JPH01302732A - 電気回路装置 - Google Patents

電気回路装置

Info

Publication number
JPH01302732A
JPH01302732A JP63133134A JP13313488A JPH01302732A JP H01302732 A JPH01302732 A JP H01302732A JP 63133134 A JP63133134 A JP 63133134A JP 13313488 A JP13313488 A JP 13313488A JP H01302732 A JPH01302732 A JP H01302732A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electric circuit
semiconductor element
connection
circuit board
holding member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63133134A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Kondo
浩史 近藤
Yoshimi Terayama
寺山　芳実
Takashi Sakaki
隆 榊
Shunichi Haga
羽賀　俊一
Tetsuo Yoshizawa
吉沢　徹夫
Yasuteru Ichida
市田　安照
Masaki Konishi
小西　正暉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP63133134A priority Critical patent/JPH01302732A/ja
Publication of JPH01302732A publication Critical patent/JPH01302732A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83886—Involving a self-assembly process, e.g. self-agglomeration of a material dispersed in a fluid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/153—Connection portion
    • H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15312—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a pin array, e.g. PGA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303—Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［ａ業上の利用分野］ 本発明は、電気回路装置に関する。
［従来技術］ 従来、電気回路部品同士を電気的に接続して構成される
電気回路部材を封止した電気回路装置に関する技術とし
ては以下に述べる技術が知られている。
■ワイヤボンディング方法 第１２図及び第１３図はワイヤボンディング方法によっ
て接続され、封止された半導体装置の代表例を示してお
り、以下、第１２図及び第１３図に基づきワイヤボンデ
ィング方法を説明する。
この方法は、Ａｇペースト３等を用いて半導体素子４を
素子搭載部２に固定支持し、次いで、半導体素子４の接
続部５と、リードフレーム１の所望の接続部６とを金等
の極細金属線７を用いて電気的に接続する方法である。
接続後にトランスファーモールド法等の方法でエポキシ
樹脂等、熱硬化性樹脂である樹脂８を用いて半導体素子
４とリードフレーム１を封止し、その後、樹脂封止部品
から外に伸びたリードフレーム１の不要部分を切断し、
所望の形に曲げ半導体９を作る。
■Ｔ　Ａ　Ｂ　（Ｔａｐｅ　Ａｕｔｏｍａｔｅｄ　Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ　）法（例えば、特開昭５９−１３９６３８
号公報）第１４図はＴＡＢ法により接続され封止された
半導体装置の代表例を示す。
この方法は、テープキャリア方式による自動ボンディン
グ法である。この方法を第１４図に基づいて説明する。
キャリアフィルム基板１６と半導体素子４とを位置決め
した後、キャリアフィルム基板１６のインナーリード部
１７と半導体素子４の接続部５とを熱圧着することによ
り接続する方法である。接続後にエポキシ樹脂等、熱硬
化性樹脂である樹脂２０あるいは樹脂２１で封止し、半
導体装置９とする。
■ＣＣＢ　（Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｃｏ１１ａｐｓｅ
　Ｂｏｎｄｉｎｇ　）法（例えば、特公昭４２−２０９
６号公報、特開昭６０−５７９４４号公報） 第１５図はＣＣＢ法によって接続され封止された半導体
装置の代表例を示す。この方法を第１５図に基づき説明
する。なお、本方法はフリップチップボンディング法と
も言われている。
半導体素子４の接続部５に予め半田バンブ３１を設け、
半田バンプ３１が設けられた半導体素子４を回路基板３
２上に位置決めして搭載する。その後、半田を加熱溶解
することにより回路基板３２と半導体素子４とを接続さ
せ、フラックス洗浄後封止して半導体装置９を作る。
■第１６図および第１７図に示す方法 第１の半導体素子４の接続部５以外の部分にポリイミド
等よりなる絶縁膜７１を形成せしめ、接続部５にはＡｕ
等よりなる金属材７０を設け、次いで、金属材７０およ
び絶縁膜７１の露出面７３．７２を平らにする。一方、
第２の半導体素子４°の接続部５°以外の部分にポリイ
ミド等よりなる絶縁膜７１′を形成し、接続部５°には
Ａｕ等よりなる金属材７０’　を設け、次いで、金属材
７０′および絶縁膜７１′の露出面７３′。
７２′を平坦にする。
その後、第１７図に示すように第１の半導体素子４と第
２の半導体素子４′とを位置決めし、位置決め後熱圧着
することにより、第１の半導体素子４の接続部５と第２
の半導体素子４°の接続部５″を、金属材７０，７０°
を介して接続する。
■第１８図に示す方法 第１の回路基板７５と第２の回路基板７５°の間に、絶
縁物質７７中に導電粒子７９を分散させた異方性導電膜
７８を介在させ、第１の回路基板７５と第２の回路基板
７５°を位置決めした後、加圧、もしくは加圧・加熱し
、第１の回路基板７５の接続部７６と第２の回路基板７
５″の接続部７６゛を接続する方法である。
■第１９図に示す方法 ￥Ｓ１の回路基板７５と第２の回路基板７５°の間に、
Ｆｅ、Ｃｕ等よりなる金属線８２が一定方向に向けて配
されいる絶縁物質８１からなるエラスチックコネクター
８３を介在させ、第１の回路基板７５と第２の回路基板
７５”を位置決めした後加圧し、第１の回路基板７５の
接続部７６と第２の回路基板７５゛の接続部７６°を接
続する方法である。
［発明が解決しようとする問題点コ しかしながら、前記した従来のボンディング法には以下
のような問題点がある。
■ワイヤボンディング法 ■半導体素子４の接続部５を半導体素子４の内部にくる
ように設計すると、極細金属線７は、その線径が極め［
て小さいために、半導体素子４の外周縁部１０あるいは
リードフレーム１の素子搭載部２の外周縁部１１に接触
し易くなる。極細金属線７がこれら外周縁部１０あるい
は１１に接触すると短絡する。さらに、極細金属線７の
長さを長くせざるを得す、長さを長くすると、トランス
ファーモールド成形時に極細金属線７が変形しやすくな
る。
従って、半導体素子４の接続部５は半導体素子４上の周
辺に配置する必要が生じ、回路設計上の制限を受けざる
を得なくなる。
■半導体素子４とリードフレーム１とを極細金属線７で
接続するため、接続に必要な水平方向の広がりを必要と
し、これを小さくしようとすると上記■で述べた短絡が
生じる。よって、ワイヤボンディング法では、接続に必
要な水平方向の大きさを小さくすることはできず、高密
度実装には不適である。
■ワイヤボンディング法においては、隣接する極細金属
線７同士の接触等を避けるためには半導体素子４上の接
続部５のピッチ寸法（隣接する接続部の中心間の距離）
としである程度の間隔をとらざるを得ない。従って、半
導体素子４の大きさが決まれば必然的に接続部５の最大
数が決まる。
しかるに、ワイヤボンディング法では、このピッチ寸法
が通常０．２ｍｍ程度と大きいので、接続部５の数は少
なくせざるを得なくなる。
■ワイヤボンディング作業に時間がかかる。特に、接続
点数が多くなるとボンディング時間が長くなり生産効率
が悪くなる。
■何らかの要因でトランスファーモールド条件範囲を越
すと、極細金属線７が変形したり最悪の場合には切断し
たりする。
また、半導体素子４上の接続部５においては、極細金属
線７と合金化されないＡＱが露出しているためＡ℃腐食
が生じ易くなり、信頼性の低下が生じる。
■ＴＡＢ法 ■半導体素子４の接続部５を半導体素子４の内側にくる
ように設計すると、キャリアフィルム基板１６のインナ
ーリード部１７の長さ１が長くなるため、インナーリー
ド部１７が変形し易くなり、インナーリード部を所望の
接続部５に接続できなかったり、インナーリード部１７
が半導体素子４の接続部５以外の部分に接触したりする
。これを避ける。ためには半導体素子４の接続部５を半
導体素子４上の周辺に持ってくる必要が生じ、設計上の
制限を受ける。
■ＴＡＢ法においても、半導体素子４上の接続部のピッ
チ寸法は０．０９〜０．１５ｍｍ程度にとる必要があり
、従って、ワイヤボンディング法の問題点■で述べたと
同様に、接続部数を増加させることは難しくなる。
■ＴＡＢ法も接続の方向としては、ワイヤボンディング
法と同様に、水平方向への接続であるため、水平方向の
大きさを小さくすることは困難であり、高密度実装には
不適である。
■キャリアフィルム基板１６のインナーリード部１７が
半導体素子４の接続部５以外の部分に接触しないように
するには、そのためのインナーリード部１７の接続形状
が要求されるためコスト高となる。
■半導体素子４の接続部５とインナーリード部１７とを
接続するためには、半導体素子４の接続部５又はインナ
ーリード部１７の接続部に金バンプを付けなければなら
ず、コスト高になる。
■半導体素子４の熱膨張係数が、樹脂２０乃至樹脂２１
の熱膨張係数と異なるため、半導体装置９に熱が加わっ
た場合、熱応力が発生し、半導体素子４の特性劣化を生
じる。さらには、半導体素子４、又は樹脂２０あるいは
樹脂２１に割れが生じ、装置の信頼性が低下する。この
ような現象は半導体素子４の大きさが大きい場合顕著と
なる。
■ＣＣＢ法 ■半導体素子４の接続部５に半田バンブ３１を形成させ
なければならないためコスト高になる。
■バンブの半田量が多いと隣接する半田バンブ間にブリ
ッジ（隣接する半田バンブ同士が接触する現象）が生じ
、逆にバンブの半田量が少ないと半導体素子４の接続部
５と回路基板３２の接続部３３が接続しなくなり電気的
導通がとれなくなる。すなわち、接続の信頼性が低くな
る。
さらに、半田量、接続の半田形状が接続の信頼性に影響
する（　”Ｇｅｏ［ｌ１ｅｔｒｉｃ　Ｏｐｔｉｍｉｚａ
ｔｉｏｎ　、ｏｆ［：ｏｎｔｒｏｌｌｅｄ　Ｃｏ１１ａ
ｐｓｅ　Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎｓ＠。
Ｌ、　Ｓ、　Ｇｏｌｄｍａｎ、　ＩＢＭ　Ｊ、　ＲＥＳ
、　ＤＥＶＥＬＯＰ、　１９８９゜１ｉ！ＡＹ、　ｐｐ
、２５１−２６５．Ｉｔｅｌｉａｂｌｌｉｔｙ　ｏｆ　
Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ（：ｏｌｌａｐｓｅ　Ｉｎｔｅｒ
−ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎｓ”、に、　Ｃ，Ｎｏｒｒｉｓ
。
Ａ、　　Ｈ，Ｌａｎｄｚｂｅｒｇ、　　ＩＢＭ　　Ｊ、
　　ＲＥＳ、　　ＤＥＶＥＬＯＰ。
１９６ａ、　ＭＡＹ、　ｐｐ２６６−２７１．ろう接技
術研究会技術資料、Ｎｏ、０１７−’８４、ろう接技術
研究会発行）という問題がある。
このように、半田バンブの量の多少が接続の信頼性に影
晋するため半田バンブ３１の量のコントロールが必要と
されている。
■半田バンブ３１が半導体素子４の内側に存在すると接
続が良好に行われたか否かの目視検査が難しくなる。
■半導体素子の放熱性が悪い（参考資料；Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃ　Ｐａｃｋａｇｉｎｇ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ
　１９８７．１゜（Ｖｏｌ、３．　Ｎｏ、１）　Ｐ、６
８〜７１．　ＮＩＫＫＥＩ　ＭＩＣＲＯＤＥＶＩＣＥＳ
１９８６．５月、　Ｐ、９７〜１０８）ため、放熱特性
を良好たらしめるために多大な工夫が必要とされる。
■半導体素子４の接続部と回路基板３２の接続部を合わ
せて接続する５ｕｒｆａｃｅ　Ｄｏｕｗ　Ｍｏｕｎｔ方
式であるため位置合わせが困難であり、製造装置は大が
かりとなる。また、マウント後リフローし接続するので
あるが、搬送中に位置ずれを生じたりする。
■第１６図および第１７図に示す技術 ■絶縁膜７１の露出面７２、金属材７０の露出面７３あ
るいは絶縁膜７１°の露出面７２゛と金属材７０°の露
出面７３°とを平らにしなければならず、そのための工
程が増し、コスト高になる。
■絶縁膜７１の露出面７２と金属材７０の露出面７３あ
るいは絶縁膜７１°の露出面７２°と金属材７０°の露
出面７３°に凹凸があると金属材７０と金属材７０゛と
が接続しなくなり、信頼性が低下する。
■この方式においても、　５ｕｒｆａｃｅ　Ｄｏｗｎ　
Ｍｏｕｎｔ方式であるので、ＣＣＢ法の問題点■でのべ
たと同様に、位置合わせが困難であり、製造装置が犬が
かなりなものとなる。
■第１８図に示す技術 ■位置決め後、接続部７６と接続部７６゛とを加圧して
接続する際に、圧力が一定にはかかりにくいため接続状
態にバラツキが生じ、その結果、接続部における接触抵
抗値のバラツキが大きくなる。そのため、接続の信頼性
が乏しくなる。また、多量の電流を流すと、発熱等の現
象が生じるので、多量の電流を流したい場合には不向き
である。
■圧力が一定にかけられたとしても、異方性導電膜７８
の導電粒子７９の配列により抵抗値のバラツキが大きく
なる。そのため、接続の信頼性に乏しくなる。また、多
量の電流を流したい場合には不向きである。
■隣接する接続部のピッチ（接続部に隣接する接続部中
心間の距離）を狭くすると、隣接する接続部の間の抵抗
値が小さくなることから高密度な接続には不向きである
。
■回路基板７５．７５’の接続部７６．７６゜の出っ張
り量ｈｔのバラツキにより抵抗値が変、化するため、ｈ
１バラツキ量を正確に押さえることが必要である。
■さらに、異方性導電膜を、半導体素子と回路基板の接
続、又は第１の半導体素子と第２の半導体素子との接続
に使用した場合、上記■〜■の欠点の他、半導体素子の
接続部にバンプを設けなければならなくなり、コスト高
になる。
■第１９図に示す技術 ■加圧が必要であり、加圧治具が必要となる。
■エラスチックコネクタ８３の金属線８２と第１の回路
基板７５の接続部７６、又は第２の回路基板７５°の接
続部７６°との接触抵抗は加圧力および表面状態により
変化するため、接続の信頼性に乏しい。
■エラスチックコネクタ８３の金属線８２は剛体である
ため、加圧力が大であるとエラスチックコネクタ８３、
第１の回路基板７５、第２の回路基板７５°の表面が破
損する可能性が大きい。また、加圧力が小であると、接
続の信頼性が乏しくなる。
■さらに、回路基板７５，７５°の接続部７６．７６°
の出っ張り量ｈ２又はエラスチックコネクタ８３の金属
線８２のの出っ張り量ｈ３とそのノ＜ラツキが抵抗値変
化および破損に影響を及ぼすので、ベラツキを少なくす
る工夫が必要とされる。
■さらに、エラスチックコネクターを半導体素子と回路
基板の接続又は第１の半導体素子と第２の半導体素子と
の接続に使用した場合、■〜■と同様な欠点を生ずる。
（以下余白） ［課題を解決するための手段］ 本発明の第１の要旨は、電気回路部品の少なくとも１以
上の電気的接続部の存在する面以外の少なくとも１以上
の面を保持する電気回路保持部材と； 少なくとも１以上の接続部を有し、該電気回路保持部材
に保持されている少なくとも１以上の電気回路部品と； 少なくとも１以上の接続部を有し、該接続部において該
電気回路保持部材に保持されている該電気回路部品の該
接続部が接続されている少なくとも１以上の他の電気回
路部品と； を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
にある。
本発明の第２の要旨は、上記第１の要旨において、該接
続は、金属化及び／又は合金化することによりなされて
いることを特徴とする電気回路装置にある。
以下に本発明の構成要件を個別的に説明する。
（電気回路部品） 本発明における電気回路部品としては、例えば、トラン
ジスタ、ＩＣ等の半導体素子や、樹脂回路基板、セラミ
ック基板、金属基板、シリコン基板等の回路基板（以下
車に回路基板ということがある）や、リードフレーム等
が挙げられる。
なお、電気回路保持部材に保持される電気回路部品は、
電気回路保持部材の１つの面に１つだけ存在してもよい
し、複数個存在してもよい。また、保持される電気回路
部品の大きさ、形状、種類は任意でかまわないが、保持
される電気回路部品の数が多ければ多いほど、また種類
が多種であれば多種であるほど、本発明の効果は顕著と
なる。
電気回路部品として接続部を有する部品が本発明の対象
となる。接続部の数は問わないが、接続部の数が多けれ
ば多いほど未発明の効果が顕著となる。
また、接続部の存在位置も問わないが、電気回路部品の
内部に存在するほど本発明の効果は顕著となる。
なお、接続部は電気的導電材料である。
（電気回路保持部材） 電気回路保持部材の材質としては金属、合金、有機、無
機材料のいずれであフてもよい。また、それらの複合材
料であフてもよいい。
さらに電気回路保持部材の形状、大きさは、保持した電
気回路部品と他の電気回路部品との接続が均一に、かつ
安定して行うことが可能であれば任意でかまわない。
また、電気回路保持部材に保持される電気回路部品の大
きさ、数、種類は任意であってかまわないが、数が多け
れば多いほど、また種類が多ければ多いほど、本発明の
効果は顕著である。
上記金属・又は合金としては、例えば、Ａｇ。
Ｃｕ、Ａｕ、ＡＪ２．Ｂｅ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｍｏ。
Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｗ、Ｔｉ、Ｐｔ。
Ｃｒ、Ｐｄ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ、Ｙ、等の金属又は合金が
挙げられる。
無機材料としては、例えば、Ｓｔ、Ｇｅ。
ＧａＡｓ、ａ−３ｉ等の半導体や、Ｂ２Ｃ）３゜Ａ　　
ＪＺ２　０３　　、　　Ｎ　　ａ　　２０　　、　Ｋ２
　０　、　　Ｃａｂ。
ＺｎＯ，Ｂａｄ、　　　ＰｂＯ，Ｓｂ　　２０　３　。
Ａｓ、　　Ｏ！　、　　Ｌａ２　０３　、　　ＺｒＯ，
、Ｂａｄ。
Ｐ２０５　、　　ＴｉＯ２、ＭｇＯ，ＳｉＣ，Ｂｅｄ。
Ｂ　　Ｐ、　　ＢＮ、　　ＡＩＮ、　　Ｂ４　　Ｃ，Ｔ
ａＣ。
ＴｉＢ、　　、　　ＣｒＢ　２　、　　ＴｉＮ、　　Ｓ
ｔ　　３　Ｎ４　　。
Ｔａ２０５　、ｃ　ＢＮ、Ｓ　ｉ　０２等のセラミック
、ダイヤモンド、ガラス、合成石英、カーボン、ボロン
その他の無機材料が挙げられる。
また、有機材料としては、例えば絶縁性の樹脂を用いれ
ばよく、樹脂としては、熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂
、熱可塑性樹脂等のいかなるものでもよい。例えば、ポ
リイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリ
エーテルサルフオン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポ
リスチレン樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリジフェニールエーテル樹脂、ポリベンジルイミダゾ
ール樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリプロピレン樹脂
、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、メ′タクリ
ル酸メチル樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、フェ
ノール樹脂、メラニン樹脂１、エポキシ樹脂、尿素樹脂
、メタクリル樹脂、塩化ビニリデン樹脂、アルキッド樹
脂、シリコーン樹脂、その他の樹脂を使用することがで
きる。
さらに、電気回路保持部材としては、それぞれ異なる機
能を有した部材を組み合せ、複合化することも可能であ
る。例えば、保持板と放熱フィン等の組み合せを行うこ
とにより、保持する電気回路部品に合せた機能を持った
電気回路保持部材が得られる。
（接続） 電気回路部品の接続部と他の電気回路部品の接続部との
接続方法としては下記の構成が考えら１れる。
■金属化及び／又は合金化による接続。
■電気的導電材料が混入した樹脂の硬化反応による接続
。
■押圧による接続。
■各々の電気回路部品の接続部を構成している同一素材
からなる表面を平滑化、清浄化又は活性化した後に、各
々の接続部を合せることにより、各々の電気的導電部材
の原子間力（ファンデルワールス力）による接続。
■導電性有機材料からなる接続体による接続。
■その他の方法による接続。
次に、上記の接続のうち■の金属化及び／又は合金化に
よる接続について述べる。
接続しようとする接続部同士が同種の純金属よりなる場
合には、金属化により形成される接続体は接続部と同種
の結晶構造となる。なお、金属化の方法としては、例え
ば、電気的導電部材の端とその端に対応する接続部とを
接触させた後、適宜の温度に加熱すればよい。加熱によ
・り接触部近傍において原子の拡散等が生じ、拡散部が
金属化状態となり接続体が形成される。
接続しようとする接続部同士が異種の純金属よりなる場
合には、形成される接続体は両金属の合金よりなる。合
金化の方法としては、例えば、対応する接続部同士と接
触させた後、適切な温度に加熱すればよい。加熱により
接触部近傍において原子の拡散等が生じ、接触部近傍に
固溶体あるいは金属間化合物よりなる層が形成されこの
層が接続体となる。
なお、対応する２つの接続部の一方にＡｕを使用し、他
方にＡｕ２を使用した場合には、２００〜３５０℃の加
熱温度が好ましい。
接続しようとする２つの接続部の一方が純金属よりなり
他方が合金よりなる場合、あるいは両者が同種あるいは
異種の合金よりなる場合には、接続体は合金よりなる。
なお、それぞれの接続部は、両者の接触部において、金
属あるいは合金であればよく、その他の部分は、例えば
金属にガラス等の無機材料、もしくは金属に樹脂等の有
機材料が配合された状態であってもよい。
なお、接続強度を高めるためには、接続される部分の表
面粗度を小さくすることが好ましい（特に０．３μｍ以
下が好ましい）。また、接続される部分の表面に合金化
しやすい金属あるいは合金よりなるめっき層を設けてお
いてもよい。
（保持） 電気回路保持部材と電気回路部品の少なくとも１以上の
電気的接続部の存在する部具外の少なくとも１以上の面
の保持としては下記の■〜■の方法が考えられるが、少
なくとも一部分がそわらのうちの少なくとも１つの方法
で保持されていればよい。
■有機材料の硬化反応により保持する。有機材料として
樹脂を用いる場合には樹脂の種類は問わない。例えば、
熱硬化性樹脂、紫外線硬化性樹脂のいずれでもよい。
■接着材により接着し保持する。接着材の種類は問わな
い。例えば、アクリル系接着材、−ボキシ系接着材のい
ずれでもよい。
■前述の金属化及び／又は合金化することにより保持す
る。
■保持される部分を同一材料から形成し、その表面を平
坦化及び清浄化し、真空中で貼り合せ、接触部の構成原
子の原子間力（ファンデルワールス力）により保持する
。
■上記■〜■の方法以外で保持する。例えば、機械的に
はめ込み等の方法で保持する。
［作用］ 本発明では、上記した電気回路保持部材に電気回路部品
の少なくとも１以上の接続部の存在する部具外の面で、
電気回路部品を保持させた後に、他の電気回路部品と接
続するために、複雑な５ｕｒｆａｃｅ　Ｄｏｗｎ　Ｍｏ
ｕｎｔの位置決めを個々の電気回路部品に対して行う必
要がなくなり、電気回路保持部材と他の電気回路部品と
の位置決めを行うだけで、多数の電気回路部品の接続部
の位置決めが行え、生産性は大幅に向上する。
また、電気回路保持部材に電気回路部品を保持した後に
、他の電気回路部品と一括して位置決め及び接続をする
ため、電気回路部品として多種多様のものが使用でき、
また、それらは−括処理で接続されるため、多種多様の
電気回路装置が同一工程で生産可能となる。
さらに、電気回路部品は電気回路保持部材に保持されて
いるため、電気回路装置の・作製工程中及び作製後にお
いて、治具等を使用して電気回路部品を保持する必要が
なく、電気回路装置の作製中及び作製後の管理が容易で
ある。
さらに、電気回路保持部材に保持される電気回路部品を
機能別に分けることにより、電気回路部品を保持してい
る電気回路保持部材毎に機能ブロック化することが可能
となり、これを用いることにより、さらに、多種多様の
電気回路装置を同一工程で生産可能となる。
なお、本発明において、電気回路保持部材に熱伝導性の
よい材料を用いた場合、電気回路部品から発生する熱が
より早く外界へ逃げ、熱放散性の良い電気回路装置が得
られる。また、電気回路保持部材が電気回路部品の熱膨
張係数に近い材料を用いた場合、熱膨張係数が電気回路
部品の熱膨張係数に近づき、熱が加わった場合に生ずる
ことのある電気回路部品の割れ、あるいは電気回路部品
の特性変化という、電気回路装置の信頼性を損なう現象
を防止でき、信頼性の高い電気回路装置が得られる。
本発明において、接続を金属化及び／又は合金化により
行うと、 ■電気回路部品同士が強固（強度的に強く）かつ確実に
接続されるので、接続抵抗値は小さく、そのバラツキも
小さく、さらに機械的に強く、不良率の極めて低い電気
回路装置を得ることができ、 ■電気回路部品相互の接触抵抗が、電気回路部品を接続
した場合に比べてより小さくなる。
なお、電気回路部品乃至他の電気回路部品を金属化及び
／又は合金化による接続以外の接続により行うと、金属
化及び／又は合金化時に生じる電気回路部品の熱による
劣化を防止することができる。
また、押圧による接続を行うと、用途によっては電気回
路部品を着脱自在にしておきたい場合があり、このよう
な場合にその電気回路部品を金属化及び／又は合金化に
よる接続以外の接続行えば、その要望に応じることが可
能となる。
（以下余白） ［実施例］ （第１実施例） 第１図（ａ）、（ｂ）は本発明の特徴を最も良く表わす
断面図であり、同図において２０１は電気回路保持部材
、２０２は電気回路部品である半導体素子、２０３は半
導体素子２０２の接続部、２０４は電気回路部品である
回路基板、２０５は回路基板２０４の接続部、２０６は
半導体素子２０２の接続部２０３と回路基板２０４の接
続部２０５とからなる接続面である。
まず、電気回路保持部材２０１に半導体素子２０２を、
半導体素子２０２の接続部２０３がそれぞれの接続する
回路基板２０４の接続部２０５の位置関係と等しくなる
ように位置決めを行い、位置合せが終了したものは電気
回路保持部材２０１に保持させる。この際の保持方法と
しては、金属化及び／又は合金化による保持でもよいし
、又は接着剤（アクリル系、エポキシ系樹脂）による保
持でもかまわないし、その他の方法でもかまわないが、
保持後に多少の衝撃が加わっても位置ズレを生じてはな
らない。電気回路保持部材２０１に半導体素子２０２を
全て保持した後に、電気回路保持部材２０１を反転させ
るか、又は回路基板２０４を反転させ、電気回路保持部
材２０１に保持された半導体素子２０２の接続部２０３
と接続する回路基板２０４の接続部２０５とが対向する
ようにする（第１図（ａ））。
その後に、電気回路保持部材２０１と回路基板２０４と
の位置合せを行うと、電気回路保持部材２０１に、保持
されている半導体素子２０２は、回路基板２０４の接続
部２０５と半導体素子２０２の接続部２０３との位置関
係が等しくなるように電気回路保持部材２０１に保持さ
れたため、半導体素子２０２の接続部２０３と回路基板
２０４の接続部２０５は必然的に位置決めされる。よっ
て、電気回路保持部材２０１と回路基板２０４の位置合
せを行うことにより電気回路保持部材２０１に保持され
ている全ての半導体素子２０２の接続部２０５の全てと
回路基板２０４の接続部２０５の全ての位置がそれぞれ
一致し、その結果、両者の接続が可能となる（第１図（
ｂ））。
第１図（ｂ）の接続は以下に述べる各種の方法で行える
が、そのいずれの方式であってもかまわない。
■半導体素子２０２の接続部２０３と回路基板２０４の
接続部２０５とが金属化及び／又は合金化することによ
る接続。
■半導体素子２０２の接続部２０３と回路基板２０４の
接続部２０５とを機械的に押圧することによる接続。
■電気的導電材料の粉体が混入し、た樹脂による接続。
■電気的導電性のある有機材料による接続。
■半導体素子２０２の接続部２０３と回路基板２０４の
接続部２０５とを構成する原子の原子間力（ファンデル
ワールス力）による接続。
以上のように、電気回路保持１部材２０１を用いて電気
回路部品である半導体素子２０２と他の電気回路部品で
ある回路基板２０４とを接続することにより、従来は困
難であった５ｕｒｆａｃｅ　Ｍｏｕｎｔ（又は５ｕｒｆ
ａｃｅ　Ｄｏｗｎ　Ｍｏｕｎｔ　）を極めて簡単に行う
ことが可能となった。
また、第２図に示すように、電気回路保持部材２０１に
保持される半導体素子は一種類のみである必要はなく、
他の半導体素子２０７，２０８゜２０９の様に何種類で
もよい。また、半導体素子２０７，２０８，２０９が何
個であっても、回路基板２０４の接続部と半導体素子２
０７゜２０８．２０９の接続部との位置関係が一致する
ように電気回路保持部材２０１に保持させれば同様の効
果が得られることは自明である。
（第２実施例） 第３図は第２実施例を示す断面図である。同図において
、２０１は電気回路保持部材、２０２は電気回路部品で
ある半導体素子、２１０は半導体素子の接続部に形成さ
れたバンブ、２０４は他の電気回路部品である回路基板
、２０５は回路基板２０４の接続部である。
まず、電気回路保持部材２０１に半導体素子２０２を、
半導体素子２０２のバンブ２１０がそれぞれの接続する
回路基板２０４の接続部２０５の位置関係と等しくなる
ように位置決めを行い、位置合せが終了したものは電気
回路保持部材２０１に保持させる。この際の保持方法と
１ノでは、金属化及び／又は合金化による保持でもよい
し、又は接着剤（アクリル系、エポキシ系樹脂）による
ものでもかまわないし、その他の方法であっても良いが
、保持後に多少の衝７等の劣化が加わっても位置ズレを
生じてはならない。
電気回路保持部材２０１を用いて接続する半導体素子２
０２を全べて保持した後に電気回路保持部材２０１を反
転させるか、又は回路基板２０４を反転させ、電気回路
保持部材２０１に保持された半導体素子２０２のバンブ
２１０と回路基板２０４の接続部２０５が対向するよう
にする（第３図（ａ））。
その後に電気回路保持部材２０１と回路基板２０４との
位置合せを行うと、電気回路保持部材２０１に保持され
ている半導体素子２０２は、バンブ２１．０と回路基板
２０４の接続部２０５との位置関係が等しくなる様に保
持されているため、半導体素子２０２のバンブと２１０
と回路基板２０４との全ての接続部２０５はそれぞれ必
然的に〜致し、接続が可能となる。また、接続部に形成
されるバンブは、第４図（ａ）、（ｂ）に示すように、
半導体素子２０２側ではなく回路基板２０４の接続部２
１０側に形成し、半導体素子２０２の接続部２０３と接
続しても良いことは自明である。
また、バンブ２１０と接続部２０５（第３図）。
２０３（第４図）との接続は、実施例１で示した■〜■
のいずれの方法であってもかまわない。
以トのように、接続部にバンブを設けることにより、電
気回路保持部材へ電気回路部品を保持する際の平行度及
びバンブと他の電気回路部品の接続部とを接続する際の
平行度を、接続時にバンブが変形することで修正するこ
とができ、良好な接続が得られる。
（第３実施例） 第５図（ａＬ　　（ｂ）は第３実ａ例を表わす断面図で
ある。同図において、２１１は電気回路保持部材、２０
２は電気回路部品である半導体素子、２０３は半導体素
子２０２の接続部、２０４は電気回路部品である回路基
板、２０５は回路基板２０４の接続部である。
電気回路保持部材２１１は、半導体素子２０２の接続部
２０３と接続する回路基板２０４の接続部２０５の位置
関係が等しくなるように半導体素子２０２を保持するの
であるが、それぞれの半導体素子２０２を保持する位置
に半導体素子２０２が入るガ、イド２１２が形成されて
いる。、電気回路保持部材２１１と半導体素子２０２と
の位置合せは半導体素子２０２をガイド２１２へ入れる
だけでよく、ガイドに入った半導体素子２０２は金属化
及び／又は合金化、又は接着剤等の任意の方法で保持さ
れる。その後に電気回路保持部材２１１か又は回路基板
２０４を回転させ、半導体素子２０２の接続部２０３と
回路基板２０４の接続部２０５が対向するようにした後
に、電気回路保持部材２１１と回路基板２０４を位置合
せを行い、半導体素子２０２の接続部２０３と回路基板
２０４の接続部２０５とを任意の方法で接続する。
また、第６図に示すように、電気回路保持部材に保持さ
れる電気回路部品２１６，２１７゜２１８は、実施例１
で示したように、形状、大きさ、数に制約されない。よ
って、それぞれに適したガイド２１４，２１５，２１６
を電気回路保持部材２１３に形成し、電気回路部品２１
７゜２１８．２１９を保持した後に、電気回路部材２１
３と回路基板２０４を位置合せし接続することにより、
よりフレキシブルな５ｕｒｆａｃｅ　ＤｏｗｎＭｏｕｎ
ｔが可能となる。
（第４実施例） 第７図（ａ）、（ｂ）は第４実施例を表わす断面図であ
る。同図において、２０１は第１の電気回路保持部材、
２０２は第１の半導体素子、２２０は第２の電気回路保
持部材、２２１は第２の半導体素子、２２２は第２の半
導体素子の接続部、２２３は回路基板、２２４は回路基
板２２３の第２の半導体素子２２１との接続部、２２５
は第１の電気回路保持部材２０１を用いて、第１の半導
体素子２０２を保持し回路基板２２３に接続した電気回
路装置である。
第１の電気回路保持部材２０１を用いて第１の半導体素
子２０２を保持し、回路基板２２３に接続した後に、第
２の電気回路保持部材２２０に任意の方法で保持された
第２の半導体素子２２１の接続部２２４と回路基板２２
３の接続部２２４とを、第２の電気回路保持部材２２０
と回路基板２２３とを位置決めした後に任意の方法で接
続する。
上記のように、半導体素子２０２，２２１を分割して接
続することにより、基本回路部分が共通で周辺回路が異
なる電気回路装置でも、周辺回路部分の電気回路部品を
同一規格の電気回路保持部材を用いて、接続を同一工程
で行うことが可能となり、フレキシビリティは大幅に向
上する。
また、電気回路保持部材の形状は、第７図（ａ）、（ｂ
）に示すような形状であっても、第８図（ａ）、（ｂ）
に示すような並列配置であっても、それ以外の任意の形
状であってもかまわない。
（第５実旅例） 第９図（ａ）、（ｂ）は第５実施例を表わす断面図であ
る。同図において、２２６は第２の電気回路保持部材、
２２７は第２の電気回路部品である半導体素子、２２８
は第２の半導体素子２２７の接続部、２２９は電気回路
部品である回路基板、２３０は回路基板２２９の接続部
、２３１は第１の電気回路保持部材２０１を用いて第１
の半導体素子２０２を保持し、回路基板２２９へ接続し
た電気回路装置である。
第１の電気回路保持部材２０１を用いて第１の半導体素
子２０２を保持し、回路基板２２９に接続した後に、第
２の電気回路保持部材２２６に任意の方法で保持された
第２の半導体素子２２７の接続部２２８と回路基板２２
９の接続部２３０とが対向するようにし、第２の電気回
路保持部材２２６と回路基板２２９とを位置合せし、任
意の方法で第２の半導体素子２２７の接続部２２８と回
路基板２２９の接続部２３０を接続する。
回路基板２２９の両面を５ｕｒｆａｃｅ　Ｄｏｗｎ　Ｍ
ｏｕｎｔで接続する二とにより、より高密度な実装が可
能となる。
（第６実施例） 第１０図（ａ）、（ｂ）は第６実施例を表わす断面図で
ある。同図において、２０１は電気回路保持部材、２０
２は電気回路部品である半導体素子、２０３は半導体素
子２０２の接続部、２０４は電気回路部品である回路基
板、２３３は電気回路部品である半導体素子、２３４は
半導体素子２３３の接続部である。
回路基板２０４に半導体素子２３３が接続及び／又は保
持されている。電気回路保持部材２０１に半導体素子２
３３を、半導体素子２０２の接続部２０３と回路基板２
０４に接続及び／又は保持された半導体素子２３３の接
続部２３４の位置関係が等しくなるよう・に位置決めし
、任意の方法で保持する。その後に、各々の接続部が対
向するように電気回路保持部材２０１と回路基板２０４
を配置し、電気回路保持部材２０１と回路基板２０４を
位置合せした後に、各々の接続部２０３と２３４を任意
の方法で接続する。
電気回路保持部材２０１を用いる・τとにより、半導体
素子同士という極めて高精度を要求される５ｕｒｆａｃ
ｅ　Ｄｏｗｎ　Ｍｏｕｎｔでも極め１簡単に実現するこ
とが可能となる。
（第７実施例） 第１１図（ａ）、（ｂ）は第７実施例を表わす断面図で
ある。同図において、２３５は電気回路保持部材、２０
２は電気回路部品である半導体素子、２０３は半導体素
子２０２の接９続部、２０４は回路基板、２０５は回路
基板の接′続部、２３ゝ３は電気回路部品である半導体
素子、２３４は半導体素子２３３の接続部である。
回路基板２０４に接続部２３４を有する半導体素子２３
３が接続又は保持され、また、回路基板２０４上にも接
続部２０５が存在する。このように、接続部２０５と２
３４の高さが異なる場合（第１１図（ａ））には、その
接続部２０５と２３４の高さの差を補正するような形状
の電気回路保持部材２３５を用い、半導体素子２０２の
接続部２０３と回路基板２０４に保持さねている半導体
素子２３３の接続部２３４及び回路基板２０４の接続部
２０５との位置関係が等しくなるように半導体素子２０
２を位置決め後、電気回路保持部材２３５に保持させる
。その後に各々の接続部２０３と２３４及び２０５とが
対向するように配置し、電気回路保持部材２３５と回路
基板２０４を位置決め後、各々の接続部を任意の方法で
接続する。
電気回路保持部材の形状を任意に変えることにより、接
続される電気回路部品の接続部の位置関係が複雑であっ
たとしても、−括処理の接続が可能となる。
［発明の効果コ 本発明は、以上のように構成したので以下のような数々
の効果が得られる。
（請求項１） ■５ｕｒｆａｃｅ　Ｄｏｗｎ　Ｍｏｕｎｔされる電気回
路部品を電気回路保持部材に保持した後に接続するため
、−括で多数の電気回路部品の位置決め、及び接続が可
能となり、生産性が大幅に向上−する。
■電気回路保持部材に保持される電気回路部品を機能別
に分けることにより機能ブロック化し、これを用いるこ
とにより、同一工程で多品種の電気回路装置が得られ、
生産工程の汎用性は大幅に向上する。
■電気回路保持部材に電気回路部品を保持した後に接続
するため、電気回路部品の大きさ、形状、また接続部の
存在する場ＰＩ′ｒによらない、高密度な電気回路装置
が得られ、設計及び実装の自由度は大幅に向上する。
■電気回路保持部材に熱伝導性の良い材料を用いた場合
には、電気回路部品から発生した熱が電気回路保持部材
を介して外部に放熱１７得るために放熱敗の良好な電気
回路装置が得られる。
■電気回路装置の作成］程中及び作成後において、治具
等を使用して電気回路部品を保持する必要がなく、電気
回路装置の作成及び作成後のｖ３１が容易である。
（請求項２） 請求項１の効果に加え、次の効果を得ることができる。
■電気回路部品同士が強固（強度的に強く）かつ確実に
接続されるので、接続抵抗値は小さく、そのバラツキも
小さく、さらに機械的に強く、不良率の極めて低い電気
回路装置を得ることができる。
■電気回路部品相互の接触抵抗が電気回路部品を接続し
た場合に比べてより小さくなる。
なお、電気回路部品乃至他の電気回路部品を金属化及び
／又は合金化による接続以外の接続により行うと、金属
化及び／又は合金化時に生じる電気回路部品の熱による
劣化を防止するごとができる。
また、抑圧による接続を行うと、用途によっ°Ｃは電気
回路部品を着脱自在にしておきたい場合があり、このよ
うな場合にその電気回路部品を金属化及び／又は合金化
による接続以外の接続行えば、その要望に応じることが
可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）、（ｂ）は第１実施例の接続前と接続後を
示す断面図、第２図は第１実施例の保持状態のを示す斜
視図、第３図（ａ）、（ｂ）は第２実施例の接続前と接
続後の断面図である。 第４図（ａ）、（ｂ）は第２実施例で回路基板にバンブ
を設けた例の接続前と接続後を示す断面図である。 第５図（ａ）、（ｂ）は第３実施例の接続前と接続後を
示す断面図、第６図は第３実施例の接続後を示す断面図
である。 第７図（ａ）、（ｂ）は第４実施例の接続前と接続後を
示す断面図、第８図（ａ）、’（ｂ）は第４実施例の並
列配置の接続前と接続後を示す断面図である。 第９図（ａ）、（ｂ）は第５実施例の接続前と接続後を
示す断面図、第１０図（ａ）、（ｂ）は第６実施例の接
続前と接続後を示す断面図、第１１図（ａ）、（ｂ）は
第７実施例の接続前と接続後を示す断面図である。 第１２図乃至第１９図は従来例を示し、第１３図を除ぎ
断面図であり、第１３図は平面透視図である。 １．５５・・・リードフレーム、２・・・リードフレー
ムの素子搭載部、３・・・銀ペースト、４，４°。 ２０２．２０７，２０８，２０９，２２１゜２２７．２
３３・・・半導体素子、５．５″、２０３゜２２２．２
２８，２３４・・・半導体素子の接続部、６・・・リー
ドフレームの接続部、７・・・極細金属線、８．２０．
２１・・・樹脂、９１・・・半導体装置、１α・・・半
導体素子の外周縁部、１１・・・リードフレームの素子
搭載部の外周縁部、１６・・・キャリアフィルム基板、
１７・・・キャリアフィルム基板のインナーリード部、
３１・・・半田バンブ、３２，５１゜７５．７５’　、
２０４，２２３，２２９・・・回路基板、３３，５２，
７６．７６°、２０５，２２４゜２３０・・・回路基板
の接続部、５４・・・電気的接続部材の接続部、６３・
・・封止材、７０．７０″・・・金属材、７１，７１°
・・・絶縁膜、７２．７２’・・・絶縁膜の露出面、７
３．７３’・・・金属材の露出面、７７・・・異方性導
電膜の絶縁物質、７８・・・異方性導電膜、７９・・・
導電粒子、８１・・・エラスチックコネクタの絶縁物質
、８２・・・エラスチックコネクタの金属線、８３・・
・エラスチックコネクタ、２０１゜２１１．２１３，２
２０，２２６，２３５・・・電気回路保持部材、２０６
・・・半導体素子の接続部と回路基板の接続部からなる
接続体、２１２゜２１４．２１５，２１６・・・ガイド
、２１０・・・バンブ、２１７，２１８，２１９，２２
５，２３１…電気回路装置。 第１２図 第１４図 第１６図 第１８図 第１９図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）電気回路部品の少なくとも１以上の電気的接続部
    の存在する面以外の少なくとも１以上の面を保持する電
    気回路保持部材と； 少なくとも１以上の接続部を有し、該電気回路保持部材
    に保持されている少なくとも１以上の電気回路部品と； 少なくとも１以上の接続部を有し、該接続部において該
    電気回路保持部材に保持されている該電気回路部品の該
    接続部が接続されている少なくとも１以上の他の電気回
    路部品と； を少なくとも有していることを特徴とする電気回路装置
    。
  2. （２）請求項１において、該接続は、金属化及び／又は
    合金化することによりなされていることを特徴とする電
    気回路装置。
JP63133134A 1988-05-30 1988-05-30 電気回路装置 Pending JPH01302732A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63133134A JPH01302732A (ja) 1988-05-30 1988-05-30 電気回路装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63133134A JPH01302732A (ja) 1988-05-30 1988-05-30 電気回路装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01302732A true JPH01302732A (ja) 1989-12-06

Family

ID=15097566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63133134A Pending JPH01302732A (ja) 1988-05-30 1988-05-30 電気回路装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01302732A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056466A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 三菱電機株式会社 電子部品およびその実装方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015056466A (ja) * 2013-09-11 2015-03-23 三菱電機株式会社 電子部品およびその実装方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5819406A (en) Method for forming an electrical circuit member
US5283468A (en) Electric circuit apparatus
US5569960A (en) Electronic component, electronic component assembly and electronic component unit
TWI300619B (en) Electronic device
JPH0249385A (ja) 電気的接続部材及びその製造方法
JPS63119552A (ja) Ｌｓｉチツプ
JP2002359345A (ja) 半導体装置及びその製造方法
TW471077B (en) Bump forming method, bump forming bonding tool, semiconductor wafer, semiconductor chip, semiconductor device, manufacture thereof, circuit board and electronic machine
JP3589928B2 (ja) 半導体装置
JPH07106334A (ja) 光学半導体装置を光学基板に付着する方法
JPH01302732A (ja) 電気回路装置
US11081438B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
JP2513783B2 (ja) 電気回路装置
JPH01302829A (ja) 電気回路装置
JPH01302733A (ja) 電気回路装置
JPH11135567A (ja) 異方性導電膜、半導体装置の製造方法
JPH01302735A (ja) 電気回路装置
JPH01302828A (ja) 電気回路装置
JPH01302826A (ja) 電気回路装置
JPH04109569A (ja) 電気回路部材
JPH01302734A (ja) 電気回路装置
JPH01302825A (ja) 電気回路装置
JPH02134859A (ja) マルチチップ半導体装置とその製造方法
JP2556881B2 (ja) 電気回路装置
TWI290814B (en) Method for repairing metal protection layers on electrical connecting pads of circuit boards