JPH0394317A - 光接続装置 - Google Patents
光接続装置Info
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- JPH0394317A JPH0394317A JP1230438A JP23043889A JPH0394317A JP H0394317 A JPH0394317 A JP H0394317A JP 1230438 A JP1230438 A JP 1230438A JP 23043889 A JP23043889 A JP 23043889A JP H0394317 A JPH0394317 A JP H0394317A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/0008—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions
- H01L33/0016—Devices characterised by their operation having p-n or hi-lo junctions having at least two p-n junctions
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06E—OPTICAL COMPUTING DEVICES; COMPUTING DEVICES USING OTHER RADIATIONS WITH SIMILAR PROPERTIES
- G06E3/00—Devices not provided for in group G06E1/00, e.g. for processing analogue or hybrid data
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光接続装置、特に光の荷重和機能を用いる光接
続装置に関する。
続装置に関する。
近年、高度情報化社会の進展と共に、従来よりは大容量
で高速の情報の入出力装置．伝送装置，交換装置，信号
処理装置が求められている。このために、電子コンピュ
ータではその限界が見えており、光の高速性と並列性を
利用した光コンピュータが期待されている。他方、光イ
ンターコネクションを使って、ニューラルネットを構成
することが盛んに検討されている。ニューラルネットは
ニューロンと呼ばれる単位素子の間を配線で互いに接続
した構成で、入力に対する出力を各ニューロンの間の結
合の度合を変化させながら学習していくものである。単
位素子であるニューロンは接続されている全入力の和を
とり、閾処理を行い、出力する機能をもつ。
で高速の情報の入出力装置．伝送装置，交換装置，信号
処理装置が求められている。このために、電子コンピュ
ータではその限界が見えており、光の高速性と並列性を
利用した光コンピュータが期待されている。他方、光イ
ンターコネクションを使って、ニューラルネットを構成
することが盛んに検討されている。ニューラルネットは
ニューロンと呼ばれる単位素子の間を配線で互いに接続
した構成で、入力に対する出力を各ニューロンの間の結
合の度合を変化させながら学習していくものである。単
位素子であるニューロンは接続されている全入力の和を
とり、閾処理を行い、出力する機能をもつ。
．ニューラルネットを構成する方法として、電子素子を
集積するもの、光素子を用いて結線部分を電子素子と置
き換えるもの、光機能素子によって全部光で構戒するも
のが考えられているが、大規模なニューラルネットを構
戒するには膨大な数の配線をしなくてはならない。この
点で、光は空間的に情報の伝播が行え、相互の干渉がな
いことから高密度な結線が行えるために、ニューラルネ
ットのニューロン間配線に有力な手段であると考えられ
ている。
集積するもの、光素子を用いて結線部分を電子素子と置
き換えるもの、光機能素子によって全部光で構戒するも
のが考えられているが、大規模なニューラルネットを構
戒するには膨大な数の配線をしなくてはならない。この
点で、光は空間的に情報の伝播が行え、相互の干渉がな
いことから高密度な結線が行えるために、ニューラルネ
ットのニューロン間配線に有力な手段であると考えられ
ている。
しかし、全ての配線には結合の重み付けを変える空間光
変調素子が必要で、現在は液晶表示装置が唯一の素子で
あるが、液晶表示装置の動作速度は通常ξり秒程度であ
り、高速動作が行えないという問題がある。また、高速
動作が可能な光処理用デバイスには非線形材料や光半導
体を用いた素子があるが、配列する技術がまだ十分でな
く、消費電力も大きいために、素子配列を高密度に形或
することができない。
変調素子が必要で、現在は液晶表示装置が唯一の素子で
あるが、液晶表示装置の動作速度は通常ξり秒程度であ
り、高速動作が行えないという問題がある。また、高速
動作が可能な光処理用デバイスには非線形材料や光半導
体を用いた素子があるが、配列する技術がまだ十分でな
く、消費電力も大きいために、素子配列を高密度に形或
することができない。
これらに答える光処理用デバイスとして、光サイリスク
をベースとした低消費電力の面入出力光電融合素子が注
目されている。この面入出力光電融合素子については、
１９８８年発行の雑誌「アプライド・フィジックス・レ
ター（Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ）
」のボリューム５２の６７９真から６８１頁に掲載の
論文「低消費ダイナξツクメモリとしてのダブルへテロ
構造光電スイッチ（Ｄｏｕｂｌｅ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒ
ｕｃｔｕｒｅ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｗｉ
ｔｃｈ ａｓ ａ ｄｙｎａｍｉｃｍｅｍｏｒｙ ｗｉ
ｔｈ ｌｏｗ−ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ）
」に詳しく述べられている。
をベースとした低消費電力の面入出力光電融合素子が注
目されている。この面入出力光電融合素子については、
１９８８年発行の雑誌「アプライド・フィジックス・レ
ター（Ａｐｐｌｉｅｄ ＰｈｙｓｉｃｓＬｅｔｔｅｒ）
」のボリューム５２の６７９真から６８１頁に掲載の
論文「低消費ダイナξツクメモリとしてのダブルへテロ
構造光電スイッチ（Ｄｏｕｂｌｅ ｈｅｔｅｒｏｓｔｒ
ｕｃｔｕｒｅ ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ ｓｗｉ
ｔｃｈ ａｓ ａ ｄｙｎａｍｉｃｍｅｍｏｒｙ ｗｉ
ｔｈ ｌｏｗ−ｐｏｗｅｒ ｃｏｎｓｕｍｐｔｉｏｎ）
」に詳しく述べられている。
この素子の発光，受光，メモリ機能を用いて、従来不可
能であった入力信号自身の情報で接続する並列数の高い
光配線による任意のコネクションが実現できる。
能であった入力信号自身の情報で接続する並列数の高い
光配線による任意のコネクションが実現できる。
第６図に面人出力光電融合素子を用いた光接続装置の構
造を示す。この光接続装置の詳細な説明は雑誌「第３６
回応用物理関係連合講演会、講演予行集」の７９５頁の
３ａ−ＺＡ−２ ｒ面入出力光電融合素子（ＶＳＴＥ
Ｐ）を用いたセルフルーティンク光接続」に掲載されて
いる。この光接続装置では、面人出力光電融合素子がＮ
ＸＮのマトリクス状に配置された面形光電入出力素子マ
トリクス４１と、それに向かい合わせて■次元状に配置
されたＮ個の受光素子より或る面形受光素子４２との間
の光接続の状態を、２Ｎ本のマトリクス配線Ｘ，Ｙによ
って任意に設定することが可能であり、素子自体が０と
１の２値の空間光変調器と同じ機能を持っているために
、従来のような液晶表示装置が不要で、高速な動作が得
られる。なお第６図は、Ｎ＝４の場合を示してある。
造を示す。この光接続装置の詳細な説明は雑誌「第３６
回応用物理関係連合講演会、講演予行集」の７９５頁の
３ａ−ＺＡ−２ ｒ面入出力光電融合素子（ＶＳＴＥ
Ｐ）を用いたセルフルーティンク光接続」に掲載されて
いる。この光接続装置では、面人出力光電融合素子がＮ
ＸＮのマトリクス状に配置された面形光電入出力素子マ
トリクス４１と、それに向かい合わせて■次元状に配置
されたＮ個の受光素子より或る面形受光素子４２との間
の光接続の状態を、２Ｎ本のマトリクス配線Ｘ，Ｙによ
って任意に設定することが可能であり、素子自体が０と
１の２値の空間光変調器と同じ機能を持っているために
、従来のような液晶表示装置が不要で、高速な動作が得
られる。なお第６図は、Ｎ＝４の場合を示してある。
上記の面人出力光電融合素子を用いた光接続装置の構成
では、面入出力光電融合素子の○Ｎ／○ＦＦを任意に設
定できるが、情報の接続における重み付けがＯと１の２
値しか行えない。しかし、光ニューラルネットや光演算
回路などへの応用を考えると、重み付けが０と１の間で
連続的に変えられるのが望ましい。
では、面入出力光電融合素子の○Ｎ／○ＦＦを任意に設
定できるが、情報の接続における重み付けがＯと１の２
値しか行えない。しかし、光ニューラルネットや光演算
回路などへの応用を考えると、重み付けが０と１の間で
連続的に変えられるのが望ましい。
この発明の目的は上記の欠点をなくし、光接続の重み付
けが０と１の間で多段階に変えられる光接続装置を提供
することにある。
けが０と１の間で多段階に変えられる光接続装置を提供
することにある。
本発明は、発光、閾値、メモリ機能を有し、駆動端子と
して少なくとも２端子以上を持つ光電入出力素子を２次
元状に配列し、これら各素子の同種類の駆動端子を共通
の電極でマトリクス状に配線した面形光電入出力素子マ
トリクスと、この面形光電入出力素子マトリクスの光電
入出力素子からの発光光を受光する発光素子を１次元状
に配列した面形受光素子とを対面して一体化した光接続
装置において、 前記面形光電入出力素子マトリクス内の２個以上の複数
の光電入出力素子の集合を単位素子として、１つの前記
受光素子に対面させる構成とし、前記単位素子を構戒す
る複数の光電入出力素子は、透過率の異なるコーティン
グが表面に施されている光電入出力素子を含むことを特
徴とする。
して少なくとも２端子以上を持つ光電入出力素子を２次
元状に配列し、これら各素子の同種類の駆動端子を共通
の電極でマトリクス状に配線した面形光電入出力素子マ
トリクスと、この面形光電入出力素子マトリクスの光電
入出力素子からの発光光を受光する発光素子を１次元状
に配列した面形受光素子とを対面して一体化した光接続
装置において、 前記面形光電入出力素子マトリクス内の２個以上の複数
の光電入出力素子の集合を単位素子として、１つの前記
受光素子に対面させる構成とし、前記単位素子を構戒す
る複数の光電入出力素子は、透過率の異なるコーティン
グが表面に施されている光電入出力素子を含むことを特
徴とする。
本発明では、面形光電入出力素子マトリクスとして、光
サイリスクをベースとした低消費電力の面形光電入出力
素子を２次元状に複数配置し、これら各素子の同種類の
駆動端子を共通の電極でマトリクス状に配線したものを
用いる。この面形光電入出力素子は、発光．闇値．メモ
リ機能を有し、２端子間に闇値以上の電圧を印加するこ
とにより動作状態に設定でき、この動作状態になった素
子は電圧印加により発光するが、他の非動作状態の素子
に同じ電圧を印加しても発光しない。従って、最初のア
ドレス時に面形光電入出力素子をマトリクス電極（配線
）毎に順次、時系列的に動作状態に選択していき、次に
信号電圧を与えれば、動作状態の面形光電入出力素子の
みから信号電圧にしたがった発光が得られる。この発光
を１次元状に配列した面形受光素子で受ければ、指定さ
れた信号出力先のみに信号を送ることができる。
サイリスクをベースとした低消費電力の面形光電入出力
素子を２次元状に複数配置し、これら各素子の同種類の
駆動端子を共通の電極でマトリクス状に配線したものを
用いる。この面形光電入出力素子は、発光．闇値．メモ
リ機能を有し、２端子間に闇値以上の電圧を印加するこ
とにより動作状態に設定でき、この動作状態になった素
子は電圧印加により発光するが、他の非動作状態の素子
に同じ電圧を印加しても発光しない。従って、最初のア
ドレス時に面形光電入出力素子をマトリクス電極（配線
）毎に順次、時系列的に動作状態に選択していき、次に
信号電圧を与えれば、動作状態の面形光電入出力素子の
みから信号電圧にしたがった発光が得られる。この発光
を１次元状に配列した面形受光素子で受ければ、指定さ
れた信号出力先のみに信号を送ることができる。
以上の構戒で、面形光電入出力素子のマトリクスを複数
の素子の組（単位素子）に分割し、その組の中で透過率
を変化させたコーティングを素子に施し、動作させる素
子を選択することによって光信号の強度を変える重み付
けが行える。例えば、マトリクス内の組で１素子だけコ
ーティングなしにして出力光をすべて出射させ、残りの
素子にはコーティングなしの出力光の強度に対して１／
２．１／４．１／８． ・・・と半分ずつの強度にな
るように表面にコーティングを行う。この組の素子には
同じ情報信号を与え、対面する面形受光素子の同じ受光
部分（受光素子）に情報信号を送るものとし、光接続の
重み付けは重み付けに合った光強度となるように組の中
の素子をアドレス時に選んでおき、発光させる。このよ
うにコーティングを半分ずつの強度とした場合には、ア
ドレス時の素子の選択によって、ｎ個の素子の組では０
から１の間で２″段階の重み付けの変化が可能となる。
の素子の組（単位素子）に分割し、その組の中で透過率
を変化させたコーティングを素子に施し、動作させる素
子を選択することによって光信号の強度を変える重み付
けが行える。例えば、マトリクス内の組で１素子だけコ
ーティングなしにして出力光をすべて出射させ、残りの
素子にはコーティングなしの出力光の強度に対して１／
２．１／４．１／８． ・・・と半分ずつの強度にな
るように表面にコーティングを行う。この組の素子には
同じ情報信号を与え、対面する面形受光素子の同じ受光
部分（受光素子）に情報信号を送るものとし、光接続の
重み付けは重み付けに合った光強度となるように組の中
の素子をアドレス時に選んでおき、発光させる。このよ
うにコーティングを半分ずつの強度とした場合には、ア
ドレス時の素子の選択によって、ｎ個の素子の組では０
から１の間で２″段階の重み付けの変化が可能となる。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図〜第５図は本発明による光接続装置の一実施例を
示す図であり、第１図は全体の構成図、第２図は面形光
電入出力素子マトリクスと面形受光素子の斜視図、第３
図は面形光電入出力素子の一構成例を示す図、第４図は
面形光電入出力素子のコーティング状態を示す図、第５
図は入力信号およびアドレス同期信号の波形図である。
示す図であり、第１図は全体の構成図、第２図は面形光
電入出力素子マトリクスと面形受光素子の斜視図、第３
図は面形光電入出力素子の一構成例を示す図、第４図は
面形光電入出力素子のコーティング状態を示す図、第５
図は入力信号およびアドレス同期信号の波形図である。
この光接続装置は、第ｌ図および第２図に示すように、
光サイリスクをベースとした低消費電力の面人出力光電
融合素子である面形光電入出力素子１が４×４の２次元
マトリクス状に配列された面形光電人出力素子マトリク
ス１０と、この面形光電入出力素子マトリクス１０に対
面して配置され、面形光電入出力素子からの発光光を受
光する２つの受光素子２を１次元状に配列した面形受光
素子と、面形光電入出力素子マトリクス１０の一方のマ
トリクス配線ｘ，，ｘ．，ｘ３，ｘ．に接続先の情報を
示す接続先アドレス情報信号と伝送する情報を示す情報
信号とを時系列的に与える入力信号回路３と、接続先ア
ドレスの情報信号と同期して他方のマトリクス配線Ｙ，
．Ｙ．，Ｙ．．Ｙ４にアドレス同期信号を与え、面形光
電入出力素子マトリクス１０の任意の光電入出力素子を
動作状態に設定するアドレス同期信号回路４と、面形受
光素子２０の受光素子２の出力配線２．，２，からの信
号を処理する出力信号回路５とから構成されている。
光サイリスクをベースとした低消費電力の面人出力光電
融合素子である面形光電入出力素子１が４×４の２次元
マトリクス状に配列された面形光電人出力素子マトリク
ス１０と、この面形光電入出力素子マトリクス１０に対
面して配置され、面形光電入出力素子からの発光光を受
光する２つの受光素子２を１次元状に配列した面形受光
素子と、面形光電入出力素子マトリクス１０の一方のマ
トリクス配線ｘ，，ｘ．，ｘ３，ｘ．に接続先の情報を
示す接続先アドレス情報信号と伝送する情報を示す情報
信号とを時系列的に与える入力信号回路３と、接続先ア
ドレスの情報信号と同期して他方のマトリクス配線Ｙ，
．Ｙ．，Ｙ．．Ｙ４にアドレス同期信号を与え、面形光
電入出力素子マトリクス１０の任意の光電入出力素子を
動作状態に設定するアドレス同期信号回路４と、面形受
光素子２０の受光素子２の出力配線２．，２，からの信
号を処理する出力信号回路５とから構成されている。
第３図は本実施例の光接続装置に用いる面形光電入出力
素子１の一例である。この素子は図示のようにＡＩ２Ｇ
ａＡｓとＧａＡｓの層構造を有し、ｐ形層とｎ形層が交
互に積層されたサイリスク構造となっている。面形光電
入出力素子は、発光・闇値素子であり、アノード３１と
カソード３２の間に、闇値電圧以上の電圧を印加すると
スイッチングされ動作状態になる。動作状態になると、
闇値電圧より低い電圧の信号によって発光する。この動
作状態は、保持電圧以上の電圧を印加しておくことによ
ってメモリされている。また、闇値電圧が印加されない
非動作状態の素子に電圧が印加されても発光は生じない
特性を持っている。非動作状態に戻すためには、電圧を
保持電圧以下にすればよい。この素子の応答は数百ＭＨ
ｚと高速動作が可能である。
素子１の一例である。この素子は図示のようにＡＩ２Ｇ
ａＡｓとＧａＡｓの層構造を有し、ｐ形層とｎ形層が交
互に積層されたサイリスク構造となっている。面形光電
入出力素子は、発光・闇値素子であり、アノード３１と
カソード３２の間に、闇値電圧以上の電圧を印加すると
スイッチングされ動作状態になる。動作状態になると、
闇値電圧より低い電圧の信号によって発光する。この動
作状態は、保持電圧以上の電圧を印加しておくことによ
ってメモリされている。また、闇値電圧が印加されない
非動作状態の素子に電圧が印加されても発光は生じない
特性を持っている。非動作状態に戻すためには、電圧を
保持電圧以下にすればよい。この素子の応答は数百ＭＨ
ｚと高速動作が可能である。
面形光電入出力素子マトリクス１０は、この面形光電入
出力素子１が２次元状（４Ｘ４）に配置され、これら面
形光電入出力素子のアノード３ｌは共通の電極でマトリ
クス状に配線されて、そのマｌーリクス配線Ｘ Ｉ，
Ｘ ｚ， Ｘ ３， Ｘ ａは入力信号回路３に接続さ
れ、一方、カソードは共通の電極でマトリクス状に配線
されて、そのマトリクス配線Ｙ ＋ ，Ｙ ｚ， Ｙ
３， Ｙ ４はアドレス同期信号回路４に接続されてい
る。
出力素子１が２次元状（４Ｘ４）に配置され、これら面
形光電入出力素子のアノード３ｌは共通の電極でマトリ
クス状に配線されて、そのマｌーリクス配線Ｘ Ｉ，
Ｘ ｚ， Ｘ ３， Ｘ ａは入力信号回路３に接続さ
れ、一方、カソードは共通の電極でマトリクス状に配線
されて、そのマトリクス配線Ｙ ＋ ，Ｙ ｚ， Ｙ
３， Ｙ ４はアドレス同期信号回路４に接続されてい
る。
また、重み付けのために第４図に示すように面形光電入
出力素子マトリクス１０を２×２マトリクスの組（単位
素子）１１に分割して、その組の素子に重み付け用のコ
ーティングを行う。本実施例では、単位素子１１の中の
各素子は、コーティングのない素子１ａと、コーティン
グのない素子の出力光強度に対して１／２．１／４．１
／８の強度となるように透過率の異なるコーティングが
施された素子１ｂ，ｌｃ，ｌｄとから戊っている。コー
ティングは、Ｏｒなどの金属を蒸着等の方法で素子表面
に付着させることにより行われる。コーティングによっ
て出力光強度を１／２ずつに変化させておくことによっ
て、４つの素子１ａ，ｌｂ，ｌｃ，ｌｄのＯＮ／ＯＦＦ
の選び方により、０から１までの間で１６段階に出力光
強度を変化できる。
出力素子マトリクス１０を２×２マトリクスの組（単位
素子）１１に分割して、その組の素子に重み付け用のコ
ーティングを行う。本実施例では、単位素子１１の中の
各素子は、コーティングのない素子１ａと、コーティン
グのない素子の出力光強度に対して１／２．１／４．１
／８の強度となるように透過率の異なるコーティングが
施された素子１ｂ，ｌｃ，ｌｄとから戊っている。コー
ティングは、Ｏｒなどの金属を蒸着等の方法で素子表面
に付着させることにより行われる。コーティングによっ
て出力光強度を１／２ずつに変化させておくことによっ
て、４つの素子１ａ，ｌｂ，ｌｃ，ｌｄのＯＮ／ＯＦＦ
の選び方により、０から１までの間で１６段階に出力光
強度を変化できる。
次に、本実施例による光接続動作を説明する。
第５図は、アドレス同期信号回路４からマトリクス配線
Ｙ １， Ｙ ｚ， Ｙ ３， Ｙ ａにそれぞれ供給
されるアドレス同期信号Ｓと、入力信号回路３からマト
リクス配線Ｘ Ｉｎ Ｘ ｚ． Ｘ ３． Ｘ ａにそ
れぞれ供給される入力信号の波形を示す。なお入力信号
は、接続先アドレス情報信号Ａと情報信号■とから戒っ
ている。
Ｙ １， Ｙ ｚ， Ｙ ３， Ｙ ａにそれぞれ供給
されるアドレス同期信号Ｓと、入力信号回路３からマト
リクス配線Ｘ Ｉｎ Ｘ ｚ． Ｘ ３． Ｘ ａにそ
れぞれ供給される入力信号の波形を示す。なお入力信号
は、接続先アドレス情報信号Ａと情報信号■とから戒っ
ている。
マトリクス素子のＯ Ｎ／Ｏ Ｆ Ｆの設定は、入力信
号回路３からの接続先アドレス情報信号Ａとアドレス同
期信号回路４からのアドレス同期信号Ｓとによって行う
。アドレス同期信号Ｓとしては、マトリクス配線Ｙ Ｉ
， Ｙ ｚ， Ｙ ３． Ｙ ，に時間ｊ Ｉ＋ ｔ！
＋ｔ３，ｔ．の時分割でパルス電圧（−Ｖ． ）が入力
される。接続先アドレス情報信号Ａとしては、マトリク
ス配線Ｘ，、Ｘ ｚ， Ｘ ３， Ｘ ４に動作状態に
選択する素子に対応してパルス電圧（Ｖ，）が並列に入
力されている。マトリクス配線ＹＩに接続されている素
子は、時間ｈにアドレス同期信号電圧（−Ｖよ）が印加
されている時に、マトリクス配線ｘ．．ｘ．，ｘ．，ｘ
．のうち接続先アドレス情報信号電圧（Ｖ．）が印加さ
れたものだけが、端子間電圧（Ｖ，＋Ｖｓ）が闇値電圧
Ｖｔｈを越えることによって動作状態となる。闇値電圧
は通常２〜５Ｖである。
号回路３からの接続先アドレス情報信号Ａとアドレス同
期信号回路４からのアドレス同期信号Ｓとによって行う
。アドレス同期信号Ｓとしては、マトリクス配線Ｙ Ｉ
， Ｙ ｚ， Ｙ ３． Ｙ ，に時間ｊ Ｉ＋ ｔ！
＋ｔ３，ｔ．の時分割でパルス電圧（−Ｖ． ）が入力
される。接続先アドレス情報信号Ａとしては、マトリク
ス配線Ｘ，、Ｘ ｚ， Ｘ ３， Ｘ ４に動作状態に
選択する素子に対応してパルス電圧（Ｖ，）が並列に入
力されている。マトリクス配線ＹＩに接続されている素
子は、時間ｈにアドレス同期信号電圧（−Ｖよ）が印加
されている時に、マトリクス配線ｘ．．ｘ．，ｘ．，ｘ
．のうち接続先アドレス情報信号電圧（Ｖ．）が印加さ
れたものだけが、端子間電圧（Ｖ，＋Ｖｓ）が闇値電圧
Ｖｔｈを越えることによって動作状態となる。闇値電圧
は通常２〜５Ｖである。
同様にマトリクス配線Ｙ．．Ｙ．，Ｙ．にアドレス同期
信号電圧が印加されている間に接続先アドレス情報信号
電圧が印加さ丸た素子が、動作状態に選択される。
信号電圧が印加されている間に接続先アドレス情報信号
電圧が印加さ丸た素子が、動作状態に選択される。
以上のようにして動作状態に選択された素子は、入力信
号に保持電圧以上の直流電圧Ｖｈを印加しておくことに
よって動作状態を保つことができる。
号に保持電圧以上の直流電圧Ｖｈを印加しておくことに
よって動作状態を保つことができる。
保持電圧は約１．４Ｖである。
その後、入力信号回路３から情報信号Ｉを人力すること
により動作状態にある素子を発光し、光信号として受光
素子２に入射する。ここで、マトリクス配線Ｘ，とＸ２
とには同一の情報信号を入力し、マトリクス配線Ｘ３と
Ｘ４とには同一の情報信号を入力する。面形受光素子２
０では、２つの２×２マトリクス（単位素子）１１から
の信号光を同じ受光素子２で受けて、単位素子からの入
射光の和をとり、出力配線を２ １， Ｚ’ｚより出力
信号回路５へ入力する。
により動作状態にある素子を発光し、光信号として受光
素子２に入射する。ここで、マトリクス配線Ｘ，とＸ２
とには同一の情報信号を入力し、マトリクス配線Ｘ３と
Ｘ４とには同一の情報信号を入力する。面形受光素子２
０では、２つの２×２マトリクス（単位素子）１１から
の信号光を同じ受光素子２で受けて、単位素子からの入
射光の和をとり、出力配線を２ １， Ｚ’ｚより出力
信号回路５へ入力する。
以上のようにして、２つの入力を２つの出力に重み付け
を行い接続し、入力の和を出力する荷重和機能を有する
光接続装置が実現できる。
を行い接続し、入力の和を出力する荷重和機能を有する
光接続装置が実現できる。
重み付けの段階を多くする場合には、単位素子マトリク
スを構成する素子の数を大きくすればよく、ｎ個の素子
で２″段階の重み付けが可能である。
スを構成する素子の数を大きくすればよく、ｎ個の素子
で２″段階の重み付けが可能である。
以上詳細に述べたように、本発明によれば高速で自在な
光接続が可能であり、かつ、光接続の重み付けが多段階
に行える光接続装置が実現できる。
光接続が可能であり、かつ、光接続の重み付けが多段階
に行える光接続装置が実現できる。
第１図は本発明の光接続装置の一実施例を示す図、
第２図は第１図の実施例における面形光電入出力素子マ
トリクスと面形受光素子との斜視図、第３図は第ｌ図の
実施例における面形光電入出力素子の一構成例を示す図
、 第４図は面形光電入出力素子のコーティング状態を示す
図、 第５図は入力信号およびアドレス同期信号の波形図、 第６図は従来の光接続装置の斜視図である。 １・・・・・面形光電入出力素子 ２・・・・・受光素子 ３・・・・・入力信号回路 ４・・・・・アドレス同期信号回路 ５・・・・・出力信号回路 １０・・・・・面形光電入出力素子マトリクス１１・・
・・・単位素子 ２０・・・・・面形受光素子 ３ｌ・・・・・アノード ３２・・・・・カソード
トリクスと面形受光素子との斜視図、第３図は第ｌ図の
実施例における面形光電入出力素子の一構成例を示す図
、 第４図は面形光電入出力素子のコーティング状態を示す
図、 第５図は入力信号およびアドレス同期信号の波形図、 第６図は従来の光接続装置の斜視図である。 １・・・・・面形光電入出力素子 ２・・・・・受光素子 ３・・・・・入力信号回路 ４・・・・・アドレス同期信号回路 ５・・・・・出力信号回路 １０・・・・・面形光電入出力素子マトリクス１１・・
・・・単位素子 ２０・・・・・面形受光素子 ３ｌ・・・・・アノード ３２・・・・・カソード
Claims (1)
- （１）発光、閾値、メモリ機能を有し、駆動端子として
少なくとも２端子以上を持つ光電入出力素子を２次元状
に配列し、これら各素子の同種類の駆動端子を共通の電
極でマトリクス状に配線した面形光電入出力素子マトリ
クスと、この面形光電入出力素子マトリクスの光電入出
力素子からの発光光を受光する発光素子を１次元状に配
列した面形受光素子とを対面して一体化した光接続装置
において、 前記面形光電入出力素子マトリクス内の２個以上の複数
の光電入出力素子の集合を単位素子として、１つの前記
受光素子に対面させる構成とし、前記単位素子を構成す
る複数の光電入出力素子は、透過率の異なるコーティン
グが表面に施されている光電入出力素子を含むことを特
徴とする光接続装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230438A JPH0394317A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 光接続装置 |
| CA002024771A CA2024771C (en) | 1989-09-07 | 1990-09-06 | Optical interconnection apparatus |
| EP90117285A EP0416647B1 (en) | 1989-09-07 | 1990-09-07 | Optical interconnection apparatus |
| DE69015063T DE69015063T2 (de) | 1989-09-07 | 1990-09-07 | Optische Verbindungsanordnung. |
| US07/578,973 US5093875A (en) | 1989-09-07 | 1990-09-07 | Optical interconnection apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1230438A JPH0394317A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 光接続装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0394317A true JPH0394317A (ja) | 1991-04-19 |
Family
ID=16907906
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1230438A Pending JPH0394317A (ja) | 1989-09-07 | 1989-09-07 | 光接続装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5093875A (ja) |
| EP (1) | EP0416647B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0394317A (ja) |
| CA (1) | CA2024771C (ja) |
| DE (1) | DE69015063T2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2716796B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1998-02-18 | 三菱電機株式会社 | 光コンピユータ |
| DE4019225A1 (de) * | 1990-06-15 | 1991-12-19 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Optisches schaltelement |
| JP2705287B2 (ja) * | 1990-07-10 | 1998-01-28 | 三菱電機株式会社 | 情報処理素子 |
| JP2591269B2 (ja) * | 1990-07-10 | 1997-03-19 | 三菱電機株式会社 | 視覚情報処理素子 |
| US5367584A (en) * | 1993-10-27 | 1994-11-22 | General Electric Company | Integrated microelectromechanical polymeric photonic switching arrays |
| KR101974576B1 (ko) * | 2012-04-12 | 2019-05-02 | 삼성전자주식회사 | 대면적을 갖는 투과형 광 이미지 변조기 및 그 제조 방법과 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4227260A (en) * | 1978-11-06 | 1980-10-07 | The Singer Company | Electronic active star element for an optical data transmission system |
| US4545077A (en) * | 1982-10-29 | 1985-10-01 | Lockheed Corporation | Electro-optical data bus |
| JPS60216336A (ja) * | 1984-04-12 | 1985-10-29 | Canon Inc | 並列光演算装置 |
| DE3506569A1 (de) * | 1985-02-25 | 1986-08-28 | Manfred Prof. Dr. 7900 Ulm Börner | Integrierte resonatormatrix zum wellenlaengenselektiven trennen bzw. zusammenfuegen von kanaelen im frequenzbereich der optischen nachrichtentechnik |
| NO159899C (no) * | 1986-03-25 | 1989-02-15 | Kjell Hansen | Skjerm for bildefremvisning og/eller -opptak. |
-
1989
- 1989-09-07 JP JP1230438A patent/JPH0394317A/ja active Pending
-
1990
- 1990-09-06 CA CA002024771A patent/CA2024771C/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-07 US US07/578,973 patent/US5093875A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-09-07 EP EP90117285A patent/EP0416647B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-09-07 DE DE69015063T patent/DE69015063T2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2024771C (en) | 1993-06-29 |
| EP0416647A2 (en) | 1991-03-13 |
| CA2024771A1 (en) | 1991-03-08 |
| DE69015063T2 (de) | 1995-04-27 |
| US5093875A (en) | 1992-03-03 |
| DE69015063D1 (de) | 1995-01-26 |
| EP0416647B1 (en) | 1994-12-14 |
| EP0416647A3 (en) | 1991-06-05 |
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