JPH04107232A - 接点材料およびその製造方法 - Google Patents
接点材料およびその製造方法Info
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- JPH04107232A JPH04107232A JP2223531A JP22353190A JPH04107232A JP H04107232 A JPH04107232 A JP H04107232A JP 2223531 A JP2223531 A JP 2223531A JP 22353190 A JP22353190 A JP 22353190A JP H04107232 A JPH04107232 A JP H04107232A
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- Powder Metallurgy (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、接点材料に関し、例えば、リレー、マグネ
ットスイッチ、ブレーカ等の電気開閉機器に装備される
電気接点に使う接点材料およびその製造方法に関する。
ットスイッチ、ブレーカ等の電気開閉機器に装備される
電気接点に使う接点材料およびその製造方法に関する。
従来、上記の電気接点に使われる接点材料として、Ａｇ
素地中に接点性能向上用の粒子を分散させたものがある
。Ａｇ素地接点材料であるＡｇＮｉ系接点材料は、耐消
耗性および加工性に優れている。
素地中に接点性能向上用の粒子を分散させたものがある
。Ａｇ素地接点材料であるＡｇＮｉ系接点材料は、耐消
耗性および加工性に優れている。
このＡｇ−Ｎｉ系接点材料は、従来、つぎのようにして
製造される。まず、Ａｇ粉末に別途作製のＮｉ粉末を添
加混合し、圧縮成形して成形体を得て、〔焼成−熱間圧
縮〕を２〜３回繰り返して成形体を焼結する。通常、焼
結工程に続いて、引き伸ばし工程がある。焼結体を、熱
間押出した後さらに伸線するのである。伸線後、リベッ
ト加工を施す場合もある。こうして得られた接点材料で
は、Ｎｉ粒子の粒径はＩｎを越えたものになっている。
製造される。まず、Ａｇ粉末に別途作製のＮｉ粉末を添
加混合し、圧縮成形して成形体を得て、〔焼成−熱間圧
縮〕を２〜３回繰り返して成形体を焼結する。通常、焼
結工程に続いて、引き伸ばし工程がある。焼結体を、熱
間押出した後さらに伸線するのである。伸線後、リベッ
ト加工を施す場合もある。こうして得られた接点材料で
は、Ｎｉ粒子の粒径はＩｎを越えたものになっている。
しかしながら、Ａｇ−Ｎｉ系接点材料は、同じＡｇ素地
接点材料であるＡｇ−Ｃｄ０系接点材料やＡＡｇ−３ｎ
ｏ系接点材料に比べ、耐溶着性が十分でないことから、
低負荷ないし中負荷用の使用に限られる傾向があり、改
善が望まれている。
接点材料であるＡｇ−Ｃｄ０系接点材料やＡＡｇ−３ｎ
ｏ系接点材料に比べ、耐溶着性が十分でないことから、
低負荷ないし中負荷用の使用に限られる傾向があり、改
善が望まれている。
粒径１ｎ未満のＡｇ微粉末やＮｉ微粉末を混合しＮｉ粒
子を粒径１μ未満の微粒子にすれば耐消耗性や耐溶着性
の向上を図ることも考えられるが、この場合、実際には
Ａｇ微粉末が凝集し大きな粒径の２次粉末になり、Ｎｉ
粒子の微細化は困難である。
子を粒径１μ未満の微粒子にすれば耐消耗性や耐溶着性
の向上を図ることも考えられるが、この場合、実際には
Ａｇ微粉末が凝集し大きな粒径の２次粉末になり、Ｎｉ
粒子の微細化は困難である。
Ｎｉ粒子と共にＷＣ粒子もＡｇｉ地中に分散させれば、
耐溶着性改善の傾向はみられるのであるが、消耗量が著
しく増加し、優れた耐消耗性という特徴が失われてしま
う。
耐溶着性改善の傾向はみられるのであるが、消耗量が著
しく増加し、優れた耐消耗性という特徴が失われてしま
う。
この発明は、上記事情に鑑み、耐消耗性の低下を抑えつ
つ耐溶着性が向上したＡｇ Ｎｉ系接点材料を提供す
ることを第１の課題とし、耐消耗性の低下を抑えつつ耐
溶着性が向上したＡｇ−Ｎｉ系接点材料を製造できる方
法を提供することを第２の課題とする。
つ耐溶着性が向上したＡｇ Ｎｉ系接点材料を提供す
ることを第１の課題とし、耐消耗性の低下を抑えつつ耐
溶着性が向上したＡｇ−Ｎｉ系接点材料を製造できる方
法を提供することを第２の課題とする。
前記第１の課題を解決するため、請求項１〜４記載のＡ
ｇ素地中にＮｉ粒子とＷＣ粒子が分散してなる接点材料
は、Ｎｉ粒子には、粒径１μ未満の粒子が含まれている
構成になっている。
ｇ素地中にＮｉ粒子とＷＣ粒子が分散してなる接点材料
は、Ｎｉ粒子には、粒径１μ未満の粒子が含まれている
構成になっている。
この発明の接点材料では、通常、請求項２のように、粒
径１ｉｒ＠未満のＮｉ粒子の含有量は１〜５重量％であ
り、粒径１μ以上のＮｉ粒子も合わせた全Ｎｉ粒子の合
計含有量は６〜２０重量％である。
径１ｉｒ＠未満のＮｉ粒子の含有量は１〜５重量％であ
り、粒径１μ以上のＮｉ粒子も合わせた全Ｎｉ粒子の合
計含有量は６〜２０重量％である。
一方、Ａｇ素地中に分散されたＷＣ粒子は、平均粒径が
、通常、請求項３のように、１〜１０ｎ程度であり、含
有量が、通常、請求項４のように、０．０５〜５重量％
程度である。
、通常、請求項３のように、１〜１０ｎ程度であり、含
有量が、通常、請求項４のように、０．０５〜５重量％
程度である。
そして、前記第２の課題を解決するため、請求項５．６
記載のＡｇ素地中にＮｉ粒子とＷＣ粒子が分散してなる
接点材料を製造する方法では、平均粒径１ｎ未満のＮｉ
粒子が分散したＡｇ粉末にＮｉ粉末およびＷＣ粉末を添
加混合し成形した成形体を焼結するようにしている。
記載のＡｇ素地中にＮｉ粒子とＷＣ粒子が分散してなる
接点材料を製造する方法では、平均粒径１ｎ未満のＮｉ
粒子が分散したＡｇ粉末にＮｉ粉末およびＷＣ粉末を添
加混合し成形した成形体を焼結するようにしている。
添加するＷＣ粉末は、請求項６のように、表面がＡｇで
被覆されたＷＣ粉末であることが好ましい。
被覆されたＷＣ粉末であることが好ましい。
なお、ＮｉやＷＣの含有量は接点材料全体を１００重量
％として表した値である。
％として表した値である。
以下、この発明にかかる接点材料について、具体的に説
明する。
明する。
この発明の接点材料では、粒径１ｎ未満のＮｉ粒子の他
、１〜２０ｉｒｍ（通常、３〜１０ｎ程度）の粒径の大
きいＮｉ粒子もある。粒径の大きいＮｉ粒子は耐溶着性
・焼結性を低下させる傾向があるため、粒径１μ未満の
Ｎｉ粒子の他にあるＮｉ粒子の粒径も極力小さく抑える
（例えば、２Ｏｎ程度以下）ことが好ましい。
、１〜２０ｉｒｍ（通常、３〜１０ｎ程度）の粒径の大
きいＮｉ粒子もある。粒径の大きいＮｉ粒子は耐溶着性
・焼結性を低下させる傾向があるため、粒径１μ未満の
Ｎｉ粒子の他にあるＮｉ粒子の粒径も極力小さく抑える
（例えば、２Ｏｎ程度以下）ことが好ましい。
粒径１ｎ未満のＮｉ粒子の含有量が、１重量％未満だと
Ａｇ素地を強化し耐消耗性低下を抑制するという作用が
十分に発揮されなくなる傾向があり、５重量％を上回る
と製造が難しくなる傾向がある。全Ｎｉ粒子の合計含有
量が６重量％未満だと十分な耐消耗性の確保が難しくな
る傾向があり、２０重量％を越すと良好な接触抵抗特性
の確保が難しくなる傾向が出てくる。
Ａｇ素地を強化し耐消耗性低下を抑制するという作用が
十分に発揮されなくなる傾向があり、５重量％を上回る
と製造が難しくなる傾向がある。全Ｎｉ粒子の合計含有
量が６重量％未満だと十分な耐消耗性の確保が難しくな
る傾向があり、２０重量％を越すと良好な接触抵抗特性
の確保が難しくなる傾向が出てくる。
接点材料におけるＷＣ粒子は、導電性、高硬度、高融点
の性質をもつ化学的に安定な物質であって、耐溶着性の
向上を図る分散粒子として適している。具体的には、硬
度：２４００Ｈｖ、融点：２６００〜２８００℃、沸点
： ６０００℃、電気伝導度：５Ｘ１０’Ω−゛・σ−
”、密度：１５．８ｇ／ｄである。
の性質をもつ化学的に安定な物質であって、耐溶着性の
向上を図る分散粒子として適している。具体的には、硬
度：２４００Ｈｖ、融点：２６００〜２８００℃、沸点
： ６０００℃、電気伝導度：５Ｘ１０’Ω−゛・σ−
”、密度：１５．８ｇ／ｄである。
ＷＣ粒子の含有量が、０．０５ｆｆｉ量％未満では耐溶
着特性の向上効果が弱く、５重量％を越すと耐消耗性が
十分でなくなる傾向がある。ＷＣ粒子の平均粒径が１ｉ
！Ｎ未満のものは製造が困難である。
着特性の向上効果が弱く、５重量％を越すと耐消耗性が
十分でなくなる傾向がある。ＷＣ粒子の平均粒径が１ｉ
！Ｎ未満のものは製造が困難である。
微細なＷｃ粉末を使っても原料粉末混合過程でＷｃ粉末
が凝集してしまい結局は大きなＷＣ粒子になってしまう
からである。ＷＣ粒子の平均粒径がＩｏｎを越すと耐消
耗性が十分でなくなる傾向がみられる。
が凝集してしまい結局は大きなＷＣ粒子になってしまう
からである。ＷＣ粒子の平均粒径がＩｏｎを越すと耐消
耗性が十分でなくなる傾向がみられる。
続いて、この発明にかかる接点材料の製造方法を、具体
的に説明する。
的に説明する。
平均粒径１ｎ以下のＮｉ粒子が分散したＡｇ粉末は、平
均粒径４５μ以下、３５０メツシユアンダーのものが好
ましい。余り大きいとＮｉ粉末とＷｃ粉末の均一混合が
難しくなったり、Ｎｉ粉末やＷｃ粉末の間隔が開き過ぎ
たりして、適切な分散状態が得難くなるからである。
均粒径４５μ以下、３５０メツシユアンダーのものが好
ましい。余り大きいとＮｉ粉末とＷｃ粉末の均一混合が
難しくなったり、Ｎｉ粉末やＷｃ粉末の間隔が開き過ぎ
たりして、適切な分散状態が得難くなるからである。
Ｎｉ粉末には、普通、平均粒径１０．ｗ以下のカーボニ
ルＮｉ粉末が用いられる。このカーボニルＮｉ粉末は、
安価であり、真珠でなく異形で表面積が大きくて焼結性
に優れるという利点をもつ。
ルＮｉ粉末が用いられる。このカーボニルＮｉ粉末は、
安価であり、真珠でなく異形で表面積が大きくて焼結性
に優れるという利点をもつ。
Ｗｃ粉末としては、平均粒径０．２〜１０ｎ程度、通常
、１−１０μ程度の粉末を使う。
、１−１０μ程度の粉末を使う。
なお、平均粒径１μ未満のＮｉ粒子が分散したＡｇ粉末
は、例えば、Ｎｉが１〜５重量％で残部Ａｇの融液を、
水アトマイズ法、ガスアトマイズ法、回転液中造粒法な
どの方法を用いて粉末化することで得られる。１５５０
℃以上（例えば、１６５０℃）の融液（溶湯）では、５
重量％以下のＮｉ量であれば、Ｎｉが確実に固溶するの
で、粉末中に極く微細な粒径のＮｉ粒子になって散らば
って析出し、しかも、Ｎｉ量のコントロールも正確かつ
容易に行える。
は、例えば、Ｎｉが１〜５重量％で残部Ａｇの融液を、
水アトマイズ法、ガスアトマイズ法、回転液中造粒法な
どの方法を用いて粉末化することで得られる。１５５０
℃以上（例えば、１６５０℃）の融液（溶湯）では、５
重量％以下のＮｉ量であれば、Ｎｉが確実に固溶するの
で、粉末中に極く微細な粒径のＮｉ粒子になって散らば
って析出し、しかも、Ｎｉ量のコントロールも正確かつ
容易に行える。
水アトマイズ法は、ノズルから噴出させた融液を高圧水
で急冷粉末化するという方法である。高圧水の代わりに
高圧ガスを用いるのがガスアトマイズ法である。また、
融液を回転する液体中に滴下し急冷粉末化するのが回転
液中造粒法である。
で急冷粉末化するという方法である。高圧水の代わりに
高圧ガスを用いるのがガスアトマイズ法である。また、
融液を回転する液体中に滴下し急冷粉末化するのが回転
液中造粒法である。
得られる粉末の粒径は、回転液中造粒法、ガスアトマイ
ズ法、水アトマイズ法と後の順の方法はど細かくなり、
Ａｇ粉末中のＮｉ粒子の粒径も同じ順で細かくなる。し
たがって、水アトマイズ法が好適な方法であるといえる
。また、水アトマイズ法は、多量の融液を短時間で粉末
化処理できるため、量産性にも優れる。
ズ法、水アトマイズ法と後の順の方法はど細かくなり、
Ａｇ粉末中のＮｉ粒子の粒径も同じ順で細かくなる。し
たがって、水アトマイズ法が好適な方法であるといえる
。また、水アトマイズ法は、多量の融液を短時間で粉末
化処理できるため、量産性にも優れる。
まず、Ａｇ粉末にＮｉ粉末およびＷｃ粉末を添加混合し
加圧成形し成形体を得る。
加圧成形し成形体を得る。
つぎに、〔焼成−熱間圧縮〕を２〜３回繰り返して成形
体を焼結させる。通常、焼結工程に続いて、引き伸ばし
工程がある。焼結体を、熱間押出し、その後、さらに伸
線するのである。通常、焼結体の引き伸ばし工程前後で
、〔引き伸ばし前の断面積〕／〔引き伸ばし後の断面積
〕が１５０以上になるようにする。Ａｇ粉末内に１ｎ以
上の粒径のＮｉ粒子もある場合があるが、普通、熱間押
出し・伸線を経ると、１ｎ未満になる。
体を焼結させる。通常、焼結工程に続いて、引き伸ばし
工程がある。焼結体を、熱間押出し、その後、さらに伸
線するのである。通常、焼結体の引き伸ばし工程前後で
、〔引き伸ばし前の断面積〕／〔引き伸ばし後の断面積
〕が１５０以上になるようにする。Ａｇ粉末内に１ｎ以
上の粒径のＮｉ粒子もある場合があるが、普通、熱間押
出し・伸線を経ると、１ｎ未満になる。
Ｗｃ粉末の表面がＡｇで覆われている場合、成形・焼結
の際にＡｇ粉末やＮｉ粉末との親和性が良く、Ａｇ素地
との固着性が向上し消耗量が減少するようになる。Ａｇ
を被覆するには、通常の機械的・熱的エネルギーをＡｇ
粉末に与え、Ｗｃ粉末表面に付着させるという方法等が
使われる。
の際にＡｇ粉末やＮｉ粉末との親和性が良く、Ａｇ素地
との固着性が向上し消耗量が減少するようになる。Ａｇ
を被覆するには、通常の機械的・熱的エネルギーをＡｇ
粉末に与え、Ｗｃ粉末表面に付着させるという方法等が
使われる。
この発明にかかる接点材料は、十分な耐消耗性と十分な
耐溶着性の両方が備わったＡｇ−Ｎｉ系接点材料である
。１ｎを越す大きいＮｉ粒子やＷＣ粒子の間のＡｇ素地
中に粒径１μ未満の微細なＮｉ粒子が分散され、Ａｇ素
地が十分に強化されているからである。
耐溶着性の両方が備わったＡｇ−Ｎｉ系接点材料である
。１ｎを越す大きいＮｉ粒子やＷＣ粒子の間のＡｇ素地
中に粒径１μ未満の微細なＮｉ粒子が分散され、Ａｇ素
地が十分に強化されているからである。
Ａｇ粉末と混合するＮｉ粉末を粒径１ｎ未満の微粉末に
しても、微粉末凝集により接点材料中には粒径の大きい
Ｎｉ粒子としてしか分散せず、Ｎｉ粒子の微細化を図る
ことは困難であるが、例えば、Ａｇ粉末として、平均粒
径１、ｎ未満のＮｉ粒子が分散したＡｇ粉末を用いれば
、Ｎｉ粒子の微細化が図れる。ただ、この場合、平均粒
径１ｎ未満のＮｉ粒子のみでＡｇ Ｎｉ系接点材料と
してのＮｉ量を確保することは難しいが、平均粒径１μ
未満のＮｉ粒子の他にあるＮｉ粒子で適切なＮｉ量が確
保できる。Ｎｉ粉末およびＷｃ粉末の間のＡｇ素地は粒
径１μ未満の粒子で確り強化されるため、含有Ｎｉの一
部が粒径１ｎ未満の微細なＮｉ粒子であれば十分なので
ある。
しても、微粉末凝集により接点材料中には粒径の大きい
Ｎｉ粒子としてしか分散せず、Ｎｉ粒子の微細化を図る
ことは困難であるが、例えば、Ａｇ粉末として、平均粒
径１、ｎ未満のＮｉ粒子が分散したＡｇ粉末を用いれば
、Ｎｉ粒子の微細化が図れる。ただ、この場合、平均粒
径１ｎ未満のＮｉ粒子のみでＡｇ Ｎｉ系接点材料と
してのＮｉ量を確保することは難しいが、平均粒径１μ
未満のＮｉ粒子の他にあるＮｉ粒子で適切なＮｉ量が確
保できる。Ｎｉ粉末およびＷｃ粉末の間のＡｇ素地は粒
径１μ未満の粒子で確り強化されるため、含有Ｎｉの一
部が粒径１ｎ未満の微細なＮｉ粒子であれば十分なので
ある。
この発明にかかる接点材料の製造方法では、平均粒径１
ｉｒｍ未満のＮｉ粒子が分散したＡｇ粉末を用いるため
、Ｎｉ１ｆＪ末およびＷＣ粉末の間にくるＡｇ素地部分
に粒径ＩＩＩＮ未満のＮｉ粒子が確実に分散された優れ
たＡｇ−Ｎｉ系接点材料が得られる。
ｉｒｍ未満のＮｉ粒子が分散したＡｇ粉末を用いるため
、Ｎｉ１ｆＪ末およびＷＣ粉末の間にくるＡｇ素地部分
に粒径ＩＩＩＮ未満のＮｉ粒子が確実に分散された優れ
たＡｇ−Ｎｉ系接点材料が得られる。
この製造方法では、水アトマイズ法等により容易に作れ
る（平均粒径１ｐ未満のＮｉ粒子が分散した）Ａｇ粉末
を用い、後は、通常のＡｇ−Ｎｉ系接点材料の製法に準
じて処理すればよいので、実施は容易である。
る（平均粒径１ｐ未満のＮｉ粒子が分散した）Ａｇ粉末
を用い、後は、通常のＡｇ−Ｎｉ系接点材料の製法に準
じて処理すればよいので、実施は容易である。
続いて、この発明の詳細な説明する。この発明は、下記
の実施例に限らないことはいうまでもない。
の実施例に限らないことはいうまでもない。
実施例Ｉ
ＡｇおよびＮｉを高周波炉で一緒に熔解し１６５０℃の
融液を得て、これをノズルより噴出させるとともに高圧
水で急冷粉末化させた（水アトマイズ法）、得られたＡ
ｇ粉末でのＮｉ量は３．２１量％である。この粉末の断
面を第４図に示す、第４図の写真は、Ａｇ粉末断面の金
属組織を示す走査型電子顕微鏡写真であり、Ａｇ粉末で
はＡｇ素地（白地）中に平均粒径１ｎより小さいＮｉ粒
子（黒地）が分散している。
融液を得て、これをノズルより噴出させるとともに高圧
水で急冷粉末化させた（水アトマイズ法）、得られたＡ
ｇ粉末でのＮｉ量は３．２１量％である。この粉末の断
面を第４図に示す、第４図の写真は、Ａｇ粉末断面の金
属組織を示す走査型電子顕微鏡写真であり、Ａｇ粉末で
はＡｇ素地（白地）中に平均粒径１ｎより小さいＮｉ粒
子（黒地）が分散している。
このようにして得たＡｇ粉末に平均粒径Ｉｏｎのカルボ
ニールＮｉ粉末と平均粒径１ｎのＷＣ粉末を、第１表の
含有量となるように添加し混合して加圧（３０ｋｇ／ｃ
ｄ）成形して成形体を得た。
ニールＮｉ粉末と平均粒径１ｎのＷＣ粉末を、第１表の
含有量となるように添加し混合して加圧（３０ｋｇ／ｃ
ｄ）成形して成形体を得た。
ついで、〔８５０℃・２時間の焼成→４２０℃・９０ｋ
ｇ／１ｍ”の熱間圧縮〕を３回繰り返し焼結体を得た。
ｇ／１ｍ”の熱間圧縮〕を３回繰り返し焼結体を得た。
なお、１回目の焼成は真空雰囲気で行い、２回目および
３回目の焼成はＮ、雰囲気で行った。
３回目の焼成はＮ、雰囲気で行った。
つぎに、焼結体予熱温度８００℃、金型温度４２０℃で
熱間押出しして直径８ｎに伸ばした後、伸線し直径２ｍ
ｍにした。伸線後の接点材料の断面を第１〜３図に示す
。第１〜３図は、接点材料の断面の金属組織を示す電子
顕微鏡写真であって、第１図は電子線信号写真、第２図
はＮｉ粒子分布をあられすＸ線信号写真、第３図はＷＣ
粒子分布をあられすＸ線信号写真である。実施例１の接
点材料では、粒径１ｎ未満のＮｉ粒子がＡｇ素地中に分
散していることが分かる。
熱間押出しして直径８ｎに伸ばした後、伸線し直径２ｍ
ｍにした。伸線後の接点材料の断面を第１〜３図に示す
。第１〜３図は、接点材料の断面の金属組織を示す電子
顕微鏡写真であって、第１図は電子線信号写真、第２図
はＮｉ粒子分布をあられすＸ線信号写真、第３図はＷＣ
粒子分布をあられすＸ線信号写真である。実施例１の接
点材料では、粒径１ｎ未満のＮｉ粒子がＡｇ素地中に分
散していることが分かる。
伸線後、リベツティング加工を施し、接点性能評価用リ
ベット接点を得た。
ベット接点を得た。
一実施例２〜５
Ｎｉ含有量およびＷＣ含有量を、第１表に示すようにし
た他は、実施例１と同様にして評価用リベット接点を得
た。
た他は、実施例１と同様にして評価用リベット接点を得
た。
一実施例６
ＷＣ粉末に平均粒径０．０２μのＡｇ微粒子を混合分散
作用により表面に付着させた後、さらに気相中に分散さ
せながら、衝撃力を主体とする機械的熱的エネルギーを
与えて、ＷＣ粉末表面をＡｇで予め覆っておいて用いる
ようにした他は、実施例１と同様にして、評価用リベッ
ト接点を得た。
作用により表面に付着させた後、さらに気相中に分散さ
せながら、衝撃力を主体とする機械的熱的エネルギーを
与えて、ＷＣ粉末表面をＡｇで予め覆っておいて用いる
ようにした他は、実施例１と同様にして、評価用リベッ
ト接点を得た。
−比較例ｌ−
Ａｇ粉末として、Ｎｉ粒子を含まない純Ａｇ粉末を用い
ると共にＷＣ粉末を添加しないようにした他は、実施例
２と同様にして評価用リベット接点を得た。
ると共にＷＣ粉末を添加しないようにした他は、実施例
２と同様にして評価用リベット接点を得た。
比較例２
Ａｇ粉末として、Ｎｉ粒子を含まない純Ａｇ粉末を用い
るようにした他は、実施例２と同様にして評価用リベッ
ト接点を得た。
るようにした他は、実施例２と同様にして評価用リベッ
ト接点を得た。
実施例および比較例のりヘット接点について、ＡＳＴＭ
試験により溶着特性、消耗特性を調べた（サンプル数：
Ｎ＝３）。試験条件は下記の通りである。試験結果を第
１表に示す。
試験により溶着特性、消耗特性を調べた（サンプル数：
Ｎ＝３）。試験条件は下記の通りである。試験結果を第
１表に示す。
負 荷： 抵抗負荷
電 圧： １００Ｖ
電 流＝ ４ＯＡ
開閉回数： ５万回
第１表に示す通り、実施例１〜６の接点は、十分な耐消
耗性を維持しつつ耐溶着性の向上したものとなっている
。実施例２と比較例１．２を比較すれば、実施例２の接
点材料は、粒径１，１１１未満のＮｉ粒子の分散により
優れたＡｇ−Ｎｉ系接点材料になっていることが良く分
かる。
耗性を維持しつつ耐溶着性の向上したものとなっている
。実施例２と比較例１．２を比較すれば、実施例２の接
点材料は、粒径１，１１１未満のＮｉ粒子の分散により
優れたＡｇ−Ｎｉ系接点材料になっていることが良く分
かる。
以上に述べたように、請求項１〜４記載の接点材料は、
ＷＣ粒子および粒径１μ未満の微細なＮｉ粒子が分散さ
れているため、十分な耐消耗性を維持しつつ耐溶着性が
向上した有用なＡｇ Ｎｉ系接点材料となっている。
ＷＣ粒子および粒径１μ未満の微細なＮｉ粒子が分散さ
れているため、十分な耐消耗性を維持しつつ耐溶着性が
向上した有用なＡｇ Ｎｉ系接点材料となっている。
請求項２記載の接点材料は、加えて、Ｎｉ粒子の含有量
が適切であるため、Ｎｉ添加効果が十分に発揮される。
が適切であるため、Ｎｉ添加効果が十分に発揮される。
請求項３記載の接点材料は、加えて、ＷＣ粒子の粒径が
適切であるため、ＷＣ添加効果が十分に発揮される。
適切であるため、ＷＣ添加効果が十分に発揮される。
請求項４記載の接点材料は、加えて、ＷＣ粒子の含有量
が適切であるため、ＷＣ添加効果が十分に発揮される。
が適切であるため、ＷＣ添加効果が十分に発揮される。
請求項５．６の接点材料の製造方法によれば、Ａｇ粉末
として平均粒径１ｐ未満のＮｉ粒子が分散したＡｇ粉末
を用いるため、十分な耐消耗性および耐溶着性を有する
Ａｇ−Ｎｉ系接点材料を容易に得ることができる。
として平均粒径１ｐ未満のＮｉ粒子が分散したＡｇ粉末
を用いるため、十分な耐消耗性および耐溶着性を有する
Ａｇ−Ｎｉ系接点材料を容易に得ることができる。
請求項６記載の接点材料の製造方法では、加えて、ＷＣ
粒子が脱落し難くて耐消耗性のよい接点材料が得られる
。
粒子が脱落し難くて耐消耗性のよい接点材料が得られる
。
第１図、第２図および第３図は、それぞれ、実施例１に
かかる接点材料の断面での金属組織をあられす電子顕微
鏡写真、第４図は、実施例１の接点材料の製造に使われ
るＡｇ粉末の断面での金属組織をあられす電子顕微鏡写
真である。 第 図 一 第２１ゾ 噌−ｒ 代理人 弁理士 松 本 武 彦
かかる接点材料の断面での金属組織をあられす電子顕微
鏡写真、第４図は、実施例１の接点材料の製造に使われ
るＡｇ粉末の断面での金属組織をあられす電子顕微鏡写
真である。 第 図 一 第２１ゾ 噌−ｒ 代理人 弁理士 松 本 武 彦
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ａｇ素地中にＮｉ粒子とＷＣ粒子が分散してなる接
点材料において、前記Ｎｉ粒子には、粒径１μｍ未満の
粒子が含まれていることを特徴とする接点材料。 ２ 粒径１μｍ未満のＮｉ粒子の含有量が１〜５重量％
であり、全Ｎｉ粒子の合計含有量が６〜２０重量％であ
る請求項１記載の接点材料。 ３ ＷＣ粒子の平均粒径が１〜１０μｍである請求項１
または２記載の接点材料。 ４ ＷＣ粒子の含有量が０．０５〜５重量％である請求
項１から３までのいずれかに記載の接点材料。 ５ Ａｇ素地中にＮｉ粒子とＷＣ粒子が分散してなる接
点材料を製造する方法において、平均粒径１μｍ未満の
Ｎｉ粒子が分散したＡｇ粉末にＮｉ粉末およびＷＣ粉末
を添加混合し成形した成形体を焼結するようにすること
を特徴とする接点材料の製造方法。 ６ ＷＣ粉末として、表面がＡｇで被覆されたＷＣ粉末
を用いる請求項５記載の接点材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223531A JPH04107232A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 接点材料およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2223531A JPH04107232A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 接点材料およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04107232A true JPH04107232A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16799612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2223531A Pending JPH04107232A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 接点材料およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04107232A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19535814A1 (de) * | 1994-09-28 | 1996-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | Material zur Herstellung elektrischer Kontakte auf Silberbasis |
| JP2009087746A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Toshiba Corp | 真空遮断器用接点材料 |
-
1990
- 1990-08-24 JP JP2223531A patent/JPH04107232A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19535814A1 (de) * | 1994-09-28 | 1996-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | Material zur Herstellung elektrischer Kontakte auf Silberbasis |
| US5591926A (en) * | 1994-09-28 | 1997-01-07 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Silver base electrical contact material |
| DE19535814C2 (de) * | 1994-09-28 | 1998-07-23 | Matsushita Electric Works Ltd | Material zur Herstellung elektrischer Kontakte auf Silberbasis |
| JP2009087746A (ja) * | 2007-09-28 | 2009-04-23 | Toshiba Corp | 真空遮断器用接点材料 |
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