JPH0410407A - パターン構造を有する素子の製造方法 - Google Patents
パターン構造を有する素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0410407A JPH0410407A JP2109997A JP10999790A JPH0410407A JP H0410407 A JPH0410407 A JP H0410407A JP 2109997 A JP2109997 A JP 2109997A JP 10999790 A JP10999790 A JP 10999790A JP H0410407 A JPH0410407 A JP H0410407A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- pattern structure
- manufacturing
- patterns
- photomask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 abstract description 23
- 238000002955 isolation Methods 0.000 abstract description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70466—Multiple exposures, e.g. combination of fine and coarse exposures, double patterning or multiple exposures for printing a single feature
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/30—Alternating PSM, e.g. Levenson-Shibuya PSM; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、パターン構造を有する素子の製造方法に係り
、とくに無線端末等の通信機器に用いられる弾性表面波
素子の製造に適した、パターン構造を有する素子の製造
方法に関する。
、とくに無線端末等の通信機器に用いられる弾性表面波
素子の製造に適した、パターン構造を有する素子の製造
方法に関する。
電子デバイス等の回路パターンが描かれたホトマスク（
レティクル）を照射光学系で照明し、回路パターンを基
板ウェーハ上に転写する投影・露光装置には、転写可能
なパターンが微細化できることが要求される。このよう
なパターン転写装置の解像限界付近の微細パターンを転
写する一手段として、ホトマスク上の微細な遮光部分を
隔てて隣接する開口部分を透過する照明光に位相差を与
える方法が提案されている。その従来の位相差を与える
パターン形成法については、アイ・イー・イー・イー、
トランザクション オン エレクトロン デバイス ２
９（１，９８２年）第１２８２頁以下（ＩＥＥＥ、Ｔｒ
ａｎｓ、ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、Ｖ
ｏＱＥＤ−２９，Ｎα１２．（１９８２）ｐ、１２８２
〜）におけるマーク・デイ−・レビュンソン（Ｍａｒｋ
。
レティクル）を照射光学系で照明し、回路パターンを基
板ウェーハ上に転写する投影・露光装置には、転写可能
なパターンが微細化できることが要求される。このよう
なパターン転写装置の解像限界付近の微細パターンを転
写する一手段として、ホトマスク上の微細な遮光部分を
隔てて隣接する開口部分を透過する照明光に位相差を与
える方法が提案されている。その従来の位相差を与える
パターン形成法については、アイ・イー・イー・イー、
トランザクション オン エレクトロン デバイス ２
９（１，９８２年）第１２８２頁以下（ＩＥＥＥ、Ｔｒ
ａｎｓ、ｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ、Ｖ
ｏＱＥＤ−２９，Ｎα１２．（１９８２）ｐ、１２８２
〜）におけるマーク・デイ−・レビュンソン（Ｍａｒｋ
。
Ｄ＋Ｌｅｖｅｎｓｏｎ）等による“Ｉｍｐｒｏｖｉｎｇ
Ｒｅ５ｏｌｕｔｉｏｎｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔ
ｉｎｇＭａｓｋ”と題する文献に論じられている。本文
献で提案しているパターン形成法は、遮光部分を隔てて
隣接する開口部分を透過する照明光に１８０゜の位相差
を与えるものであり、周期的に配列されたパターンの解
像力を向上させるのに好適なものである。
Ｒｅ５ｏｌｕｔｉｏｎｉｎ Ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇ
ｒａｐｈｙ ｗｉｔｈ ａ Ｐｈａｓｅ−５ｈｉｆｔ
ｉｎｇＭａｓｋ”と題する文献に論じられている。本文
献で提案しているパターン形成法は、遮光部分を隔てて
隣接する開口部分を透過する照明光に１８０゜の位相差
を与えるものであり、周期的に配列されたパターンの解
像力を向上させるのに好適なものである。
上記の従来技術では、隣接する開口部分が互いに分離し
ているパターンに対してのみ、その解像力を向上させる
のに有効である。しかしながら、隣接している開ロバタ
ーンが、ある部分で接続してつながっている場合には、
連続した開口部であるために遮光部を隔てて位相差を与
えることができないため、精度の高いパターン形成およ
び解像度の向上ができないという問題がある。
ているパターンに対してのみ、その解像力を向上させる
のに有効である。しかしながら、隣接している開ロバタ
ーンが、ある部分で接続してつながっている場合には、
連続した開口部であるために遮光部を隔てて位相差を与
えることができないため、精度の高いパターン形成およ
び解像度の向上ができないという問題がある。
また、実際の電子デバイスにおける回路パターンでは、
隣接する線状の開ロバターンが端部で接続している場合
が多い。このような回路パターンに従来の位相差を与え
るパターン形成法を適用すると、開ロバターンの接続部
分で照明光の位相が急変し位相差が零度となる領域が生
じるため、線状のパターンが隣接する部分では、そのパ
ターン自体は解像するものの、接続すべき部分でもパタ
ーンの分離が生じてしまうことになる。そのため、ウェ
ーハ上で所望の一体的なパターン形状が得られないとい
う問題がある。
隣接する線状の開ロバターンが端部で接続している場合
が多い。このような回路パターンに従来の位相差を与え
るパターン形成法を適用すると、開ロバターンの接続部
分で照明光の位相が急変し位相差が零度となる領域が生
じるため、線状のパターンが隣接する部分では、そのパ
ターン自体は解像するものの、接続すべき部分でもパタ
ーンの分離が生じてしまうことになる。そのため、ウェ
ーハ上で所望の一体的なパターン形状が得られないとい
う問題がある。
本発明の目的は、隣接する開口部パターンが成る部分で
接続してつながっているような微細パターンについても
、正確にパターン転写が可能となる素子の製造方法を提
供することにある。
接続してつながっているような微細パターンについても
、正確にパターン転写が可能となる素子の製造方法を提
供することにある。
上記目的は、パターン構造を有する素子の製造方法であ
って、基板上にパターン構造を複数回の露光により形成
するために、上記パターン構造のパターンを合成する複
数種の部分パターンを構成する遮光部及び複数の開口部
からなるホトマスクを準備し、この複数種の部分パター
ンを有するホトマスクの上記複数の開口部を透過する光
（照明光）に異なる位相を与えて上記複数種の部分パタ
−ン毎に上記基板を複数回露光することにより達成され
る。照明光の位相差は隣接する開口部間でほぼ１８０°
として露光するとよい。
って、基板上にパターン構造を複数回の露光により形成
するために、上記パターン構造のパターンを合成する複
数種の部分パターンを構成する遮光部及び複数の開口部
からなるホトマスクを準備し、この複数種の部分パター
ンを有するホトマスクの上記複数の開口部を透過する光
（照明光）に異なる位相を与えて上記複数種の部分パタ
−ン毎に上記基板を複数回露光することにより達成され
る。照明光の位相差は隣接する開口部間でほぼ１８０°
として露光するとよい。
また、ホトマスクとして複数種の部分パターンを有する
ホトマスクを用いることにより、すなわち例えばホトマ
スクとして複数種の部分パターンを複数有するものを準
備し１周期的に配列した部分パターン群を複数回の露光
転写によって、一つの基板（ウェハ）上の一定区画に重
ねあわせて一体的なパターンを合成する（複数種の部分
パターンが露光されて所望のパターンを合成するように
ホトマスクを基板に対して相対的に移動する）ことによ
り、パターンが接続してつながるべき部分で照明光の位
相が急変することにより生じたパターンの分離をまった
く解消した構成とすることに本発明の特徴がある。
ホトマスクを用いることにより、すなわち例えばホトマ
スクとして複数種の部分パターンを複数有するものを準
備し１周期的に配列した部分パターン群を複数回の露光
転写によって、一つの基板（ウェハ）上の一定区画に重
ねあわせて一体的なパターンを合成する（複数種の部分
パターンが露光されて所望のパターンを合成するように
ホトマスクを基板に対して相対的に移動する）ことによ
り、パターンが接続してつながるべき部分で照明光の位
相が急変することにより生じたパターンの分離をまった
く解消した構成とすることに本発明の特徴がある。
また、ホトマスクの複数種の部分パターンが配置されて
いる方向に基板とホトマスクとを相対的にステップ移動
して露光することに本発明の他の特徴がある。
いる方向に基板とホトマスクとを相対的にステップ移動
して露光することに本発明の他の特徴がある。
連続してつながっているパターンを分割して部分パター
ンを構成することにより、開口部を遮光部を介して孤立
化したパターンとすることができる。隣接した開口部が
各々孤立して配列された部分パターンは、隣り合った開
口部パターンを透過する照明光に（例えば約１８ｏ°の
）位相差を交互に周期的に与えることが可能となる。こ
れにより、隣接する開口部が接続することにより生じた
接続部分、すなわち照明光の位相が急変する（位相差＝
Ｏ）境界領域を解消することができる。
ンを構成することにより、開口部を遮光部を介して孤立
化したパターンとすることができる。隣接した開口部が
各々孤立して配列された部分パターンは、隣り合った開
口部パターンを透過する照明光に（例えば約１８ｏ°の
）位相差を交互に周期的に与えることが可能となる。こ
れにより、隣接する開口部が接続することにより生じた
接続部分、すなわち照明光の位相が急変する（位相差＝
Ｏ）境界領域を解消することができる。
また、開口部分を透過する照明光に１８０°の位相差を
周期的に与えることにより、パターン転写の解像力が向
上する。
周期的に与えることにより、パターン転写の解像力が向
上する。
更に、一定の周期間隔をもった区画に部分パターンを配
列することは、パターン周期に沿ってホトマスクと基板
の位置を相対的に変化させることにより、基板の同一区
画（チップ）上に複数の部分パターンを形成できる。一
つのホトマスク上に一定期周期で配列した部分パターン
は、露光・転写により基板ウェーハ上に部分パターン群
（列）を解像するように作用する。この部分パターン列
には隣接する開口部が接続した部分がないので。
列することは、パターン周期に沿ってホトマスクと基板
の位置を相対的に変化させることにより、基板の同一区
画（チップ）上に複数の部分パターンを形成できる。一
つのホトマスク上に一定期周期で配列した部分パターン
は、露光・転写により基板ウェーハ上に部分パターン群
（列）を解像するように作用する。この部分パターン列
には隣接する開口部が接続した部分がないので。
パターン解像不良の領域が生じることはない。
また、複数の露光・転写によって異なった部分パターン
を基板上の同一区画（チップ）に重ね合わせて形成する
ことは、隣接する開口部パターンが接続してつながって
いるような一体的なパターンの形成を可能とする。これ
により、開口部が連続したパターンを高い解像度で形成
できる。また、一定の周期（チップ）間隔で部分パター
ンを配列して部分パターン群（列）を構成することは、
体的なパターンを一つのホトマスクでかつ基板ウェーハ
上のほぼ全ての領域（チップ）で同時に形成することが
可能となる。
を基板上の同一区画（チップ）に重ね合わせて形成する
ことは、隣接する開口部パターンが接続してつながって
いるような一体的なパターンの形成を可能とする。これ
により、開口部が連続したパターンを高い解像度で形成
できる。また、一定の周期（チップ）間隔で部分パター
ンを配列して部分パターン群（列）を構成することは、
体的なパターンを一つのホトマスクでかつ基板ウェーハ
上のほぼ全ての領域（チップ）で同時に形成することが
可能となる。
以上のように、本発明は作用することにより、連続した
開口部パターンの接続すべき部分で、パターンが分離し
て解像不良となってしまうことのない一体的なパターン
形状を形成できる。
開口部パターンの接続すべき部分で、パターンが分離し
て解像不良となってしまうことのない一体的なパターン
形状を形成できる。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。第１
図は、本発明を適用したホトマスク上で連続したくし形
状パターンを互いに組み合わせてできる１つの連続した
開口部パターン１と、２つのくし形状遮光パターン２及
び３からなる交差指パターンを表わす図である。図の開
口部と遮光部が互いに交差した部分のパターン寸法は、
開口部および遮光部各々基板ウェーハ上で０．２５μｍ
である。この場合、１／１０縮小投影露光法を用いたの
で、１０倍のレティクル上では、これらの寸法は各々２
．５μｍである。ここで、開口部パターンにおいて、解
像度を向上するために遮光部を隔てて隣接する開口部分
を透過する照明光に１８０°の位相差を与えるように従
来法で位相シフト層５を設けると、図の（ｂ）に示され
るようなパターンとなる。図の（ｂ）では、開ロバター
ンの領域６においては０°の位相、開ロバターンの位相
シフト層領域５においては１８０°の位相がホトマスク
を透過した照明光に与えられることになる。すなわち、
遮光部７を隔てて隣接する開口部５と６を透過する照明
光には１８０°の位相差が与えられている。このように
ホトマスクを透過した照明光の位相が反転しているため
、基板つ工−ハ上での光の強度分布（コントラスト）に
は遮光部と開口部で大きな差が生じることになり、パタ
ーンの解像度が著しく向上する。しかしながら、図の（
ｂ）に示したように、遮光部を介して隣接する開口部が
接続しているパターンでは、上記のような従来法を用い
ると、照明光の位相が急変する接続部分８が生じること
になる。この境界部分では、照明光の位相がＯ’＋１８
０’と急変し、光の強度が基板ウェーハ上で零となるた
めパターンの分離が生じる。したがって、図の開ロバタ
ーン１は、連続してつながった形状とはならず、交差指
パターンは解像不可能となってしまう。
図は、本発明を適用したホトマスク上で連続したくし形
状パターンを互いに組み合わせてできる１つの連続した
開口部パターン１と、２つのくし形状遮光パターン２及
び３からなる交差指パターンを表わす図である。図の開
口部と遮光部が互いに交差した部分のパターン寸法は、
開口部および遮光部各々基板ウェーハ上で０．２５μｍ
である。この場合、１／１０縮小投影露光法を用いたの
で、１０倍のレティクル上では、これらの寸法は各々２
．５μｍである。ここで、開口部パターンにおいて、解
像度を向上するために遮光部を隔てて隣接する開口部分
を透過する照明光に１８０°の位相差を与えるように従
来法で位相シフト層５を設けると、図の（ｂ）に示され
るようなパターンとなる。図の（ｂ）では、開ロバター
ンの領域６においては０°の位相、開ロバターンの位相
シフト層領域５においては１８０°の位相がホトマスク
を透過した照明光に与えられることになる。すなわち、
遮光部７を隔てて隣接する開口部５と６を透過する照明
光には１８０°の位相差が与えられている。このように
ホトマスクを透過した照明光の位相が反転しているため
、基板つ工−ハ上での光の強度分布（コントラスト）に
は遮光部と開口部で大きな差が生じることになり、パタ
ーンの解像度が著しく向上する。しかしながら、図の（
ｂ）に示したように、遮光部を介して隣接する開口部が
接続しているパターンでは、上記のような従来法を用い
ると、照明光の位相が急変する接続部分８が生じること
になる。この境界部分では、照明光の位相がＯ’＋１８
０’と急変し、光の強度が基板ウェーハ上で零となるた
めパターンの分離が生じる。したがって、図の開ロバタ
ーン１は、連続してつながった形状とはならず、交差指
パターンは解像不可能となってしまう。
図の（ｃ、）、 （ｄ）は、図（ａ）で示される連続し
た開ロバターン１を、遮光部７によって開口部が各々孤
立化するように分割した部分パターン９を表わす。この
部分パターンにおいて、図に示したごとく、ホトマスク
上で隣接する開口部に交互に位相シフト層５を設けた。
た開ロバターン１を、遮光部７によって開口部が各々孤
立化するように分割した部分パターン９を表わす。この
部分パターンにおいて、図に示したごとく、ホトマスク
上で隣接する開口部に交互に位相シフト層５を設けた。
ホトマスク上で開ロバターンを透過する照明光には、遮
光部７を介して交互に位相シフト層を設けることにより
１８０゜の位相差が与えられる。すなわち、開ロバター
ンの領域６においてはＯｏの位相９位相シフト層領域５
においては１８０°の位相の照明光となる。
光部７を介して交互に位相シフト層を設けることにより
１８０゜の位相差が与えられる。すなわち、開ロバター
ンの領域６においてはＯｏの位相９位相シフト層領域５
においては１８０°の位相の照明光となる。
ここでは、遮光部によって開口部を孤立化した部分パタ
ーンとしたので、図の（ｂ）で示したような、照明光の
位相がＯ’＋１８０”と急変してパターン解像不良とな
るような境界部分が生じることはない。
ーンとしたので、図の（ｂ）で示したような、照明光の
位相がＯ’＋１８０”と急変してパターン解像不良とな
るような境界部分が生じることはない。
本実施例では、位相シフト層５は膜厚約０．３８μｍの
５ｉｎ２で設けている。この厚さｄの値は、Ｓ ｉ Ｏ
，の屈折率をｎ、照明光の波長をλとするとき、 λ なる関係を満足しているので、位相シフト層領域５を透
過する照明光の位相は、位相シフト層を設けていない開
ロバターンの領域６を透過する照明光の位相と比べて１
８０°だけシフトしている。
５ｉｎ２で設けている。この厚さｄの値は、Ｓ ｉ Ｏ
，の屈折率をｎ、照明光の波長をλとするとき、 λ なる関係を満足しているので、位相シフト層領域５を透
過する照明光の位相は、位相シフト層を設けていない開
ロバターンの領域６を透過する照明光の位相と比べて１
８０°だけシフトしている。
なお、位相シフト層の形状は、図の（ｃ）、（ｄ）の場
合開口部パターンと同じ、すなわち１０倍のレティクル
上で幅２．５μｍの寸法となっているが、このシフト層
の幅は、開口部を透過する光の位相をシフトするための
ものであるから、隣接する遮光部にシフト層がかかって
もかまわない。ただし、位相シフト法の原理から、パタ
ーン上で次（隣）の開口部までシフト層を広げることは
許されない。
合開口部パターンと同じ、すなわち１０倍のレティクル
上で幅２．５μｍの寸法となっているが、このシフト層
の幅は、開口部を透過する光の位相をシフトするための
ものであるから、隣接する遮光部にシフト層がかかって
もかまわない。ただし、位相シフト法の原理から、パタ
ーン上で次（隣）の開口部までシフト層を広げることは
許されない。
このようにして構成した位相シフトレティクルを用いて
基板ウェーハ上にパターンを転写すると、露光波長λ＝
３６５ｎｍ、縮小レンズの開口数ＮＡ＝０．４２ であ
るｉ線１／１０縮小投影露光装置を用いた場合、図（’
ｃ）、（ｄ）に示したような最小寸法が０．２５μｍの
格子状部分パターンとホール状部分パターンが解像でき
る。
基板ウェーハ上にパターンを転写すると、露光波長λ＝
３６５ｎｍ、縮小レンズの開口数ＮＡ＝０．４２ であ
るｉ線１／１０縮小投影露光装置を用いた場合、図（’
ｃ）、（ｄ）に示したような最小寸法が０．２５μｍの
格子状部分パターンとホール状部分パターンが解像でき
る。
なお１以上で述べたパターン転写法は、ここでは露光波
長λ＝３６５ｎｍ、縮小レンズの開口数ＮＡ＝０．４２
であるｉ線１／１ｏ縮小投影露光装置を用いた場合の
実施例である。本実施例の位相シフトパターンを適用し
ない従来のパターン形成法では、同様な露光装置を用い
ると、パターンの解像限界が約０．５μｍであった。本
発明の実施例では、この０．５μｍの解像限界を０．２
５μｍまで約５０％向上でき、最小寸法０．２５μｍの
微細な部分パターンの形成を可能とした。
長λ＝３６５ｎｍ、縮小レンズの開口数ＮＡ＝０．４２
であるｉ線１／１ｏ縮小投影露光装置を用いた場合の
実施例である。本実施例の位相シフトパターンを適用し
ない従来のパターン形成法では、同様な露光装置を用い
ると、パターンの解像限界が約０．５μｍであった。本
発明の実施例では、この０．５μｍの解像限界を０．２
５μｍまで約５０％向上でき、最小寸法０．２５μｍの
微細な部分パターンの形成を可能とした。
本発明のパターン製造方法を用いると、パターン転写装
置の露光波長λがさらに短波長化され、ｊ線からエキシ
マレーザあるいはＸ線となった場合においても、各々パ
ターンの解像度をさらに約５０％向上することが可能で
あり、超微細なパターン及びそのパターン構造を有する
素子の形成が可能となることは言うまでもない。
置の露光波長λがさらに短波長化され、ｊ線からエキシ
マレーザあるいはＸ線となった場合においても、各々パ
ターンの解像度をさらに約５０％向上することが可能で
あり、超微細なパターン及びそのパターン構造を有する
素子の形成が可能となることは言うまでもない。
第２図は、第１図の（Ｑ） （ｄ’）で示した部分パ
ターンを同じ一枚のホトマスク（レティクル）上に形成
して基板上にパターン転写を行う本発明の実施例を表わ
す１図に示したように、部分パターンＣおよびｄは、ホ
トマスク１０上で部分パターン列ｃ１１および部分パタ
ーン列ｄ１２とじて構成した。この部分パターン列にお
ける各々の部分パターンには、第１図（ｃ）（ｄ）で示
した位相シフトパターンを形成してあり、パターンの最
小寸法は１０倍のレティクル上であるから２．５μｍと
なっている。また、部分パターン列における部分パター
ン１つの区画は３５ｍｎＸ３５ｍｎとなっており、部分
パターンは周期３５ｎ＋ｍで規則的に配列されている。
ターンを同じ一枚のホトマスク（レティクル）上に形成
して基板上にパターン転写を行う本発明の実施例を表わ
す１図に示したように、部分パターンＣおよびｄは、ホ
トマスク１０上で部分パターン列ｃ１１および部分パタ
ーン列ｄ１２とじて構成した。この部分パターン列にお
ける各々の部分パターンには、第１図（ｃ）（ｄ）で示
した位相シフトパターンを形成してあり、パターンの最
小寸法は１０倍のレティクル上であるから２．５μｍと
なっている。また、部分パターン列における部分パター
ン１つの区画は３５ｍｎＸ３５ｍｎとなっており、部分
パターンは周期３５ｎ＋ｍで規則的に配列されている。
このようにして部分パターンおよび部分パターン列を構
成したホトマスクを使用して、照明光１３を露光するこ
とにより、基板ウェーハ上にパターン転写を行う。この
際の露光は、前述した１／１０縮小投影露光装置を用い
た。
成したホトマスクを使用して、照明光１３を露光するこ
とにより、基板ウェーハ上にパターン転写を行う。この
際の露光は、前述した１／１０縮小投影露光装置を用い
た。
この結果、基板ウェーハ上に最小寸法が０．２５μｍの
部分パターンＣおよびｄが、３．５ｍｍの周期で形成で
きる。そして、基板上に３．５ｗ１口（チップ）の大き
さで部分パターン列が形成できる。
部分パターンＣおよびｄが、３．５ｍｍの周期で形成で
きる。そして、基板上に３．５ｗ１口（チップ）の大き
さで部分パターン列が形成できる。
しかるのち、図中のＹ方向に基板を設定した露光装置の
基板ステージ１４を３．５ｍだけ移動して、２回目の露
光によりパターン転写を行う。これにより、部分パター
ン列Ｃの上に部分パターン列ｄが重ね合わさって形成さ
れることになる。すなわち、１つのチップ上で見ると、
部分パターンＣと部分パターンｄが合成されて形成され
ることになる。
基板ステージ１４を３．５ｍだけ移動して、２回目の露
光によりパターン転写を行う。これにより、部分パター
ン列Ｃの上に部分パターン列ｄが重ね合わさって形成さ
れることになる。すなわち、１つのチップ上で見ると、
部分パターンＣと部分パターンｄが合成されて形成され
ることになる。
第３図（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）は、第２図で形成した
基板ウェーハ上のパターンを表わす。図に示されたよう
に、基板のパターン列１５には、第１図（ａ）で示した
パターンと同じ開口部分が連続してつながっているくし
形交差指パターンが形成できている。
基板ウェーハ上のパターンを表わす。図に示されたよう
に、基板のパターン列１５には、第１図（ａ）で示した
パターンと同じ開口部分が連続してつながっているくし
形交差指パターンが形成できている。
なお、図中の一度露光だけを行ったパターン列１６には
、図に示したようにパターン合成がされておらずホール
状部分パターンがそのまま形成されている。しかしなが
ら、第２図で示したホトマスク１０上で、部分パターン
列Ｃをもう一列設けておけば、第３図で示される基板上
の有効領域全面にわたって交差指パターンが形成できる
ことになる。このように、第１図（ｃ）（ｄ）で示した
格子状部分パターンとホール状部分パターンを組み合わ
せることにより、第１図（ａ）で示したパターンと全く
同じ寸法０．２５μｍの交差指パターンが解像できる。
、図に示したようにパターン合成がされておらずホール
状部分パターンがそのまま形成されている。しかしなが
ら、第２図で示したホトマスク１０上で、部分パターン
列Ｃをもう一列設けておけば、第３図で示される基板上
の有効領域全面にわたって交差指パターンが形成できる
ことになる。このように、第１図（ｃ）（ｄ）で示した
格子状部分パターンとホール状部分パターンを組み合わ
せることにより、第１図（ａ）で示したパターンと全く
同じ寸法０．２５μｍの交差指パターンが解像できる。
以上のように、本発明によれば、分割した部分パターン
と複数の露光・転写によって、開口部が連続したパター
ン形状が得られるようになる。すなわち、第１図（ｂ）
で示した接続部分８は、ホトマスク上の部分パターンｃ
、ｄの開口部により照明光が透過しているので、パター
ン分離が生じないことになる。このため、隣接する開口
部パターンが接続して連続している微細パターンについ
ても、解像度の高いパターン転写が可能となる６そして
、開ロバターンと遮光パターンとが互いに交差したくし
形部の寸法が、開口部および遮光部で各々０．２５μｍ
の交差指パターン形成が可能となる。ここで述べたパタ
ーン形成法は、解像限界が約０．２５μｍ とされてい
るエキシマレーザ露光では、その解像限界を約５０％向
上して約０．１２５μｍ まで、Ｘ線露光では０．１
μｍ を０．０５μｍ まで改善できることになる。ま
た、実施例では、縮小投影法を取り上げたが、本発明を
遠紫外光（Ｄｅｅｐ Ｕ Ｖ ）を用いた１：１の密
着露光法などに利用できることは言うまでもない。
と複数の露光・転写によって、開口部が連続したパター
ン形状が得られるようになる。すなわち、第１図（ｂ）
で示した接続部分８は、ホトマスク上の部分パターンｃ
、ｄの開口部により照明光が透過しているので、パター
ン分離が生じないことになる。このため、隣接する開口
部パターンが接続して連続している微細パターンについ
ても、解像度の高いパターン転写が可能となる６そして
、開ロバターンと遮光パターンとが互いに交差したくし
形部の寸法が、開口部および遮光部で各々０．２５μｍ
の交差指パターン形成が可能となる。ここで述べたパタ
ーン形成法は、解像限界が約０．２５μｍ とされてい
るエキシマレーザ露光では、その解像限界を約５０％向
上して約０．１２５μｍ まで、Ｘ線露光では０．１
μｍ を０．０５μｍ まで改善できることになる。ま
た、実施例では、縮小投影法を取り上げたが、本発明を
遠紫外光（Ｄｅｅｐ Ｕ Ｖ ）を用いた１：１の密
着露光法などに利用できることは言うまでもない。
またさらに、実施例では、ポジ型のレジストによるパタ
ーン転写の場合を示したが、これはネガ型のレジストを
用いた場合にも、利用できるものである。
ーン転写の場合を示したが、これはネガ型のレジストを
用いた場合にも、利用できるものである。
さらに、本発明ではパターンを分割して部分パターンを
形成しても、その部分パターンを１つのホトマスク上に
周期的に配列して構成しているので、複数のホトマスク
を必要とせず、瞬時に同一基板上に多数のチップを形成
できる。
形成しても、その部分パターンを１つのホトマスク上に
周期的に配列して構成しているので、複数のホトマスク
を必要とせず、瞬時に同一基板上に多数のチップを形成
できる。
このように、本発明によれば、第１図（ａ）で示したよ
うな、隣接する開ロバターンが接続して連続しているよ
うな複雑な微細パターンについても、解像度の高いパタ
ーン転写が可能となり、パターン解像不良を生じさせる
ことなく、かつ微細なパターン構造を有する素子の製造
方法を提供することができる。
うな、隣接する開ロバターンが接続して連続しているよ
うな複雑な微細パターンについても、解像度の高いパタ
ーン転写が可能となり、パターン解像不良を生じさせる
ことなく、かつ微細なパターン構造を有する素子の製造
方法を提供することができる。
第４図は、本発明の他の実施例を説明するための圧電基
板上で弾性表面波（ＳＡＷ）を励振する交差指電極パタ
ーンを表わす。図の開口部パターン１を透過する照明光
には、図示した如く位相シフト層５を設けることにより
、１８０°の位相差を与えている。しかしながら、従来
法によって、遮光部パターン２，３を隔てて隣接する開
口部（寸法０．２５μｍ）を透過する照明光に、交互に
Ｏｏ及び１８０’の位相を与えて配列すると、図のよう
な浮き電極パターン１７を有する複雑なパターンでは、
図中０１８で示したような位相を１８０°とする開口部
が隣接する領域が生じてしまい、この領域では解像度を
上げる効果がなくなり、パターン解像不良が生じる。
板上で弾性表面波（ＳＡＷ）を励振する交差指電極パタ
ーンを表わす。図の開口部パターン１を透過する照明光
には、図示した如く位相シフト層５を設けることにより
、１８０°の位相差を与えている。しかしながら、従来
法によって、遮光部パターン２，３を隔てて隣接する開
口部（寸法０．２５μｍ）を透過する照明光に、交互に
Ｏｏ及び１８０’の位相を与えて配列すると、図のよう
な浮き電極パターン１７を有する複雑なパターンでは、
図中０１８で示したような位相を１８０°とする開口部
が隣接する領域が生じてしまい、この領域では解像度を
上げる効果がなくなり、パターン解像不良が生じる。
しかるに、本発明の第１図から第３図で示したパターン
形成方法によれば、このような隣接する開口部間で透過
光の位相が等しくなることはないので、パターン解像不
良が生じることはない。
形成方法によれば、このような隣接する開口部間で透過
光の位相が等しくなることはないので、パターン解像不
良が生じることはない。
以上のように、本発明によれば、ＳＡＷフィルタに用い
られるような複雑な微細交差指電極パターンの形成も可
能となる効果がある。
られるような複雑な微細交差指電極パターンの形成も可
能となる効果がある。
さらに本発明によれば、第４図で示したような線幅約０
．２５μｍの微細な交差指電極パターン構造を有する弾
性表面波素子の形成が可能となるので、そのような素子
を用いて準マイクロ波帯（１〜３ＧＨｚ）およびさらに
高周波帯域（〜１０ＧＨｚ）の移動通信端末機器や超高
速光通信装置を実現できるようになる。
．２５μｍの微細な交差指電極パターン構造を有する弾
性表面波素子の形成が可能となるので、そのような素子
を用いて準マイクロ波帯（１〜３ＧＨｚ）およびさらに
高周波帯域（〜１０ＧＨｚ）の移動通信端末機器や超高
速光通信装置を実現できるようになる。
つぎに、本発明の他の実施例を第５図により説明する。
第５図は、遮光部の中で開口部パターンが各々孤立して
構成されるような配線回路パターンと電極端子用スルー
ホールパターンを表わす。
構成されるような配線回路パターンと電極端子用スルー
ホールパターンを表わす。
図の（ａ）で、照明光が透過する開口部１９は、遮光部
７の中で各々孤立したパターンとなっている。図中のス
ルーホールパターンの最小寸法は０．２５μｍである。
７の中で各々孤立したパターンとなっている。図中のス
ルーホールパターンの最小寸法は０．２５μｍである。
ここで、パターンの解像度を向上するために、開口部パ
ターンに交互に位相シフト層領域を設けると、照明光の
位相は図のＸ方向２０で見ると位相Ｏ°と１８０°の領
域を交互に配列できるのでパターンの解像度は向上でき
る。しかしながら、この場合、図のＹ方向２１で見ると
、遮光部を隔てて隣合う開口部を透過する光の位相は、
同一位相となってしまうので、その方向にはパターンの
解像度を向上できず、スルーホールパターンなどで解像
不良が生じることになる。
ターンに交互に位相シフト層領域を設けると、照明光の
位相は図のＸ方向２０で見ると位相Ｏ°と１８０°の領
域を交互に配列できるのでパターンの解像度は向上でき
る。しかしながら、この場合、図のＹ方向２１で見ると
、遮光部を隔てて隣合う開口部を透過する光の位相は、
同一位相となってしまうので、その方向にはパターンの
解像度を向上できず、スルーホールパターンなどで解像
不良が生じることになる。
しかるに、図の（ｂ）、（ｃ）に示したように、部分パ
ターンを構成すると、位相シフトＭ５とシフト層のない
開口部６とを交互に隣あわせることができ、そのため最
小寸法０．２５μｍのノ（ターンが解像できる。そして
、このような部分パターンを２度露光によって同一チッ
プ上に合成すれば、図の（ａ）と全く同じパターンが形
成できる。
ターンを構成すると、位相シフトＭ５とシフト層のない
開口部６とを交互に隣あわせることができ、そのため最
小寸法０．２５μｍのノ（ターンが解像できる。そして
、このような部分パターンを２度露光によって同一チッ
プ上に合成すれば、図の（ａ）と全く同じパターンが形
成できる。
このように本発明によれば、複雑な配線回路ノ（ターン
においても、パターンの解像度を向上でき、さらに微細
な電極端子形成用スルーホールパターンなども形成する
ことが可能となる。
においても、パターンの解像度を向上でき、さらに微細
な電極端子形成用スルーホールパターンなども形成する
ことが可能となる。
本発明のもう一つの実施例を第６図（ａ）及び（ｂ）に
より説明する。第６図（ａ）は、連続した遮光部パター
ン２２で構成されたうず巻状の回路配線パターンを表わ
す。図で、配線パターンとなる遮光部２２は、照明光が
透過する開口部１を一つの連続したパターンとしている
。パターンの解像度を向上するために、遮光部を隔てた
開口部に交互に位相シフト層領域を設けると、開口部を
透過した光の位相は、Ａ−Ａ’断面で見ると（ｂ）図の
ようになる。すなわち、Ａ−Ａ’断面では。
より説明する。第６図（ａ）は、連続した遮光部パター
ン２２で構成されたうず巻状の回路配線パターンを表わ
す。図で、配線パターンとなる遮光部２２は、照明光が
透過する開口部１を一つの連続したパターンとしている
。パターンの解像度を向上するために、遮光部を隔てた
開口部に交互に位相シフト層領域を設けると、開口部を
透過した光の位相は、Ａ−Ａ’断面で見ると（ｂ）図の
ようになる。すなわち、Ａ−Ａ’断面では。
透過光の位相はＯｏの領域２３と位相シフト層によって
位相が反転した１８０°の領域２４とが交互にならぶ。
位相が反転した１８０°の領域２４とが交互にならぶ。
したがって、図のＡ−Ａ’断面で見るとパターンの解像
度は向上できることになる。
度は向上できることになる。
しかしながら、そのような従来の位相シフト層を交互に
設ける方法では、この回路配線パターンの場合、図中に
示したように、照明光の位相が急変して基板上で光の強
度が零となる部分２５や遮光部を隔てて隣接する開口部
で光の位相が同一となる部分２６が生じ、それらの部分
でパターンが解像しなくなる。
設ける方法では、この回路配線パターンの場合、図中に
示したように、照明光の位相が急変して基板上で光の強
度が零となる部分２５や遮光部を隔てて隣接する開口部
で光の位相が同一となる部分２６が生じ、それらの部分
でパターンが解像しなくなる。
しかるに、本発明の第１図から第３図で示したパターン
形成方法を用いると、このような開口部が一つの連続し
たパターンにおいても、隣合う開口部間で照明光に位相
差を与えることができるので、パターン解像不良を生じ
ることなく微細な回路配線パターンが形成できる。
形成方法を用いると、このような開口部が一つの連続し
たパターンにおいても、隣合う開口部間で照明光に位相
差を与えることができるので、パターン解像不良を生じ
ることなく微細な回路配線パターンが形成できる。
本発明によれば、連続した開口部パターンを分割して、
各々遮光部で分離された開口部を有する部分パターンを
構成し、そこで開口部を透過する照明光に位相差を周期
的に与えるので、パターンの解像度が大幅に向上でき、
かつ従来のような光の位相が急変することにより生じた
接続部境界領域での光強度分布が零となってパターンが
分離することがない。また、部分パターンを同一のホト
マスク上に周期的に配列して、かつ基板をこの周期に合
わせて移動し２度目の露光を行ってパターン形成を行う
ので、ホトマスクの枚数をふやすことなく、−度に同一
パターンを有するチップを形成できる。このように部分
パターンを用いて同一チップ上にパターンを合成するの
で、互いに隣接する開口部パターンが連続してつながっ
ているような微細パターンが形成可能となり、そのよう
なパターンにおいても、照明光に位相差を与えて解像度
を向上させることができる効果がある。
各々遮光部で分離された開口部を有する部分パターンを
構成し、そこで開口部を透過する照明光に位相差を周期
的に与えるので、パターンの解像度が大幅に向上でき、
かつ従来のような光の位相が急変することにより生じた
接続部境界領域での光強度分布が零となってパターンが
分離することがない。また、部分パターンを同一のホト
マスク上に周期的に配列して、かつ基板をこの周期に合
わせて移動し２度目の露光を行ってパターン形成を行う
ので、ホトマスクの枚数をふやすことなく、−度に同一
パターンを有するチップを形成できる。このように部分
パターンを用いて同一チップ上にパターンを合成するの
で、互いに隣接する開口部パターンが連続してつながっ
ているような微細パターンが形成可能となり、そのよう
なパターンにおいても、照明光に位相差を与えて解像度
を向上させることができる効果がある。
またさらに、開口部間で照明光の位相が等しくなるよう
な領域は生じないので、ＳＡＷフィルタに用いられるよ
うな複雑な交差指電極パターンや半導体素子に見られる
ような回路配線パターン。
な領域は生じないので、ＳＡＷフィルタに用いられるよ
うな複雑な交差指電極パターンや半導体素子に見られる
ような回路配線パターン。
電極配線用のスルーホールパターンの形成が可能となり
、これらのパターンをさらに微細化できる効果がある。
、これらのパターンをさらに微細化できる効果がある。
第１図は、本発明のパターン形成方法を実施した一つの
連続した開口部パターンを有する交差指パターン及びそ
の部分パターンを示す図、第２図は、本発明の実施例で
パターン転写を説明するための図、第３図（ａ）、（ｂ
）及び（ｃ）は、本発明の実施例で基板ウェーハ上に形
成されたパターンを説明するための図、第４図は、本発
明を実施した弾性表面波素子の電極パターンを示す図、
第５図および第６図（、）は、本発明を適用した電極形
成用パターンならびに回路配線パターンを各各示す図、
第６図（ｂ）は第６図（ａ）に示したパターンのＡＡ’
部分における透過光の位相を説明するための図である。 １・・・連続した開口部パターン、２及び３・・・くし
形遮光パターン、４・・・基板、５・・・位相シフト層
、６・・・位相シフト層のない開口部、７・・・遮光部
、８・・・位相が急変する接続部分、９・・・部分パタ
ーン、１０・・・ホトマスク、１１・・・部分パターン
列Ｃ１１２・・・部分パターン列ｄ、１３・・・照明光
、１４・・・基板ステージ、１５・・・基板上のパター
ン列、１６・・・−度露光を行ったパターン列、１７・
・・浮き電極パターン、１８・・・位相１８０°の開口
部が隣接する領域、１９・・・照明光が透過する開口部
、２０・・・Ｘ方向、２１・・・Ｙ方向、２２・・・連
続した遮光部パターン、２３・・・位相Ｏａの領域、２
４・・・位相１８０゜の領域、２５・・・光の強度が零
となる部分、２６・・・光の位相が同一となる部分。
連続した開口部パターンを有する交差指パターン及びそ
の部分パターンを示す図、第２図は、本発明の実施例で
パターン転写を説明するための図、第３図（ａ）、（ｂ
）及び（ｃ）は、本発明の実施例で基板ウェーハ上に形
成されたパターンを説明するための図、第４図は、本発
明を実施した弾性表面波素子の電極パターンを示す図、
第５図および第６図（、）は、本発明を適用した電極形
成用パターンならびに回路配線パターンを各各示す図、
第６図（ｂ）は第６図（ａ）に示したパターンのＡＡ’
部分における透過光の位相を説明するための図である。 １・・・連続した開口部パターン、２及び３・・・くし
形遮光パターン、４・・・基板、５・・・位相シフト層
、６・・・位相シフト層のない開口部、７・・・遮光部
、８・・・位相が急変する接続部分、９・・・部分パタ
ーン、１０・・・ホトマスク、１１・・・部分パターン
列Ｃ１１２・・・部分パターン列ｄ、１３・・・照明光
、１４・・・基板ステージ、１５・・・基板上のパター
ン列、１６・・・−度露光を行ったパターン列、１７・
・・浮き電極パターン、１８・・・位相１８０°の開口
部が隣接する領域、１９・・・照明光が透過する開口部
、２０・・・Ｘ方向、２１・・・Ｙ方向、２２・・・連
続した遮光部パターン、２３・・・位相Ｏａの領域、２
４・・・位相１８０゜の領域、２５・・・光の強度が零
となる部分、２６・・・光の位相が同一となる部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、以下の各工程を有することを特徴とするパターン構
造を有する素子の製造方法。 （１）基板上にパターン構造を複数回の露光により形成
するために、上記パターン構造のパターンを合成する複
数種の部分パターンを構成する遮光部及び複数の開口部
からなるホトマスクを準備する第１の工程 （２）上記複数種の部分パターンを有するホトマスクの
上記複数の開口部を透過する光に異なる位相を与えて上
記複数種の部分パターン毎に上記基板を複数回露光する
第２の工程２、請求項１に記載のパターン構造を有する
素子の製造方法において、前記第１の工程は前記ホトマ
スクとして前記複数種の部分パターンを有するホトマス
クを準備することを特徴とするパターン構造を有する素
子の製造方法。 ３、請求項２に記載のパターン構造を有する素子の製造
方法において、前記第２の工程は前記ホトマスクの前記
複数種の部分パターンが配置されている方向に前記基板
と前記ホトマスクとを相対的にステップ移動して露光す
ることを特徴とするパターン構造を有する素子の製造方
法。 ４、請求項１に記載のパターン構造を有する素子の製造
方法において、前記第２の工程は前記複数の開口部を透
過する光にほぼ１８０゜の位相差を与えて露光すること
を特徴とするパターン構造を有する素子の製造方法。 ５、請求項２に記載のパターン構造を有する素子の製造
方法において、前記ホトマスクとして前記複数種の部分
パターンを複数有するものを準備することにより、基板
上に複数の前記パターンを露光することを特徴とするパ
ターン構造を有する素子の製造方法。 ６、請求項５に記載のパターン構造を有する素子の製造
方法において、前記第２の工程は前記複数種の部分パタ
ーンが露光されて前記パターンを合成するように前記ホ
トマスクを前記基板に対して相対的に移動する工程を有
することを特徴とするパターン構造を有する素子の製造
方法。 ７、請求項１に記載のパターン構造を有する素子の製造
方法において、前記複数種の部分パターンが合成する前
記パターンとして交差指型領域に囲まれた領域のパター
ンを選択する工程を有することを特徴とするパターン構
造を有する素子の製造方法。 ８、請求項７に記載のパターン構造を有する素子の製造
方法は、前記基板として圧電層上に設けられた導電領域
と、その上に設けられた感光層とを有するものを選択し
、前記交差視指型領域として上記圧電基板上に形成する
薄膜導体領域を選択することにより、弾性表面波素子を
製造することを特徴とするパターン構造を有する素子の
製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10999790A JP2892765B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | パターン構造を有する素子の製造方法 |
| DE4113968A DE4113968C2 (de) | 1990-04-27 | 1991-04-29 | Maskenstruktur und Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen unter Verwendung der Maskenstruktur |
| US08/290,603 US5604059A (en) | 1990-04-27 | 1994-08-15 | Mask structure having phase shifting pattern suitable for forming fine pattern on photosensitive film and method of manufacturing solid-state devices using such mask structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10999790A JP2892765B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | パターン構造を有する素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0410407A true JPH0410407A (ja) | 1992-01-14 |
| JP2892765B2 JP2892765B2 (ja) | 1999-05-17 |
Family
ID=14524480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10999790A Expired - Lifetime JP2892765B2 (ja) | 1990-04-27 | 1990-04-27 | パターン構造を有する素子の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5604059A (ja) |
| JP (1) | JP2892765B2 (ja) |
| DE (1) | DE4113968C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07130615A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Hitachi Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| JP2008171970A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7644648B2 (en) | 2004-11-02 | 2010-01-12 | Howa Machinery, Ltd. | Magnet type rodless cylinder |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04269750A (ja) * | 1990-12-05 | 1992-09-25 | American Teleph & Telegr Co <Att> | 離隔特徴をフォトレジスト層に印刷する方法 |
| KR930011099A (ko) * | 1991-11-15 | 1993-06-23 | 문정환 | 위상 반전 마스크 제조방법 |
| DE4235702A1 (de) * | 1992-10-22 | 1994-04-28 | Siemens Ag | Verfahren zur Erzeugung von Strukturen eines Gesamtmusters in der Oberfläche eines Substrats |
| GB9326344D0 (en) * | 1993-12-23 | 1994-02-23 | Texas Instruments Ltd | High voltage transistor for sub micron cmos processes |
| US5563012A (en) * | 1994-06-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | Multi mask method for selective mask feature enhancement |
| KR100208441B1 (ko) * | 1995-06-15 | 1999-07-15 | 김영환 | 포토마스크의 패턴 구조 |
| KR0172790B1 (ko) * | 1995-09-18 | 1999-03-20 | 김영환 | 위상반전 마스크 및 그 제조방법 |
| JPH10135111A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Fujitsu Ltd | 露光用マスク、露光方法、露光データ作成方法、マスク作成データ作成方法、及び、記憶媒体 |
| US5972568A (en) * | 1997-04-24 | 1999-10-26 | Nortel Networks Corporation | Method of making surface wave devices |
| US6168904B1 (en) * | 1997-09-29 | 2001-01-02 | Lucent Technologies Inc. | Integrated circuit fabrication |
| JP3287321B2 (ja) * | 1998-12-03 | 2002-06-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US6225633B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-05-01 | Rae Systems, Inc. | Photo-ionization detector for volatile gas measurement and a method for self-cleaning the same |
| GB2346009B (en) * | 1999-01-13 | 2002-03-20 | Lucent Technologies Inc | Define via in dual damascene process |
| US6320388B1 (en) * | 1999-06-11 | 2001-11-20 | Rae Systems, Inc. | Multiple channel photo-ionization detector for simultaneous and selective measurement of volatile organic compound |
| DE19937742B4 (de) * | 1999-08-10 | 2008-04-10 | Infineon Technologies Ag | Übertragung eines Musters hoher Strukturdichte durch multiple Belichtung weniger dichter Teilmuster |
| US6416909B1 (en) | 2000-07-18 | 2002-07-09 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Alternating phase shift mask and method for fabricating the alignment monitor |
| JP2002141512A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Advanced Display Inc | 薄膜のパターニング方法およびそれを用いたｔｆｔアレイ基板およびその製造方法 |
| US6734435B2 (en) | 2001-05-29 | 2004-05-11 | Rae Systems, Inc. | Photo-ionization detector and method for continuous operation and real-time self-cleaning |
| EP1471386A1 (en) * | 2003-04-24 | 2004-10-27 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic processing method and device manufactured thereby |
| SG118239A1 (en) * | 2003-04-24 | 2006-01-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic processing method and device manufactured thereby |
| US20050112474A1 (en) * | 2003-11-20 | 2005-05-26 | Micronic Laser Systems Ab | Method involving a mask or a reticle |
| US7909396B2 (en) * | 2004-01-08 | 2011-03-22 | Audiovox Corporation | Automobile entertainment system |
| DE102004010902B4 (de) * | 2004-03-05 | 2007-01-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Übertragen eines kritischen Layouts einer Ebene einer integrierten Schaltung auf ein Halbleitersubstrat |
| US7435533B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-10-14 | Photronics, Inc. | Method of forming a semiconductor layer using a photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
| US7396617B2 (en) * | 2004-06-14 | 2008-07-08 | Photronics, Inc. | Photomask reticle having multiple versions of the same mask pattern with different biases |
| DE102004031398B4 (de) * | 2004-06-29 | 2006-06-08 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur photolithographischen Projektion eines Musters auf einen Halbleiterwafer mit einer alternierenden Phasenmaske |
| US20060063076A1 (en) * | 2004-09-20 | 2006-03-23 | John Jensen | Pseudo low volume reticle (PLVR) design for asic manufacturing |
| US9005848B2 (en) * | 2008-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
| US9005849B2 (en) * | 2009-06-17 | 2015-04-14 | Photronics, Inc. | Photomask having a reduced field size and method of using the same |
| KR102230503B1 (ko) * | 2015-04-14 | 2021-03-22 | 삼성전자주식회사 | 레이아웃 디자인 시스템, 이를 이용한 마스크 패턴 제조 시스템 및 방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2593440B2 (ja) * | 1985-12-19 | 1997-03-26 | 株式会社ニコン | 投影型露光装置 |
| US4902899A (en) * | 1987-06-01 | 1990-02-20 | International Business Machines Corporation | Lithographic process having improved image quality |
| GB8803171D0 (en) * | 1988-02-11 | 1988-03-09 | English Electric Valve Co Ltd | Imaging apparatus |
| US5286584A (en) * | 1989-12-20 | 1994-02-15 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a device and group of masks for this method |
| CA2075026A1 (en) * | 1991-08-08 | 1993-02-09 | William E. Nelson | Method and apparatus for patterning an imaging member |
-
1990
- 1990-04-27 JP JP10999790A patent/JP2892765B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-29 DE DE4113968A patent/DE4113968C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-08-15 US US08/290,603 patent/US5604059A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07130615A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-19 | Hitachi Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| US7644648B2 (en) | 2004-11-02 | 2010-01-12 | Howa Machinery, Ltd. | Magnet type rodless cylinder |
| JP2008171970A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4113968A1 (de) | 1991-10-31 |
| US5604059A (en) | 1997-02-18 |
| DE4113968C2 (de) | 1999-11-18 |
| JP2892765B2 (ja) | 1999-05-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0410407A (ja) | パターン構造を有する素子の製造方法 | |
| JP2986086B2 (ja) | 位相シフト・マスクおよびその製造方法 | |
| KR100613461B1 (ko) | 이중노광기술을 이용한 이중노광방법과 이를 위한포토마스크 | |
| JPS6267547A (ja) | ホトマスク | |
| JP2986098B2 (ja) | サブ波長構造を使用する多位相フォト・マスク | |
| US6495297B1 (en) | Type mask for combining off axis illumination and attenuating phase shifting mask patterns | |
| JPH03252659A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
| WO1994019723A1 (en) | Resolution-enhancing optical phase structure for a projection illumination system | |
| JP2000019713A (ja) | マスク及びそれを用いた露光方法 | |
| US5972568A (en) | Method of making surface wave devices | |
| US7556891B2 (en) | Method and apparatus for contact hole unit cell formation | |
| JP3053099B2 (ja) | パターン構造を有する素子の製造方法 | |
| JPH1115128A (ja) | ホトマスク及びそれを用いたパタン形成方法 | |
| JPH1115130A (ja) | 半導体製造用ハーフトーンマスクおよびその製造方法 | |
| US20030124759A1 (en) | Photo mask and semiconductor device manufacturing method | |
| KR0135355B1 (ko) | 투영 노광장치 | |
| JP3123542B2 (ja) | 露光装置及びデバイスの製造方法 | |
| US5428478A (en) | Optical mask and exposure method using the optical mask | |
| JPH05142749A (ja) | 露光用マスク | |
| KR19980065703A (ko) | 하프톤형 위상 반전 마스크 및 그 제조방법 | |
| JP2009237339A (ja) | フォトマスク及びそのフォトマスクを用いた半導体装置の製造方法 | |
| JP2003322952A (ja) | 高透過率型ハーフトーン位相シフトマスクおよび半導体装置の製造方法 | |
| JP2674400B2 (ja) | パターン形成方法とホトマスク | |
| KR100594222B1 (ko) | 반도체 장치 제조에 이용되는 분할 노광 방법 및 이에이용되는 분할 노광 방법 | |
| JPH08248616A (ja) | 露光用マスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080226 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090226 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100226 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226 Year of fee payment: 12 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110226 Year of fee payment: 12 |