JPH04107295A - 電着による微粒子混合有機薄膜の形成方法 - Google Patents

電着による微粒子混合有機薄膜の形成方法

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JPH04107295A
JPH04107295A JP2224117A JP22411790A JPH04107295A JP H04107295 A JPH04107295 A JP H04107295A JP 2224117 A JP2224117 A JP 2224117A JP 22411790 A JP22411790 A JP 22411790A JP H04107295 A JPH04107295 A JP H04107295A
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佐藤 元宏
Ryoji Okada
亮二 岡田
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、高熱伝導性とともに表面絶縁性を要求される
電子機器部品、精密機器部品の表面改質を行うに好適な
電着による微粒子混合有機薄膜の形成方法に関する。
〔従来の技術〕
従来1部品表面に高熱伝導性でかつ表面#@縁性を付与
する方法には、特開昭63−261528号公報に記載
のようにダイヤモンド、窒化アルミニウムなどのコーテ
ィングを行う方法があるが、このコーティングにおいて
は信頼性の高いコーティング技術はまだ確立されておら
ず、また処理コストが高いこともあって実用性に乏しい
また、材料表面に絶縁性と耐食性を付与する方法には、
米国特許第3230162号に記載のように電着法によ
る有機膜の形成方法があり、一般的にこの有機膜の形成
方法は膜厚数十μmの厚膜形成に主として用いられる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のダイヤモンド、窒化アルミニウムなどのコーティ
ング従来技術は、スパッタ・反応性蒸着等のPVD (
物理的蒸着法)を用いると、膜のつき回りが悪く、複雑
形状を有する物には適用できず、また処理コストが高い
という問題があった。
またダイヤモンド、窒化アルミニウムのコーティングに
CVD (化学的蒸着)を用いると、成膜温度が高く(
約1000℃)なるため、膜を形成できる被処理物質が
限定され、その上処理コストが高いなどの問題があった
また従来の電着による有機物の形成方法では。
膜の主成分はエポキシなどの有機物であり、熱伝導性の
点で問題があった。またその電着によれば、膜厚は数十
μm程度と厚くなり、これを10μm以下の薄い膜厚に
すると膜品質の点で問題があった。
本発明の目的は、熱伝導性の良好な無機微粒子を混在さ
せた有機被膜を電着によって形成することによって、熱
伝導性がよくかつ絶縁性を有する薄膜を部品表面に低コ
ストで形成する電着による微粒子混合有機薄膜の形成方
法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するために、本発明の電着による微粒子
混合有機薄膜の形成方法は、樹脂を溶解させた水溶液に
前記樹脂と同種の有機物で被覆された熱伝導性良好な無
機微粒子を分散させて混合溶液をつくり、該混合溶液中
で基板の表面に無機微粒子を混在させた有機薄膜すなわ
ち混合薄膜を電着することを特徴としている。そして無
機微粒子に被覆された有機物は、水溶液中の樹脂と化学
的結合が可能な官能基を有するものがよく、樹脂として
エポキシ系樹脂を、無機微粒子としてSiCを用いるの
がよい。この場合、膜厚1oμm以下の混合薄膜を形成
するには無機微粒子の粒径が1μm以下であるとよい。
〔作用〕
電着は、樹脂を溶解した水溶液中で電気伝導体である基
板ともう一つの電極との間に直流電圧を印加し、樹脂成
分を電気的な力によって基板表面に析出させて被膜を形
成する方法である。捕脂が析出すると析出箇所の電気抵
抗が増すため、その後は析出していない箇所を選んで樹
脂が析出する。
したがって電着法はつき回りが極めて良い。通常の電着
においては、被膜析出後、百数十℃で焼成し、析出した
樹脂を重合させて被覆を硬化させるのが一般的である。
本発明は、上記電着の基本原理を応用したものである。
上記水溶液中に、この水溶液に溶解させた樹脂と化学的
結合が可能な官能基を表面にコーティングした高熱伝導
性の無機微粒子を分散、混合するとこの微粒子も電気的
な力を受けて基板表面に析出する。この場合、微粒子は
粒径1μm以下のものを用いるので、比較的小さな電圧
によっても、微粒子は基板表面に析出することができる
。また電子機器、精密機器で要求される10μm以下の
膜厚においても無機微粒子は膜厚の1/10以下の粒径
をもつので、無機微粒子が十分均一に分散した薄膜を形
成することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図〜第5図により説明す
る。
第1図は本実施例で用いた電着装置を示す図である。こ
の電着装置は、被処理材なる基板1と、電着用電極2と
、基板1と電着用電極2間に電圧を印加する直流電源3
と、基板1と電着用電極を漬ける電着液4と、その電着
液4を貯えた容器5とから構成されている。本実施例で
は、基板1には無酸素銅板を、電着用電極2にはSUS
 316ステンレス鋼板を用いており、基板1は直流電
源3のマイナス極に接続され、一方電着用電極2はプラ
ス極に接続されている。電着液4にはエポキシ樹脂と有
機物で被覆された無機微粒子とが含有されている。基板
1と電着用電極2に電圧が印加されると、電着液中のエ
ポキシ樹脂と無機微粒子はプラスに帯電し、マイナス極
の基板1表面に析出する。
第2図は、本発明の一実施例の工程を示した図である。
まず、基板1の銅板表面を鏡面状態まで研摩しアセトン
洗浄によって脱脂し、イオン交換水で洗浄し、その後、
水滴跡が生じないようにガスブローによって乾燥させた
。次に第1図に示す電着装置によって適正な印加電圧、
電着時間の条件で電着を行った。電着された基板1を純
水で洗い、N2ガスで乾燥した後、大気中で175℃、
25分間の焼成を行い、基板1表面に析出した樹脂を重
合、硬化させた。
次に電着液と無機微粒子との混合方法について詳述する
〔溶液A〕
2wt%の水系分散剤(燐−ホウ素系)を溶解したイオ
ン交換水に、無機微粒子として粒径Q、25μmのSi
C超微粒子を2wt%入れ、80℃で2時間混合させ、
SiC超微粒子表面に分散剤を反応、吸着させた。
〔溶液B〕
5wt%のシランカップリング剤(γグリシトロキシプ
ロピルトリメトキシシラン)を混合させたイオン交換水
を80℃で2時間撹拌して、加水分解させた。
〔溶解C〕
溶液Aと溶液Bを重量%で50:50の比較で混合し、
6時間撹拌させた。
この液Cとエポキシ樹脂を溶解した水溶液〔溶液D〕と
を混合し、電着液とした。
第3図は溶液C:溶液D=50:50の混合比で、電着
電圧:20V、電着時間=15秒の条件で形成した被膜
中の粒子構造を示す電子顕微鏡写真である。この電子顕
微鏡写真において、基板1表面には約1μmの被膜6が
形成され、この被膜6はエポキシ樹脂の有機膜7と、そ
の有機膜7内に均一に分散する0、25μmのSiCの
微粒子8から構成されているのが見られる。
この被膜6(以下混合薄膜6という)の熱伝導率は1 
、5 X 10−’W/cm’cであった。したがって
SiC微粒子を混合しない有機膜の熱伝導率4X 10
−’W/cm℃と比較して、この被膜は約4倍の熱伝導
率を持っていることがわかる。
以上述べたように本実施例によれば、熱伝導率の良好な
SiC微粒子を用いることにより、薄膜で高熱伝導性と
絶縁性を有する被膜を形成することができる。なお、上
記実施例と同様にして、粒径1μmのSiCを用いて、
10μmの混合薄膜を基板に形成した。この混合薄膜は
膜中にSiCを均一に分散した品質のよいものであるこ
とを確認した。
次に前記実施例により混合薄膜6を形成した銅製冷却用
フィンで構成される半導体素子冷却装置について述べる
。第4図はその半導体素子冷却装置を示す断面斜視図、
第5図は第4図の■−■断面図である。半導体素子冷却
装置は、半導体素子セラミック基板11に搭載されたL
 S Iチップ12の背面にバネ(図示せず)によって
押し付けられた冷却用フィン13と、LSIチップ12
全体を覆うハウジング14の内面に設けられた冷却用フ
ィン15とが互いに嵌合された構造となっており、断面
がくしば状で互いに嵌合するフィンの表面に混合薄膜6
が形成されている。なおLSIチップ12の配線とセラ
ミックス基板11の配線ははんだボール16により接続
されている。
LS112で生じた熱は、冷却用フィン13、冷却用フ
ィン15を通じて伝達し、ハウジング14に伝わり、ハ
ウジング14上部に設けられた冷却器(図示せず)によ
り除去される。
このような冷却装置において、冷却フィン13の底はL
SIチップ12に単に接触しているだけであるのでLS
Iチップ面の動き追従し可動することができる。そのた
め、嵌合された冷却フィン13と15の表面は互いに摩
擦接触する。しかしながら、冷却フィン13と15はそ
の表面にそれぞれ有機膜中に熱伝導性の良いSiC微粒
子を含めた混合薄膜6を成形しているため、耐摩耗性が
良く、摩耗によって金属粉が発生してショートを引き起
こすことがなく、また熱伝導が良いので冷却性能を高め
ることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、樹脂を溶解させた水溶液を熱伝導性の
良い無機微粒子を分散させた混合溶液を用いて電着を行
うことにより、無機高熱伝導微粒子を電着有機膜に均一
に混在させることができるので、#@縁性、耐食性を有
する有機膜の熱伝導特性を、簡便な方法により大幅に向
上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の電着による微粒子混合有機薄膜の形成
方法の一実施例に用いる電着装置の概略構成図、第2図
は一実施例の工程を示す図、第3図は一実施例により形
成した混合薄膜中の粒子構造を示す電子顕微鏡写真、第
4図は一実施例を適用した半導体素子冷却装置の斜視図
、第5図は第4図のV−V断面図である。 1・・・基板、2・・・電着用電極、3・・・直流用電
源、4・・・電着液、6・・・被膜(混合薄膜)、7・
・・有機膜、8・・・SiC微粒子、11・・・セラミ
ック基板、12・・・LSIチップ、13.15・・・
冷却用フィン。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、樹脂を溶解させた水溶液に熱伝導性良好な無機微粒
    子を分散させて混合溶液をつくり、該混合溶液中に基板
    とその基板に相対する電極を浸漬し、前記基板と電極間
    に電圧を印加して、前記基板の表面に前記無機微粒子を
    混在させた有機薄膜なる混合薄膜を形成する電着による
    微粒子混合有機薄膜の形成方法。 2、樹脂を溶解させた水溶液に前記樹脂と同種の有機物
    で被覆された熱伝導性良好な無機微粒子を分散させて混
    合溶液をつくり、該混合溶液中に基板とその基板に相対
    する電極を浸漬し、前記基板と電極間に電圧を印加して
    、前記基板に表面に前記無機微粒子を混在させた有機薄
    膜なる混合薄膜を形成する電着による微粒子混合有機薄
    膜の形成方法。 3、前記無機微粒子に被覆された有機物は、前記樹脂と
    化学的結合が可能な官能基を有することを特徴とする請
    求項1または2記載の電着による微粒子混合有機薄膜の
    形成方法。 4、前記樹脂はエポキシ系樹脂なることを特徴とする請
    求項1〜3記載の電着による微粒子混合有機薄膜の形成
    方法。 5、前記無機微粒子はSiCなることを特徴とする請求
    項4記載の電着による微粒子混合有機薄膜の形成方法。 6、前記無機微粒子の粒径が1μm以下であることを特
    徴とする請求項5記載の電着による微粒子混合有機薄膜
    の形成方法。 7、前記混合薄膜の膜厚は10μm以下であることを特
    徴とする請求項6記載の電着による微粒子混合有機薄膜
    の形成方法。 8、請求項1〜3記載の電着による微粒子混合有機薄膜
    の形成方法により、表面に混合薄膜を形成された電子機
    器部品。 9、請求項1〜3記載の電着による微粒子混合有機薄膜
    の形成方法により、表面に混合薄膜を形成された冷却用
    フィン。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111172571A (zh) * 2020-01-04 2020-05-19 桂林理工大学 一种电沉积制备有机-无机杂化纳米花的方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5241654A (en) * 1975-09-30 1977-03-31 Canon Inc Formation of roughened coating layer by electro-phoresis and coating c omposition for the same
JPS5470341A (en) * 1977-11-16 1979-06-06 Nippon Paint Co Ltd Application of insulating coating
JPS5767200A (en) * 1980-10-08 1982-04-23 Nippon Steel Chem Co Ltd Solid-resin composite material for electrodeposition
JPS6177395A (ja) * 1984-07-18 1986-04-19 アンプ―アクゾ コーポレイション 電気泳動的に折出した樹脂コ−テイングに金属を結合させる方法
JPS6237397A (ja) * 1985-08-09 1987-02-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 電着用分散液の組成物

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5241654A (en) * 1975-09-30 1977-03-31 Canon Inc Formation of roughened coating layer by electro-phoresis and coating c omposition for the same
JPS5470341A (en) * 1977-11-16 1979-06-06 Nippon Paint Co Ltd Application of insulating coating
JPS5767200A (en) * 1980-10-08 1982-04-23 Nippon Steel Chem Co Ltd Solid-resin composite material for electrodeposition
JPS6177395A (ja) * 1984-07-18 1986-04-19 アンプ―アクゾ コーポレイション 電気泳動的に折出した樹脂コ−テイングに金属を結合させる方法
JPS6237397A (ja) * 1985-08-09 1987-02-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 電着用分散液の組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111172571A (zh) * 2020-01-04 2020-05-19 桂林理工大学 一种电沉积制备有机-无机杂化纳米花的方法

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