさらに多
点の接続が可能となり、多ビン数接続向きの方式となる
。さらに、電気的接続部材の隣接導電部材間に予め絶縁
部材が存在することにより、配列ピッチを小さくしても
隣接導電部材間の電気的導通が起こらないことにより、
CCB方式よりもさらに多点接続が可能となる。
(3)電気的接続部材において使用される金属部材の量
は従来に比べ微量であるため、仮に金属部材に金等の高
価な金属を使用しても従来より安価となる。
は従来に比べ微量であるため、仮に金属部材に金等の高
価な金属を使用しても従来より安価となる。
(4)高密度の半導体装置等の電気回路装置が得られる
。
。
(5)接続部の面積が微小化して接続面積が減少しても
、接着剤により保持しているため安定した接続が得られ
、また信頼性も高くなるため、さらに高密度な接続が得
られる。
、接着剤により保持しているため安定した接続が得られ
、また信頼性も高くなるため、さらに高密度な接続が得
られる。
(6)接着剤の硬化により接続を行うので、低温で接続
ができるようになり、耐熱性のない部品であっても接続
が行えるようになる。
ができるようになり、耐熱性のない部品であっても接続
が行えるようになる。
(7)電気的接続部材のそれぞれの面ごとに及び各面の
所望の部分ごとに接続方法を変えることができ、一部に
おいて金属化及び/または合金化による接続や加圧によ
る接続を電気回路部品に応じて採用でき、多くの種類の
電気回路部品に対しその要求にあった接続を提供できる
ようになった。
所望の部分ごとに接続方法を変えることができ、一部に
おいて金属化及び/または合金化による接続や加圧によ
る接続を電気回路部品に応じて採用でき、多くの種類の
電気回路部品に対しその要求にあった接続を提供できる
ようになった。
第1図(a) 、 (b)は第1実施例の接続前及び接
続後を示す模式的断面図。 第2図(a)〜(f)は第1実施例に使用する電気的接
続部材の一製造方法例を説明する断面図。 第3図(a)〜(c)は第2実施例の接続前及び接読後
を示す模式的断面図。 第4図(a)〜(c)は第3実施例の接続前及び接続後
を示す模式的断面図。 第5図(a) 、 (b)は第4実施例の接続前及び接
続後を示す模式的断面図。 第6図(a)、(b) 、第7図(a)〜(c)、第8
図(a)〜(c)及び第9図(a)〜(c)は、いずれ
も第5実施例の接続前及び接続後を示す模式的断面図。 第10図(a)〜(f)は第6実施例の接続前及び接続
後を示す模式的断面図。 第11図〜第18図は従来例を示し、第12図を除き断
面図であり、第12図は平面透視図であ101・・・電
気回路部品 (半導体素子、回路基板) 102.105・・・接続部 104・・・他の電気回路部品(回路基板)107・・
・電気的導電部材(金属部材)111・・・保持体(絶
縁部材) 125・・・電気的接続部材 】42・・・穴 150・・・金(導電部材) 301・・・接着剤 302・・・Ni層 303・・・半田層 501・・・基体(銅箔) 502・・・凹部 505・・・ポリイミド樹脂 代理人 弁理士 山 下 積 平 (b) +o+(
C)
+01第11図 第12図 (b) (C)
+o+L−5− (C) +01 (f) +o+
第17図 第18図 第13図 第14図 第15図 第16図
続後を示す模式的断面図。 第2図(a)〜(f)は第1実施例に使用する電気的接
続部材の一製造方法例を説明する断面図。 第3図(a)〜(c)は第2実施例の接続前及び接読後
を示す模式的断面図。 第4図(a)〜(c)は第3実施例の接続前及び接続後
を示す模式的断面図。 第5図(a) 、 (b)は第4実施例の接続前及び接
続後を示す模式的断面図。 第6図(a)、(b) 、第7図(a)〜(c)、第8
図(a)〜(c)及び第9図(a)〜(c)は、いずれ
も第5実施例の接続前及び接続後を示す模式的断面図。 第10図(a)〜(f)は第6実施例の接続前及び接続
後を示す模式的断面図。 第11図〜第18図は従来例を示し、第12図を除き断
面図であり、第12図は平面透視図であ101・・・電
気回路部品 (半導体素子、回路基板) 102.105・・・接続部 104・・・他の電気回路部品(回路基板)107・・
・電気的導電部材(金属部材)111・・・保持体(絶
縁部材) 125・・・電気的接続部材 】42・・・穴 150・・・金(導電部材) 301・・・接着剤 302・・・Ni層 303・・・半田層 501・・・基体(銅箔) 502・・・凹部 505・・・ポリイミド樹脂 代理人 弁理士 山 下 積 平 (b) +o+(
C)
+01第11図 第12図 (b) (C)
+o+L−5− (C) +01 (f) +o+
第17図 第18図 第13図 第14図 第15図 第16図
Claims (3)
- (1)電気的絶縁材料よりなる保持体と、該保持体中に
埋設された複数の電気的導電部材とを有し、該電気的導
電部材の一端が上記保持体の一方の面において露出して
おり、また、該電気的導電部材の他端が上記保持体の他
方の面において露出している電気的接続部材と;少なく
とも1つの接続部を有し、該接続部において、上記保持
体の一方の面において露出している電気的導電部材のう
ちの少なくとも1つの一端と接続せしめられており、ま
た、上記接続部を有する面の少なくとも一部と上記保持
体との間に介在せしめられた電気的絶縁材料よりなる接
着剤により上記保持体と接着されている電気回路部品少
なくとも1つの接続部を有し、該接続部において、上記
保持体の他方の面において露出している電気的導電部材
のうちの少なくとも1つの他端と接続せしめられている
他の電気回路部品と;を有することを特徴とする電気回
路部材。 - (2)上記他の電気回路部品が、その接続部を有する面
の少なくとも一部と上記保持体との間に介在せしめられ
た電気的絶縁材料よりなる接着剤により上記保持体と接
着されている請求項1に記載の電気回路部材。 - (3)上記電気回路部品の接続部と上記電気的導電部材
との接続、及び/または上記他の電気回路部品の接続部
と上記電気的導電部材との接続が、これら接続部と上記
電気的導電部材の一端及び/または他端とを金属化及び
/または合金化することによりなされている請求項1に
記載の電気回路部材。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2225085A JPH04109569A (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 電気回路部材 |
US08/689,131 US5819406A (en) | 1990-08-29 | 1996-07-30 | Method for forming an electrical circuit member |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2225085A JPH04109569A (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 電気回路部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04109569A true JPH04109569A (ja) | 1992-04-10 |
Family
ID=16823777
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2225085A Pending JPH04109569A (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 電気回路部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04109569A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003100367A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Denso Corp | 導電性接着剤、この接着剤を用いた回路基板間の接続方法および回路基板間の接続構造 |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP2225085A patent/JPH04109569A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003100367A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Denso Corp | 導電性接着剤、この接着剤を用いた回路基板間の接続方法および回路基板間の接続構造 |
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