JPH04106962A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04106962A JPH04106962A JP2224694A JP22469490A JPH04106962A JP H04106962 A JPH04106962 A JP H04106962A JP 2224694 A JP2224694 A JP 2224694A JP 22469490 A JP22469490 A JP 22469490A JP H04106962 A JPH04106962 A JP H04106962A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims abstract description 26
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims abstract description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 5
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract 5
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 33
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
- H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は樹脂封止型半導体装置に係わり、特に、樹脂製
外囲器の内部に設置する半導体能動素子と外部電流端子
以外の樹脂製外囲器表面とが電気的に絶縁されている樹
脂封止型半導体装置に好適なものである。
外囲器の内部に設置する半導体能動素子と外部電流端子
以外の樹脂製外囲器表面とが電気的に絶縁されている樹
脂封止型半導体装置に好適なものである。
（従来の技術）
樹脂製外囲器により半導体能動素子を封止して使用する
型の樹脂封止型半導体装置は多品種が開発市販されてお
り、封入する半導体能動素子の種類によって外囲器の形
状や種類も多岐にわたっている。ところで、樹脂封止型
半導体装置では樹脂製外囲器の内部に設置する半導体能
動素子と外部電流端子以外の樹脂製外囲器表面とか絶縁
された型のものがあり、これを第１図により説明すると
、いわゆるリードフレーム（ＬｅａｄＦｒ−ａｍｅ）の
ベツド（Ｂｅｄ）部１に半導体能動素子３が半田層２を
介してマウント（Ｍｏｕｎｔ）され、半導体能動素子３
に設置した電極（図示せず）に例えば超音波ボンディン
グ（Ｂｏｎｄｉ−ｎｇ）法により固着した金属細線例え
ばＡＱやＡｕ細線４をリードフレームのリード端子５に
同じ方法で圧着して封止樹脂層６外に導出する。この外
部に導出したリード端子を通常アウターリードと呼称し
ている。半導体能動素子３とは例えばシリコン（ＳｉＱ
ｉｃｏｎ）から成る半導体基板にモノリシック（Ｍｏｎ
ｏＱ ｙ ｔ ｈ ｉ ｃ）に例えばトランジスタ（Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｅｒ）を造り込んだペレット（ＰｅＱＱ
ｅｔ）である。図から明らかなように封止樹脂層６によ
り内部の半導体素子と外部端子以外の樹脂製外囲器表面
とか電気的に絶縁されているので、ユーザー（Ｕｓｅｒ
）か購入後この装置を使用する時、この装置と別個の放
熱板に取付けるのにマイカ（Ｍｉｋａ）なとの絶縁物を
使わずに電気的絶縁ができる。このような機種には第１
図の他に第２図に明らかにしたものが使われており、こ
れは封止樹脂層６の代わりに実装基板の一部として使わ
れているセラミック（Ｃｅｒａｍｉｃ）により半導体能
動素子３が絶縁されている。第１図の樹脂封止型半導体
装置かモールドタイプ（ＭｏＱｄ Ｔｙｐｅ）第２図
のそれがモジュール（ＭｏｄｕＱｅ）タイプと記載する
。モジュールタイプではセラミック板７の両面に金属製
薄膜即ち回路パターン（Ｐａｔｔ−ｅｒｎ）を形成した
例えば銅薄膜８．８′を形成して実装基板を構成し、こ
こに設置する半田層９により半導体能動素子２を固着し
たものである。
型の樹脂封止型半導体装置は多品種が開発市販されてお
り、封入する半導体能動素子の種類によって外囲器の形
状や種類も多岐にわたっている。ところで、樹脂封止型
半導体装置では樹脂製外囲器の内部に設置する半導体能
動素子と外部電流端子以外の樹脂製外囲器表面とか絶縁
された型のものがあり、これを第１図により説明すると
、いわゆるリードフレーム（ＬｅａｄＦｒ−ａｍｅ）の
ベツド（Ｂｅｄ）部１に半導体能動素子３が半田層２を
介してマウント（Ｍｏｕｎｔ）され、半導体能動素子３
に設置した電極（図示せず）に例えば超音波ボンディン
グ（Ｂｏｎｄｉ−ｎｇ）法により固着した金属細線例え
ばＡＱやＡｕ細線４をリードフレームのリード端子５に
同じ方法で圧着して封止樹脂層６外に導出する。この外
部に導出したリード端子を通常アウターリードと呼称し
ている。半導体能動素子３とは例えばシリコン（ＳｉＱ
ｉｃｏｎ）から成る半導体基板にモノリシック（Ｍｏｎ
ｏＱ ｙ ｔ ｈ ｉ ｃ）に例えばトランジスタ（Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｅｒ）を造り込んだペレット（ＰｅＱＱ
ｅｔ）である。図から明らかなように封止樹脂層６によ
り内部の半導体素子と外部端子以外の樹脂製外囲器表面
とか電気的に絶縁されているので、ユーザー（Ｕｓｅｒ
）か購入後この装置を使用する時、この装置と別個の放
熱板に取付けるのにマイカ（Ｍｉｋａ）なとの絶縁物を
使わずに電気的絶縁ができる。このような機種には第１
図の他に第２図に明らかにしたものが使われており、こ
れは封止樹脂層６の代わりに実装基板の一部として使わ
れているセラミック（Ｃｅｒａｍｉｃ）により半導体能
動素子３が絶縁されている。第１図の樹脂封止型半導体
装置かモールドタイプ（ＭｏＱｄ Ｔｙｐｅ）第２図
のそれがモジュール（ＭｏｄｕＱｅ）タイプと記載する
。モジュールタイプではセラミック板７の両面に金属製
薄膜即ち回路パターン（Ｐａｔｔ−ｅｒｎ）を形成した
例えば銅薄膜８．８′を形成して実装基板を構成し、こ
こに設置する半田層９により半導体能動素子２を固着し
たものである。
金属製薄膜８に形成した回路パターン夫々を他の部分１
１と今後記載する。
１と今後記載する。
なお半導体能動素子３に形成した電極（図示せず）には
モールドタイプと同しく金属細線例えばＡＱやＡｕ細線
１０を例えば超音波ボンディング法により圧着後、いわ
ゆる２’ｎｄ超音波ボンデイングにより細線１０の他端
を金属製薄膜８の他の部分１１に固着する。ところでモ
ジュールタイプと他の機器との電気的導通を図るために
金属製薄膜８の他の部分１１にリード１２を設置するの
には金属製リードホルダー（ＨｏＱｄｅｒ）１２′を利
用するが詳細は後述する。一方セセラミック基板７の他
面に設置された金属製薄膜８′には低融点の半田層１３
により銅製の放熱板１４を固着する。
モールドタイプと同しく金属細線例えばＡＱやＡｕ細線
１０を例えば超音波ボンディング法により圧着後、いわ
ゆる２’ｎｄ超音波ボンデイングにより細線１０の他端
を金属製薄膜８の他の部分１１に固着する。ところでモ
ジュールタイプと他の機器との電気的導通を図るために
金属製薄膜８の他の部分１１にリード１２を設置するの
には金属製リードホルダー（ＨｏＱｄｅｒ）１２′を利
用するが詳細は後述する。一方セセラミック基板７の他
面に設置された金属製薄膜８′には低融点の半田層１３
により銅製の放熱板１４を固着する。
ところで、図示するように金属製リード１２は樹脂製外
囲器１５を突抜けて設置されているのは予め樹脂製ホル
ダー１２′及び金属製リード１２を一体に成型しておい
てから金属製薄膜８の他の部分１１と金属製リード１２
間に配置した低融点の半田層１３を介して固着する方式
を採っている。
囲器１５を突抜けて設置されているのは予め樹脂製ホル
ダー１２′及び金属製リード１２を一体に成型しておい
てから金属製薄膜８の他の部分１１と金属製リード１２
間に配置した低融点の半田層１３を介して固着する方式
を採っている。
これによりモジュール構体か得られるか樹脂製外囲器１
５との関係を説明する。
５との関係を説明する。
第２図に明らかなように樹脂製外囲器１５は側面部分Ａ
と蓋部分Ｂとで構成されており、蓋部分Ｂの金属製リー
ド１２を一体化した樹脂製ホルダー１２′が金属製薄膜
８の他の部分１１に半田層１３を介して固着され、その
後銅製の放熱板１４と側面部分Ａを接着剤層１６によっ
て固着し、最後に側面部分Ａと樹脂製ホルダー１２’
とを熱硬化製樹脂１５′により封止してモジュールタイ
プを完成する。この結果モジュールタイプでは銅製の放
熱板１４が露出した構造となっており、酸化を防止の観
点からＮｉメツキ層を被覆している。
と蓋部分Ｂとで構成されており、蓋部分Ｂの金属製リー
ド１２を一体化した樹脂製ホルダー１２′が金属製薄膜
８の他の部分１１に半田層１３を介して固着され、その
後銅製の放熱板１４と側面部分Ａを接着剤層１６によっ
て固着し、最後に側面部分Ａと樹脂製ホルダー１２’
とを熱硬化製樹脂１５′により封止してモジュールタイ
プを完成する。この結果モジュールタイプでは銅製の放
熱板１４が露出した構造となっており、酸化を防止の観
点からＮｉメツキ層を被覆している。
なお、モールドタイプ及びモジュールタイプのような外
囲器の内部と表面の電気的絶縁がなされていない型の樹
脂封止型半導体装置として第３図のタイプが知られてお
り、ベツド部１を露出した点が異なっている。
囲器の内部と表面の電気的絶縁がなされていない型の樹
脂封止型半導体装置として第３図のタイプが知られてお
り、ベツド部１を露出した点が異なっている。
（発明が解決しようとする課題）
樹脂封止型半導体装置に相当するモールドタイプ及びモ
ジュールタイプの問題点としては第３図に示したように
能動素子をマウントしたベツド部が絶縁されていない機
種に比べて、外囲器の飽和熱抵抗値Ｒｔｈ（ｊ−ｃ）か
大きいので、同じ能動素子を搭載した場合、半導体装置
として許容できるパワー損失値Ｐｃか小さくなる点か上
げられる。即ち、モールドタイプではベツド部の裏側を
被覆する封止樹脂層の厚さがどうしても薄くなるために
絶縁耐圧が弱くなり、その上薄い封止樹脂層内には巣か
発生し易くて信頼性が悪化して歩留りが低下する。従っ
て熱抵抗上薄い封止樹脂層が望ましくても限界がある。
ジュールタイプの問題点としては第３図に示したように
能動素子をマウントしたベツド部が絶縁されていない機
種に比べて、外囲器の飽和熱抵抗値Ｒｔｈ（ｊ−ｃ）か
大きいので、同じ能動素子を搭載した場合、半導体装置
として許容できるパワー損失値Ｐｃか小さくなる点か上
げられる。即ち、モールドタイプではベツド部の裏側を
被覆する封止樹脂層の厚さがどうしても薄くなるために
絶縁耐圧が弱くなり、その上薄い封止樹脂層内には巣か
発生し易くて信頼性が悪化して歩留りが低下する。従っ
て熱抵抗上薄い封止樹脂層が望ましくても限界がある。
また同しくモジュールタイプに使用するセラミックの熱
伝導率は金属や半田のそれよりも小さ（、しかもセラミ
ック層の厚さは製造技術上の制約から金属などと同等の
熱伝導率が得られるだけ薄くできないのが原因である。
伝導率は金属や半田のそれよりも小さ（、しかもセラミ
ック層の厚さは製造技術上の制約から金属などと同等の
熱伝導率が得られるだけ薄くできないのが原因である。
例えば現在使われている厚さ０．５ｍｍの銅製リードフ
レームと同等な熱伝導率を保持するには使用するセラミ
ックの厚さを０．０２ｍｍ以下にしなければならないが
、現状では０．６ｍｍＱが限界である。
レームと同等な熱伝導率を保持するには使用するセラミ
ックの厚さを０．０２ｍｍ以下にしなければならないが
、現状では０．６ｍｍＱが限界である。
本発明はこのような事情により成されたもので、特に、
飽和熱抵抗抵抗を改善することを目的とするものである
。
飽和熱抵抗抵抗を改善することを目的とするものである
。
［発明の構成］
（課題を解決するための手段）
樹脂製外囲器に取付けるシリコンから構成する板体の主
表面に半導体能動素子を取付け、前記シリコン板体主表
面に対向する他の表面を外部に露出すると共に両表面間
を構成する厚さ方向に前記主表面に対応して設置する電
気的分離層に本発明に係わる樹脂封止型半導体装置の特
徴がある。
表面に半導体能動素子を取付け、前記シリコン板体主表
面に対向する他の表面を外部に露出すると共に両表面間
を構成する厚さ方向に前記主表面に対応して設置する電
気的分離層に本発明に係わる樹脂封止型半導体装置の特
徴がある。
（作用）
本発明に適用する半導体能動素子には直流または交流を
長時間印加することが多く、動作時に１５０℃程度に発
熱するので、過渡熱抵抗でなく飽和熱抵抗値を制御する
ことが不可欠であるために、熱伝導率の良いシリコンを
選定して効果的な放熱を実施するものである。しかも、
放熱板を構成するシリコン板の厚さ方向に主表面に対応
する電気的分離層を形成して要求される耐圧ＤＣ２５０
０Ｖ％ＡＣ３５００Ｖを保障しており、しかも銅に比較
して軽量である。
長時間印加することが多く、動作時に１５０℃程度に発
熱するので、過渡熱抵抗でなく飽和熱抵抗値を制御する
ことが不可欠であるために、熱伝導率の良いシリコンを
選定して効果的な放熱を実施するものである。しかも、
放熱板を構成するシリコン板の厚さ方向に主表面に対応
する電気的分離層を形成して要求される耐圧ＤＣ２５０
０Ｖ％ＡＣ３５００Ｖを保障しており、しかも銅に比較
して軽量である。
更に電気的分離層の設置により互いに隔てられたシリコ
ン板の中外部に露出する部分を放熱板として機能させ、
他方には半導体能動素子の外に電子回路構成に必要な各
種の回路部品を設置することができる利点もある。
ン板の中外部に露出する部分を放熱板として機能させ、
他方には半導体能動素子の外に電子回路構成に必要な各
種の回路部品を設置することができる利点もある。
（実施例）
本発明に係わる実施例を第４図及び第５図を参照して説
明するが、理解を助けるために従来技術と同じ部品にも
新しい番号を付ける。両図に示すようにリードフレーム
２０のアウターリード（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ）２１
は水平方向に延長して樹脂封止型半導体装置の高さ方向
を縮小してコンパクト（Ｃｏｍｐａｃ ｔ）にして他の
機器への取付けに便利なように配慮している。
明するが、理解を助けるために従来技術と同じ部品にも
新しい番号を付ける。両図に示すようにリードフレーム
２０のアウターリード（Ｏｕｔｅｒ Ｌｅａｄ）２１
は水平方向に延長して樹脂封止型半導体装置の高さ方向
を縮小してコンパクト（Ｃｏｍｐａｃ ｔ）にして他の
機器への取付けに便利なように配慮している。
本発明の基本的な構造を明らかにした第４図にあるよう
に、鉄、鉄ニツケル合金またはクラッド層を備えた鉄や
鉄ニツケル合金などの材料で構成するリードフレーム２
０には常法通りにベツド部２２やインナーリード（Ｉｎ
ｎｅｒ Ｌｅａｄ）２３を設け、ベツド部２２には半
導体能動素子２４例えばパワー（Ｐｏｗｅｒ））ランジ
スタを半田層２５を介してマウント（Ｍｏｕｎｔ）固着
する。更にシリコン製放熱板を用意するが、その厚さの
中程には表面に対応して珪素酸化物から成る電気的分離
層２６を厚さ５〜６μｍに設置するので、いわゆるＩＰ
Ｄ （Ｉ ｎ ｔ ｅＱ ｉ ｇｅｎ −ｔ Ｐｏｗ
ｅｒ Ｄｅｖｉｃｅ）も形成可能になる。即ち、シリ
コン製放熱板を構成する上側２７−Ａに半導体能動素子
２４などを形成し、下側の２７−Ｂが放熱板として機能
することになる。これらの形成にはシリコン板と、シリ
コン板に被覆した酸化物層を密着させていわゆる接着工
程により形成することもできる。この接着とは清浄な被
接着面を密着させることによりもとの組織と多少違った
ものが形成され、しかも、一体化したものの機械的強度
は十分てかっ、電気的な障害は全くないものである。
に、鉄、鉄ニツケル合金またはクラッド層を備えた鉄や
鉄ニツケル合金などの材料で構成するリードフレーム２
０には常法通りにベツド部２２やインナーリード（Ｉｎ
ｎｅｒ Ｌｅａｄ）２３を設け、ベツド部２２には半
導体能動素子２４例えばパワー（Ｐｏｗｅｒ））ランジ
スタを半田層２５を介してマウント（Ｍｏｕｎｔ）固着
する。更にシリコン製放熱板を用意するが、その厚さの
中程には表面に対応して珪素酸化物から成る電気的分離
層２６を厚さ５〜６μｍに設置するので、いわゆるＩＰ
Ｄ （Ｉ ｎ ｔ ｅＱ ｉ ｇｅｎ −ｔ Ｐｏｗ
ｅｒ Ｄｅｖｉｃｅ）も形成可能になる。即ち、シリ
コン製放熱板を構成する上側２７−Ａに半導体能動素子
２４などを形成し、下側の２７−Ｂが放熱板として機能
することになる。これらの形成にはシリコン板と、シリ
コン板に被覆した酸化物層を密着させていわゆる接着工
程により形成することもできる。この接着とは清浄な被
接着面を密着させることによりもとの組織と多少違った
ものが形成され、しかも、一体化したものの機械的強度
は十分てかっ、電気的な障害は全くないものである。
更に、半導体能動素子２４例えばジャイアントランジス
タの電極（図示せず）とインナーリード２３を金属細線
例えばＡＱやＡｕ２８の一端と超音波ボンディングによ
り固着するが、通常前記電極との超音波ボンディングが
いわゆるｌ’ｓｔボンディングで、インナーリード２３
とのそれが２’ｎｄボンデイングとして行われる。
タの電極（図示せず）とインナーリード２３を金属細線
例えばＡＱやＡｕ２８の一端と超音波ボンディングによ
り固着するが、通常前記電極との超音波ボンディングが
いわゆるｌ’ｓｔボンディングで、インナーリード２３
とのそれが２’ｎｄボンデイングとして行われる。
話が前後するがシリコン製放熱板の上側２７−Ａの半導
体能動素子２４搭載面は半田付けが可能になるようにラ
ッピング（Ｌａｐｐｉｎｇ）処理とＮｉメツキ処理を行
ってがら半導体能動素子２４の半田付は工程を行う。
体能動素子２４搭載面は半田付けが可能になるようにラ
ッピング（Ｌａｐｐｉｎｇ）処理とＮｉメツキ処理を行
ってがら半導体能動素子２４の半田付は工程を行う。
前記のようなボンディング工程を終えたリードフレーム
マウント構体と、電気的分離層２６を形成したシリコン
製放熱板２７−Ａ、２７−Ｂは低融点半田層２９により
両者を一体としてがら、樹脂製外囲器３１の側面Ｂをシ
リコン製放熱板２７−Ａ、２７−Ｂに接着剤層３ｏによ
り接着する。
マウント構体と、電気的分離層２６を形成したシリコン
製放熱板２７−Ａ、２７−Ｂは低融点半田層２９により
両者を一体としてがら、樹脂製外囲器３１の側面Ｂをシ
リコン製放熱板２７−Ａ、２７−Ｂに接着剤層３ｏによ
り接着する。
更にまた、樹脂製外囲器２８の蓋部Ｃを側面Ｂに保護材
３１例えばケル（Ｇ ｅ Ｑ ）状高分子樹脂と共に封
止して樹脂封止型半導体装置が完成される。
３１例えばケル（Ｇ ｅ Ｑ ）状高分子樹脂と共に封
止して樹脂封止型半導体装置が完成される。
第５図には他の実施例用に提出したもので、第４図に使
用した番号はそのまま付けているが、違う点はシリコン
製放熱板の上側２７−Ａの厚さ方向にも電気的分離層２
６を形成していわゆる島領域り、Ｅ、Ｆが形成されてい
る点である。
用した番号はそのまま付けているが、違う点はシリコン
製放熱板の上側２７−Ａの厚さ方向にも電気的分離層２
６を形成していわゆる島領域り、Ｅ、Ｆが形成されてい
る点である。
即ち、島領域りにはモノリシックに例えばパワートラン
ジシスタ（図示せず）を形成し、電気的分離層２６によ
り区分された領域Ｇを中継点とし、ここにリードフレー
ム２０のインナーリード２３を低融点半田層２９により
固着する。そしてパワートランジシスタの電極（図示せ
ず）とインナーリード２３間にはＡＱまたはＡｕなどの
金属細線２８を例えば超音波ボンディング法により固着
する。
ジシスタ（図示せず）を形成し、電気的分離層２６によ
り区分された領域Ｇを中継点とし、ここにリードフレー
ム２０のインナーリード２３を低融点半田層２９により
固着する。そしてパワートランジシスタの電極（図示せ
ず）とインナーリード２３間にはＡＱまたはＡｕなどの
金属細線２８を例えば超音波ボンディング法により固着
する。
パワートランジシスタに代えて例えば集積回路素子を造
り込み、領域Ｇにいわゆる個別半導体素子を取付けてい
わゆるＩＰＤ素子とすることも可能である。更にシリコ
ン製放熱板の上側２７−Ａを上から見て中心付近から周
縁に向けて複数の電気的分離層２６を形成して、区分さ
れたシリコン製放熱板の上側２７−Ａ部分に各種の回路
成分を形成することも可能になる。この場合シリコン製
放熱板の下側２７−Ｂは当然放熱作用を受持つことにな
る。
り込み、領域Ｇにいわゆる個別半導体素子を取付けてい
わゆるＩＰＤ素子とすることも可能である。更にシリコ
ン製放熱板の上側２７−Ａを上から見て中心付近から周
縁に向けて複数の電気的分離層２６を形成して、区分さ
れたシリコン製放熱板の上側２７−Ａ部分に各種の回路
成分を形成することも可能になる。この場合シリコン製
放熱板の下側２７−Ｂは当然放熱作用を受持つことにな
る。
［発明の効果つ
このように本発明に係わる樹脂封止型半導体装置は絶縁
がされていない半導体装置と同等な低い飽和熱抵抗特性
が得られる。と言うのは、電気的分離層を構成する酸化
物層の厚さが５〜６μｍと薄く形成できるので従来製品
に比べて飽和熱抵抗特性が得られる。従って、半導体能
動素子としてパワートランジスタ素子を搭載したモータ
の連続運転においてシリコン製放熱板の機能により低い
飽和熱抵抗特性が得られるとためにパワー素子本来の実
力を引出すと共にモータその物の信頼性と寿命も延ばす
ことかできる。電気的分離層に利用する珪素酸化物例え
ば３μｍ厚の二酸化珪素の熱伝導性は０． ６μｍ厚の
Ａ Ｑ ２０３セラミツクの約２０倍であることを付記
する。
がされていない半導体装置と同等な低い飽和熱抵抗特性
が得られる。と言うのは、電気的分離層を構成する酸化
物層の厚さが５〜６μｍと薄く形成できるので従来製品
に比べて飽和熱抵抗特性が得られる。従って、半導体能
動素子としてパワートランジスタ素子を搭載したモータ
の連続運転においてシリコン製放熱板の機能により低い
飽和熱抵抗特性が得られるとためにパワー素子本来の実
力を引出すと共にモータその物の信頼性と寿命も延ばす
ことかできる。電気的分離層に利用する珪素酸化物例え
ば３μｍ厚の二酸化珪素の熱伝導性は０． ６μｍ厚の
Ａ Ｑ ２０３セラミツクの約２０倍であることを付記
する。
第１図乃至第３図は従来の樹脂封止型半導体装置の断面
図、第４図及び第５図は本発明の実施例を示す断面図で
ある。 １．２２：ベツド部、 ２．９．１３．２５．２９：半田層、 ３．２４：半導体能動素子、 ４．１０．２８：金属細線、 ７：セラミック板、 ８．８′ 二金属製薄膜、１４．
２７〜Ａ、２７−Ｂ：放熱板、 １２：リード、 １２′ ：リードホルダー、１
５．３１、Ｂ、Ｃ：外囲器、 １５′熱硬化製樹脂、１６．３ｏ：接着材層、２６：電
気的分離層。 代理人 弁理士 大 胡 典 末 弟１図 第２図 第３図 第４図
図、第４図及び第５図は本発明の実施例を示す断面図で
ある。 １．２２：ベツド部、 ２．９．１３．２５．２９：半田層、 ３．２４：半導体能動素子、 ４．１０．２８：金属細線、 ７：セラミック板、 ８．８′ 二金属製薄膜、１４．
２７〜Ａ、２７−Ｂ：放熱板、 １２：リード、 １２′ ：リードホルダー、１
５．３１、Ｂ、Ｃ：外囲器、 １５′熱硬化製樹脂、１６．３ｏ：接着材層、２６：電
気的分離層。 代理人 弁理士 大 胡 典 末 弟１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 樹脂製外囲器に取付けるシリコンから構成する板体の
主表面に少なくとも半導体能動素子を取付け、前記主表
面に対向するシリコン板体の他の表面を外部に露出する
と共に両表面間を構成する厚さ方向に前記主表面に対応
して設置する電気的分離層を具備することを特徴とする
樹脂封止型半導体装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224694A JP2726555B2 (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2224694A JP2726555B2 (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04106962A true JPH04106962A (ja) | 1992-04-08 |
| JP2726555B2 JP2726555B2 (ja) | 1998-03-11 |
Family
ID=16817778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2224694A Expired - Fee Related JP2726555B2 (ja) | 1990-08-27 | 1990-08-27 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2726555B2 (ja) |
-
1990
- 1990-08-27 JP JP2224694A patent/JP2726555B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2726555B2 (ja) | 1998-03-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |