JPH0394169A - 半導体容量式加速度センサとその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野コ 本発明は半導体容量式の加速度センサに係り、特に、低
レベル（○〜±ＩＧ）低周波（Ｏ〜１ｏ１｛ｚ）の加速
度を高精度に検出するに好適な加速度センサとこれを使
用した制御装置等に関する。

［従来の技術］ 加速度センサは、加速度の検出部と、該検出部で検出し
た信号を処理する信号処理部とを近在あるいは一体化さ
せて構成するのが好ましい。従来の加速度センサとして
、例えば特開昭６３−８１２７４号公報記載のものは、
絶縁基板の一端側に加速度に応動するウェート部をエッ
チング加工し、該絶縁基板の他端側表面に信号処理用の
回路パターンを印刷技術で形成すると共に、一緒に歪ゲ
ージをウェート部を支えるビーム部分に形成し、前記回
路パターンに電子部品を搭載するようにしている。

［発明が解決しようとする課題］ 上述した従来の加速度センサは、歪ゲージ式というもの
で、ウェート部の移動によりビーム部の受ける歪に応じ
た信号（圧電効果により表れる電圧信号）を歪ゲージで
検出し、これを電子回路で処理するものである。この歪
ゲージ式は、あまり高感度ではなく、低レベル（０〜±
１Ｇ），低周波数（Ｏ〜１０Ｈｚ）の加速度を高精度に
検出することはできない。尚、１Ｇは、９．８ｍ／ｓ２
である。

低レベル低周波の加速度を高精度に検出できる加速度セ
ンサとして、半導体容量式の加速度センサがある。この
半導体容量式の加速度センサでは、半導体基板をエッチ
ング加工してウェート部を造り、該ウェート部を電極板
間に介在させ、ウェート部の移動によって生じる電極一
ウェート部間の静電容量の変化を検出する方式を採用し
ている。

しかし、この半導体容量式加速度センサは、加速度によ
る微小な静電容量の変化を測定するため、検出部と信号
処理部との間の配線長や、信号処理部内の回路配線の持
つ寄生容量や、この寄生容量の変動等の影響を受け易く
、加速度の大きさにょって静電容量の測定精度が変動し
たり、外来雑音が配線にのって信頼性を低下させるとい
う問題がある。そこで、検出部一信号処理部間の配線長
を短くしたり信号処理部回路内部の配線長を短くしなけ
ればならない要請が上記の従来技術より高い。

しかし、上記従来技術のように、基板の一端側表面に回
路パターンを印刷し此処に電子部品を搭載する構成だけ
では、歪ゲージ式加速度センサには有効であるが、半導
体容量式加速度センサではまだ不十分である。しかも、
搭載電子部品の質量が大きいと、この電子部品により構
成される信号処理部の固有の機械的振動が検出部の方に
伝播し易く、真の加速度の検出を妨げるという問題もあ
る。

本発明の目的は、低レベル低周波の加速度でも信頼性良
くしかも高精度に検出することができる半導体容量式加
速度センサとその製造方法を提供し、併せて、この半導
体容量式加速度センサを使用した制御装置を提供するこ
とにある。

［課題を解決するための手段コ 上記目的のうち、半導体容量式加速度センサは、信号処
理部を半導体集積回路で構成し、該半導体集積回路を搭
載した半導体基板を、加速度センサを構成する基板のｌ
っとすることで、あるいは、センサの検出部と半導体集
積回路製信号処理部とを別体とするもこれを同一ステム
上に近接配置することで、達威される。

上記目的のうち、制御装置は、加速度センサとして上記
半導体容量式加速度センサを用い、該センサの検出した
加速度の大きさや加速度の有無により、各制御を行わせ
る構成とすることで、達威される。

［作用］ 本発明の半導体容量式加速度センサは、該加速度センサ
を構戒する半導体基板の一部に半導体集積回路として信
号処理部が形成されているので、該信号処理部の質量の
移動による機械的振動が生じることがなく、また、寄生
容量も低減でき、更にコンパクトなのでシールド効果の
高い金属容器内に納めることが容易となり、外来雑音に
強い構造とすることができる。従って、エンジンのよう
１１ に雑音を発する機器の制御装置として使用しても良好に
加速度を検出でき、また、センサ全体もコンパクトなた
め、小さい機器の制御装置に組み込むことも容易となる
。

［実施例］ 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。

第１図は、本発明の第１実施例に係る半導体容量式加速
度センサの断面図である。本実施例に係る半導体容量式
加速度センサは、三枚のシリコン基板１，２．３を積層
してなる。真中のシリコン基板２は、異方性エッチング
により、ビーム４で支持された質量ｍの可動電極部５が
形成されている。この可動電極部５の厚さは、該シリコ
ン基板２の厚さより薄くされ、固定電極板となる基板１
あるいは基板３方向に変位可能になっている。

シリコン基板１，３は固定電極とするため、例えば可動
電極部５に対向する面側の不純物濃度を高めてある。そ
して、三枚のシリコン基板１，２，３を積層する場合、
可動電極部５と固定電極とが１２− 短絡しない様に、各シリコン基板１，２．３の接合箇所
表面を酸化してから積層してある。

本実施例では、更に、シリコン基板工の可動電極部５と
反対側表面に、信号処理回路６を半導体微細加工技術に
より集積回路として形或してある。

そして、シリコン基板２とシリコン基板１，２の固定電
極との間に現われる信号をこの信号処理回路６に入力さ
せる配線用の導電性膜が蒸着などで形成されている（図
示せず）。

斯かる半導体容量式加速度センサを制御対象物に搭載し
、該制御対象物が移動し、その移動方向（第工図の上下
方向とする。）に加速度（マイナスの加速度つまり減速
度も含む。）が加わった場合、可動電極部５に働く慣性
力とシリコンビーム４よる復元力との釣合いから、その
加速度の大きさに応じて、可動電極部５と固定電極とし
てのシリコン基板１．３との間の空隙の寸法が変化する
。

固定電極は、可動電極５に対向した面が加速に対して全
く移動しないので、上記空隙間の静電容量から変化する
。この静電容量に応じた信号は、信号処理回路６に入力
されて処理され、加速度に対応じた信号として信号処理
回路６から図示しない他の制御回路へ出力される。信号
処理回路としては、特に限定するものではなく、可動電
極部と固定電極との間の容量変化に応じた信号を生或し
て出力するものであっても、また、加速度が変化しても
可動電極部が両固定電極間で移動しないように可動電極
部と固定電極との間に印加する静電気力を電子的に追従
させこの電子的に追従する静電気力に応じた信号を出力
させるものでもよい。尚、固定電極として両方ともシリ
コン基板を使用したが、一方を導体板としてもよい。

第２図は、本発明の第２実施例に係る半導体容量式加速
度センサの断面図である。本実施例に係る半導体容量式
加速度センサは、第工実施例に係る半導体容量式加速度
センサと基本的に同じであるが、異なる点は、シリコン
基板１，２．３を低融点ガラス７，８で接合して各基板
１，２、１，３間の絶縁を図り、信号処理回路６（シリ
コン基板工〜３を積層する前に製造しておく。）の表面
側をパシベーション膜９で覆い、このパシベーション膜
９の所要位置に窓を明けてポリシリコンやＡＱ等の配線
膜１０を蒸着し、更に、該配線膜工Ｏ，シリコン基板（
可動電極部）２，固定電極用のシリコン基板３に夫々Ａ
Ｑ膜１１，１２．１３を蒸着してボンディングパッドと
する。

尚、本実施例では、低融点ガラス７，８でシリコン基板
を接合したが、高温度雰囲気中で接合することで、接合
表面に酸化シリコン膜を形或し、これでｓｕｉｔを図る
ことでもよいことは勿論である。

このように、あるいは第工実施例でも同様であるが、３
枚の同一基材のシリコン基板１．，２．３を積層する構
戒のため、基板間での熱膨張率のミスマッ゛チのない温
度特性の優れた加速度センサが得られる。

尚、本実施例では、シリコン基板１の可動電極部５と反
対側に信号処理用集積回路６を設けたが、集積回路６の
製造位置は此処に限定されるものではなく、例えばシリ
コン基板１の裏側や、シリコン基板２，シリコン基板３
のいずれにも形或でき一１５ー １６ るものである。

第３図は、本発明の第３実施例に係る半導体容量式加速
度センサの断面図である。本実施例は、第２実施例とそ
の基本構戊は同じであるが、第２実施例では、ボンディ
ングパッドを利用して配線接続したが、本実施例では、
一部の配線をシリコン基板自体に設けた高濃度拡散層を
利用して行う。

まず、シリコン基板１にアルカリエッチングによる上面
から下面に至る穴を明け、更に、一方の基板表面に信号
処理用の集積回路６を製造する。また、集積回路６と反
対側表面及び前記穴の内周面とに不純物を高濃度に拡散
して固定電極工４とする。そして、集積回路６を設けた
側の表面をパシベーション膜９で被覆し、集積回路６の
信号入力部と固定電極の当該表面側にまで延在する箇所
とに該当するパシベーション膜９に窓を明け、その上か
ら配線膜工０を蒸着する。斯かる構成のシリコン基板１
と、可動電極部５を異方性エッチングで製造したシリコ
ン基板２と、他方の固定電極部となるシリコン基板３と
を酸化シリコン膜あるいは低融点ガラス７，８を介して
接合し、シリコン基板２，３に夫々ボンディグパッド１
２．１３を蒸着している。

本実施例によれば、上側の固定電極から集積回路６への
電気的接続をシリコン基板内で行うので、実装がより簡
単になる。

第４図は、本発明の第４実施例に係る半導体容量式加速
度センサの断面図である。本実施例では、シリコン基板
１の一面に酸化膜８で基板本体と絶縁した固定電極膜１
５を形成し、基板１の反対側に信号処理用の集積回路６
を製造し、この集積回路６側をパシベーション膜９で被
覆し、該当箇所に窓を明け、その上から配線膜１０を蒸
着し、配線膜１０の所要箇所にボンディグパッドエ１を
蒸着する。シリコン基板３の片面は、これも酸化膜７で
基板本体から絶縁した固定電極膜１６を形或する。また
、シリコン基板２は異方性エッチングによりビーム４に
支持された可動電極部５を製造するが、本実施例では，
固定電極側の電極膜１５，ｌ６が可動電極側に若干出っ
張るので（第１〜第３実施例に比較して）、可動電極部
５の厚さをそれだけ薄くなるようにする。そして、シリ
コン基板１，２．３を積層して加速度センサを構戒する
。

本実施例によれば、第２実施例と同様に、信号処理方式
に広範な選択の余地があり、更に、デバイス構造が単純
になるという効果がある。

上述した各実施例は、基板自体が半導体であるため、基
板中に信号処理用の集積回路６を形或し、また、同一基
材の基板１，２．３を積層して熱膨張によるミスマッチ
を回避する構成としたが、本発明の半導体容量式加速度
センサは斯かる構造に限定されるものではない。以下、
基本構造が第１〜第４実施例とは異なる半導体容量式加
速度センサについて説明する。

第５図は、本発明の第５実施例に係る半導体容量式加速
度センサの断面図である。本実施例の半導体容量式加速
度センサは、シリコンと熱膨張係数が近いホウケイ酸系
のガラス基板１８．１９と、可動電極部５を形成したシ
リコン基板２と、集積回路でなる信号処理部６を製造す
る新婚基板工７で構成する。ガラス基板１８，↓９の夫
々の片面に固定電極膜１５．１６を蒸着等で形成したあ
と、該ガラス基板王８，１９の夫々の固定電極膜１５，
１６を対向させてシリコン基板２を挾持し、ガラス基板
１７の他の面に、シリコン基板工７を陽極接合する。こ
の陽極接合は、３００℃〜４００℃の比較的低温で可能
なため、固定電極膜ｌ５の材料として、アルミニウムを
使用することが可能となる。尚、固定電極１５，１６、
可動電極部５と、集積回路６との電気的接続は、ワイヤ
ボンディグ等でセンサ外部を通じて行う。

本実施例は、比較的低温で加速度センサを製造できると
いう効果がある。

第６図は、本発明の第６実施例に係る半導体容量式加速
度センサの断面図である。本実施例の加速度センサは、
第５実施例の加速度センサがシリコン基板１７に信号処
理部６を形成しこのシリコン基板１７をガラス基板１−
８に陽極接合したのに対し、信号処理部６を薄膜集積回
路としてガラス基板１８表面上に形或したことが異なる
。本実施ー１９− ２０ 例によれば、第６実施例に較べ、シリコン基板１７を使
用しないだけ小型化できるという効果がある。

第７図は、本発明の第７実施例に係る半導体容量式加速
度センサの断面図である。本実施例の加速度センサは、
シリコン基板１７／ガラス基板１８／可動電極部用シリ
コン基板２／ガラス基板１９／シリコン基板２１の五層
構造であり、各接合は陽極接合で行っている。シリコン
基板１７には信号処理用の集積回路６が形成され、ガラ
ス基板１８．１９には固定電極膜１５．１６が形成され
ている。ガラス基板１８には超音波加工等で貫通孔が形
或され、該貫通孔には導電性材料２２が埋め込まれる。

シリコン基板１７には前記ガラス基板ｌ８の貫通孔に対
応する位置に貫通孔がアルカリエッチングで形或され、
該貫通孔及び集積回路６を形成した表面を酸化膜９で覆
い、集積回路６の所要位置の酸化膜９に窓をあける。そ
して、ガラス基板１８とシリコン基板１７とを整合させ
て陽極接合し、その後に電極膜１０をマス蒸着すること
で、固定電極膜１５と集積回路６とを内部で電気的に接
続する。ガラス基板１９にも超音波加工等で貫通孔をあ
け此処に導電性材料２３を埋め込んでおき、シリコン基
板２１とガラス基板１９とを陽極接合したとき、固定電
極膜１６とシリコン基板２１とが電気的に接続されるよ
うにする。

そして、シリコン基板２，２工にボンデイグパッド１２
．１３を蒸着し、該パッド１２．１３と集積回路６とを
センサ外部を通して接続する。

本実施例によれば、配線の一部をセンサの内部接続でで
きるので、構造が簡易になるという効果がある。

以上の第５〜第７実施例では、集積回路６と固定電極と
は電気的に絶縁されているため、＃１縁のための他の処
理を必要としない。

上述した第１〜第７実施例に係る半導体容量式加速度セ
ンサは、全てセンサ部（可動電極部及び固定電極部）と
信号処理部とがワンチップ化され、これを金属パッケー
ジ内に収納することで、外来雑音から保護され、且つ振
動にも強くなる。

上述した各実施例は，ワンチップ化した加速度センサで
あったが、本発明はワンチップであることに限定される
ものではない。第８図は、本発明の第８実施例に係る半
導体容量式加速度センサの平面図である。本実施例では
、センサ部２４（可動電極部を形成したシリコン基板を
固定電極間に介在させた物）と信号処理回路を集積回路
として形成した半導体チップ（信号処理部）２５とを同
一ステム２７上に隣接して搭載し、両者をワイヤボンデ
ィグで接続し、且つ集積回路の出力信号をステムの図示
しないリード線に接続（２６）する構成としている。ま
た，半導体チップ２５には、オンチップ調整部３０が設
けられている。

第９図は、本発明の第９実施例に係る半導体容量式加速
度センサの平面図である。本実施例では、第８実施例が
センサ部２４と半導体チツプ２５とをワイヤボンデイグ
で接続したのに対し、センサ部２４と半導体チップ２５
の夫々の出力，入力端子に接続するパッド部を設け、ス
テム２７上に設けた＃Ｉ縁基板２８に印刷した厚膜配線
２９に接着することで接続している。

上述した第８，第９実施例は、センサ部２４と信号処理
部２５とを別々に製造するため、夫々の素子の製造工程
で最適な工程を選べるという効果がある。更に、パッケ
ージ内には、センサ部２４と信号処理部２５以外には何
も設ける必要がないので、両者を別体に設けたと言って
も小型化を阻害する要因とはならない。また、オンチッ
プ調整部３０を設けてあるので、外付け抵抗やレーザ光
線でトリミングする印刷抵抗とかが不要となり、その分
だけ小型化を図ることが可能となり、しかも係る抵抗等
の振動からも開放される。オンチップ調整部３０は、具
体的には、集積回路チップ内に抵抗アレイ群を設け、特
性調整時にボンデイグ等により選択するようにする。尚
、ＲＯＭチップをアレイ化してツェナーザッピング法に
より選択調整する構成とすることもできる。

尚、第１〜第７実施例では、オンチップ調整部は設けて
いないが、勿論、集積回路を製造したシリコン基板に設
けることもできることはいうまで−２３ー −２４− もない。

次に、上述した半導体容量式加速度センサを使用する制
御システムについて説明する。

例えば、自動車の制御装置に半導体容量式加速度センサ
を使用する場合、自動車のエンジンは、スパークプラグ
による点火を繰り返すため、外来雑音に強いセンサが要
求される。また、常時振動する車に設けるため、センサ
部やこれに付随する信号処理部の共振振動が無いあるい
は少ない加速度センサである必要があり、更にまた、そ
の加速度のレベル，周波数も低レベル，低周波ψため、
従来の歪ゲージ式では有効でない。従って、従来の自動
車制御には加速度センサは実際に使用されることはなか
った。しかし、本発明の半導体容量式加速度センサは、
外来雑音や振動に対して強く、しかも、高感度高精度な
ため、制御に使用することが可能である。

第１０図は、自動車の車両制御システムの構成図である
。自動車のエンジン３１の出力軸は、ミッション３２と
プロペラシャフト３３を介して後＠３４．３５を駆動す
る様になっている。また、前輪３６．３７は図示しない
車体に軸支され、該車体力刊区動輪３４．３５の回転に
よって移動したとき、従動するようになっている。エン
ジン３ｌの図示しない点火装置の点火時期、燃料噴射ポ
ンプによる供給燃料量等は、エンジンコントロールユニ
ット５０により制御され、エンジンコントロールユニッ
ト５０は、これらの制御量を、各種センサの検出した、
アクセル踏み込み量、エンジン冷却水温度、排気ガス中
の酸素濃度、バッテリ電圧値等から所定の演算式に基づ
いて決定する。

本発明実施例に係る車両制御システムは、上述した各種
センサの他に、車体の上下方向，前後方向及び横方向の
加速度を夫々検出する半導体容量式加速度センサであっ
て、上述した第１〜第９実施例に係る加速度センサ５工
ａ，５ｌｂ，５１ｃが車体の所定位置に固定されている
。そして、各車輪３４，３５，３６．３７には車輪回転
速度を検出する車輪速度センサ３８，３９，４０．４上
が設けられ、これらの車輪速度センサ３８〜４〕−と前
記の加速度センサ５１ａ，５ｌｂ，５Ｌｃの検出信号は
、車体制御装置５２に入力され、該車体制御装置５２は
、入力信号に基づき、各車輪のブレーキアクチュエータ
５３に制御信号を送出して各車輪毎にそのブレーキ力を
制御し、各車輪のショックアブソーバアクチュエータ５
４に制御信号を送出して各ショックアブソーバの減衰力
を制御する構戒になっている。また車体制御装置５２は
、スリップ状態を示す信号をエンジンコントロールユニ
ット５０にも送出し、エンジン出力も加速状態に応じて
制御するようになっている。尚、第１０図に示す自動車
は、ＦＲ方式であるが、本発明は、ＦＦ方式でも四輪駆
動方式でも適用できるのはいうまでもない。

例えば低μ路を走行中に急制動をかけた場合、車輪がロ
ックされやすい。車輪がロックされると、横からの力に
対し不安定になって横滑りしやすくなり、ステアリング
操作が不可能な状態になる。

従って、車輪がロックされそうになったときは、ブレー
キアクチュエー夕を制御してブレーキカを弱め、車輪が
回転するように制御する必要がある。

また、これとは別に、低μ路を走行する場合や急発進す
る場合、郵動トルクが大きいので、車輪が路面に対して
スリップし、無駄なトルクを使用することになる。斯か
る場合には、エンジン出力を低下させ、車輪のスリップ
率が低下する方向に制御を進める必要がある。

」二述した各場合において、つまり、急制動をかけた場
合や駆動トルクが大きい場合は、車体に加速度が加わる
。この加速度の方向及び大きさを半導体容量式加速度セ
ンサ５１ａ，５ｌｂ，５１ｃで検出して、これと、各車
輪速度センサ３８〜４１までの検出信号及びエンジンの
運転状態とから車両の状態が急制動状態にあるのか、急
発進状態にあるのか、低μ路の走行状態にあるのか等を
判定し、それに応じて各車輪のブレーキカを制御し、シ
ョックアブソーバの減衰力を制御し、エンジンに供給す
る燃料量等を制御し邸動トルクを制御する。

本発明に係る半導体容量式加速度センサをカメ２７ー ラに搭載することで、次の様な制御も可能となる。

例えば、カメラで被写体を撮る場合、先ず、カメラの絞
り，焦点距離，シャッタースピード等をセットしてから
、あるいは自動的にこれらがセットされてから、レリー
ズするのであるが、このレリーズ時にカメラが動き、ピ
ンボケになってしまうことがある。そこで、本発明では
、前述した半導体容量式加速度センサをカメラに内蔵し
、該加速度センサが加速度を検出したとき、つまり、レ
リーズ時にカメラが動きこれが加速度としてセンサに検
出されたとき、カメラ内蔵のＣＰＵがシャッタースピー
ドをセット値より早めることで、手振れによるピンボケ
が回避される。また、この時、シャッタースピードの早
めた分だけ絞り明けることで、画像がくらくなるのを回
避できる。

［発明の効果］ 本発明の半導体容量式加速度センサによれば、コンパク
トで信頼性が高くしかも高精度に加速度を検出すること
ができるという効果がある。また、本発明の制御装置に
よれば，微小な加速度が被制２８一 御装置に加わった場合でも、この加速度に応じて適切な
制御ができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図，第２図，第３図，第４図，第５図，第６図，第
７図，第８図，第９図は夫々本発明の第工，第２，第３
，第４，第５，第６，第７，第８，第９実施例に係る半
導体容量式加速度センサの断面図、第１０図は半導体容
量式加速度センサを搭載した制御装置の一例である車両
制御システムの構成図である。 １，２．３・・・シリコン基板、４・・・ビーム、５・
・・可動電極部、６・・・信号処理部（集積回路）、１
５，工６・・・固定電極膜、２７・・・ステム、３８〜
４ｌ・・・車輪速度センサ、５　１　ａ　，　５　ｌ　
ｂ　，　５　１　ｃ　＝・半導体容量式加速度センサ、
５２・・・車体制御装置、５３・・・ブレーキ制御用ア
クチュエータ、５４・・・ショックアブソーバ用アクチ
ュエータ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、ビームで支持された可動電極部がエッチングにて製
   造された半導体基板Ｂを、固定電極となるあるいは固定
   電極が前記可動電極部の対向面に形成された２枚の半導
   体基板Ａ、Ｃ間に介挿して構成される加速度センサであ
   って、該加速度センサの受ける加速度の大きさに応じて
   両固定電極間で変位する前記可動電極部と固定電極との
   間の静電容量に応じた信号を出力する半導体容量式加速
   度センサにおいて、前記半導体基板Ａ、Ｂ、Ｃの少なく
   とも一つに、前記信号の信号処理用集積回路を製造した
   ことを特徴とする半導体容量式加速度センサ。 ２、三枚の半導体基板Ａ、Ｂ、Ｃをこの順に積層して成
   り、中の半導体基板Ｂはエッチングによりビームに支持
   された可動電極部が形成され該可動電極部は半導体基板
   Ａ、Ｃ方向に変位可能なっている加速度センサであって
   、前記半導体基板Ｂと前記半導体基板Ａ、Ｃとの間の静
   電容量の変化により該加速度センサの受けた加速度の大
   きさを検出する半導体容量式加速度センサにおいて、前
   記静電容量の変化を示す信号を処理する信号処理回路を
   前記半導体基板Ａ、Ｂ、Ｃの少なくとも１つに集積回路
   として製造してあることを特徴とする半導体容量式加速
   度センサ。 ３、加速度の変化を固定電極に対する質量体の相対位置
   変位として検出するにあたり前記固定電極と前記質量体
   との間の静電容量の変化で検出するセンサ部と、該セン
   サ部が検出した静電容量に応じた信号を処理する信号処
   理回路とを備えて成る容量式加速度センサにおいて、前
   記センサ部の全部あるいは一部を半導体製とし前記信号
   処理回路を該半導体部分に製造した半導体集積回路とし
   たことを特徴とする半導体容量式加速度センサ。 ４、加速度の変化を固定電極に対する質量体の相対位置
   変位として検出するにあたり前記固定電極と前記質量体
   との間の静電容量の変化で検出するセンサ部と、該セン
   サ部が検出した静電容量に応じた信号を処理する信号処
   理回路とを備えて成る容量式加速度センサにおいて、前
   記センサ部を構成するチップと、該チップとは別体の半
   導体集積回路で成る前記信号処理回路のチップとを同一
   ステム上に搭載したことを特徴とする半導体容量式加速
   度センサ。 ５、請求項４において、信号処理回路は、オンチップ調
   整部を備えることを特徴とする半導体容量式加速度セン
   サ。 ６、電極が一面に形成された２枚の絶縁基板の前記両電
   極間に介挿支持される半導体基板であってエッチングに
   てビームで支持された可動電極部が形成された半導体基
   板を備え、加速度の大きさに応じた前記可動電極部の前
   記電極方向への相対位置変位の大きさを前記可動電極部
   と前記電極との間の静電容量にて検出する容量式加速度
   センサにおいて、前記絶縁基板の少なくとも一方の前記
   電極とは反対側に、該電極と電気的に接続され該電極に
   現われる信号を処理する半導体集積回路を一体に備える
   ことを特徴とする半導体容量式加速度センサ。 ７、半導体基板Ｂをエッチングしてビームに支持された
   可動電極部を製造し、半導体基板Ａに信号処理用の集積
   回路を作成し、該半導体基板Ａと別の半導体基板Ｃとの
   間に前記可動電極部を製造した半導体基板Ｂを介挿し、
   前記半導体基板Ａと前記可動電極部間あるいは前記半導
   体基板Ｃと前記可動電極部間に現われる静電容量の変化
   に応じた信号を前記信号処理回路に入力するようにした
   ことを特徴とする半導体容量式加速度センサの製造方法
   。 ８、半導体基板Ｂをエッチングしてビームに支持された
   可動電極部を製造し、信号処理用の半導体集積回路を半
   導体基板Ａに製造すると共に該半導体基板の片面に絶縁
   膜を介して電極膜を形成し、半導体基板Ｃの片面に絶縁
   膜を介して電極膜を形成し、前記半導体基板Ａ、Ｃの電
   極膜を対面させ間に可動電極部を製造した半導体基板Ｂ
   を絶縁物を介して介挿し、可動電極部と電極膜との間に
   現われる静電容量の変化に応じた信号を前記半導体集積
   回路に入力させるようにしたことを特徴と半導体容量式
   加速度センサの製造方法。 ９、半導体基板Ｂをエッチングしてビームに支持された
   可動電極部を製造し、２枚の絶縁基板の夫々の片面の前
   記可動電極部に対面する領域に電極膜を形成し、半導体
   基板Ａに信号処理用の半導体集積回路を製造し、前記両
   絶縁基板間に前記半導体基板Ｂを介挿して両電極膜に前
   記可動電極部を対面させると共にいずれか一方の絶縁基
   板の外側に前記半導体基板Ａを配置して該半導体基板Ａ
   、Ｂと前記両絶縁基板を一体化し、前記可動電極部と電
   極膜間に現われる静電容量の変化に応じた信号を前記半
   導体集積回路に入力するようにしたことを特徴とする半
   導体容量式加速度センサの製造方法。 １０、半導体基板をエッチングしてビームに支持された
   可動電極部を製造し、２枚の絶縁基板の夫々の片面に前
   記可動電極部に対面する電極膜を形成し、前記絶縁基板
   の少なくとも一方の電極膜とは反対側に信号処理用の薄
   膜半導体集積回路を製造し、前記両絶縁基板の電極膜間
   に前記可動電極部を製造した半導体基板を介挿して一体
   化し、前記可動電極部と電極膜間に現われる静電容量の
   変化に応じた信号を前記薄膜半導体集積回路に入力する
   ようにしたことを特徴とする半導体容量式加速度センサ
   の製造方法。 １１、ブレーキ機構が設けられた車輪のスリップ状態を
   検出し該スリップ状態に応じて前記ブレーキ機構を制御
   し車輪に加わるブレーキ力を制御する車両制御装置にお
   いて、車輪の実際の回転速度を検出する車輪速度センサ
   と、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半導体容
   量式加速度センサと、該半導体容量式加速度センサが検
   出した車両のマイナス方向の加速度の大きさと前記車輪
   速度センサが検出した車輪の回転速度とに応じて前記ブ
   レーキ機構を制御して車輪の地面に対するスリップ率を
   低減させる方向に制御を進める制御手段とを設けたこと
   を特徴とする車両制御装置。 １２、エンジンの駆動力が伝達して回転する車輪を備え
   る車両の制御装置において、車両の加速度あるいは減速
   度の大きさを検出する請求項１乃至請求項６のいずれか
   に記載の半導体容量式加速度センサと、車輪の回転速度
   を検出する車輪速度センサと、前記半導体容量式加速度
   センサの検出値と前記車輪速度センサの検出値とに応じ
   て車輪の回転速度がエンジンの駆動トルクに対応する値
   となる方向にエンジンの駆動トルク制御を進め車輪の地
   面に対するスリップ率を低減させる制御手段とを備える
   ことを特徴とする車両制御装置。 １３、使用するフィルム感度と露出計の出力信号とに応
   じてセットされたシャッタスピードで写真をとるカメラ
   において、請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の半
   導体容量式加速度センサと、該半導体容量式加速度セン
   サがシャッタレリーズ時に加速度を検出したとき前記の
   シャッタスピードのセット値を早める手振れ防止制御手
   段とを内蔵することを特徴とするカメラ。 １４、使用するフィルム感度と露出計の出力信号とに応
   じてセットされた絞りとシャッタスピードで写真をとる
   カメラにおいて、請求項１乃至請求項６のいずれかに記
   載の半導体容量式加速度センサと、該半導体容量式加速
   度センサがシャッタレリーズ時に加速度を検出したとき
   前記シャッタスピードのセット値を早めると共にそれに
   応じて絞りセット値を変える手振れ防止制御手段とを内
   蔵することを特徴とするカメラ。 １５、車体に取り付けられた車輪を弾性支持するショッ
   クアブソーバの減衰力を制御する車体制御装置において
   、車体に加わる加速度を検出する請求項１乃至請求項６
   のいずれかに記載の半導体容量式加速度センサと、該半
   導体容量式加速度センサの検出値に応じてショックアブ
   ソーバの減衰力を制御する制御手段とを備えることを特
   徴とする車体制御装置。