JPH0394070A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、シリコンウェーハより半導体素子を製造する
装置の１つであるＣＶＤ　（化学蒸着法）装置に関する
ものである。

［従来の技術］ シリコンウェーハより半導体素子を製造する装置の１つ
として、高温、希薄反応カス雰囲気中にウェーハを保持
して化学蒸着法（ＣＶＤ）でウェーハ表面に半導体薄膜
又は絶縁保護膜を生成するＣＶＤ装置がある。

従来のＣＶＤ装置、特に縦型ＣＶＤ装置を第２図に於い
て略述する。

図中、１は直立した反応室であり、該反応室１はゲート
バルブ２により気密に閉塞され、又反応室１は排気ボン
プ３によって真空引される様になっている。又、反応室
１を囲む様にヒータ４か設けられ、反応室１は所定の温
度に加熱される。

該反応室１の下方にはエレベータ機構５か設けられてお
り、受台６に乗置されたボート７を反応室１に装入、或
は反応室１から取出し得る様になっている。

又、８はウエーハが装填されるカセット、９はウェーハ
移載機、１０はボート移載機であり、ウェーハ移載機９
はカセット８からボート移載１１ｌ１０に載置されたボ
ート７へ、或はボート７がらカセット８ヘウェーハを移
載し、ボート移載Ｉ！１０は前記エレベータ機構５の受
台６ヘボート７を移載し、更に受台６からボート７を受
取る６ゲートバルプ２が開いた状態で、前記エレベータ
機構５によってウェーハか装填されたボート７が反応室
１に装入され、気密状態とされる。

排気ボンプ３で真空にされた後、反応ガスが供給され、
ヒータ４で加熱され、ウェーハに薄膜が蒸着される。

蒸着処理か完了すると、反応室１内でウェーハが冷却さ
れ、冷却後エレベータ機構５によってボ゛一ト７か取出
される。

該ボート７はボート移載機１０に移載され、更にボート
７のウェーハはウェーハ移載機９でカセット８に移載さ
れる。

［発明が解決しようとする課題］ ーハの移載を行うウェーハ移載を設けたことを特徴とす
るものである。

［作　　用］ ボートとカセット間のウェーハの移載はゲートバルブが
開かれた状態で且ロードロック室、ロードロック予備室
、カセット室か密閉された状態で行われ、ＣＶＤ処理は
ゲートバルブが閉しられた状態でエレベータ機構により
ウェーハが装填されたボートを反応室に装入することで
行われる。

従って、ＣＶＤ処理、ウェーハの移載の過程でウェーハ
が大気に晒されることかない。

［実　跪　例］ 以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を説明する。

尚、第１図中、第２図中で示したものと同一のらのには
同符号を付してある。

反応室１に炉口部１１を介して気密なロード口ツタ室１
２を取付け、該ロードロック室１２にエレベータ機ｓ５
を収納せしめ、前記炉口部１１には５ 上記した従来の縦型ＣＶＤ装置に於いて、密閉されるの
は反応室のみであり、ＣＶＤ処理後比較的高い温度で反
応室より取出されるのでウェーハの自然酸化があり、或
はエレベータ機構からカセッ１・迄のウェーハの移載中
に塵による汚染かあり、品質の低下を招いていた。

本発明は上記した不具合を解消することを目的としてな
したものである， ［課題を解決するための千段］ 本発明は、直立型反応室の下方にロードロック室を気室
に設けると共に該ロードロック室にロードロック予備室
、カセット室を気密に連設し、ロードロック室とロード
ロック予備室との間、ロードロック予備室とカセット室
との間の少なくとも１１１ｆｆ所にゲートバルブを設け
、該ゲートバルブの反ロードロック室側の室と排気系と
を連通し、前記ロードロック室内にボートを反応室に装
入するエレベータ機構を、前記カセット室にカセット受
台を設ｃ−ｔ、前記ロードロック予備室に前記ボートと
カセットとの間でウェ排気ポンプ（図示せず）を連通ず
る。該ロードロック室１２にゲートバルブ１３を介して
ロードロック予備室１４、該ロードロック予備室１４に
カセット室１５を順次気密に連設する。

前記ロードロック予備室１４の内部には、ウェーハ移載
機１６のハンドラ部１７を収納させ、又ロードロック予
備室１４は排気ボンプ〈図示せず）に連通ずる。前記カ
セット室１５の内部にはカセットエレベータ１８のカセ
ット受台１９か収納され、該カセット室１５の上部は開
閉可能な蓋２０となっている。又、前記ロードロック室
１２、ロードロック予備室１４にはそれぞれ窒素ガス供
給ライン２１が連通している。

前記カセットエレベータ１８は、少なくともカセット８
のウェーハ収納ピッチずつカセット受台１９をステップ
送り可能となっており、又ウェーハ移載１１！１１６は
ハンドラ部１７を鉛直な軸心を中心に回転させ得ると共
にハンドラ部１７に設けたウェーハチャック部２２を水
平方向に移動可能な構成を有している。

６ ウェーハ２３を反応室１に装入する作業はゲートバルブ
１３を閉塞し、反応室１、ロードロック１２を気密に密
閉しておき、カセットエレベータ１８のカセッｌ一受台
１９を上昇させた状態でＷ２０を開け、ウエーハ２３か
装填されたカセット８を蓋カセッ１へ受台１９に乗置ず
る。

カセット受台１９を下降させると共にＭ２０を密閉し、
排気ボンプ３でロードロック予備室１４、カセット室１
５を真空とする。

次に、ケー１へパルブ１３を開き、ウエーハ移裁機１６
によりカセット８のウェーハ２３を下測より一枚或は数
枚単位でエレベータ機′！ＩＩ１５に移載ずる。

ウェーハ移載の過程で、ウェーハの移載毎にカセットエ
レベータ１８はカセット８を下降させ、エレベータ機梢
５はボー１・７を上昇させる。

ウェーハ２３の移栽か完了ずるとケー１〜バルブ１３を
閉し、反応室１、ロードロック室１２に反応カスを供給
し、エレベータ機′！Ｉ４５で反応室１にボート７を装
入してＣＶＤ処理を行う。

［発明の効果］ 以上述べた如く本発明によれば、カセッ１−から反応室
内迄のウェーハの搬送過程か気密の容器内で行われるの
で、ＣＶＤ処理後の酸化が防止されると共に塵による汚
染を防止し得、製品品質の向上、歩留り向上を図ること
かできる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の実施例を示す概略図、第２図は従来例
の概略図である。 １は反応室、５はエレベータＩ構、１２はロードロック
室、１３はゲートバルブ、１４はロードロック予備室、
１５はカセット室、１６はウェーハ移ａ機、１９はカセ
ット受台、２２はウェーハを示ず。 特　　許　　出　　頭　　人 国際電気株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）　直立型反応室の下方にロードロック室を気室に設
   けると共に該ロードロック室にロードロック予備室、カ
   セット室を気密に連設し、ロードロック室とロードロッ
   ク予備室との間、ロードロック予備室とカセット室との
   間の少なくとも１箇所にゲートバルブを設け、該ゲート
   バルブの反ロードロック室側の室と排気系とを連通し、
   前記ロードロック室内にボートを反応室に装入するエレ
   ベータ機構を、前記カセット室にカセット受台を設け、
   前記ロードロック予備室に前記ボートとカセットとの間
   でウェーハの移載を行うウェーハ移載を設けたことを特
   徴とするＣＶＤ装置。