JPH0397698A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH0397698A JPH0397698A JP23413889A JP23413889A JPH0397698A JP H0397698 A JPH0397698 A JP H0397698A JP 23413889 A JP23413889 A JP 23413889A JP 23413889 A JP23413889 A JP 23413889A JP H0397698 A JPH0397698 A JP H0397698A
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- Japan
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- layer
- substrate
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- Pending
Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、粒径が大きな多結晶シリコン薄膜を基板上に
威長させる方法に関する。
威長させる方法に関する。
〈従来の技術〉
基板上に粒径が大きな多結晶シリコン薄膜を得る方法と
しては、従来、以下に列記する方法がある。
しては、従来、以下に列記する方法がある。
（１）基板上に、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法ある
いはスパッタリング法等により堆積した非品質シリコン
を、熱処理によって固相或長さ廿る。
いはスパッタリング法等により堆積した非品質シリコン
を、熱処理によって固相或長さ廿る。
（２）同様の方法により、基板上に多結晶シリコンを積
層し、この多結晶シリコン層を、シリコン等のイオン注
入により非品質化した後、熱処理を施すことにより固相
成長させる。
層し、この多結晶シリコン層を、シリコン等のイオン注
入により非品質化した後、熱処理を施すことにより固相
成長させる。
（３）基板上に、（１）と同様の方法により堆積した非
品質シリコンを、レーザビームあるいは電子ビーム照射
により結晶化する。
品質シリコンを、レーザビームあるいは電子ビーム照射
により結晶化する。
く発明が解決しようとする課題〉
ところで、上述の（１）および（２）の方法によれば、
粒径の大きな多結晶シリコンを或長させることができる
ものの、結晶威長に必要な核を均一に形成できないため
、粒径のバラツキが大きいという問題がある， 一方、（３）の方法によると、レーザビームあるいは電
子ビーム照射による結晶化を、基板（ウェハ）全面に亘
って均一に行うことは、現状の技術では、非常に困難で
ある。
粒径の大きな多結晶シリコンを或長させることができる
ものの、結晶威長に必要な核を均一に形成できないため
、粒径のバラツキが大きいという問題がある， 一方、（３）の方法によると、レーザビームあるいは電
子ビーム照射による結晶化を、基板（ウェハ）全面に亘
って均一に行うことは、現状の技術では、非常に困難で
ある。
本発明の目的は、粒径が大きく、かつ、粒径の揃った均
一な多結晶シリコン薄膜を威長させることのできる方法
を提供することにある。
一な多結晶シリコン薄膜を威長させることのできる方法
を提供することにある。
〈諜題を解央するための手段〉
本発明は、基板上に多結晶シリコンを積層し、次いで、
その多結晶シリコン層上に非品質シリコンを堆積した後
、所定の熱処理を施すことによって特徴づけられる。
その多結晶シリコン層上に非品質シリコンを堆積した後
、所定の熱処理を施すことによって特徴づけられる。
く作用〉
順次積層された二層のシリコン層は、熱処理により、一
層目の多結晶シリコンを核として二層目の非品質シリコ
ンが結晶化し、全体として粒径が大きく、かつ、粒径の
揃った多結晶シリコンに戒長ずる。
層目の多結晶シリコンを核として二層目の非品質シリコ
ンが結晶化し、全体として粒径が大きく、かつ、粒径の
揃った多結晶シリコンに戒長ずる。
〈実施例〉
第１図乃至第３図は、本発明実施例の手順を説明する図
である。
である。
まず、第１図に示すように、絶縁膜２が形威されたシリ
コン基板１上に、減圧ＣＶＤ法により、配向（１１０）
をもつ多結晶シリコン３を約１００入程度積層する。な
お、堆積温度は６２０℃とする。
コン基板１上に、減圧ＣＶＤ法により、配向（１１０）
をもつ多結晶シリコン３を約１００入程度積層する。な
お、堆積温度は６２０℃とする。
次いで、第２図に示すように、多結晶シリコン３上に、
同じく減圧ＣＶＤ法により、堆積温度５５０゜Ｃ以下で
非品質シリコン４を約１０００人程度積層した後、Ｎ２
雰囲気の電気炉において約６５０゜Ｃで４８時間程度の
熱処理を施す。この熱処理により、二層のシリコン層は
、一層目の多結晶シリコン３を核として二層目の非品質
シリコン４が結晶化し、第３図に示すように、全体が多
結晶シリコン５となる。
同じく減圧ＣＶＤ法により、堆積温度５５０゜Ｃ以下で
非品質シリコン４を約１０００人程度積層した後、Ｎ２
雰囲気の電気炉において約６５０゜Ｃで４８時間程度の
熱処理を施す。この熱処理により、二層のシリコン層は
、一層目の多結晶シリコン３を核として二層目の非品質
シリコン４が結晶化し、第３図に示すように、全体が多
結晶シリコン５となる。
以上の手順により、グレインサイズが約１μｍ程度で、
しかも粒径の揃った多結晶シリコンを基板１上に得るこ
とができる。
しかも粒径の揃った多結晶シリコンを基板１上に得るこ
とができる。
なお、多結晶シリコン３および非品質シリコン４の積層
を減圧ＣＶＤ法に代えて、プラズマＣＶＤ法やスパッタ
リング法等により行っても、同様の効果が得られること
は勿論である。
を減圧ＣＶＤ法に代えて、プラズマＣＶＤ法やスパッタ
リング法等により行っても、同様の効果が得られること
は勿論である。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、粒径が大で、か
つ粒径の揃った均一な多結晶シリコン薄膜を得ることが
でき、これにより、高移動度を有し、しかも均一性に優
れた、例えば薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）等の多結晶シ
リコン素子を製造することが可能となる。
つ粒径の揃った均一な多結晶シリコン薄膜を得ることが
でき、これにより、高移動度を有し、しかも均一性に優
れた、例えば薄膜トランジスタ（ＴＰＴ）等の多結晶シ
リコン素子を製造することが可能となる。
第１図乃至第３図は、本発明実施例の手順を説明する図
である。 １・ ・ ・シリコン基板 ２・・・絶縁膜 ３・・・多結晶シリコン（粒径小） ４・・・非品質シリコン ５・・・多結晶シリコン（粒径大）
である。 １・ ・ ・シリコン基板 ２・・・絶縁膜 ３・・・多結晶シリコン（粒径小） ４・・・非品質シリコン ５・・・多結晶シリコン（粒径大）
Claims (1)
- 基板上にシリコン薄膜を形成する方法であって、基板
上に多結晶シリコンを積層し、次いで、その多結晶シリ
コン層上に非晶質シリコンを堆積した後、所定の熱処理
を施すことを特徴とする、薄膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23413889A JPH0397698A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 薄膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23413889A JPH0397698A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0397698A true JPH0397698A (ja) | 1991-04-23 |
Family
ID=16966236
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23413889A Pending JPH0397698A (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0397698A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766989A (en) * | 1994-12-27 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming polycrystalline thin film and method for fabricating thin-film transistor |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP23413889A patent/JPH0397698A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5766989A (en) * | 1994-12-27 | 1998-06-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming polycrystalline thin film and method for fabricating thin-film transistor |
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