DE102004031398B4

DE102004031398B4 - Verfahren zur photolithographischen Projektion eines Musters auf einen Halbleiterwafer mit einer alternierenden Phasenmaske

Info

Publication number: DE102004031398B4
Application number: DE102004031398A
Authority: DE
Inventors: Christoph Dr. Nölscher
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Polaris Innovations Ltd
Priority date: 2004-06-29
Filing date: 2004-06-29
Publication date: 2006-06-08
Anticipated expiration: 2024-06-30
Also published as: US20050287446A1; DE102004031398A1

Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur photolithographischen Projektion eines Musters auf einen Halbleiterwafer mit einer alternierenden Phasenmaske. Gemäß der Erfindung erfolgt ein Photolithographisches Strukturieren der Resistschicht (14) mit einem Muster (30) auf der alternierenden Phasenmaske (18) mittels eines Belichtungsgeräts (5), um eine dem Muster (30) entsprechende Resiststruktur zu bilden. Das Muster weist erste linienförmige Strukturelemente (35) mit einer ersten Linienbreite (36) und einem Mittelpunktsabstand (37) auf, die so gewählt werden, dass die mit den ersten linienförmigen Strukturen (35) korrespondierenden Elemente der Resiststruktur eine Breite, die ungefähr der Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) entspricht, und einen Mittelpunktsabstand aufweisen, der ungefähr der doppelten Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) entspricht. Ein erster Abstand (62) zu einem die linienförmigen Strukturelemente begrenzenden Strukturelement wird so gewählt, dass die Breite des mit dem absorberfreien ersten Teilbereich (64) korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als die vierfache Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) beträgt.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur photolithographischen Projektion eines Musters auf einen Halbleiterwafer mit einer alternierenden Phasenmaske.
Integrierte Schaltungen werden mittels photolithographischer Projektion von Mustern, die auf Photomasken gebildet sind, auf Halbleiterwafer hergestellt. Dabei wird für jede zu strukturierende Schicht des Halbleiterwafers in der Regel jeweils eine Maske verwendet, die mit dem der Schaltung entsprechendem Muster versehen ist.
Photomasken oder Retikel werden im Bereich der Halbleiterfertigung eingesetzt, um mittels lithographischer Projektion auf einen mit einem photoempfindlichen Resist beschichteten Halbleiterwafer ein Muster von Strukturelementen zu bilden. Die Wahl der lateralen Ausdehnung der auf dem Halbleiterwafer zu bildenden Strukturelemente ist dabei aufgrund einer insbesondere durch das Projektionssystem vorgegebenen unteren Auflösungsgrenze eingeschränkt. Die Auflösungsgrenze hängt ab von der Belichtungswellenlänge, der Aperturgröße des Linsensystems, oder beispielsweise von der Art der Beleuchtungsquelle des Projektionssystems, etc.
Hochintegrierte Schaltungen, wie beispielsweise dynamische oder nichtflüchtige Speicher sowie Logikbausteine, werden zur Zeit mit Schaltungselementen hergestellt, deren Breite bis herunter zu 70 nm reicht. Im Beispiel der Speicherbausteine gilt dies beispielsweise für die sehr dicht und periodisch angeordneten Muster von schmalen Wort- oder Bitleitungen so wie gegebenenfalls der entsprechenden Kontaktierungen oder Speichergräben.
Dabei kann es oftmals vorkommen, dass die entsprechenden hochintegrierten Strukturmuster einer Schaltung mit dem die Strukturelemente elektrisch anschließenden Peripheriebereich gemeinsam auf der Maske angeordnet sind. Strukturelemente, beispielsweise Leiterbahnen, der Peripheriebereiche unterliegen zumeist relaxierten Anforderungen an die Strukturbreite. Auf der für die Bildung der Schaltung einzusetzenden Photomaske sind demnach dichte, oftmals periodische Anordnungen von Strukturelementen sowie isolierte oder halbisolierte, größer dimensionierte Strukturelemente gemeinsam in einem Muster angeordnet.
Die Auflösungsgrenze eines Projektionssystems lässt sich durch den Einsatz moderner lithographischer Techniken bei den für eine Belichtung verwendeten Masken verringern. Dies betrifft vor allem den Bereich der Phasenmasken, welche auch Phasenschiebermasken genannt werden (englisch: Phase Shift Masks).
Eine besonders hohe Auflösung wird erzielt, wenn Masken mit verbesserten Lithographietechniken (Litho-Enhancement-Techniques) eingesetzt werden. Dies können insbesondere Phasenmasken verschiedenen Typs sein, wie etwa alternierende Phasenmasken, Halbtonphasenmasken, Triton-Phasenmasken, chromlosen Phasenmasken, etc. Es kann sich bei den genannten Techniken aber auch um solche handeln, durch welche die Abbildungseigenschaften bei der Projektion von Maskenstrukturen verbessert werden, etwa die Verwendung von OPC-Strukturen (Optical Proximity Correction) oder sublithographischer Elemente.
Ein Beispiel stellen alternierende Phasenmasken dar. Mit ihnen können besonders dicht gepackte parallele Linien in einer Schicht auf einem Halbleiterwafer gebildet werden. Auf der Maske werden dabei in den Zwischenräumen zwischen lichtabschattenden Linien abwechselnd transparente Bereiche mit einem ersten und einem zweiten Phasenhub ausgebildet. Die Werte für den jeweiligen Phasenhub unterscheiden sich typischerweise um 180°, sind aber nicht auf diesen exakten Wert beschränkt. Dort, wo die lichtabschattenden Linien auf der Maske enden, entsteht das Problem, dass die beiden transparenten Bereiche unterschiedlichen Phasenhubs aufeinandertreffen, so dass der in diesem Bereich hervorgerufene Phasensprung zu einer unerwünschten Abschattung des Resists auf dem Halbleiterwafer bei einer Belichtung führt. Dazu werden zweite, auch Trim-Masken genannte, Masken zur Behebung des Problems eingesetzt. Mittels der zweiten Trim-Maske werden die an Phasensprüngen der beiden transparenten Bereiche in einem chromlosen Gebiet entstehenden Abschattungen in dem Resist nachbelichtet. Durch eine Nachbelichtung können diese Linien auf dem Halbleiterwafer durch geeignet positionierte Strukturmuster auf der Trim-Maske wieder getrennt werden, soweit diese an bestimmten Positionen auf dem Halbleiterwafer unerwünscht sind.
Die Trim-Maske wird eingesetzt, um die in dem photoempfindlichen Lack (Resist) auf dem Halbleiterwafer durch die erste Maske belichteten Strukturen nachzubearbeiten, d.h. zu "trimmen". Die Projektion bzw. Belichtung erfolgt dabei teils in die bereits durch die erste Maske belichteten Bereiche in dem photoempfindlichen Resist, teils aber auch in von der ersten Maske abgeschattete Bereichen in dem Resist.
Die zweiten, als Trim-Masken eingesetzten Masken eines solchen Satzes ermöglichen die Verwendung eines besonders hochauflösenden Maskentyps als erste Maske, ohne selbst diesen Anforderungen unterworfen zu sein. Insbesondere können als Trim-Masken kostensparend konventionelle Masken verwendet werden, die unter Umständen sogar mit Maskenschreibern älteren Typs belichtet werden. In den oben genannten Fällen ist es ihre Aufgabe eher großflächig unerwünschte Strukturen in einem Resist nachzubelichten, wobei die Anforderungen an die Auflösung relativ gering sind.
Ein bekannter Nachteil entsteht hingegen dadurch, dass bei einer gewünschten Trimmung beispielsweise von mittels alternierender Phasenmasken gebildeter langer Linien auf einem Halbleiterwafer die durch die erste Maske belichteten Bereiche in dem Resist einen Rand besitzen, an welchem die Strahlungsdosis nicht sprunghaft abfällt. Das bedeutet, dass Resistelemente auch außerhalb der eigentlich zu belichteten Bereiche eine, wenn auch geringe, Strahlungsdosis empfangen haben. Bei einer Nachbelichtung wird durch die Trim-Maske deren empfangene Strahlungsdosis an einer gegebenen Position in dem Resist erhöht. Die belichteten Bereiche weiten sich daher in dem Resist bei einer Belichtung mit der Trim-Maske unerwünscht auf.
Ein weiterer Nachteil ist dadurch gegeben, dass die sequentielle Belichtung mit zwei verschiedenen Maskensätzen die Bearbeitungszeit bei der Halbleiterherstellung erhöht. Aufgrund des Maskenwechsels und den damit verbundenen Justier- und Ausrichtsequenzen ist der Durchsatz bei der Produktion reduziert.

Die oben beschriebene Vorgehensweise ist beispielsweise aus der US 5,798,203 A bekannt.

In der US 2002/0094492 A1 ist ein Verfahren zur Doppelbelichtung in der Lithographie gezeigt, bei dem eine alternierende Phasenmaske in einem geringen Abstand zu einem flächenhaften Strukturelement ein linienförmiges Strukturelement aufweist, an das sich phasenschiebende Bereiche anschließen, die sich in den Bereich zwischen dem linienförmigen Strukturelement und dem flächenhaften Strukturelement erstrecken, wobei in diesem Bereich weitere phasenschiebende Bereiche angeordneten sind.

Eine in der Technik bekannte Möglichkeit mit einer alternierenden Phasenmaske ohne Trim-Maske in Einfachbelichtung zu arbeiten, ist durch den Einsatz von sogenannten „sanften" Phasensprüngen gegeben. Darunter versteht man, dass an denjenigen Stellen, an denen die beiden transparenten Bereiche unterschiedlichen Phasenhubs aufeinandertreffen, ein Bereich mit einem Phasensprung von etwa 90° eingefügt wird. Damit wird erreicht, dass nur noch Phasensprünge von 90° auftreten, die zu keiner unerwünschten Abschattung des Resists auf dem Halbleiterwafer bei einer Belichtung führen.

Diese Vorgehensweise ist jedoch nur unter bestimmten Voraussetzungen praktikabel, da das zur Verfügung stehende Prozessfenster aufgrund dieser Maßnahme stark eingeschränkt ist. Insbesondere dann, wenn sowohl dicht gepackte als auch semi-isolierte Strukturelemente des Musters abgebildet werden sollen, lässt sich mit zusätzlichen um 90° phasenschiebenden Bereichen die Abschattung nicht verhindern.

Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren anzubieten, das die oben genannten Probleme überwindet.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren zur photolithographischen Projektion eines Musters auf einen Halbleiterwafer mit einer alternierenden Phasenmaske gelöst, wobei folgende Schritte ausgeführt werden:

– Bereitstellen des Halbleiterwafers;
– Aufbringen einer Resistschicht auf einer Vorderseite des Halbleiterwafers;
– Bereitstellen eines Belichtungsgeräts, das eine charakteristische minimale Strukturauflösung für eine Abbildung eines Strukturelements auf die Resistschicht aufweist;
– Bereitstellen der alternierenden Phasenmaske, die folgendes umfasst
(a) das Muster, das eine erste Anordnung von ersten linienförmigen Strukturelementen mit einer ersten Linienbreite und mit einem ersten Mittelpunktsabstand und ein in einem ersten Abstand zur ersten Mehrfachanordnung angeordnetes erstes flächenhaftes Strukturelement umfasst; und
(b) erste Bereiche und zweite Bereiche aus transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material, die zwischen den ersten linienförmigen Strukturelementen angeordnet sind und sich jeweils in einen zwischen der ersten Anordnung und dem ersten flächenhaften Strukturelement angeordneten absorberfreien ersten Teilbereich erstrecken, wobei zur Bildung der alternierenden Anordnung ein erster Phasenhubaufschlag zu jedem ersten Bereich zugeordnet wird, so dass innerhalb des ersten absorberfreien Bereichs Phasengrenzen unmittelbar zwischen den ersten Bereichen und zweiten Bereichen entstehen; und
– Photolithographisches Strukturieren der Resistschicht mit dem Muster der alternierenden Phasenmaske mittels des Belichtungsgeräts, um eine dem Muster entsprechende Resiststruktur zu bilden, wobei die erste Linienbreite so gewählt wird, dass die mit den ersten linienförmigen Strukturen korrespondierenden Elemente der Resiststruktur eine Breite aufweisen, die ungefähr der Strukturauflösung des Belichtungsgeräts entspricht, und einen Mittelpunktsabstand aufweisen, der ungefähr der doppelten Strukturauflösung des Belichtungsgeräts entspricht, und der erste Abstand so gewählt wird, dass die Breite des mit dem absorberfreien ersten Teilbereich korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als die vierfache Strukturauflösung des Belichtungsgeräts beträgt.

Bei der Erfindung wird mit einer alternierenden Phasenmaske die Belichtung einer dicht gepackten Struktur in nur einem Belichtungsschritt ausgeführt. Um dabei störenden Resistbrücken im Bereich der Linienenden der linienförmigen Strukturelemente zu verhindern, wird der Abstand zu einem die linienförmigen Strukturelemente begrenzenden flächenhaften Strukturelement so gewählt, dass sich im absorberfreien Bereich zwischen den linienförmigen Strukturelementen und dem flächenhaften Strukturelement beim Zusammentreffen der verschiedenen phasenschiebenden Gebiete keine Resistbrücken ergeben. Der maximale Abstand zwischen den linienförmigen Strukturelementen und dem flächenhaften Strukturelement darf dabei die vierfache Strukturauflösung des Belichtungsgeräts nicht übersteigen, wenn die linienförmigen Strukturelemente als dicht gepackte Struktur mit minimaler Linienbreite und Mittelpunktsabstand ausgeführt werden.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.

Die vorliegende Erfindung soll nun anhand mehrerer Ausführungsbeispiele mit Hilfe einer Zeichnung näher erläutert werden. Darin zeigen:

1 in einer schematischen Querschnittsansicht einen Belichtungsapparat zur Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens;

2 in einer Draufsicht schematisch eine Ausführungsform eines Musters von Strukturelementen;

3 in einer Draufsicht schematisch eine Teilansicht eines Musters von Strukturelementen;

4 in einer Draufsicht eine simulierte Resiststruktur nach der Belichtung mit dem Muster gemäß 3;

5 in einer Draufsicht schematisch eine weitere Teilansicht eines Musters von Strukturelementen bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens;

6 in einer Draufsicht schematisch eine weitere Teilansicht eines Musters von Strukturelementen bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens;

7 in einer Draufsicht schematisch eine weitere Teilansicht eines Musters von Strukturelementen bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens;

8 in einer Draufsicht schematisch eine weitere Teilansicht eines Musters von Strukturelementen bei der Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens;

9A bis 9C in einer Draufsicht eine simulierte Resiststruktur nach der Belichtung mit dem Muster gemäß 7 oder 8 bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens; und

10 die Belichtungsdosis in Abhängigkeit der Defokussierung

Die Erfindung wird im Folgenden beispielhaft anhand einer Ausführungsform zur Projektion eines Musters von Strukturelementen auf einen Halbleiterwafer bei der Herstellung einer integrierten Schaltung erläutert. Das erfindungsgemäße Verfahren lässt sich vorteilhaft aber auch bei der Herstellung anderer Produkte einsetzen, bei denen eine Schicht mit sehr hohem Durchsatz in einem Belichtungsgerät strukturiert werden soll. Das Muster von Strukturelementen wird auf eine Resistschicht und nachfolgend in eine Schicht des Halbleiterwafers übertragen. Dem kundigen Fachmann ist bekannt, dass bei der Herstellung einer integrierten Schaltung eine Vielzahl von Schichten strukturiert werden, wobei weitere Prozess-Schritte, wie beispielsweise Dotieren, Planarisieren oder chemisch-mechanisches Polieren, ausgeführt werden müssen, um eine funktionsfähige integrierte Schaltung zu erreichen.
In 1 ist in einer schematischen Querschnittsansicht der Aufbau eines Projektionsapparats 5 gezeigt, der Ausgangspunkt einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist. Der Projektionsapparat 5 umfasst einen beweglichen Substrathalter 10. Auf dem Substrathalter 10 ist ein Halbleiterwafer 12 abgelegt. Auf dem Halbleiterwafer 12 ist auf einer Vorderseite eine Resistschicht 14 beispielsweise durch Aufschleudern aufgebracht.
Der Projektionsapparat 5 umfasst weiter eine Lichtquelle 16, die über dem Substrathalter 10 angeordnet ist und geeignet ist, Licht beispielsweise mit einer Wellenlänge von 248 nm, 193 nm oder 157 nm abzustrahlen. Das von der Lichtquelle 16 abgestrahlte Licht wird durch ein Projektionsobjektiv 20 auf die Vorderseite des Halbleiterwafers 12 projiziert.
Zwischen der Lichtquelle 16 und dem Projektionsobjektiv 20 ist ein Reticle 18 angebracht. Das Reticle 18 ist mit einem Muster 30 von absorbierenden Strukturelementen versehen. Bei einem Wafer-Scanner ist ein Belichtungsschlitz zwischen dem Reticle 18 und dem Projektionsobjektiv 20 angebracht (nicht in 1 gezeigt). Durch die Steuerung des Substrathalters 10 wird die Resistschicht 14 auf der Vorderseite des Halblei terwafers 12 sukzessive in einzelnen Belichtungsfeldern strukturiert.
Das Muster der Strukturelemente wird beispielsweise aus einem Schaltungsentwurf eines Halbleiterspeichers mit dynamischen Speicherzellen (DRAM) umfassend Grabenkondensatoren bestimmt, der im Bereich der Grabenkondensatoren regelmäßig angeordnete und dicht gepackte linienförmige Strukturelemente mit kleinsten Abmessungen von 100 nm oder weniger und im Bereich der Peripherielogik, die zur Ansteuerung des Speicherzellenfeldes vorgesehen ist, regelmäßig angeordnete semi-isolierte linienförmige Strukturelemente aufweist.
In 2 ist ein Beispiel eines Musters 30 von Strukturelementen zur Herstellung eines DRAM-Speicherbausteins gezeigt. Das Muster 30 weist in einem ersten Teil 32, der in 1 mit einer gestrichelten Linie eingezeichnet ist, eine erste Anordnung 34 von ersten linienförmigen Strukturelementen 35 mit einer ersten Linienbreite 36 auf. Die ersten linienförmigen Strukturelemente 35 werden im wesentlichen parallel zueinander angeordnet. Die ersten linienförmigen Strukturelemente 35 weisen jeweils einen Endpunkt auf, der für jedes der ersten linienförmigen Strukturelemente 35 auf einer ersten Hilfslinie 44 angeordnet wird. Die Endpunkte sind im wesentlichen äquidistant beabstandet angeordnet, ihr Abstand entspricht dabei dem Mittelpunktsabstand 37 der ersten linienförmigen Strukturelemente 35 im Bereich der Endpunkte. In einem ersten Abstand 62 zur gedachten Hilfslinie 44 wird ein erstes flächenhaftes Strukturelement 60 angeordnet, das auf der der ersten Anordnung 34 zugewandten Seite eine Begrenzungslinie aufweist, die im wesentlichen parallel zur Hilfslinie 44 angeordnet wird. Zwischen der ersten Anordnung 34 und dem ersten flächenhaften Strukturelement 60 wird folglich ein erster Teilbereich 64 gebildet, der keine absorbierenden Strukturelemente aufweist.
Zur Bildung einer alternierenden Phasenmaske wird jeder zweite Zwischenraum der ersten linienförmigen Strukturelemente 35 mit einem Phasenhub beaufschlagt. Dabei treten Phasengrenzen auf, wie in 3 gezeigt ist. Die ersten Bereiche 48 und die zweiten Bereiche 50 treffen an den Grenzlinien 52 aufeinander, ohne mit einer absorbierenden Strukturelement bedeckt zu sein.
Im Falle einer Projektion des Musters 30 auf die Resistschicht 14 infolge des Phasensprungs bekanntlich zu unerwünschten Linien im Resist führen, wie in 4 gezeigt. In
4 ist die Simulation einer Resiststruktur 14' dargestellt, die sich im Falle einer Belichtung mit einer alternierenden Phasenmaske 18, die ein Muster 30 gemäß 3 aufweist, ergeben würde. Im Bereich der mit den Enden der linienförmigen Strukturelemente 35 korrespondierenden Elemente der Resiststruktur 14' treten ohne weitere Maßnahmen Resistbrücken 24 auf, die selbstverständlich keine funktionsfähige Schaltung ermöglichen.
Hier setzt das erfindungsgemäße Verfahren an. In einer ersten Ausführungsform wird der erste Abstand 62 optimiert. Im Folgenden wird gezeigt, dass dies für bestimmte Abmessungen der linienförmigen Strukturelemente 35 das Auftreten unerwünschter Resistbrücken 24 verhindern oder soweit unterbinden kann, dass eventuelle Reste von nur teilweise ausgebildeten Resistbrücken 24 keinen Einfluss auf die Funktion der integrierten Schaltung mehr haben können.
Das Muster 30 von absorbierenden Strukturelementen ist in einer Teilansicht in 5 dargestellt. 5 zeigt die erste Anordnung 34 der linienförmigen Strukturelemente 35, deren Abmessungen so gewählt werden, dass sich bei der lithographischen Strukturierung der Resistschicht 14 eine Resiststruktur ergibt, deren mit den dichten linienförmigen Strukturen 35 korrespondierenden Elemente eine Breite aufweisen, die ungefähr der Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 entspricht, und einen Mittelpunktsabstand 37 aufweisen, der ungefähr der doppelten Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 entspricht. Der erste Abstand 62 wird so gewählt, dass die Breite des mit dem absorberfreien ersten Teilbereich 64 korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als die vierfache Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 beträgt.
Aufgrund der verkleinernden Projektion des Belichtungsgeräts 5 sind die Abmessungen der Strukturelemente der alternierenden Phasenmaske 18 um einen festen Faktor, üblicherweise 4 bis 5, vergrößert aufgebracht. Die Angabe der Abmessungen in Abhängigkeit von der Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 dient vor allem dazu, von der Belichtungstechnologie bzw. der Belichtungswellenlänge unabhängige Werte zu erhalten. Die Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 folgt dabei folgender Berechnungsvorschrift: BMIN = K1·λ/NA,wobei B_MIN die Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5, K₁ einen von der Belichtungstechnologie abhängigen Faktor, λ die Belichtungswellenlänge und NA die numerische Apertur des Belichtungsgeräts 5 repräsentieren.
Bei der Wellenlänge von 193 nm ergibt sich zusammen mit dem Wert der numerischen Apertur, der zwischen 0,6 und 1,0 beträgt, eine minimale Strukturauflösung von ungefähr 50 nm bis 70 nm für das Belichtungsgerät 5. Die Breite der mit den ersten linienförmigen Strukturen 35 korrespondierenden Elemente beträgt somit ungefähr 65 nm bei einem Mittelpunktsabstand von 150 nm. Die Breite des mit dem absorberfreien ersten Teilbereich 64 korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur beträgt in dieser Ausführungsform ungefähr 300 nm. Mit diesen Abmessungen treten unter den oben genannten Eigenschaften des Belichtungsgeräts 5 keine störenden Resistbrücken nach dem Entwickeln der Resistschicht auf. Dabei hat es sich gezeigt, dass insbesondere der erste Abstand 62 nicht zu groß gewählt werden darf. Demgegenüber wirkt sich ein kleinerer Wert des ersten Abstands 62 als 300 nm nicht störend aus.
Um das zugehörige Prozessfenster zu erhöhen, ist es in einer weiteren Ausführungsform auch vorgesehen, die Belichtung mit einem Maskenvorhalt auszuführen. Unter Maskenvorhalt versteht man im allgemeinen, dass die Abmessungen der Strukturelemente des Musters der Maske leicht vergrößert werden, beispielsweise um bis zu 10%. Um bei einer Belichtung auf die Resistschicht 14 wieder eine maßhaltige Abbildung zu erreichen, wird die Belichtungsdosis des Belichtungsgeräts 5 entsprechend erhöht. Bei einer Vergrößerung der Abmessungen der Strukturelemente des Musters der Maske wird die Belichtungsdosis um bis zu einen Faktor zwei erhöht, so dass die Belichtungsdosis des Belichtungsgeräts 5 zwischen 20 mJ/cm² und 50 mJ/cm² beträgt.
Wie in 2 gezeigt ist, weist das Musters 30 von Strukturelementen einen zweiten Teil 38 auf, der in 2 mit einer gestrichelten Linie verdeutlicht ist. Der zweite Teil des Musters 30 umfasst eine zweite Anordnung 40 von zweiten linienförmigen Strukturelementen 41 mit einer zweiten Linienbreite 42. Die zweiten linienförmigen Strukturelemente 41 werden im wesentlichen parallel zueinander mit einem Mittelpunktsabstand 43 angeordnet. Die zweiten linienförmigen Strukturelemente 41 weisen jeweils einen Endpunkt auf, der für jedes der zweiten linienförmigen Strukturelemente 41 auf einer zweiten Hilfslinie 46 angeordnet wird. In einem zweiten Abstand 74 zur gedachten Hilfslinie 46 wird ein zweites flächenhaftes Strukturelement 72 angeordnet, das auf der der zweiten Anordnung 40 zugewandten Seite eine Begrenzungslinie aufweist, die im wesentlichen parallel zur Hilfslinie 46 angeordnet wird. Zwischen der zweiten Anordnung 40 und dem zweiten flächenhaften Strukturelement 72 wird folglich ebenfalls ein zweiter Teilbereich 76 gebildet, der keine absorbierenden Strukturelemente aufweist.
Die Abmessungen der zweiten linienförmigen Strukturelemente 41 werden so gewählt, dass sich bei der lithographischen Strukturierung der Resistschicht 14 eine Resiststruktur ergibt, deren mit den zweiten linienförmigen Strukturen 41 korrespondierenden Elemente eine Breite aufweisen, die ungefähr der doppelten Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 entsprechen und einen Mittelpunktsabstand aufweisen, der ungefähr der vierfachen Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 entspricht.
Der zweite Abstand 74 wird dabei so gewählt, dass die Breite des mit dem absorberfreien zweiten Teilbereich 76 korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als die vierfache Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 beträgt.
Bei der minimalen Strukturauflösung des Belichtungsgeräts 5 von ungefähr 50 nm bis 70 nm beträgt die Breite der mit den zweiten linienförmigen Strukturen 41 korrespondierenden Elementen somit ungefähr 120 nm bei einem Mittelpunktsabstand von 200 nm. Die Breite des mit dem absorberfreien zweiten Teilbereich 76 korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur beträgt in dieser Ausführungsform ungefähr 600 nm. Ein kleinerer Wert des zweiten Abstands 74 als 600 nm wirkt sich nicht störend aus. Mit diesen Abmessungen treten unter den oben genannten Eigenschaften des Belichtungsgeräts 5 keine störenden Resistbrücken nach dem Entwickeln der Resistschicht auf.
Im Ergebnis erhält man durch die entsprechende Wahl des ersten Abstands 62 und des zweiten Abstands 74 eine Möglichkeit, gleichzeitig dicht gepackte Strukturen und semi-isolierte Strukturen mit nur einer einzigen Belichtung mittels einer alternierenden Phasenmaske ohne störende Resistbrücken abzubilden. Als Zusatzmaßnahme ist, wie oben beschrieben, auch ein Maskenvorhalt vorgesehen, der das Auftreten von Resistbrücken weiter reduziert.
Dies ist insbesondere bei der Herstellung von Speicherbausteinen mit wahlfreiem Zugriff (DRAM) vorteilhaft. DRAM-Speicherbausteine weisen oftmals im Bereich des Speicherzellenfelds Gräben für Grabenkondensatoren und Kontaktlöchern auf, die als dicht gepackte Strukturelemente auf die Resistschicht 14 des Halbleiterwafers 10 übertragen werden müssen. Darüber hinaus weisen DRAM-Speicherbausteine eine Peripherielogik zur Ansteuerung des Speicherzellenfeldes auf, die ein Muster von isolierten oder semi-isolierten Linien umfasst. Die ersten linienförmigen Strukturen 35 sind geeignet, das Muster im Bereich der Grabenkondensatoren und/oder Kon taktlöchern zu bilden. Die zweite Anordnung 40 von zweiten linienförmigen Strukturelementen 41 ist beispielsweise ein Teil des Musters der Peripherielogik des Speicherzellenfeldes.
Es ist darüber hinaus vorgesehen, dass die ersten linienförmigen Strukturelemente 35 im Bereich der Enden der ersten linienförmigen Strukturelemente mit Strukturen zur optischen Proximity-Korrektur versehen werden. Neben den in der Technik bekannten Elementen für eine Optical Proximity Correction (OPC) ist auch die Verwendung sublithographischer Strukturelemente in der Umgebung abzubildender Strukturelemente vorgesehen. Die zweiten linienförmigen Strukturelemente 41 im Bereich der Enden der zweiten linienförmigen Strukturelemente können ebenfalls mit Strukturen zur optischen Proximity-Korrektur versehen werden.
Das Muster 30 von absorbierenden Elementen wird üblicherweise in Form einer strukturierten Metallschicht auf einem transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material aufgebracht. Die Metallschicht wird üblicherweise aus Chrom hergestellt, für das phasenschiebenden Material wird z.B. Molybdän-Silicid (MoSi) verwendet.
Im Folgenden werden weitere Ausführungsformen beschrieben, die entweder einzeln oder kumulativ eine Erhöhung des Prozessfensters und eine weitere Reduzierung des Auftretens von Resistbrücken ermöglichen.
In einer weiteren Ausführungsform wird der Halbleiterwafer 12 so auf dem Substrathalter 10 ausgerichtet, dass die Resistschicht 14 nicht in einer optimalen Fokalebene liegt. Dies wird beispielsweise dadurch erreicht, dass die Lage der Re sistschicht 14 in Richtung des Projektionsobjektivs 22 oder in die entgegengesetzte Richtung verschoben wird, so dass die Lage der Resistschicht 14 um ungefähr 0,1 μm bis 0,5 μm von der Fokalebene des Belichtungsgeräts 5 abweicht.
Die Abweichung von der optimalen Fokalebene kann beispielsweise bei einem Wafer-Scanner als Belichtungsgerät 5 dadurch erreicht werden, dass der Substrathalter 10 während des photolithographischen Strukturierens gekippt wird. Diese Abweichung führt zu einer Unterdrückung der Resistbrücken.
In einer weiteren Ausführungsform wird ein dritter Bereich 70 aus transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material im absorberfreien ersten Teilbereich 64 angeordnet. Der dritte Bereich befindet sich auf der der ersten Anordnung 34 abgewandten Seite des absorberfreien ersten Teilbereichs 64, wie in 6 in einer Teilansicht des ersten Teils des Musters 30 gezeigt ist.
Anschließend dem zweiten Bereich 50 ein zweiter Phasenhubaufschlages und dem dritten Bereich 70 ein dritter Phasenhubaufschlages zugeordnet, wobei der zweite Phasenhubaufschlag so gewählt wird, dass sich zusammen mit dem ersten Phasenhubaufschlag des ersten Bereichs 48 eine alternierenden Anordnung ergibt. In einem ersten Beispiel beträgt der erste Phasenhubaufschlag ungefähr 0 Grad, der zweite Phasenhubaufschlag ungefähr 180 Grad und der dritte Phasenhubaufschlag ungefähr 90 Grad. In einem weiteren Beispiel beträgt der erste Phasenhubaufschlag ungefähr 90 Grad, der zweite Phasenhubaufschlag ungefähr 270 Grad und der dritte Phasenhubaufschlag ungefähr 0 Grad. Der erste und der zweite Phasenhubaufschlag weisen in beiden Beispielen eine Phasendifferenz von 180 Grad auf. Der dritte Phasenhubaufschlag weist in beiden Beispielen eine Phasendifferenz von 90 Grad zum ersten und zweiten Phasenhubaufschlag auf. Der dritte Bereich 70 wirkt wie eine sanfter Phasenübergang im absorberfreien ersten Teilbereich hin zu dem absorbierenden flächenhaften Strukturelement 20, was das Auftreten unerwünschter Resistbrücken 24 reduziert.
In einer weiteren Ausführungsform wird das soeben beschriebene Konzept auch auf den zweiten absorberfreien Teilbereich 76 angewendet. Dazu wird ein vierter Bereichs 78 aus transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material auf der der zweiten Anordnung 40 abgewandten Seite im zweiten absorberfreien Bereich 76 angeordnet, dem anschließend ein vierter Phasenhubaufschlage zugeordnet wird. Wie im obigen Fall kann der erste Phasenhubaufschlag ungefähr 0 Grad, der zweite Phasenhubaufschlag ungefähr 180 Grad und der vierte Phasenhubaufschlag ungefähr 90 Grad betragen. Eine andere Zuordnung, bei der z.B. der erste Phasenhubaufschlag ungefähr 90 Grad, der zweite Phasenhubaufschlag ungefähr 270 Grad und der vierte Phasenhubaufschlag ungefähr 0 Grad beträgt, ist ebenfalls vorgesehen. In der Praxis werden der dritte Bereich 70 und der vierte Bereich 78 den gleichen Phasenhubaufschlag aufweisen, um die Herstellung der alternierenden Phasenmaske 18 nicht unnötig zu verkomplizieren.
In 7 ist in einer weiteren Ausführungsform das erste flächenhafte Strukturelement 20 gezeigt, das auf der der ersten Anordnung 34 zugewandten Seite eine oder mehrere Ausnehmungen aufweist. Dies tritt zum Beispiel dann auf, wenn aufgrund des Schaltungsentwurfs das erste flächenhafte Strukturelement 20 eine Lücke aufweist. Das erste flächenhafte Strukturelement 20 wird von einer Begrenzungslinie limitiert, die im wesentlichen senkrecht zu den ersten linienförmigen Strukturelementen 34 ausgerichtet ist. Im Rahmen von Simulations rechnungen zeigt sich, dass die Abbildung dieses Musters 30 keine Resistbrücken hervorruft, wenn die oben beschriebenen Maßnahmen angewendet werden.
In 8 ist das zweite flächenhafte Strukturelement 72 gezeigt, das ebenfalls auf der der zweiten Anordnung 40 zugewandten Seite eine oder mehrere weitere Ausnehmungen aufweist und entlang einer Begrenzungslinien, die im wesentlichen senkrecht zu den zweiten linienförmigen Strukturelementen 40 angeordnet ist, ausgerichtet ist. Die Abbildung dieses Musters 30 ruft ebenfalls keine Resistbrücken hervor, insbesondere wenn der sanften Phasenübergang mittels des vierten Bereichs 78 angewendet wird.
In 9A bis 9C sind Ergebnisse von Simulationsrechnungen gezeigt. Es wurden für drei verschiedene Fokusbedingungen die Resiststruktur 14' berechnet, die sich nach der Strukturierung mit der zweiten Anordnung 40 ergibt. Dabei wurde in 9A während der Belichtung ein Defokus von –0,3 μm, für 9B ein Defokus von –0,1 μm und für 9C von +0,1 μm angenommen. Der angegebene Wert bezieht sich dabei auf die Verschiebung der Resiststruktur während der Belichtung von der Fokalebene des Belichtungsgeräts 5. Man erkennt, dass für alle drei Belichtungsbedingungen keine Resistbrücken entstehen.
Gemäß der Erfindung wurde eine Möglichkeit geschaffen, in einem einzigen Belichtungsschritt mit einer alternierenden Phasenmaske ein Muster von dicht gepackten Strukturelementen zusammen mit einem Muster von isolierten oder semi-isolierten Strukturelementen auf eine Resistschicht abzubilden. Insbesondere kann die Verwendung einer Trim-Maske zur Eliminierung von Resistbrücken eingespart werden.
In 10 ist beispielhaft in einem Diagramm das verfügbare Prozessfenster gezeigt, wie es sich bei dem Verfahren zur Herstellung nach 9A bis 9C ergibt. In 10 ist die Belichtungsdosis in Abhängigkeit der Defokussierung der Belichtung aufgetragen. Dabei werden zur Begrenzung des verfügbaren Prozessfensters bestimmte Grenzwerte von Parametern eingezeichnet, die sich zur Charakterisierung der bei der Belichtung gebildeten Resiststruktur eignen.
In 10 wird das Prozessfenster 90 durch die maximal und minimal tolerierbare Abweichung der Linienbreite auf der Resiststruktur, die als erste Kurve 92 und als zweite Kurve 94 dargestellt sind, begrenzt. Zur Verdeutlichung ist die maßhaltige Abbildung in einer dritten Kurve 93 eingezeichnet. Eine vierte Kurve 95 schränkt das Prozessfenster dahingehend ein, dass die Elemente der Resiststruktur eine Neigung der Seitenwände aufweisen müssen, die in einem Winkelbereich von 85 Grad bis 92 Grad liegen soll.
Im Ergebnis wird ein verfügbares Prozessfenster 90 geschaffen, dass bei einer Variation der Belichtungsdosis von ungefähr 15% eine Defokussierung in einem Bereich von 0,4 μm erlaubt. Dies ist in etwa vergleichbar mit Belichtungen anderer Herstellungsprozesse und eignet sich zur Herstellung integrierter Schaltungen in einer modernen hochvolumigen Prozesslinie.

5: Belichtungsgerät
10: Substrathalter
12: Halbleiterwafer
14: Resistschicht
14': Resiststruktur
16: Lichtquelle
18: alternierende Phasenmaske
20: erstes flächenhaftes Strukturelement
22: Projektionsobjektiv
24: Resistbrücke
30: Muster
32: erster Teil des Musters
34: erste Anordnung
35: erstes linienförmiges Strukturelement
36: erste Linienbreite
37: erster Mittelpunktsabstand
38: zweiter Teil des Musters
40: zweite Anordnung
41: zweites linienförmiges Strukturelement
42: zweite Linienbreite
43: zweiter Mittelpunktsabstand
44: erste Hilfslinie
46: zweite Hilfslinie
48: erster Bereich
50: zweiter Bereich
52: Grenzlinie
54: erste Breite
56: zweite Breite
60: erster Rahmen
62: erster Abstand
64: erster Teilbereich
70: dritter Bereich
72: zweiter Rahmen
74: zweiter Abstand
76: zweites flächenhaftes Strukturelement
78: vierter Bereich
90: Prozessfenster
92: erste Kurve
93: zweite Kurve
94: dritte Kurve
95: vierte Kurve

Claims

Verfahren zur photolithographischen Projektion eines Musters auf einen Halbleiterwafer mit einer alternierenden Phasenmaske, umfassend folgende Schritte: – Bereitstellen des Halbleiterwafers (12); – Aufbringen einer Resistschicht (14) auf einer Vorderseite des Halbleiterwafers (12); – Bereitstellen eines Belichtungsgeräts (5), das charakteristische minimale Strukturauflösung für eine Abbildung eines Strukturelements auf die Resistschicht (14) aufweist; – Bereitstellen der alternierenden Phasenmaske (18), die folgendes umfasst: (a) das Muster (30), das eine erste Anordnung (34) von ersten linienförmigen Strukturelementen (35) mit einer ersten Linienbreite (36) und mit einem ersten Mittelpunktsabstand (37) und ein in einem ersten Abstand (62) zur ersten Mehrfachanordnung (34) angeordnetes erstes flächenhaftes Strukturelement (20) umfasst; und (b) erste Bereiche (48) und zweite Bereiche (50) aus transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material, die zwischen den ersten linienförmigen Strukturelementen (35) angeordnet sind und sich jeweils in einen zwischen der ersten Anordnung (34) und dem ersten flächenhaften Strukturelement (20) angeordneten absorberfreien ersten Teilbereich (64) erstrecken, wobei zur Bildung der alternierenden Anordnung ein erster Phasenhubaufschlag zu jedem ersten Bereich (48) zugeordnet wird, so dass innerhalb des ersten absorberfreien Bereichs (64) Phasengrenzen unmittelbar zwischen den ersten Bereichen (48) und zweiten Bereichen (50) entstehen; und – Photolithographisches Strukturieren der Resistschicht (14) mit dem Muster (30) der alternierenden Phasenmaske (18) mittels des Belichtungsgeräts (5), um eine dem Muster (30) ent sprechende Resiststruktur zu bilden, wobei die erste Linienbreite (36) so gewählt wird, dass die mit den ersten linienförmigen Strukturen (35) korrespondierenden Elemente der Resiststruktur eine Breite aufweisen, die der Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) entspricht, und einen Mittelpunktsabstand (37) aufweisen, der der doppelten Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) entspricht, und der erste Abstand (62) so gewählt wird, dass die Breite des mit dem absorberfreien ersten Teilbereich (64) korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als die vierfache Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) beträgt.
Verfahren nach Anspruch 1, bei dem der Schritt des Bereitstellens des Belichtungsgeräts (5) umfasst, dass das Belichtungsgerät (5) eine Lichtquelle (16) und ein Projektionsobjektiv (22) aufweist, wobei sich die minimale Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) aus einer numerische Apertur und einer Wellenlänge des abgestrahlten Lichts der Lichtquelle (16) ergibt.
Verfahren nach Anspruch 2, bei dem der Schritt des Bereitstellens des Belichtungsgeräts (5) umfasst, dass das Belichtungsgerät (5) bei der Wellenlänge von 193 nm eine minimale Strukturauflösung von 50 nm bis 70 nm aufweist, wobei der Wert der numerischen Apertur zwischen 0,6 und 1,0 beträgt.
Verfahren nach Anspruch 3, bei dem der Schritt des photolithographischen Strukturierens der Resistschicht (14) umfasst, dass die Breite der mit den ersten linienförmigen Strukturen (35) korrespondierenden Elemente 65 nm bei einem Mittelpunktsabstand von 150 nm beträgt und dass die Breite des mit dem absorberfreien ersten Teilbereich (64) korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als 300 nm beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem vor dem Schritt des Bereitstellens der Phasenmaske (18) folgende Schritte ausgeführt werden: – Festlegen der erste Linienbreite (36) der ersten linienförmigen Strukturelemente (35); – Festlegen einer Belichtungsdosis des Belichtungsgeräts (5), so dass die ersten linienförmigen Strukturelemente (35) im Falle einer Belichtung maßhaltig auf die Resistschicht (14) abgebildet wird; – Vergrößern der erste Linienbreite (36) der ersten linienförmigen Strukturelemente (35) um bis zu 10%; und – Erhöhen der Belichtungsdosis des Belichtungsgeräts (5), so dass nachfolgend der Schritt des photolithographischen Strukturierens der Resistschicht (14) mit einem Maskenvorhalt ausgeführt wird, um die ersten linienförmigen Strukturelemente (35) maßhaltig abzubilden.
Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die Breite der mit den ersten linienförmigen Strukturen (35) korrespondierenden Elemente 65 nm bei einem Mittelpunktsabstand (37) von 150 nm beträgt und bei dem die Belichtungsdosis des Belichtungsgeräts (5) zwischen 20 mJ/cm² und 50 mJ/cm² beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem der Schritt des Bereitstellens des Musters (30) umfasst, dass die erste Anordnung (34) von ersten linienförmigen Strukturelementen (35) geeignet ist, einen Teil eines Muster eines Speicherzellenfelds zu bilden, das Gräben für Grabenkondensatoren und/oder Kontaktlöcher aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem der Schritt des Bereitstellens der Phasenmaske (18) darüber hinaus umfasst, dass das Muster (30) eine zweite Anordnung (40) von zweiten linienförmigen Strukturelementen (35) mit einer zweiten Linienbreite (42) und mit einem zweiten Mittelpunktsabstand (43) und ein in einem zweiten Abstand (74) zur zweiten Anordnung (40) angeordnetes zweites flächenhaftes Strukturelement (72) umfasst, wobei zwischen den ersten linienförmigen Strukturelementen (41) erste Bereiche (48) und zweite Bereiche (50) aus transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material angeordnet sind, die sich jeweils in einen zwischen der zweiten Anordnung (40) und dem zweiten flächenhaften Strukturelement (72) angeordneten zweiten absorberfreien Bereich (76) erstrecken.
Verfahren nach Anspruch 8, bei dem darüber hinaus der Schritt des photolithographischen Strukturierens der Resistschicht (14) umfasst, dass die zweite Linienbreite (42) so gewählt wird, dass die mit den ersten linienförmigen Strukturen (41) korrespondierenden Elemente der Resiststruktur eine Breite aufweisen, die der doppelten Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) entspricht, und einen Mittelpunktsabstand (43) aufweisen, der der vierfachen Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) entspricht, und der zweite Abstand (74) so gewählt wird, dass die Breite des mit dem zweiten absorberfreien Bereich (76) korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als die zehnfache Strukturauflösung des Belichtungsgeräts (5) beträgt.
Verfahren nach Anspruch 9, bei dem der Schritt des photolithographischen Strukturierens der Resistschicht (14) umfasst, dass die Breite der mit den zweiten linienförmigen Strukturelementen (41) korrespondierenden Elemente 200 nm bei einem Mittelpunktsabstand von 300 nm beträgt und dass die Breite des mit dem zweiten absorberfreien Bereich (76) korrespondierenden Bereichs der Resiststruktur weniger als 600 nm beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, bei dem der Schritt des Bereitstellens des Musters (30) darüber hinaus umfasst, dass die zweite Anordnung (40) von zweiten linienförmigen Strukturelementen (41) geeignet ist, einen Teil eines Musters einer Peripherielogik eines Speicherzellenfeldes zu bilden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, bei dem darüber hinaus der Schritt des photolithographischen Strukturierens der Resistschicht (14) mit der alternierenden Phasenmaske (18) umfasst, dass die Resistschicht (14) betragsmäßig um 0,1 μm bis 0,5 μm von einer optimalen Fokalebene des Belichtungsgeräts (5) abweicht.
Verfahren nach Anspruch 12, bei dem der Schritt des Bereitstellens des Belichtungsgeräts (5) umfasst, dass als Belichtungsgerät (5) ein Wafer-Scanner bereitgestellt wird, der einen Substrathalter (10) aufweist, der geeignet ist, den Halbleiterwafer (12) aufzunehmen, wobei der Substrathalter (10) während des photolithographischen Strukturierens gekippt wird, um die Abweichung von der optimalen Fokalebene zu erreichen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, bei dem der Schritt des Bereitstellens der alternierenden Phasenmaske (18) darüber hinaus umfasst: – Anordnen eines dritten Bereichs (70) aus transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material auf der der ers ten Anordnung (34) abgewandten Seite im ersten absorberfreien Bereich (64); – Zuordnen eines dritten Phasenhubaufschlages zu dem dritten Bereich (70); und – Zuordnen eines zweiten Phasenhubaufschlages zu dem zweiten Bereich (50) zur Bildung der alternierenden Anordnung.
Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der erste Phasenhubaufschlag 0 Grad, der zweite Phasenhubaufschlag 180 Grad und der dritte Phasenhubaufschlag 90 Grad beträgt.
Verfahren nach Anspruch 15, bei dem der erste Phasenhubaufschlag 90 Grad, der zweite Phasenhubaufschlag 270 Grad und der dritte Phasenhubaufschlag 0 Grad beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, bei dem der Schritt des Bereitstellens der alternierenden Phasenmaske (18) darüber hinaus umfasst: – Anordnen eines vierten Bereichs (78) aus transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material auf der der zweiten Anordnung (40) abgewandten Seite im zweiten absorberfreien Bereich (76); – Zuordnen eines vierten Phasenhubaufschlages zu dem vierten Bereich (78).
Verfahren nach Anspruch 17, bei dem der erste Phasenhubaufschlag 0 Grad, der zweite Phasenhubaufschlag 180 Grad und der vierte Phasenhubaufschlag 90 Grad beträgt.
Verfahren nach Anspruch 17, bei dem der erste Phasenhubaufschlag 90 Grad, der zweite Phasenhubaufschlag 270 Grad und der vierte Phasenhubaufschlag 0 Grad beträgt.
Verfahren nach einem der Ansprüche 14 und 17, bei dem der dritte Bereich (70) und der vierte Bereich (78) den gleichen Phasenhubaufschlag aufweisen.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, bei dem der Schritt des Bereitstellens des Schaltungsmusters umfasst, dass das erste flächenhafte Strukturelement (20) auf der der ersten Anordnung (34) zugewandten Seite eine Begrenzungslinie, die senkrecht zu den ersten linienförmigen Strukturelementen (34) ausgerichtet ist, und eine oder mehrere Ausnehmungen aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 21, bei dem der Schritt des Bereitstellens des Schaltungsmusters umfasst, dass das zweite flächenhafte Strukturelement (72) auf der der zweiten Anordnung (40) zugewandten Seite eine Begrenzungslinie, die senkrecht zu den zweiten linienförmigen Strukturelementen (40) ausgerichtet ist, und eine oder mehrere weitere Ausnehmungen aufweist.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 22, bei dem der Schritt des Bereitstellens der alternierenden Phasenmaske (18) darüber hinaus umfasst, dass die ersten linienförmigen Strukturelemente (35) im Bereich der Enden der ersten linienförmigen Strukturelemente mit Strukturen zur optischen Proximity-Korrektur versehen werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23, bei dem der Schritt des Bereitstellens der alternierenden Phasenmaske (18) darüber hinaus umfasst, dass die zweiten linienförmigen Strukturelemente (41) im Bereich der Enden der zweiten linienförmigen Strukturelemente mit Strukturen zur optischen Proximity-Korrektur versehen werden.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 24, bei dem der Schritt des Bereitstellens der alternierenden Phasenmaske (18) darüber hinaus umfasst, dass das Muster (30) von absorbierenden Elementen in Form einer strukturierten Metallschicht auf dem transparentem oder semitransparentem phasenschiebenden Material aufgebracht wird.