KR101974576B1 - 대면적을 갖는 투과형 광 이미지 변조기 및 그 제조 방법과 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치 - Google Patents
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Abstract
대면적을 갖는 투과형 광 이미지 변조기 및 그 제조 방법과 상기 광 변조기를 포함하는 광학장치에 관해 개시되어 있다. 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기는 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 형성된 제1 에피텍시층과, 상기 제1 에피텍시층 상에 형성된 제2 에피텍시층과, 상기 제1 에피텍시층 상에 형성되고, 상기 제2 에피텍시층과 이격된 제1 전극과, 상기 제2 에피텍시층 상에 형성된 제2 전극 및 상기 제2 에피텍시층과 상기 제2 전극을 덮는 투명기판을 구비하고, 상기 베이스 기판은 광 방출영역에 대응하는 관통홀을 갖는다. 상기 제1 에피텍시층은 N형 또는 P형 도핑 물질을 포함할 수 있다.
Description
본 발명의 일 실시예는 광 소자에 관한 것으로써, 보다 자세하게는 대면적을 갖는 투과형 광 이미지 변조기 및 그 제조방법과 상기 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치에 관한 것이다.
거리영상에 대한 정보를 얻는 방법으로 두 대의 카메라를 이용한 양안 입체시(Stereo Vision) 방법이나 구조광(Structured Light)과 카메라를 이용한 삼각 측량법(Triangulation) 등이 이용되고 있다.
그러나 이 방법들을 이용할 경우, 측정 대상의 거리가 멀어질수록 정밀도가 급격히 저하될 수 있다. 또한 이 방법들은 물체의 표면상태에 의존적이어서 조밀한 거리영상을 획득하기가 어려울 수 있다.
이러한 문제를 해결하기 광시간 비행법(Time-of-Flight, TOF)이 소개되었다. 광시간 비행법은 별도의 변조된 광, 예컨대 레이저 또는 LED로부터 방출되는 광을 물체에 조사한 후, 수광부로(센서, CCD 카메라) 돌아오는 광비행 시간을 측정하는 방법이다.
광비행 시간법에는 펄스광을 투사하고 돌아오는 시간을 타이머로 측정하는 직접 시간 측정방법과 펄스광을 투사하고, 수광부에서 조사광과 동기되는 게이팅(Gating) 신호와 반사광 신호의 곱으로 주어지는 밝기 정보로부터 거리를 측정하는 상관법(Correlation)이 있다. 상관법에 의한 밝기 영상은 근거리는 수광량이 많아 밝은 반면, 원거리는 수광량이 적어 어둡게 나타난다.
광비행 시간법에는 사인파 또는 연속파(CW, Continuous Wave) 광을 투사하고 돌아오는 반사광의 위상차를 감지하여 거리로 환산하는 위상지연 측정방법이 있다.
위상지연 측정방법에는 외부 변조 방식(External Modulation)과 내부 변조 방식(Internal Modulation )이 있다.
상기 외부 변조 방식에서는 LED나 LD에서 주파수 변조된 사인파를 투사하고 수광부 앞단에 위치한 광 변조기에서 진폭 변조(믹싱, Mixing)하여 저주파수 신호로 변환하여 CCD(Charge Coupled Device) 카메라에서 위상지연을 측정한다.
상기 내부 변조 방식에서는 광 변조기 없이 CCD 셀 내부에서 진폭 변조나 복조(Demodulation)에 의해 위상지연을 측정한다. CCD 셀 내부의 변조 및 복조를 위해서는 CCD 소자 주변에 부가적인 신호처리 기능이 필요하여 필 팩터(fill factor)가 저하될 뿐만 아니라 셀 크기가 증가하는데, 이는 고해상도 거리 카메라를 구현하는데 제약이 될 수 있다.
투과형 광 변조기 중에는 영상 증폭기(Image Intensifier)나 결정광학에 기반을 둔 포켈(Pockel) 효과나 커(Kerr) 효과를 이용한 광 변조기가 있는데, 이러한 광 변조기는 부피가 크고, 수 KV의 고전압을 사용하며, 매우 고가이다.
다른 투과형 광 변조기로는 GaAs 기반의 광전 흡수(Electro-absorption)을 이용한 투과형 광 이미지 셔터가 있다. 이러한 투과형 광변조기는 PIN 다이오드 구조이고, PN 전극 사이의 진성층(Intrinsic layer)은 다중양자우물(Multiple Quantum Well)를 포함하며, 특정 파장영역에서 엑시톤(exciton)을 형성하여 광전 흡수(Electro-absorption)한다. PN 전극 양단에 역방향 바이어스 전압을 인가하면 흡수 계수의 최대값이 파장에 따라 감소함과 동시에 적색이동(Red-shift)하는 특성을 지닌다. 흡수파장의 피크가 파브리-페로(Fabry-Perot) 파장과 일치하면 최대 광흡수가 일어나고, 전압에 따라 출력광의 밝기를 조절할 수 있다. 이러한 투과형 광 변조기에서 광 투과를 위해 불투명한 GaAs 기판은 제거된다.
GaAs 기판이 제거된 후, 나머지 구조물은 투명한 SiO2 기판에 전사될 수 있다. 그러나 웨이퍼 레벨(wafer level) 제조 공정에서 전극이 형성된 에피텍시 구조물의 기판을 제거하고 다른 기판인 SiO2로 전사하는 일련의 제조 공정은 복잡하여 안정적인 공정 수행이 어려울 수 있다.
최근에는 기존의 불투명 기판에서 광이 통과하는 부분을 제거하고, 850nm 파장의 광에 투명한 InGaP층을 에피텍시층에 추가하여 에피텍시 구조물를 지탱하는 지지대로 사용하는 투과형 광 변조기가 소개되었으나, 에피텍시 박막은 외부의 충격이나 기계적 변형에 취약할 수 있다.
본 발명의 일 실시예는 대면적에서도 고속 구동과 전기-광학적 응답의 균일성을 확보할 수 있고, 기계적 변형이나 충격에 대한 내성을 강화한 광 이미지 변조기를 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 이러한 광 이미지 변조기의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예는 이러한 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치를 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기는 베이스 기판과, 상기 베이스 기판 상에 형성된 제1 에피텍시층과, 상기 제1 에피텍시층 상에 형성된 제2 에피텍시층과, 상기 제1 에피텍시층 상에 형성되고, 상기 제2 에피텍시층과 이격된 제1 전극과, 상기 제2 에피텍시층 상에 형성된 제2 전극 및 상기 제2 에피텍시층과 상기 제2 전극을 덮는 투명기판을 구비하고, 상기 베이스 기판은 광 방출영역에 대응하는 관통홀을 갖는다.
이러한 광 변조기에서, 상기 제1 에피텍시층은 건식 및 습식식각에 대한 식각 저지층일 수 있다. 상기 제1 에피텍시층은 N형 또는 P형 도핑 물질을 포함할 수 있다.
제 2 에피텍시층은 어레이를 이루는 복수의 분할된 단위들을 포함하고, 상기 복수의 분할된 단위들 각각에 상기 제2 전극이 구비될 수 있다. 이때, 상기 제1 전극은 상기 제2 에피텍시층의 일부의 적어도 한 변 또는 상기 제2 에피텍시층의 전체의 적어도 한 변을 둘러싸도록 구비될 수 있다.
상기 제2 에피텍시층은 순차적으로 적층된 하부 DBR층, 활성층, 상부 DBR층 및 접촉층을 포함할 수 있다.
상기 제2 에피텍시층을 덮고, 상기 제2 전극의 일부를 덮는 투명한 절연층이 존재하고, 상기 투명기판은 상기 절연층 상에 구비될 수 있다.
상기 절연층과 상기 투명 기판 사이에 부착층이 더 구비될 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극 중 하나는 N형 전극이고, 나머지는 P형 전극일 수 있다.
상기 제2 전극은 물고기 뼈(fish bone) 형태, 메시(mesh) 형태 또는 그리드(grid) 형태일 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제2 전극과 같은 높이를 가질 수 있다. 이때, 상기 제1 전극과 상기 제1 에피텍시층 사이에 절연층이 더 구비될 수 있다.
상기 접촉층은 화합물 반도체층이고, N형 또는 P형 도핑된 것일 수 있다.
상기 투명기판은 850nm 파장의 입사광에 대해 투명한 기판일 수 있다.
상기 유리기판은 광 반사 방지막으로 코팅된 것일 수 있다.
상기 복수의 분할된 단위들은 좌우대칭 또는 상하좌우 대칭의 어레이를 이룰 수 있다.
상기 베이스 기판은 인쇄회로기판에 장착되고,
상기 인쇄회로기판은 상기 제2 전극과 일대 일로 연결되는 구동소자를 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 인쇄회로기판을 통해 접지되고,
상기 인쇄회로기판은 상기 베이스 기판의 관통홀에 대응하는 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판과 상기 인쇄회로기판은 금속 페이스트를 사용하여 본딩될 수 있다.
상기 투명기판은 전기적으로 인쇄회로기판에 접촉되고, 상기 인쇄회로기판은 상기 제2 전극과 일대 일로 연결되는 구동소자를 포함하고, 상기 제1 전극은 상기 인쇄회로기판을 통해 접지되고, 상기 인쇄회로기판은 상기 베이스 기판이 관통하는 관통홀을 포함할 수 있다.
상기 유리기판의 밑면에 상기 구동소자에 연결되는 배선과 접지되는 배선이 구비되고, 상기 배선과 상기 제1 및 제2 전극은 플립칩 본딩될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치는 광원, 광원 드라이버, 렌즈, 광 변조기, 광 변조기 드라이버, IR 대역필터, 이미지 센스를 포함하여 거리측정에 사용되는 광학장치에 있어서, 상기 광 변조기는 상술한 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 이미지 변조기의 제조방법은 베이스 기판 상에 제1 및 제2 에피텍시층을 순차적으로 형성하여 상기 제1 에피텍시층의 일부를 노출시키고, 상기 제1 에피텍시층의 노출된 영역 상에 제1 전극을 형성한다. 이어 상기 제2 에피텍시층 상에 제2 전극을 형성하고, 상기 제2 에피텍시층과 상기 제2 전극을 덮는 투명기판을 형성한 다음, 상기 베이스 기판에 광 방출을 위한 관통홀을 형성한다.
이러한 제조 방법에서, 상기 제1 에피텍시층의 일부를 노출시키는 과정은 상기 제2 에피텍시층을 복수의 단위로 분할하는 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 단위로 분할하는 과정은 상기 분할된 복수의 단위들이 좌우대칭 또는 상하좌우 대칭의 어레이를 이루도록 상기 제2 에피텍시층을 분할하는 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 투명기판을 형성하는 단계는,
상기 제2 전극 및 상기 제2 에피텍시층을 덮는, 입사광에 투명한 절연층을 형성하고, 상기 절연층 상에 입사광에 투명한 부착층을 형성하며, 상기 부착층 상에 상기 투명기판을 부착하는 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 제2 에피텍시층을 형성하는 과정은,
상기 제1 에피텍시층 상에 하부 DBR층, 활성층, 상부 DBR층 및 접촉층을 순차적으로 성장시키는 과정을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 전극 중 하나는 N형 전극이고, 나머지는 P형 전극일 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제2 에피텍시층의 일부의 적어도 한 변 또는 상기 제2에피텍시층의 전체의 적어도 한 변을 둘러싸도록 형성될 수 있다.
상기 제1 전극은 상기 제2 전극과 같은 높이로 형성할 수 있다. 이때, 상기 제1 전극과 상기 제1 에피텍시층 사이에 절연층을 더 형성할 수 있다.
상기 접촉층은 화합물 반도체층이고, N형 또는 P형 도핑물질을 도핑할 수 있다.
상기 투명기판에 반사 방지막을 코팅할 수 있다.
상기 베이스 기판에 관통홀을 형성하는 과정은, 상기 베이스 기판 상의 적층물을 밀봉하고, 상기 베이스 기판의 상기 관통홀이 형성될 부분을 한정하며, 상기 베이스 기판의 한정된 부분을 습식식각하는 과정을 더 포함할 수 있다.
관통홀과 그 둘레에 구동소자가 구비된 인쇄회로기판에 상기 베이스 기판을 장착하는 과정과, 상기 제2 전극과 상기 구동소자를 일대 일로 연결하고, 상기 제1 전극은 상기 인쇄회로기판을 통해 접지시키는 과정을 포함할 수 있다.
상기 베이스 기판과 상기 인쇄회로기판은 금속 페이스트를 사용하여 본딩될 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 의하면, 상기 베이스 기판이 관통하는 관통홀과 그 둘레에 구동소자가 구비된 인쇄회로기판을 준비하고, 상기 베이스 기판이 상기 인쇄회로기판의 관통홀을 관통하도록 상기 인쇄회로기판의 상기 관통홀 둘레에 상기 투명기판을 장착하며, 상기 제2 전극과 상기 구동소자를 일대 일로 연결하고, 상기 제1 전극은 상기 인쇄회로기판을 통해 접지시키는 과정을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 투명기판을 장착하는 과정은 상기 유리기판의 밑면에 상기 구동소자에 연결되는 배선과 상기 제1 전극의 접지를 위한 배선을 형성하고, 상기 배선들과 상기 제1 및 제2 전극을 플립칩 본딩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 이미지 변조기는 전극 상부에 지지대 역할을 하는 투명 기판을 구비한다. 따라서 외부의 충격이나 기계적 변형에 대한 내성이 강화될 수 있다.
또한 대면적의 변조 영역을 복수의 단위 변조 영역으로 분할하여 정전용량(C)이 감소되고, 단위 변조 영역 전체에 대응되도록 P형 전극을 배치하여 전극 접촉층의 면저항이 낮아지는 바, RC 시정수가 감소하여 단위 변조 영역, 곧 단위 광 변조기의 고속 구동이 가능하다.
또한 복수의 단위 변조 영역을 좌우 대칭 또는 상하좌우 대칭이 되도록 배열하여 단위 광 변조기의 위치에 따른 전기-광학적 응답 균일성을 확보할 수 있다.
또한 복수의 단위 변조 영역과 일대 일 대응이 되도록 구동소자를 구비하고, 구동소자도 좌우 대칭 또는 상하좌우 대칭으로 배치하고, 구동소자와 해당 단위 변조 영역의 거리를 동일하게 유지하여 복수의 단위 변조 영역을 동시에 구동시킬 수 있는 바, 복수의 단위 광 변조기의 구동 균일성을 높일 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기는 P 전극과 N 전극 사이에 인가되는 역방향 바이어스 전압을 제어하여 출력광을 제어할 수 있고, 입력광 신호에 대해서 사각파 또는 사인파 변조를 통한 진폭 변조방식을 통해 위상지연 방식의 TOF(Time-of-Flight) 계산도 가능하다.
또한 본 발명의 일 실시예에 의한 광 변조기는 CCD/CMOS 소자의 앞단에 위치하여 카메라로 입사하는 입력광을 변조하거나 믹싱하여 투사된 광원의 구동 신호와 함께 시간 비행법(TOF)에 기반한 거리 측정(위상지연 측정)이 가능하고,
종래의 고가이며 큰 부피를 차지하는 영상 증폭장치를 대신하는 것으로, 실생활에서의 3차원 영상 획득, 로봇의 3차원 환경 인식, 군사용 레이저 라다(Laser Radar), 3차원 디스플레이를 위한 입력 장치, 3차원 형상 측정 분야에도 활용될 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 변조기는 광전 흡수(Electro-absorption)를 기반으로 하는 바, 기존의 CCD나 CMOS를 그대로 사용할 수 있기 때문에 고해상도 구현이 용이하다.
또한 본 발명의 일 실시예에 의한 광 변조기는 광 밝기를 일정한 크기로 줄이는 감쇠기(Attenuator)에도 활용할 수 있고, 진폭 변조의 원리가 사용되는 광통신 시스템, 광 컴퓨터에서 광 연산자 및 어레이 형태의 광 신호처리 등에도 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기의 평면도이다.
도 2는 도 1을 2-2' 방향으로 절개한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 단위 광 변조기(65)의 제2 전극의 변형예를 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 1의 광 이미지 변조기 어레이에서 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)의 변형예를 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 5를 6-6’방향으로 절개한 단면도이다.
도 7은 도 1의 광 이미지 변조기에서 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)에 대한 다른 변형예를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 대면적 광 이미지 변조기를 나타낸 평면도이다.
도 9는 인쇄회로기판을 통한 본 발명의 일 실시예에 의한 대면적 광 이미지 변조기와 구동소자의 연결을 나타낸 평면도이다.
도 10은 도 9를 10-10’방향으로 절개한 단면도이다.
도 11은 인쇄회로기판을 통한 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기와 구동소자의 연결에 대한 다른 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 12는 도 11을 12-12’방향으로 절개한 단면도이다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기의 제조방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치의 블록 구성도이다.
도 2는 도 1을 2-2' 방향으로 절개한 단면도이다.
도 3 및 도 4는 도 1의 단위 광 변조기(65)의 제2 전극의 변형예를 나타낸 평면도이다.
도 5는 도 1의 광 이미지 변조기 어레이에서 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)의 변형예를 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 5를 6-6’방향으로 절개한 단면도이다.
도 7은 도 1의 광 이미지 변조기에서 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)에 대한 다른 변형예를 나타낸 평면도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 대면적 광 이미지 변조기를 나타낸 평면도이다.
도 9는 인쇄회로기판을 통한 본 발명의 일 실시예에 의한 대면적 광 이미지 변조기와 구동소자의 연결을 나타낸 평면도이다.
도 10은 도 9를 10-10’방향으로 절개한 단면도이다.
도 11은 인쇄회로기판을 통한 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기와 구동소자의 연결에 대한 다른 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 12는 도 11을 12-12’방향으로 절개한 단면도이다.
도 13 내지 도 19는 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기의 제조방법을 단계별로 나타낸 단면도들이다.
도 20은 본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치의 블록 구성도이다.
이하, 본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 이미지 변조기와 그 제조 방법 및 투과형 광 이미지 변조기를 포함하는 광학장치를 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다. 이 과정에서 도면에 도시된 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되게 도시된 것이다.
먼저, 본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 이미지 변조기를 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 투과형 광 이미지 변조기의 평면도이다.
도 1을 참조하면, 대면적의 광 이미지 변조기는 어레이(array)를 이루는 복수의 단위 광 변조기(65)를 포함한다. 단위 광 변조기(65)는 단위 변조 영역이 될 수 있다. 복수의 단위 광 변조기(65)는 상하좌우 대칭이 되도록 구비되어 있다. 복수의 단위 광 변조기(65)는 서로 이격되어 있다. 복수의 단위 광 변조기(65) 사이에는 트랜치(T1, T2)가 형성되어 있다. 도 2에서 볼 수 있듯이, 트랜치(T1, T2)의 바닥은 제1 에피텍시층(32)의 상부면이 된다. 트랜치(T1, T2)의 폭, 곧 단위 광 변조기(65) 사이의 간격은, 예를 들면 10㎛ ~ 30㎛일 수 있고, 10㎛ ~ 15㎛일 수 있다. 제1 에피텍시층(32)은 제1 전극의 접촉층으로 사용되고, 그 위에 적층된 물질층들의 지지층으로 사용될 수도 있다. 또한 제1 에피텍시층(32)은 건식 또는 습식식각에서 식각 저지층으로 사용될 수도 있다. 제1 에피텍시층(32)은 특정 파장, 예컨대 850nm의 광에 대해 투명한 층일 수 있다. 또한 제1 에피텍시층(32)은 제1 전극(56) 및 제1 전극패드(54)과의 접촉 저항을 줄이기 위해 도핑될 수도 있다. 제1 전극(56)과 제1 전극패드(54)가 N형 전극일 때, 제1 에피텍시층(32)은 실리콘(Si) 도핑될 수 있고, 이때 도핑 농도는 8×10E18/㎤ 이상일 수 있다. 제1 에피텍시층(32)은 예를 들면 InGaP층일 수 있다. InGaP층은 GaAs와 격자상수가 유사하여 에피텍시 성장법으로 형성할 수 있다. 도 1에서 분리하여 도시한 바와 같이 복수의 단위 광 변조기(65)는 각각 광이 투과되는 몸체(65A)와 몸체(65A)에서 바깥으로 돌출된 부분(65B)을 포함한다. 복수의 단위 광 변조기(65)는 전극 접촉층(40) 상에 제2 전극(44, 46)과 이에 연결된 제2 전극 패드(42)를 구비한다. 제2 전극(44, 46)은 하나의 수평 성분(44)에 복수의 수직 성분(46)이 연결된 물고기 뼈(fish bone) 형태이다. 수직 성분(46)의 간격은 일정할 수 있다. 이때, 광 변조기의 필 팩터(fill factor) 향상을 위해 수평 성분(44)과 수직 성분(46)의 폭은 가능한 좁게 할 수 있는데, 예를 들면 10㎛이하일 수 있다. 또한 상기 필 팩터 향상을 위해 수직 성분(46) 사이의 피치는 가능한 넓게 유지할 수 있는데, 예를 들면 250㎛ 이상일 수 있다. 이 경우, 광 변조기의 필 팩터는 95% 이상이 된다. 제1 전극(56)과 제1 전극패드(54)는 복수의 단위 광 변조기(65)의 돌출된 부분(65B) 사이에 위치한다. 따라서 단위 광 변조기(65) 당 2개의 제1 전극(56)과 제1 전극패드(54)가 대응된다. 곧, 제1 전극(56)과 제1 전극패드(54)는 이웃한 두 단위 광 변조기(65)에 대해 공통 전극이 된다.
도 1에서 참조번호 50은 부착층으로써, 에폭시층(epoxy layer)일 수 있다. 제1 전극패드(54)와 제2 전극패드(42)는 부착층(50) 바깥에 배치되는데, 이렇게 배치함으로써, 상기 에폭시층을 형성할 때, 공정 간섭을 피할 수 있다. 참조번호 52는 입사광에 대해 투명한 투명 기판을 나타낸다. 투명 기판(52)은 부착층(50)에 의해 복수의 단위 광 변조기(65)에 부착된다. 투명 기판(52)은, 예를 들면 유리 기판일 수 있으나, 유리외에 다른 투명한 물질로 형성된 기판일 수도 있다. 참조부호 A1은 입사광이 통과하는 광 변조기의 전체 투광영역을 나타낸다. 투광영역(A1)은 도 2에서 알 수 있듯이 베이스 기판(30)의 일부가 제거된 영역에 해당한다. 투광영역(A1)의 경계는 투명 기판(52)의 가장자리 안쪽에 위치한다.
도 2는 도 1을 2-2’방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 2를 참조하면, 제1 에피텍시층(32)은 투광영역(A1)을 갖는 기판(30) 상에 형성되어 있다. 제1 에피텍시층(32)은 기판(30)의 투광영역(A1)을 덮는다. 기판(30)은, 예를 들면 GaAs층일 수 있다. 입사광에 대한 광손실이나 위상의 변화가 없도록 하기 위해 제1 에피텍시층(32)의 광학두께는 0.5λ의 배수일 수 있는데, 예를 들면 4λ일 수 있다. 여기서 λ는 제1 에피텍시층(32)에 입사되는 광의 파장인데, 예를 들면 850nm일 수 있다. 이러한 조건으로부터 제1 에피텍시층(32)의 실제 두께가 결정될 수 있다. 제1 에피텍시층(32)은, 예를 들면 2㎛까지 성장될 수도 있다. 제1 에피텍시층(32)은 n형 또는 p형 접촉층일 수 있다. 제1 에피텍시층(32)d이 p형 접촉층으로 사용될 때, 제1 에피텍시층(32)은 p형 도핑 물질, 예를 들면 Be이 도핑될 수도 있다. 이때, Be의 도핑 농도는 1×10E19/㎤일 수 있다. 제1 에피텍시층(32) 상에 이격된 제1 및 제2 하부 DBR(Distributed Bragg Reflector)층(34a, 34b)이 존재한다. 제1 및 제2 하부 DBR층(34a, 34b)의 이격거리는 제2 트랜치(T2)의 폭에 해당한다. 제1 하부 DBR층(34a)은 순차적으로 적층된 복수의 쌍(pair)을 포함한다. 이때 각 쌍은 굴절률이 다른 두 층이 순차적으로 적층된 것이다. 각 쌍의 제1 층은, 예를 들면 Al0.31Ga0.69As층일 수 있고, 상기 제1 층 상에 형성된 제2 층은 상기 제1 층보다 굴절률이 낮은 층으로써, 예를 들면 Al0.88Ga0.12As층일 수 있다. 상기 제1 및 제2 층은 각각 λ/4의 광학두께를 가질 수 있다. 여기서, λ는 제1 하부 DBR층(34a)에 입사되는 광의 파장이다. 제1 하부 DBR층(34a)은 제1 전극(54, 56)의 종류에 따라 n형 또는 p형 DBR층일 수 있고, 쌍의 수는, 예를 들면 4쌍을 포함할 수 있다. 이러한 제1 하부 DBR층(34a) 상에 제1 활성층(36a) 및 제1 상부 DBR층(38a)이 순차적으로 적층되어 있다. 제1 활성층(36a)은 다중양자우물(Multiple Quantum Well, MQW) 구조를 가진다. 제1 활성층(36a)은 광전흡수가 일어나는 층으로써, 무도핑 진성(intrinsic) 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 화합물 반도체층은 복수의 쌍을 포함할 수 있다. 이때, 각 쌍은 양자 우물을 갖는 화합물 반도체층과 배리어 역할을 하는 화합물 반도체층을 포함할 수 있다. 상기 양자 우물을 갖는 화합물 반도체층은, 예를 들면 GaAs층일 수 있다. 상기 배리어 역할을 하는 화합물 반도체층은, 예를 들면 에너지 밴드 갭이 높은 Al0.31Ga0.69As층일 수 있다. 상기 양자 우물을 갖는 화합물 반도체층과 배리어 역할을 하는 화합물 반도체층은 공동(cavity)을 형성한다. 제1 활성층(36a)에 입사된 광은 제1 하부 DBR층(34a)과 제1 상부 DBR층(38a) 사이에서 공진하면서 제1 활성층(36a)에 흡수될 수 있다. 공동의 전체 광학두께는 λ/2의 정수배일 수 있는데, 예를 들면 5λ일 수 있다. 여기서 λ는 입사광의 파장이다. 제1 하부 DBR층(34a)과 제1 상부 DBR층(38a)의 반사율은 제1 활성층(36a)에서 광 흡수가 최대가 되도록 결정될 수 있다. 전압이 인가되지 않은 상태에서, 제1 활성층(36a)의 흡수파장은 입사광보다 10nm ~ 15nm 정도 낮을 수 있다. 전압이 인가되면 제1 활성층(36a)의 흡수파장은 장파장으로 이동된다(red shift). 상기 인가되는 전압이 역전압일 때, 제1 활성층(36a)의 흡수파장은 입사광의 파장과 같을 수 있다. 이와 같이 인가 전압 여부에 따라 제1 활성층(36a)의 광 흡수파장이 달라지므로, 주어진 파장의 입사광에 대해 제1 활성층(36a)의 광 투과율은 달라지게 된다. 제1 상부 DBR층(38a)은 제1 하부 DBR층(34a)과 동일한 구성을 가질 수 있다. 다만, 제1 상부 DBR층(38a)에 포함된 쌍의 수는 제1 하부 DBR층(34a)에 포함된 쌍의 수와 동일하거나 다를 수 있다. 제1 상부 DBR층(38a)은 제2 전극(46)의 종류에 따라 p형 또는 n형 DBR층일 수 있다. 제1 상부 DBR층(38a) 상에 접촉층(40)이 존재한다. 접촉층(40)은 제2 전극(46)의 종류에 따라 p형 또는 n형 접촉층일 수 있다. 예컨대, 제2 전극(46)이 p형 전극일 때, 접촉층(40)은 p형 접촉층이고, 제2 전극(46)이 n형 전극일 때, 접촉층(40)은 n형 접촉층일 수 있다. 접촉층(40)은, 예를 들면 GaAs층일 수 있다. 접촉층(40) 상에 복수의 제2 전극(46)이 형성되어 있다. 제2 전극(46)은 p형 또는 n형 전극일 수 있다. 제2 전극(46)의 종류에 따라 상기한 바와 같이 접촉층(40) 및 제1 상부 DBR층(38a)의 타입이 결정된다. 접촉층(40)과 제2 전극(46)은 절연층(48)으로 덮여 있다. 제1 하부 DBR층(34a), 제1 활성층(36a) 및 제1 상부 DBR층(38a)의 측면도 절연층(48)으로 덮여 있다. 제2 트랜치(T2)의 바닥, 곧 제1 및 제2 하부 DBR층(34a, 34b) 사이의 제1 에피텍시층(32)의 상부면도 절연층(48)으로 덮여 있다. 절연층(48)은, 예를 들면 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막일 수 있다. 제1 하부 DBR층(34a), 제1 활성층(36a), 제1 상부 DBR층(38a) 및 접촉층(40)으로 이루어진 적층물의 한쪽 측면은 제2 트랜치(T2)의 제1 측벽을 이룬다. 제1 에피텍시층(32) 상에 제1 전극패드(54)가 구비되어 있다. 제1 전극패드(54)는 제1 에피텍시층(32)과 이격되어 있다. 제1 전극패드(54)는 N형 또는 P형 전극패드일 수 있다. 제1 전극패드(54)의 종류에 따라 제1 에피텍시층(32) 및 제1 하부 DBR층(34a)의 타입이 결정된다.
제2 전극패드(42)와 제2 전극(46)이 p형 전극이고, 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)이 n형 전극일 때, 단위 광 변조기(65)는 PIN 타입의 다이오드가 될 수 있고, 반대의 경우, 단위 광 변조기(65)는 NIP 다이오드 일 수 있다.
제1 전극패드(54)은 단일층 또는 복층의 구성을 가질 수 있다. 제1 전극패드(54)가 복층이고, N형 전극패드일 때, 제1 전극패드(54)는 Ni층, Au층, Ge층, Ni층 및 Au층이 순차적으로 적층된 것일 수 있다. 또한 제1 전극패드(54)가 복층이고, P형 전극패드일 때, 제1 전극패드(54)는 Pt층, Ti층, Pt층 및 Au층이 순차적으로 적층된 것일 수 있다. 제1 전극(56)은 제1 전극 패드(54)와 동일 물질이고, 제1 전극패드(54)와 동시에 형성되므로, 제1 전극(56)의 층 구성은 제1 전극패드(54)와 동일할 수 있다. 제2 트랜치(T2)를 사이에 두고 이웃하는 제2 하부 DBR층(34b) 상에 제2 활성층(36b), 제2 상부 DBR층(38b) 및 접촉층(40)이 순차적으로 형성되어 있다. 제2 하부 DBR층(34b)의 구성은 제1 하부 DBR층(34a)과 동일할 수 있다. 제2 활성층(36b)의 구성은 제1 활성층(36a)과 동일할 수 있다. 제2 상부 DBR층(38b)의 구성은 제1 상부 DBR층(38a)과 동일할 수 있다. 제2 상부 DBR층(38b) 상에 형성된 접촉층(40) 상에 제2 전극(46) 및 제2 전극 패드(42)가 형성되어 있다. 제2 전극(46)과 제2 전극패드(42)는 단일층 또는 복층일 수 있다. 복층일 때의 층 구성은 제2 전극(46)과 제2 전극패드(42)가 P형 전극패드일 때와 N형 전극패드일 때, 다를 수 있으며, 제1 전극패드(54)의 층 구성이 준용될 수 있다. 제2 전극패드(42)와 제2 전극(46)은 필 팩터의 향상을 위해 투명한 전도체일 수도 있는데, 예를 들면 ITO(Indium Tin Oxide), ZnO, AZO(Aluminum Zinc Oxide)로 형성된 것일 수 있다. 제2 전극(46)은 절연층(48)으로 덮여 있다. 제2 전극(46) 둘레의 접촉층(40)의 상부면도 절연층(48)으로 덮여 있다. 제2 트랜치(T2)의 제2 측벽을 이루는 제2 하부 DBR층(34b), 제2 활성층(36b), 제2 상부 DBR층(38b) 및 접촉층(40)의 측면도 절연층(48)으로 덮여 있다. 제2 트랜치(T2)의 상기 제2 측벽은 상기 제1 측벽과 마주한다. 절연층(48) 상에 제2 트랜치(T2)를 채우는 부착층(50)이 존재한다. 부착층(50)은 제2 전극(46)을 덮을 수 있다. 제1 및 제2 전극패드(54, 42)는 부착층(50) 바깥에 구비되어 있다. 부착층(50)은 부착층(50) 상에 구비된 투명 기판(52)을 절연층(48)에 부착시키는데 사용된다. 부착층(50)은 입사광에 대해 투명한 광학용 에폭시층일 수 있다. 예를 들면, 부착층(50)은 850nm 파장 대역의 광에 대해 투명한 에폭시층일 수 있다. 부착층(50)의 두께는, 예를 들면 5~10㎛ 정도일 수 있다. 부착층(50) 상에 투명 기판(52)이 구비되어 있다. 투명 기판(52)은 광 변조기의 전체 구조를 지지하는 지지대 기판일 수 있다. 투명 기판(52)의 두께는, 예를 들면 200~500㎛ 정도일 수 있다. 도 2에 도시되지는 않았지만, 투명 기판(52)의 상부면에 반사 방지막이 더 구비될 수 있다. 상기 반사 방지막은 투명 기판(52)과 부착층(50) 사이에 구비될 수도 있다. 상기 반사 방지막은 850nm 파장 대역의 입사광에 대한 반사 방지막일 수 있다.
한편, 도 1 및 도 2에서 대면적 광 이미지 변조기가 복수의 단위 광 변조기(65)로 나누어지지 않고, 대면적을 갖는 하나의 광 변조기인 경우에도 부착층(50)과 투명 기판(52)은 동일하게 구비될 수도 있다.
도 3 및 도 4는 도 1의 단위 광 변조기(65)의 제2 전극의 변형예를 보여준다.
도 3을 참조하면, 부착층(40) 상에 제2 전극패드(42)와 이에 연결된 메시(mesh) 형태의 제3 전극(64)이 구비되어 있다. 이때, 제3 전극(64)의 폭은 도 1의 제2 전극(44, 46)의 폭과 동일할 수 있다. 제3 전극(64)은 도 1의 제2 전극(44, 46)과 동일한 역할을 수행할 수 있다. 도 1 내지 도 3에서 부착층(40) 상에 구비된 전극을 제2 전극패드(42)와 제2 전극(44, 46) 또는 제3 전극(64)으로 구분하였지만, 제2 전극패드(42)와 제2 전극(44, 46) 혹은 제2 전극패드(42)와 제3 전극(64)은 하나의 연결된 금속 패턴이므로, 전체가 전극이 된다.
도 4를 참조하면, 부착층(40) 상에 제2 전극패드(42)와 이에 연결된 그리드(grid) 형태의 제4 전극(66)이 구비되어 있다. 제4 전극(66)은 도 1의 제2 전극(44, 46)과 동일한 역할을 수행할 수 있다. 제4 전극(66)을 형성하는 금속 라인의 폭은 도 1의 제2 전극(44, 46)의 폭과 동일할 수 있다.
도 5는 도 1의 광 이미지 변조기 어레이에서 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)의 변형예를 보여준다. 편의 상, 부착층과 투명 기판의 도시는 생략하였다.
도 5를 참조하면, 제1 에피텍시층(32) 상에 하나의 제5 전극패드(74)와 이에 연결된 제5 전극(72)이 구비되어 있다. 제5 전극패드(74)와 제5 전극(72)은 n형 전극 패드와 n형 전극이지만, p형 전극 패드와 p형 전극이 될 수도 있다. 곧, 제5 전극패드(74)와 제5 전극(72)는 도 1의 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)과 동일하게 활용될 수 있다. 제5 전극(72)은 광 변조기 어레이 둘레를 따라 형성되어 있고, 제1 및 제2 트랜치(T1, T2)에도 형성되어 있다. 따라서 제5 전극(72)은 단위 광 변조기 하나하나를 둘러싸는 형태가 된다. 제5 전극(72)과 제5 전극패드(74)는 어레이를 이루는 복수의 단위 광 변조기(65)에 대한 공통 전극이 된다.
도 6은 도 5를 6-6’방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 6을 참조하면, 제5 전극(72)은 제1 트랜치(T1)의 바닥 상에 구비된 것을 볼 수 있다. 또한 제1 에피텍시층(32) 상에 적층된 물질층들(34a, 34b, 36a, 36b, 38a, 38b, 40)과 제5 전극(72) 사이에 절연층(48)이 존재하는 것을 알 수 있다. 따라서 제5 전극(72)은 적층된 물질층들(34a, 34b, 36a, 36b, 38a, 38b, 40)과 전기적으로 접촉되지 않는다.
도 7은 도 1의 광 이미지 변조기에서 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)에 대한 다른 변형예를 보여준다.
도 7을 참조하면, 광 변조기 어레이 둘레의 제1 에피텍시층(32) 상에 제6 전극(82)과 이에 연결된 제6 전극패드(84)가 구비되어 있다. 제6 전극(82)은 광 변조기 어레이를 완전히 둘러싸도록 구비될 수 있고, 광 변조기 어레이 둘레의 제1 에피텍시층(32)의 대부분의 영역을 덮도록 구비될 수 있다. 제6 전극(82)은 도 6에 도시한 제5 전극(72)처럼 제1 에피텍시층(32) 상에 형성된 물질층들과 전기적으로 절연된다. 제6 전극패드(84)는 제1 에피텍시층(32)의 네 모서리 영역에 각 하나씩 구비될 수 있다.
도 1, 도 5 및 도 7에 도시한 바와 같은 제1 전극(56), 제5 전극(72) 및 제 6 전극(82)이 구비되고, 도 1, 도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이 제2 전극패드(42)와 전극들(64, 66)이 구비됨으로써, 전극의 접촉층(40)의 면저항을 줄일 수 있고, 대면적의 광 이미지 변조기를 복수의 단위 광 변조기로 분할하여 구성함으로써, 정전용량을 줄일 수도 있는 바, 대면적의 광 이미지 변조기를 고속으로 동작시키면서 응답 균일성도 향상시킬 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 의한 대면적 광 이미지 변조기를 보여준다. 편의 상, 도 8에서 부착층과 투명 기판은 생략하였다.
도 8에 도시한 광 이미지 변조기의 구성은 복수의 단위 광 변조기(셀)의 어레이에서 단위 광 변조기의 배치가 다른 것을 제외하고, 도 1과 동일할 수 있다. 또한 도 3 내지 도 7의 설명도 도 8에 그대로 적용될 수 있다.
도 8을 참조하면, 제1 내지 제3 단위 광 변조기(1, 2, 3)가 동일한 제1 열(column)을 이루고, 제4 내지 제6 단위 광 변조기(4, 5, 6)가 제2 열을 이룬다. 각 열의 제1 내지 제6 단위 광 변조기 사이에는 제3 트랜치(T3)가 형성되어 있다. 제3 트랜치(T3)의 폭은, 예를 들면 10㎛~30㎛ 정도일 수 있다. 제1 열의 단위 광 변조기들(1-3)과 제2 열의 단위 광 변조기들(4-6)은 좌우 대칭을 이룰 수 있다. 제1 열과 제2 열 사이에 제7 및 제8 단위 광 변조기(7, 8)가 구비되어 있고, 열을 이룬다. 제1 내지 제8 단위 광 변조기(1-8)의 각각의 구성은 도 1의 단위 광 변조기(65)와 동일할 수 있다. 제8 단위 광 변조기(8)는 제3 단위 광 변조기(3)를 시계 방향으로 90도 회전하거나 제6 단위 광 변조기(6)를 시계 반대 방향으로 90도 회전한 형태일 수 있다. 제3 단위 광 변조기(3)와 제8 단위 광 변조기(8)의 구성과 모양은 동일할 수 있지만, 전체 사이즈는 서로 다를 수 있다. 제7 단위 광 변조기(7)는 제1 단위 광 변조기(1)를 시계 반대 방향으로 90도 회전하거나 제4 단위 광 변조기(4)를 시계 방향으로 90도 회전한 형태일 수 있다. 하나의 열을 이루는 제7 및 제8 단위 광 변조기(7, 8)와 상기 제1 및 제2 열의 단위 광 변조기(1-6) 사이에 제4 트랜치(T4)가 존재한다. 또한 제7 단위 광 변조기(7)와 제8 단위 광 변조기(8) 사이에 제5 트랜치(T5)가 존재한다. 제4 및 제5 트랜치(T4, T5)의 폭은 제3 트랜치(T3)와 동일할 수 있다. 제3 내지 제5 트랜치(T3-T5)의 목적과 형성 특성은 도 2의 제2 트랜치(T2)와 동일할 수 있다. 복수의 단위 광 변조기(1-8)를 이와 같이 좌우상하로 대칭이 되도록 형성함으로써, 각 단위 광 변조기의 제2 전극패드(42)와 제2 전극패드(42)로부터 가장 멀리 위치한 제2 전극(46) 사이의 거리가 짧아질 수 있는 바, 광 변조기의 응답 속도가 더욱 빨라질 수 있다.
각 단위 광 변조기의 제2 전극패드(42)에 대해 2개의 전극(92, 94)이 대응된다. 2개의 전극(92, 94)은 제2 전극패드(42)을 중심으로 서로 마주한다. 2개의 전극(92, 94)은 도 1의 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)와 동일한 역할을 수행한다. 2개의 전극(92, 94)은 제7 전극(92)과 제8 전극(94)이다. 제3 단위 광 변조기(3)의 제2 전극패드(42)에 대응하는 2개의 전극(92, 94) 중 제8 전극(94)은 제8 단위 광 변조기(8)의 제2 전극패드(42)에 대응하는 2개의 전극(92, 94) 중 제7 전극(92)에 연결된다. 그리고 제8 단위 광 변조기(8)의 제2 전극패드(42)에 대응하는 제8 전극(94)은 제6 단위 광 변조기(6)의 제2 전극패드(42)에 대응하는 제7 전극(92)에 연결된다. 제1 단위 광 변조기(1)의 제2 전극패드(42)에 대응하는 제7 전극(92)은 제7 단위 광 변조기(7)의 제2 전극패드(42)에 대응하는 제8 전극(94)과 연결된다. 제7 단위 광 변조기(7)의 제2 전극패드(42)에 대응하는 제7 전극(92)은 제4 단위 광 변조기(4)의 제2 전극패드(42)에 대응하는 제8 전극(94)에 연결된다.
도 9는 인쇄회로기판을 통한 본 발명의 일 실시예에 의한 대면적 광 이미지 변조기와 구동소자의 연결을 보여준다.
도 9에 도시한 광 이미지 변조기의 전체 면적은 4mm x 3mm ~ 8mm x 6mm 정도이다. 그리고 광 이미지 변조기에 포함된, 어레이를 이루는 복수의 단위 광 변조기 각각의 면적은, 예를 들면 3mm x 0.5mm 정도이다.
이와 같이 각각의 단위 광 변조기(65)의 면적이 작기 때문에, 커패시턴스를 줄일 수 있고, 또한 단위 광 변조기(65)와 구동소자(70)는 일대 일로 대응된다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기는 대면적임에도 불구하고 고속구동시킬 수 있을 뿐만 아니라 주파수 응답 균일성도 높일 수 있다.
도 9에서 단위 광 변조기(65)는 제2 전극패드(42)와 짝을 이루는 제9 전극패드(102)를 포함한다. 제9 전극패드(102)는 제2 전극(44, 46)을 둘러싸는 제9 전극(102E)에 연결된다. 제9 전극패드(102)와 제9 전극(102E)은 도 1의 제1 전극패드(54)와 제1 전극(56)와 동일한 역할을 수행할 수 있다. 단위 광 변조기(65)에서 제2 전극패드(42)와 제2 전극(44, 46)은 도 3 또는 도 4에 도시한 바와 같은 형태일 수 있다. 복수의 단위 광 변조기(65)은 2열 Y행으로 배열되어 있다. 여기서 “Y”은 1 이상일 수 있고, 행의 수(Y값)는 대면적 광 이미지 변조기의 전체 면적과 단위 광 변조기의 면적과 필 팩트 등을 고려하여 적절히 정해질 수 있다. 회로가 복잡해지는 것과 각 단위 광 변조기(65) 사이의 주파수 응답 균일성이 다소 저하되는 것을 고려할 수 있다면, 복수의 단위 광 변조기(65)를 2열 이상으로 배열할 수도 있다. 도 9에는 편의 상 부착층(50)은 도시하지 않았다. 복수의 단위 광 변조기(65)는 제1 에피텍시층(32) 상에 배열되어 있다. 광 이미지 변조기(100)는 인쇄회로 기판(Printed Circuit Board)(108) 상에 장착되어 있다. 복수의 단위 광 변조기(65)는 인쇄회로 기판(108) 상에 형성된 복수의 구동 소자들(70) 사이에 위치한다. 단위 광 변조기(65)를 수십 MHz, 예를 들면 20MHz 이상으로 구동할 경우, 수십 mA의 전류가 발생할 수 있다. 그러므로 복수의 구동소자(70)는 비교적 높은 전류를 제어할 수 있고, 사각파(square wave)의 발생이 가능한 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)일 수 있다. 그러나 구동소자(70)는 MOSFET로 제한되지 않는다. 복수의 구동 소자(70)는 복수의 단위 광 변조기(65) 양측으로 1열씩 총 2열로 정렬되어 있고, 각 열의 행의 수는 복수의 단위 광 변조기(65)의 행의 수와 동일하다. 결과적으로, 복수의 단위 광 변조기(65)는 구동소자(70)와 일대 일로 대응한다. 각 단위 광 변조기(65)와 각 구동소자(70) 사이의 이격거리는 일정하고, 가능한 짧을 수 있다. 각 구동소자(70)와 각 단위 광 변조기(65) 사이에 제1 및 제2 본딩패드(P1, P2)가 존재한다. 제1 및 제2 본딩 패드(P1, P2)는 인쇄회로 기판(108) 상에 형성된다. 제1 본딩패드(P1)는 각 단위 광 변조기(65)의 제2 전극 패드(42)와 대응한다. 제2 본딩 패드(P2)는 각 단위 광 변조기(65)의 제9 전극 패드(102)와 대응한다. 제1 본딩패드(P1)와 제2 전극패드(42) 사이의 거리와 제2 본딩 패드(P2)와 제9 전극 패드(102) 사이의 거리는 동일할 수 있다. 제1 전극패드(P1)는 구동소자(70)와 연결되어 있다. 따라서 구동소자(70)는 제1 전극 패드(P1)를 거쳐 제2 전극 패드(42)에 연결된다. 각 단위 광 변조기(65)의 제9 전극 패드(102)는 접지된 배선(L1)에 공통으로 연결되어 있다. 각 단위 광 변조기(65)는 TTL 수준의 저 전류전압 제어에 의해 일괄 구동될 수 있다.
도 9에서 각 단위 광 변조기(65)는 독립된 구동소자(70)와 일대 일로 대응한다. 따라서 각 단위 광 변조기(65)는 개별 구동될 수 있다. 또한, 각 구동 소자(70)와 각 단위 광 변조기(65) 사이의 전기적 배선은 동일한 조건으로 형성되어 각 단위 광 변조기(65) 사이에 위상 지연 차이는 최소화될 수 있다. 이러한 결과로, 각 단위 광 변조기(65)는 동일한 조건에서 일괄적으로 구동될 수 있는 바, 각 단위 광 변조기(65)는 동일하게 고속 구동될 수 있고, 균일한 주파수 응답 특성을 가질 수 있다. 이에 따라 대면적을 갖는 광 이미지 변조기(100)는 전체적으로 고속 구동될 수 있고, 각 영역에 따른 주파수 응답 특성도 균일할 수 있다.
한편, 인쇄회로 기판(108) 상에서 신호선과 접지선 등과 같은 모든 배선은 50Ω 조건을 따르는 마이크로 스트립(micro-strip), 커플러(coupler)의 설계에 기반을 둔다. 또한 인쇄회로 기판(108) 상의 전기적 배선에 있어서 직각으로 꺾여진 부분은 라운드(round) 처리를 하여 RF 손실을 최소화 한다. 만약 여러 개의 MOSFET가 내장된 다중 구동소자를 사용하는 경우, 상기 구동소자와 각 단위 광 변조기 사이의 배선 길이가 다르기 때문에, 이를 보상하기 위한 시간 지연 요소(예컨대, 요철 모양으로 전기 배선의 길이를 길게 한 것)를 추가하여 동일한 전기적 구동 조건이 되도록 튜닝(Tuning)할 수 있다.
또한 도 8의 경우처럼, 단위 광 변조기가 상하좌우 대칭이 되도록 구비된 경우, MOSFET 구동기도 단위 광 변조기와 일대 일 대응이 되도록 상하좌우로 배치할 수 있다. 이때, 제1 에피텍시층(32) 상에 형성되는 전극, 예컨대 N 전극은 복수의 단위 광 변조기에 대해 공통으로 구성하여 개별 제2 전극패드(42)에 TTL 수준의 입력에 대해서 최대 역방향 바이어스 전압(VL:-5V ~ -10V)이 ON/OFF 되도록 한다.
도 10은 도 9를 10-10’방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 10을 참조하면, 제2 전극 패드(42)와 제1 본딩 패드(P1)는 제1 와이어(104)로 본딩되어 있다. 제9 전극 패드(102)와 제2 본딩 패드(P2)는 제2 와이어(106)로 서로 본딩되어 있다. 구동소자(70)와 제1 및 제2 본딩 패드(P1, P2)는 인쇄회로 기판(108) 상에 형성된 배선(미도시)을 통해 연결된다. 인쇄회로 기판(108)은 기판(30)의 오픈된 영역(A1)에 대응하는 위치에 관통홀(H1)을 갖는다. 관통홀(H1)의 직경은 기판(30)의 오픈된 영역(A1)의 직경보다 클 수 있다. 기판(30)의 오픈된 영역(A1)의 경계는 관통홀(H1)의 경계 안쪽에 위치한다. 베이스 기판(30)은 인쇄회로 기판(108)의 관통홀(H1) 둘레에 부착되어 있다. 베이스 기판(30)과 인쇄회로 기판(108)은 금속 페이스트(metal paste)(112)로 부착되어 있다. 금속 페이스트(112)는 저온 공정으로 형성될 수 있는 것으로, 예를 들면 200℃이하에서 형성될 수 있는 실버 페이스트(silver paste)일 수 있다.
금속 페이스트(112)를 이용한 광 이미지 변조기와 인쇄회로기판(108)의 부착과정은 비고형 금속 페이스트를 인쇄회로기판(108)의 정해진 부위에 도포한 후, 도포된 비고형 금속 페이스트를 매개로 광 이미지 변조기를 인쇄회로기판(108)에 부착한 다음, 그 상태로 150℃에서 1시간 정도 베이크하여 수행할 수 있다. 이 결과, 금속 페이스트(112)를 매개로 해서 인쇄회로기판(108)에 광 이미지 변조기가 부착된다.
계속해서, 단위 광 변조기(65) 사이에는 제2 트랜치(T2)가 존재하고, 제2 트랜치(T2)의 측벽은 절연층(48)으로 덮여 있으며, 바닥 상에 제9 전극(102E)이 형성되어 있다. 참조번호 120은 하부 DBR층, 활성층 및 상부 DBR층을 포함하는 에피텍셜 성장된 적층물을 나타낸다.
도 11은 인쇄회로기판을 통한 본 발명의 일 실시예에 의한 광 이미지 변조기와 구동소자의 연결에 대한 다른 실시예를 보여준다. 구동소자(70)와 각 단위 광 변조기(65)의 연결과 관련된 부분을 제외한 나머지 구성은 도 9와 동일할 수 있다.
도 11을 참조하면, 인쇄회로기판(108)에는 제2 전극패드(42)와 구동소자(70)의 연결을 위한 본딩패드와 제9 전극패드(102)와 배선(L1)의 연결을 위한 본딩패드가 구비되어 있지 않다. 곧, 구동소자(70)와 제2 전극패드(42) 및 배선(L1)과 제9 전극패드(102)는 본딩패드 없이 배선으로 연결되어 있다. 투명 기판(52)은 그 아래의 대면적 광 이미지 변조기(100)의 성분 모두를 덮고, 광 이미지 변조기(100) 둘레의 인쇄회로기판(108)의 일부도 덮는다. 도 11에서 투명 기판(52)의 면적은 도 9의 경우보다 훨씬 넓다. 투명 기판(52)은 유리기판, 사파이어 기판, 실리콘 산화물 기판, 실리콘 카바이드(SiC) 기판 등일 수 있다.
도 12는 도 11을 12-12’방향으로 절개한 단면을 보여준다.
도 12를 참조하면, 제9 전극패드(102)는 제2 전극패드(42)와 동일한 높이로 구비되어 있다. 이를 위해 제9 전극패드(102)와 제1 에피텍시층(32) 사이에는 절연층(124)이 형성되어 있다. 제9 전극(102E)은 절연층(124)의 측면을 따라 확장되어 제9 전극패드(102)에 연결되어 있다. 절연층(124)은, 예를 들면 BCB(Benzocyclobutene)층일 수 있다. 제2 전극패드(42)와 제9 전극패드(102) 상에 각각 금속 범프(metal bump)(126)가 존재한다. 금속범프(126)는, 예를 들면 솔더 범프(solder bump)일 수 있다. 부착층(50) 둘레의 투명 기판(52)의 밑면에 제3 및 제4 배선(128, 130)이 형성되어 있다. 제3 및 제4 배선(128, 130)은 부착층(50)과 이격되어 있다. 제3 배선(128)의 일단은 제2 전극패드(42) 상에 형성된 금속 범프(126)에 연결되어 있고, 타단은 인쇄회로기판(108) 상의 구동소자(70)에 연결되어 있다. 제4 배선(130)의 일단은 제9 전극패드(102) 상에 형성된 금속 범프(126)에 연결되고, 타단은 인쇄회로기판(108) 상의 배선(L1)에 연결된다. 인쇄회로기판(108)에는 투명 기판(52) 아래의 광 이미지 변조기 성분들이 위치하는 관통홀(H2)이 형성되어 있다. 투명 기판(52)은 인쇄회로기판(108)의 관통홀(H2) 둘레의 영역에 부착되는 바, 투명 기판(52)은 구조적으로 대면적 광 이미지 변조기를 지지하는 역할을 한다. 투명 기판(52)과 인쇄회로기판(108) 사이에는 제3 및 제4 배선(128, 130)이 존재한다.
다음은 본 발명의 일 실시예에 의한 대면적 광 이미지 변조기의 제조방법을 도 13 내지 도 19를 참조하여 설명한다. 본 제조 방법에 대한 설명은 도 1의 2-2’방향으로 절개한 단면을 통해 볼 수 있는 광 이미지 변조기에 대한 제조방법이다.
앞서 설명에서 언급된 부재에 대해서는 동일한 참조번호(부호)를 사용하고 그에 대한 설명은 생략한다.
도 13을 참조하면, 베이스 기판(30) 상에 제1 에피텍시층(32)을 형성한다. 제1 에피텍시층(32)은 후속 건식식각 및 습식식각에서 높은 식각 선택비를 갖는 투명 물질층일 수 있는데, 예를 들면 InGaP층일 수 있다. 제1 에피텍시층(32)의 용도에 따라 제1 에피텍시층(32)에 N형 불순물, 예컨대 Si 또는 P형 불순물, 예컨대 Be을 도핑할 수 있고, 도핑농도는 상술한 바와 같다. 제1 에피텍시층(32)은 소정의 광학 두께로 형성할 수 있는데, 예를 들면 4λ의 두께로 형성할 수 있다. 여기서 λ는 입사광의 파장이다. 제1 에피텍시층(32) 상에 제2 에피텍시층(130)을 형성한다. 제2 에피텍시층(130)은 도 2에 도시한 바와 같은 제1 하부 DBR층(34a), 제1 활성층(36a) 및 제1 상부 DBR층(38a)을 순차적으로 적층하여 형성할 수 있다. 제2 에피텍시층(130) 상에 전극 접촉층(40)을 형성한다. 접촉층(40)은 화합물 반도체층일 수 있는데, 예를 들면 GaAs층일 수 있다. 접촉층(40)의 용도에 따라 접촉층(40)에 P형 불순물 또는 N형 불순물이 도핑될 수 있다. 따라서 접촉층(40)은 P형 접촉층이 될 수도 있고, N형 접촉층이 될 수도 있다. 접촉층(40) 상에 단위 광 변조기 영역을 한정하는 마스크(M1)를 형성한다. 마스크(M1)는 감광막 패턴일 수 있다.
마스크(M1)를 형성한 후, 마스크(M1) 둘레의 접촉층(40) 및 제2 에피텍시층(132)을 순차적으로 식각한다. 이때, 식각은 ICP 건식식각 방식을 이용한 메사 식각(mech etching)일 수 있다. 상기 식각에서 가스로 SiCl4와 Ar 가스가 사용될 수 있다. 상기 식각은 제1 에피텍시층(32)이 노출될 때까지 실시한다. 상기 식각 결과, 도 14에 도시한 바와 같이, 제1 에피텍시층(32) 상에 분리된 제2 에피텍시층(132)이 형성되고, 제2 에피텍시층(132) 사이에는 제2 트랜치(T2)가 형성된다. 상기 식각후, 마스크(M1)를 제거한다.
도 15를 참조하면, 제2 에피텍시층(132) 둘레의 제1 에피텍시층(32) 상에 제1 전극패드(54)를 형성한다. 제1 전극패드(54)는 제2 에피텍시층(132)과 이격되게 형성한다. 제1 전극패드(54)를 형성하는 과정에서 제2 트랜치(T2) 바닥 상에 제1 전극패드(54)에 연결되는 제1 전극을 형성할 수도 있다. 이때, 상기 제1 전극은 제2 에피텍시층(132)과 이격되게 형성한다.
다음, 도 16을 참조하면, 접촉층(40) 상에 제2 전극패드(42)와 이에 연결되는 제2 전극(46)을 형성한다. 이어서, 제1 에피텍시층(32) 상에 제1 및 제2 전극패드(54, 42) 및 제2 전극(46)을 덮는 절연층(48)을 형성한다. 절연층(48)은 실리콘 산화물층 또는 실리콘 질화물층으로 형성할 수 있다. 이어서, 도 17에 도시한 바와 같이, 절연층(48)에서 제1 및 제2 전극패드(54, 42)를 덮는 부분을 제거하여 제1 및 제2 전극패드(54, 42)를 노출시킨다.
도 17의 (b)는 (a)의 평면도이고, (a)는 (b)를 17-17’방향으로 절개한 단면도이다. 도 18 및 도 19도의 (a) 및 (b)도의 관계도 동일하다.
다음, 도 18을 참조하면, 절연층(48) 상에 제2 트랜치(T2)를 채우는 부착층(50)을 5~ 10㎛ 정도의 두께로 형성한다. 부착층(50)은 소정의 파장, 예컨대 850nm 파장의 입사광에 대해 투명하고, 소정의 온도까지, 예를 들면 300℃까지 견딜 수 있는 물질층일 수 있는데, 예를 들면 에폭시층일 수 있다. 부착층(50) 상에 투명 기판(52)을 형성한다. 투명 기판(52)은 후속 공정에서 기판(30)에 형성될 오픈 영역, 곧 광 방출영역의 사이즈를 고려하여 적어도 상기 광 방출영역의 면적보다 넓은 면적을 가질 수 있다.
도 19를 참조하면, 투명 기판(52)을 형성한 다음, 베이스 기판(30)의 일부를 제거하여 오픈된 영역(A1)을 형성한다. 오픈된 영역(A1)은 제1 에피텍시층(32)의 밑면의 일부가 노출되는 관통홀이며, 제1 에피텍시층(32) 상에 형성된 복수의 단위 광 변조기(65)에 입사되어 변조된 광이 방출되는 영역이다. 베이스 기판(30)의 일부는 습식식각을 이용하여 제거할 수 있다. 이때, 베이스 기판(30)의 위쪽 부분, 곧 베이스 기판(30) 상에 적층된 적층물은 기계적으로 밀봉되고, 베이스 기판(30)만 상기 습식식각의 대상이 된다. 베이스 기판(30)의 관통홀이 형성될 부분을 한정한 다음, 상기 습식식각을 수행한다. 상기 습식식각은, 예를 들면 GaAs 기판의 식각에 사용되는 식각용액(etchant)을 사용할 수 있다. 상기 식각용액으로 NH4OH:H2O2:H2O를 1:1:5의 비율로 혼합한 용액일 수 있다. 이러한 습식식각은 베이스 기판(30)에 원하는 사이즈의 오픈된 영역(A1)이 형성될 때까지 실시할 수 있다. 상기 식각용액에 대한 제1 에피텍시층(32)의 식각 선택비는 10,000:1 정도로 낮으므로, 오픈된 영역(A1)이 형성될 때까지 상기 습식식각을 실시하더라도 제1 에피텍시층(32)은 거의 식각되지 않는다.
도 20은 본 발명의 실시예에 의한 광학장치의 시스템 구성과 동작 과정을 보여준다. 도 20의 광학장치는 거리측정용 카메라일 수 있다.
도 20을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 광학장치는 광원(710), 광원 드라이버(720), 광 변조기 드라이버(740), 카메라 컨트롤러(730), 광 이미지 센서(750), 제1 및 제2 렌즈(LZ1, LZ2), 필터(780), 광 변조기(770)를 포함할 수 있다. 제1 렌즈(LZ1), 필터(780), 광 변조기(770), 제2 렌즈(LZ2) 및 광 이미지 센서(750)은 일렬로 배열될 수 있고, 동일 광축 상에 있을 수 있다. 광원(710)은, 예를 들면 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD)일 수 있다. 광원(710)으로부터 피사체(700)에 조사되는 조사광(TL)이 방출된다. 이때, 조사광(TL)은 소정의 파장을 갖는 광, 예를 들면 850nm의 적외선일 수 있다. 조사광(TL)은 펄스파 또는 사인파 형태로 조사될 수 있다. 광원(710)은 광원 드라이버(720)에 의해 제어된다. 광원 드라이버(720)의 동작은 카메라 컨트롤러(730)에 의해 제어된다. 광 변조기(770)의 동작은 광 변조기 드라이버(740)를 통해 카메라 컨트롤러(730)에 의해 제어된다. 카메라 컨트롤러(730)는 광 변조기 드라이버(740)와 광 이미지 센서(750)의 동작을 제어한다. 광 이미지 센서(750)는, 예를 들면 CCD나 CMOS일 수 있다. 제1 렌즈(LZ1)는 피사체(700)로부터 반사되어 오는 반사광(RL)을 필터(780)에 입사되기에 적합하게 모아준다. 필터(780)는 반사광(RL) 중에서 조사광(TL)을 제외한 잡광을 제거하기 위한 대역필터로써, 예를 들면 IR 대역 필터일 수 있다. 제2 렌즈(LZ2)는 광 변조기(770)로부터 방출되는 광을 광 이미지 센서(750)로 집광시키는 역할을 한다. 광 변조기(770)는 상술한 본 발명의 일 실시예에 의한 대면적의 투과형 광 이미지 변조기일 수 있다.
광 변조기(770)은 입사되는 입사광(L11)을 전기적 게이트 신호에 따라 ON/OFF하는 논리 게이팅(Logic gating) 방식으로 게이팅 될 수 있다. 또한 광 변조기(770)는 이득을 사인 함수로 게이팅 할 수도 있다. 상기 논리 게이팅 방식은 상관법에 의한 거리 측정을 가능하게 한다. 그리고 상기 이득 게이팅의 경우, 자기 믹싱(Self-mixing) 방법에 의해 조사광(TL)과 입사광(L11) 사이의 위상지연을 측정할 수 있는 바, 위상지연 측정방법을 통한 거리측정이 가능할 수 있다.
광 변조기(770)를 통과한 광(L22)은 제2 렌즈(LZ2)를 거쳐 광 이미지 센서(750)에 입사된다. 제2 렌즈(LZ2)는 선택적으로 구비될 수 있다. 곧, 제2 렌즈(LZ2)는 생략될 수도 있다. 광 이미지 센서(750)가 CCD일 때, 광 이미지 센서(750)는 카메라 컨트롤러(730)의 제어하에서 고속으로 게이팅된 누적 광량을 일정 주기 동안 적분하여 누적된 밝기 영상을 컴퓨터로 출력하게 된다. 이러한 광 변조기(770)를 이용한 거리 측정방법은 기존의 2차원 광 이미지 센서인 CCD와 CMOS를 활용할 수 있기 때문에, 고해상도의 거리 영상을 획득하는데 유리할 수 있다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
1-8:제1 내지 제8 단위 광 변조기 30:베이스 기판
32, 132:제1 및 제2 에피텍시층 34a, 34b:제1 및 제2 하부 DBR층
36a, 36b:제1 및 제2 활성층 38a, 38b:제1 및 제2 상부 DBR층
40:전극 접촉층 42, 54:제1 및 제2 전극패드
44:제2 전극의 수평성분 46:제2 전극의 수직성분
50:부착층 52:투명 기판
56:제1 전극 65:단위 광 변조기
65A:몸체 65B:돌출된 부분
72, 82, 92, 94, 102E:제5 내지 제9 전극
70:구동소자 74, 84:제5 및 제6 전극패드
100:대면적 광 이미지 변조기 102:제9 전극패드
104, 106:제1 및 제2 와이어 108:인쇄회로기판
124:절연체 126:금속 범프
128, 130:제3 및 제4 배선
A1:베이스 기판의 오픈된 영역(광 방출영역)
L1:배선 M1:마스크
P1, P2:제1 및 제2 본딩패드 T1-T4:제1 내지 제4 트랜치
32, 132:제1 및 제2 에피텍시층 34a, 34b:제1 및 제2 하부 DBR층
36a, 36b:제1 및 제2 활성층 38a, 38b:제1 및 제2 상부 DBR층
40:전극 접촉층 42, 54:제1 및 제2 전극패드
44:제2 전극의 수평성분 46:제2 전극의 수직성분
50:부착층 52:투명 기판
56:제1 전극 65:단위 광 변조기
65A:몸체 65B:돌출된 부분
72, 82, 92, 94, 102E:제5 내지 제9 전극
70:구동소자 74, 84:제5 및 제6 전극패드
100:대면적 광 이미지 변조기 102:제9 전극패드
104, 106:제1 및 제2 와이어 108:인쇄회로기판
124:절연체 126:금속 범프
128, 130:제3 및 제4 배선
A1:베이스 기판의 오픈된 영역(광 방출영역)
L1:배선 M1:마스크
P1, P2:제1 및 제2 본딩패드 T1-T4:제1 내지 제4 트랜치
Claims (39)
- 베이스 기판;
상기 베이스 기판 상에 형성된 제1 에피텍시층;
상기 제1 에피텍시층 상에 형성된 제2 에피텍시층;
상기 제1 에피텍시층 상에 형성되고, 상기 제2 에피텍시층과 이격된 제1 전극;
상기 제2 에피텍시층 상에 형성된 제2 전극; 및
상기 제2 에피텍시층과 상기 제2 전극을 덮는 투명기판;을 구비하고,
상기 베이스 기판은 광 방출영역에 대응하는 관통홀을 가지며,
상기 제1 에피텍시층은 건식 및 습식식각에 대한 식각 저지층인 투과형 광 이미지 변조기. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1 에피텍시층은 N형 또는 P형 도핑 물질을 포함하는 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 에피텍시층은,
어레이를 이루는 복수의 분할된 층을 포함하고,
상기 복수의 분할된 층 각각에 상기 제2 전극이 구비된 투광형 광 이미지 변조기. - 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 제2 에피텍시층은,
순차적으로 적층된 하부 DBR층, 활성층, 상부 DBR층 및 접촉층을 포함하는 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 에피텍시층을 덮고, 상기 제2 전극의 일부를 덮는 투명한 절연층이 존재하고, 상기 투명기판은 상기 절연층 상에 구비된 투과형 광 이미지 변조기. - 제 6 항에 있어서, 상기 절연층과 상기 투명기판 사이에 부착층이 더 구비된 투과형 광 이미지 변조기.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제1 및 제2 전극 중 하나는 N형 전극이고, 나머지는 P형 전극인 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제2 에피텍시층의 일부의 적어도 한 변 또는 상기 제2에피텍시층의 전체의 적어도 한 변을 둘러싸도록 구비된 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제2 전극은 물고기 뼈(fish bone) 형태, 메시(mesh) 형태 또는 그리드(grid) 형태인 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 상기 제2 전극과 같은 높이를 갖는 투과형 광 이미지 변조기. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1 전극과 상기 제1 에피텍시층 사이에 절연층이 더 구비된 투과형 광 이미지 변조기. - 제 5 항에 있어서,
상기 접촉층은 화합물 반도체층이고, N형 또는 P형 도핑된 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 에피텍시층은 InGaP층인 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명기판은 850nm 파장의 입사광에 대해 투명한 기판인 광 이미지 변조기. - 제 1 항에 있어서,
상기 투명기판은 광 반사 방지막으로 코팅된 투과형 광 이미지 변조기. - 제 4 항에 있어서,
상기 복수의 분할된 층들은 좌우대칭 또는 상하좌우 대칭의 어레이를 이루는 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 베이스 기판은 인쇄회로기판에 장착되고,
상기 인쇄회로기판은 상기 제2 전극과 일대 일로 연결되는 구동소자를 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 인쇄회로기판을 통해 접지되고,
상기 인쇄회로기판은 상기 베이스 기판의 관통홀에 대응하는 관통홀을 포함하는 투과형 광 이미지 변조기. - 제 18 항에 있어서,
상기 베이스 기판과 상기 인쇄회로기판은 금속 페이스트를 사용하여 본딩된 투과형 광 이미지 변조기. - 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서,
상기 투명기판은 전기적으로 인쇄회로기판에 접촉되고,
상기 인쇄회로기판은 상기 제2 전극과 일대 일로 연결되는 구동소자를 포함하고,
상기 제1 전극은 상기 인쇄회로기판을 통해 접지되고,
상기 인쇄회로기판은 상기 베이스 기판이 관통하는 관통홀을 포함하는 투과형 광 이미지 변조기. - 제 20 항에 있어서,
상기 투명기판의 밑면에 상기 구동소자에 연결되는 배선과 접지되는 배선이 구비되고,
상기 배선과 상기 제1 및 제2 전극은 플립칩 본딩된 투과형 광 이미지 변조기. - 광원, 광원 드라이버, 렌즈, 광 변조기, 광 변조기 드라이버, IR 대역필터, 이미지 센스를 포함하여 거리측정에 사용되는 광학장치에 있어서,
상기 광 변조기는 청구항 1의 광 변조기인 광학장치. - 삭제
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