JPH04106834A - 電界放出デバイスの製造方法 - Google Patents
電界放出デバイスの製造方法Info
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- JPH04106834A JPH04106834A JP2226116A JP22611690A JPH04106834A JP H04106834 A JPH04106834 A JP H04106834A JP 2226116 A JP2226116 A JP 2226116A JP 22611690 A JP22611690 A JP 22611690A JP H04106834 A JPH04106834 A JP H04106834A
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Landscapes
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、微小な電界放出デバイスの製造方法に関し、
さらに詳しくは電界放出陰極及び三極管の製造方法に関
する。
さらに詳しくは電界放出陰極及び三極管の製造方法に関
する。
〈従来の技術〉
第３図１第４図は従来より提案されている電界放出陰極
の製造方法を示す断面図である。
の製造方法を示す断面図である。
はじめに第３図の製造工程について簡単に説明する。
工程（１）
シリコン基板２０上に厚さ１，５μｍ程度の絶縁膜（Ｓ
ｉ０２）２１を形成するとともに厚さ０゜５μｍ程度の
第１の金属１１！２２を形成し、この第１の金属膜２２
をエツチングして直径２μｍ程度の微小な穴２３を形成
する。
ｉ０２）２１を形成するとともに厚さ０゜５μｍ程度の
第１の金属１１！２２を形成し、この第１の金属膜２２
をエツチングして直径２μｍ程度の微小な穴２３を形成
する。
次に第１の金属膜２２をマスクとして微小な穴２３の下
に露出しな絶縁１！２１のエッチジグを行って基板２０
の面を露出させる。
に露出しな絶縁１！２１のエッチジグを行って基板２０
の面を露出させる。
（ａ）図繋照
工程（２）
第１の金属膜２２を含む基板２０上に第２の金属（Ａ１
等）膜２４を蒸着する。なお、第２の金属の蒸着に際し
ては穴２３の中心軸を回転させながら角度φの方向から
金属粒子を飛来させる。
等）膜２４を蒸着する。なお、第２の金属の蒸着に際し
ては穴２３の中心軸を回転させながら角度φの方向から
金属粒子を飛来させる。
（ｂ）図参照
工程（３）
第３の金属（ＭＯ）膜を蒸着により付着させ。
穴の底に円錐状の突起２６を形成する。
（ｃ）図参照
工程（４）
第１の金属膜上の第２．第３の金属膜２４，２５を除去
する。 （ｄ）図参照次に第４図の製造
方法について説明する。
する。 （ｄ）図参照次に第４図の製造
方法について説明する。
工程（１）
シリコン基板２０上に絶縁膜（ＳｉＯ□）を形成し、所
定の形状にエツチングを行う。
定の形状にエツチングを行う。
（ａ）図参照
工程（２）
次にシリコンの異方性エツチング液を用いてエツチング
を行い、絶縁膜の下に突起２５を形成する。
（ｂ）図参照工程３） 突起２５を含む基板２０上に金属ｒｍ＜ｗ＞を付着する
。
を行い、絶縁膜の下に突起２５を形成する。
（ｂ）図参照工程３） 突起２５を含む基板２０上に金属ｒｍ＜ｗ＞を付着する
。
上記の製造方法によれば微細な陰極を得ることができる
。
。
〈発明が解決しようとする課題〉
ところで、この様な電界電子放出陰極の先端の放出電界
強度は印加電圧（Ｖ）と先端径（Ｒ）の比（Ｖ／Ｒ）に
近似できる為、先端を尖鋭に加工できれば印加電圧も低
いもので済む、しかしながら、上記従来技術においては
金属薄膜の蒸着やＳｉの異方性エツチングでピラミッド
状の突起を作り、そのピラミッドの表面にＷをコーティ
ングにより付着させているので先端の尖鋭化には限界が
あるという問題があった。 また、陰極には仕事関数が
低く高融点を有するＷが適しているが、Ｗは比較的に電
気的抵抗が大きいので突起全体をＷとした場合抵抗分に
よる電圧降下を補うように電子放出の為の電圧を高くし
なければならないという問題があり１第４図に示すもの
ではＷの下部がＳｉのため抵抗分もあり、放熱性も悪い
という問題があった。
強度は印加電圧（Ｖ）と先端径（Ｒ）の比（Ｖ／Ｒ）に
近似できる為、先端を尖鋭に加工できれば印加電圧も低
いもので済む、しかしながら、上記従来技術においては
金属薄膜の蒸着やＳｉの異方性エツチングでピラミッド
状の突起を作り、そのピラミッドの表面にＷをコーティ
ングにより付着させているので先端の尖鋭化には限界が
あるという問題があった。 また、陰極には仕事関数が
低く高融点を有するＷが適しているが、Ｗは比較的に電
気的抵抗が大きいので突起全体をＷとした場合抵抗分に
よる電圧降下を補うように電子放出の為の電圧を高くし
なければならないという問題があり１第４図に示すもの
ではＷの下部がＳｉのため抵抗分もあり、放熱性も悪い
という問題があった。
本発明は上記従来技術の問題を解決するために成された
もので、陰極先端の尖鋭化をはかるとともに突起の内部
の＠極材料として低抵抗で耐熱性と放熱性の良い金属を
用いることにより放射効率が高く１電流密度の高い電界
放射デバイスを提供することを目的とする。
もので、陰極先端の尖鋭化をはかるとともに突起の内部
の＠極材料として低抵抗で耐熱性と放熱性の良い金属を
用いることにより放射効率が高く１電流密度の高い電界
放射デバイスを提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉
上記従来技術の問題を解決する為の本発明の構成は、請
求項１においてはシリコンからなる第１の基板上に異方
性エツチングにより複数の微細な錐状の穴を形成する工
程と、前記穴を含む基板上に仕事関数が低く高融点を有
する第１の金ａ薄膜を付着させる工程と、前記第１の金
属薄膜上に高導電率性と高熱伝導率性を有する第２の金
属を付着させて平坦化させる工程と、前記平坦化した第
２の金属を第２の基板に固着する工程と、前記第１の基
板をエッチングにより除去して前記第１の金属を露出さ
せる工程により電界放出陰極を作製したものであり。
求項１においてはシリコンからなる第１の基板上に異方
性エツチングにより複数の微細な錐状の穴を形成する工
程と、前記穴を含む基板上に仕事関数が低く高融点を有
する第１の金ａ薄膜を付着させる工程と、前記第１の金
属薄膜上に高導電率性と高熱伝導率性を有する第２の金
属を付着させて平坦化させる工程と、前記平坦化した第
２の金属を第２の基板に固着する工程と、前記第１の基
板をエッチングにより除去して前記第１の金属を露出さ
せる工程により電界放出陰極を作製したものであり。
請求項２においては前記工程に引続き、第１の金属を含
む基板上に第１の絶縁膜を形成して前記第１の金属の先
端がわずかに埋まる程度に＃［する工程と、前記第１の
絶縁膜上に第１の電極層を形成するとともにレジストを
塗布し、前記第１の金属の先端が位置する部分のレジス
トを除去し。
む基板上に第１の絶縁膜を形成して前記第１の金属の先
端がわずかに埋まる程度に＃［する工程と、前記第１の
絶縁膜上に第１の電極層を形成するとともにレジストを
塗布し、前記第１の金属の先端が位置する部分のレジス
トを除去し。
前記第１の電極層に穴をあけるとともに前記レジストを
除去する工程と、前記穴を含む第１のＳ極層上に第２の
絶縁膜を形成するとともに前記第２の絶縁膜上に第３の
金属膜を形成する工程と、前記第３の金属膜を含む基板
上にレジストを塗布し前記第１の金属の先端が位置する
部分のレジストを除去し、前記第３の金属に穴を開ける
工程と前記第３の金属膜及び第１の＠極層をマスクとし
て前記第１．第２の絶縁膜をエツチングして前記第１の
金属を露出させる工程と、前記第３の金属膜上に第２の
電極層を形成する工程を含んで三極管を形成したもので
ある。
除去する工程と、前記穴を含む第１のＳ極層上に第２の
絶縁膜を形成するとともに前記第２の絶縁膜上に第３の
金属膜を形成する工程と、前記第３の金属膜を含む基板
上にレジストを塗布し前記第１の金属の先端が位置する
部分のレジストを除去し、前記第３の金属に穴を開ける
工程と前記第３の金属膜及び第１の＠極層をマスクとし
て前記第１．第２の絶縁膜をエツチングして前記第１の
金属を露出させる工程と、前記第３の金属膜上に第２の
電極層を形成する工程を含んで三極管を形成したもので
ある。
く作用〉
上記の構成によれば、突起を形成するに際し始めにＳｉ
基板に異方性エツチングにより穴を形成し、この穴にＷ
の薄膜を形成し７次に高導電率と高熱伝導率を有する金
属を形成した後Ｓｉを除去して突起を露出させている。
基板に異方性エツチングにより穴を形成し、この穴にＷ
の薄膜を形成し７次に高導電率と高熱伝導率を有する金
属を形成した後Ｓｉを除去して突起を露出させている。
その結果、穴の先端は尖鋭であり、かつＷの内部は高導
電率と高熱伝導率を有している。そのため放射効率が高
く放熱性か良い。
電率と高熱伝導率を有している。そのため放射効率が高
く放熱性か良い。
〈実施例〉
以下１図面に従い本発明を説明する。第１図（ａ）〜（
ｅ）は本発明の一実施例であり電界放出陰極の概略製造
工程を示している。工程に従って説明する。
ｅ）は本発明の一実施例であり電界放出陰極の概略製造
工程を示している。工程に従って説明する。
工程（１）
Ｓｔからなる第１の基板に異方性エツチングにより多数
（例えば５０００〜１ｏｏｏｏ個）の穴２を形成する。
（例えば５０００〜１ｏｏｏｏ個）の穴２を形成する。
この穴は＜１００＞基板の上に〈１１０〉方向に四辺を
揃えた正方形の面を異方性エツチングすることにより逆
ピラミッド状に例えば２〜５μｍ程度の深さに形成する
。
揃えた正方形の面を異方性エツチングすることにより逆
ピラミッド状に例えば２〜５μｍ程度の深さに形成する
。
（ａ）図参照
工程（２）
逆ピラミッド状の穴２を含む基板１上に仕事関数が低く
高融点を有する第１の金属（例えばＷ）薄膜３をスパッ
タや蒸着等により０．５μｍ程度の厚さに付着させる。
高融点を有する第１の金属（例えばＷ）薄膜３をスパッ
タや蒸着等により０．５μｍ程度の厚さに付着させる。
（ｂ）図参照工程（３）
第１の金属薄膜３を電極（陰極）として高導電率性と高
熱伝導率性を有する第２の金属（例えばＣｕ）をめっき
により例えば５０〜１００μｍ程度の厚さに付着させ、
その表面を平坦化する。
熱伝導率性を有する第２の金属（例えばＣｕ）をめっき
により例えば５０〜１００μｍ程度の厚さに付着させ、
その表面を平坦化する。
（ｃ）図参照
工程（４）
平坦化しためっき面をＣｕまたはＣｕの金属面を有する
ＡＩＮなど放熱効果の高い数ｍｍの厚さの基板に溶接等
の方法で接合する。
ＡＩＮなど放熱効果の高い数ｍｍの厚さの基板に溶接等
の方法で接合する。
次に第１の基板をフッ硝酸等によりエツチングして除去
し第１の金属と第２の金属からなる突起６を露出させる
。 （ｄ）図参照工程（５） 突起部を含む基板表面をＣＦ ａやＳＰｓ等のガスによ
りＲＩＥ （反応制イオンエツチング）を行う、このＲ
ＩＥは基板表面の平坦部のＷ膜を除去するとともに突起
部のＷがわずかく０．２μｍ程度の厚さ）に残る程度に
行う（この工程５は必ずしも必要ではない）。
し第１の金属と第２の金属からなる突起６を露出させる
。 （ｄ）図参照工程（５） 突起部を含む基板表面をＣＦ ａやＳＰｓ等のガスによ
りＲＩＥ （反応制イオンエツチング）を行う、このＲ
ＩＥは基板表面の平坦部のＷ膜を除去するとともに突起
部のＷがわずかく０．２μｍ程度の厚さ）に残る程度に
行う（この工程５は必ずしも必要ではない）。
以上の工程により電界放出陰極が完成する。
次に三極管の製造方法について第２図を用いてその概略
工程を説明する。なお、電界放出陰極を作製するまでの
工程は同様なので重複する説明は省略する。
工程を説明する。なお、電界放出陰極を作製するまでの
工程は同様なので重複する説明は省略する。
工程（６）
突起６を含む基板上にＳｉＯ２やＳｉ、Ｎ４またはこれ
らの混成層からなる第１の絶縁膜７を２μｍ程度の厚さ
に形成し、この絶縁膜の上に第１の電極層８及びレジス
トを積層する。次に突起の上部に位置するレジストを除
去し２μｍ程度の微細穴を形成する。 （
ａ）図参照工程（７） レジストをマスクとしてエツチングを行い第１の電極に
穴１０−を形成した後レジストを除去する。
（ｂ）図参照工程（８） 第１の電極層を含む基板上に第１の絶縁膜と同様の材質
で第２の絶縁膜１１を２μｍ程度の厚さに形成し、この
第２の絶縁膜上に第３の金属膜を形成しエツチングによ
り穴１３を形成する（レジストによるマスク形成工程は
ここでは省略する）（ｃ）図参照 工程（９） 第３の金属膜をマスクとして第１．第２の絶縁膜のエツ
チングを行って突起６の頂部を露出させる。次に第３の
金属膜の上にコレクタとなる第２の電極１４を重ねる。
らの混成層からなる第１の絶縁膜７を２μｍ程度の厚さ
に形成し、この絶縁膜の上に第１の電極層８及びレジス
トを積層する。次に突起の上部に位置するレジストを除
去し２μｍ程度の微細穴を形成する。 （
ａ）図参照工程（７） レジストをマスクとしてエツチングを行い第１の電極に
穴１０−を形成した後レジストを除去する。
（ｂ）図参照工程（８） 第１の電極層を含む基板上に第１の絶縁膜と同様の材質
で第２の絶縁膜１１を２μｍ程度の厚さに形成し、この
第２の絶縁膜上に第３の金属膜を形成しエツチングによ
り穴１３を形成する（レジストによるマスク形成工程は
ここでは省略する）（ｃ）図参照 工程（９） 第３の金属膜をマスクとして第１．第２の絶縁膜のエツ
チングを行って突起６の頂部を露出させる。次に第３の
金属膜の上にコレクタとなる第２の電極１４を重ねる。
（ｄ）図参照なお、工程６．８で用いる絶縁
膜はポリマー等の高分子材料であっても良い。また１本
実施例では３極管を示したが電極１４を複数個絶縁膜を
介して積層し、多極管としても良い、 〈発明の効果〉 以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば、陰極先端の尖鋭化をはかるとともに突起の内部の電
極材料を低抵抗で耐熱性と放熱性の良い金属を用いたの
で、放射効率が高く、電流密度の高い電界放射デバイス
を実現することかできる。
膜はポリマー等の高分子材料であっても良い。また１本
実施例では３極管を示したが電極１４を複数個絶縁膜を
介して積層し、多極管としても良い、 〈発明の効果〉 以上実施例とともに具体的に説明した様に本発明によれ
ば、陰極先端の尖鋭化をはかるとともに突起の内部の電
極材料を低抵抗で耐熱性と放熱性の良い金属を用いたの
で、放射効率が高く、電流密度の高い電界放射デバイス
を実現することかできる。
第１図、第２図は本発明の一実論例を示す概略製作工程
図、第３図１第４図は従来の概略製作工程例を示す図で
ある。 １・・・第１の基板、２・・・穴、３第１の金属膜、４
・・・第２の金属膜、５・・・第２の基板、６・・・突
起、７・・・第１の絶縁膜、８・・・第１の電極層、９
・・・レジスト、１１・・・第２の絶縁膜、１２・・・
第３の金属膜１４・・・第２の電極。 第１図
図、第３図１第４図は従来の概略製作工程例を示す図で
ある。 １・・・第１の基板、２・・・穴、３第１の金属膜、４
・・・第２の金属膜、５・・・第２の基板、６・・・突
起、７・・・第１の絶縁膜、８・・・第１の電極層、９
・・・レジスト、１１・・・第２の絶縁膜、１２・・・
第３の金属膜１４・・・第２の電極。 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）電界放出陰極の製造方法において、 （１）シリコンからなる第１の基板上に異方性エッチン
グにより複数の微細な錐状の穴を形成する工程と、 （２）前記穴を含む基板上に仕事関数が低く高融点を有
する第１の金属薄膜を付着させる工程と、 （３）前記第１の金属薄膜上に高導電率性と高熱伝導率
性を有する第２の金属を付着させて平坦化させる工程と
、 （４）前記平坦化した第２の金属を第２の基板に固着す
る工程と、 （５）前記第１の基板をエッチングにより除去して前記
第１の金属を露出させる工程と、を含むことを特徴とす
る電界放出陰極の製造方法。 ２）三極管の製造方法において、 （１）シリコンからなる第１の基板上に異方性エッチン
グにより複数の微細な錐状の穴を形成する工程と、 （２）前記穴を含む基板上に仕事関数が低く高融点を有
する第１の金属薄膜を付着させる工程と、 （３）前記第１の金属薄膜上に第２の金属を付着させて
平坦化させる工程と、 （４）前記平坦化した第２の金属を第２の基板に固着す
る工程と、 （５）前記第１の基板をエッチングにより除去して前記
第１の金属を露出させる工程と、 （６）前記第１の金属を含む基板上に第１の絶縁膜を形
成して前記第１の金属の先端がわずかに埋まる程度に堆
積する工程と、 （７）前記第１の絶縁膜上に第１の電極層を形成し、前
記第１の金属の先端が位置する部分に穴をあける工程と
、 （８）前記穴を含む第１の電極層上に第２の絶縁膜を形
成するとともに前記第２の絶縁膜上に第３の金属膜を形
成する工程と、 （９）前記第１の金属の先端が位置する上方の前記第３
の金属膜に穴をあける工程と、 （１０）前記第３の金属膜及び第１の電極をマスクとし
て前記第１、第２の絶縁膜をエッチングして前記第１の
金属を露出させる工程と、 （１１）前記第３の金属膜上に第２の電極層を形成する
工程、 を含むことを特徴とする三極管の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2226116A JPH04106834A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 電界放出デバイスの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2226116A JPH04106834A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 電界放出デバイスの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04106834A true JPH04106834A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16840089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2226116A Pending JPH04106834A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 電界放出デバイスの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04106834A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08138530A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-05-31 | Nec Corp | 電界放出型電子銃及びその製造方法 |
| US5844250A (en) * | 1993-02-10 | 1998-12-01 | Futaba Denshi Kogyo K.K, | Field emission element with single crystalline or preferred oriented polycrystalline emitter or insulating layer |
| KR100616634B1 (ko) * | 2004-10-21 | 2006-08-28 | 류선윤 | 백금 에미터를 이용한 전계 방출 표시 소자 및 백금에미터의 제조 방법 |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP2226116A patent/JPH04106834A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5844250A (en) * | 1993-02-10 | 1998-12-01 | Futaba Denshi Kogyo K.K, | Field emission element with single crystalline or preferred oriented polycrystalline emitter or insulating layer |
| JPH08138530A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-05-31 | Nec Corp | 電界放出型電子銃及びその製造方法 |
| KR100616634B1 (ko) * | 2004-10-21 | 2006-08-28 | 류선윤 | 백금 에미터를 이용한 전계 방출 표시 소자 및 백금에미터의 제조 방법 |
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