JPH039121Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH039121Y2 JPH039121Y2 JP1982183568U JP18356882U JPH039121Y2 JP H039121 Y2 JPH039121 Y2 JP H039121Y2 JP 1982183568 U JP1982183568 U JP 1982183568U JP 18356882 U JP18356882 U JP 18356882U JP H039121 Y2 JPH039121 Y2 JP H039121Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- head
- core
- waveform
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
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- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 9
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Digital Magnetic Recording (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
本考案は薄膜磁気ヘツドを用いた磁気再生装置
に関する。
に関する。
背景技術とその問題点
近年開発が進められているデイジタル式テープ
レコーダにおいては、マルチビツトのデイジタル
信号を磁気テープ上のマルチトラツクに記録し、
再生するようにしている。例えば16ビツトで
PCM化されたオーデイオデイジタル信号をテー
プに往復記録する場合を考えると、トラツク数が
往路で16本、復路で16本、さらにチエツクビツト
用のトラツクを設けると合計37〜38本もの多くの
トラツクを、テープの長手方向に沿つて並列に形
成する必要がある。このように多数のトラツクを
形成するためのマルチヘツドを通常の巻線型磁気
ヘツドで構成することは、巻線スペース、クロス
トーク等の問題があつて極めて困難である。この
問題を解決するために薄膜磁気ヘツドが開発され
ている。薄膜磁気ヘツドは近年におけるICや半
導体装置の進歩に伴う磁性薄膜技術及び微細加工
技術を利用して開発されたもので、例えばトラツ
クピツチ95μ、ガードバンド巾20μ、クロストー
ク30dB以上のものが得られている。
レコーダにおいては、マルチビツトのデイジタル
信号を磁気テープ上のマルチトラツクに記録し、
再生するようにしている。例えば16ビツトで
PCM化されたオーデイオデイジタル信号をテー
プに往復記録する場合を考えると、トラツク数が
往路で16本、復路で16本、さらにチエツクビツト
用のトラツクを設けると合計37〜38本もの多くの
トラツクを、テープの長手方向に沿つて並列に形
成する必要がある。このように多数のトラツクを
形成するためのマルチヘツドを通常の巻線型磁気
ヘツドで構成することは、巻線スペース、クロス
トーク等の問題があつて極めて困難である。この
問題を解決するために薄膜磁気ヘツドが開発され
ている。薄膜磁気ヘツドは近年におけるICや半
導体装置の進歩に伴う磁性薄膜技術及び微細加工
技術を利用して開発されたもので、例えばトラツ
クピツチ95μ、ガードバンド巾20μ、クロストー
ク30dB以上のものが得られている。
第１図は従来より提案されている磁気抵抗効果
素子を用いた再生用薄膜ヘツド１１の断面構造を
示す。
素子を用いた再生用薄膜ヘツド１１の断面構造を
示す。
図において、フエライト等から成るコア１と薄
膜コア２との間には例えば巾ｗ＝0.3μmのヘツド
ギヤツプ４が形成されている。また他の薄膜コア
３の一部はコア１と接触面１ａで接触し、この薄
膜コア３と薄膜コア２との間には厚さが例えば
400Åのパーマロイ等の磁気抵抗効果素子５が設
けられている。尚、薄膜コア２，３は厚さが例え
ば1μmである。この薄膜コア２，３にはSiO2層
６が例えば3μmの厚さで積層され、このSiO2層
６にガラス等の保護基板７が接合層８を介して設
けられている。また薄膜コア２，３及び磁気抵抗
効果素子５とコア１との間にはＡ2O3層９及び
An等のバイアス導体層９ａが設けられている。
膜コア２との間には例えば巾ｗ＝0.3μmのヘツド
ギヤツプ４が形成されている。また他の薄膜コア
３の一部はコア１と接触面１ａで接触し、この薄
膜コア３と薄膜コア２との間には厚さが例えば
400Åのパーマロイ等の磁気抵抗効果素子５が設
けられている。尚、薄膜コア２，３は厚さが例え
ば1μmである。この薄膜コア２，３にはSiO2層
６が例えば3μmの厚さで積層され、このSiO2層
６にガラス等の保護基板７が接合層８を介して設
けられている。また薄膜コア２，３及び磁気抵抗
効果素子５とコア１との間にはＡ2O3層９及び
An等のバイアス導体層９ａが設けられている。
上記構成によれば、コア１、薄膜コア２，３及
び磁気抵抗効果素子５により磁気回路が形成され
る。従つて仮想線で示される磁気テープ１０に記
録された信号に応じて磁気抵抗効果素子５の抵抗
値が変化して信号が再生される。
び磁気抵抗効果素子５により磁気回路が形成され
る。従つて仮想線で示される磁気テープ１０に記
録された信号に応じて磁気抵抗効果素子５の抵抗
値が変化して信号が再生される。
このような薄膜ヘツド１１は第２図Ａに示すよ
うに、薄膜コア２，３をテープ１０の矢印で示す
走行方向に対して上流側に配して用いる場合と、
同図Ｂに示すようにテープ１０の下流側に配して
用いる場合とがある。このテープ１０に例えばパ
ルス等孤立した波形が記録されている場合、その
再生波形は、第２図Ａの場合は第３図Ａに示すよ
うな非対称波形となり、第２図Ｂの場合は第３図
Ｂに示すように同図Ａと逆の非対称波形となる。
このような非対称再生波形は後段の回路で処理す
ることが難しく、デイジタル信号再生の場合はデ
ータ検出誤差の原因となる。
うに、薄膜コア２，３をテープ１０の矢印で示す
走行方向に対して上流側に配して用いる場合と、
同図Ｂに示すようにテープ１０の下流側に配して
用いる場合とがある。このテープ１０に例えばパ
ルス等孤立した波形が記録されている場合、その
再生波形は、第２図Ａの場合は第３図Ａに示すよ
うな非対称波形となり、第２図Ｂの場合は第３図
Ｂに示すように同図Ａと逆の非対称波形となる。
このような非対称再生波形は後段の回路で処理す
ることが難しく、デイジタル信号再生の場合はデ
ータ検出誤差の原因となる。
考案の目的
本考案は上記の実情に鑑み成されたもので非対
称再生波形を対称形に補正するようにしたもので
ある。
称再生波形を対称形に補正するようにしたもので
ある。
考案の概要
本考案はヘツドギヤツプを形成する一対のコア
のうち一方のコアが薄膜コアに構成されている再
生ヘツドと、上記再生ヘツドの出力が加えられる
プリアンプとを具備し、上記プリアンプは、上記
薄膜コアが磁気記録媒体の上流側に配されている
場合、ｂ＋jω／ａ＋jω・Ａ（但しａ＞ｂ、Ａ：定数）
の 伝達関数を有し、上記薄膜コアが磁気記録媒体の
下流側に配されている場合、ｂ−jω／ａ＋jω・Ａの伝
達 関数を有する磁気再生装置に係るものである。
のうち一方のコアが薄膜コアに構成されている再
生ヘツドと、上記再生ヘツドの出力が加えられる
プリアンプとを具備し、上記プリアンプは、上記
薄膜コアが磁気記録媒体の上流側に配されている
場合、ｂ＋jω／ａ＋jω・Ａ（但しａ＞ｂ、Ａ：定数）
の 伝達関数を有し、上記薄膜コアが磁気記録媒体の
下流側に配されている場合、ｂ−jω／ａ＋jω・Ａの伝
達 関数を有する磁気再生装置に係るものである。
実施例
第４〜６図は第１〜３の実施例を示すもで、何
れも前述した再生用薄膜ヘツド１１の再生出力が
加えられるプリアンプの構成として示してある。
またヘツド１１は第２図Ａのように薄膜コア２，
３をテープの上流側に配して用いる場合である。
れも前述した再生用薄膜ヘツド１１の再生出力が
加えられるプリアンプの構成として示してある。
またヘツド１１は第２図Ａのように薄膜コア２，
３をテープの上流側に配して用いる場合である。
第４図の実施例において、ヘツド１１から得ら
れた第７図Ａに示す非対称再生波形は、R1、R2
で分割されると共に、Ｃ、R2で微分される。第
７図Ｂに示す微分波形と上記分割された波形とが
加え合わされ、この合成波形がリニアアンプ１２
を通じて出力端子１３に得られる。この出力波形
は第７図Ｃに示すように略対称形となる。
れた第７図Ａに示す非対称再生波形は、R1、R2
で分割されると共に、Ｃ、R2で微分される。第
７図Ｂに示す微分波形と上記分割された波形とが
加え合わされ、この合成波形がリニアアンプ１２
を通じて出力端子１３に得られる。この出力波形
は第７図Ｃに示すように略対称形となる。
第４図の回路の伝達関数は、
R2＋jωCR1R2／R1＋R2＋jωCR1R2
となつて、第８図に示すような低域が抑えられた
伝達特性が得られる。
伝達特性が得られる。
第５図及び第６図の回路はオペアンプ１４の帰
還回路にCRの回路を設けたもので、第５図の回
路では、 高域のゲインは、R3／R2 低域のゲインは、R3／R1＋R2 となる。また、 ω1＝１／Ｃ・１／R1＋R2 ω2＝１／R2C となる。
還回路にCRの回路を設けたもので、第５図の回
路では、 高域のゲインは、R3／R2 低域のゲインは、R3／R1＋R2 となる。また、 ω1＝１／Ｃ・１／R1＋R2 ω2＝１／R2C となる。
また第６図の回路では、
RP＝R3R2／R2＋R3，RS＝R2R4／R2＋R4
とすれば、
高域のゲインは、R2／R1〔R4＋RP／RP〕＋１
低域のゲインは、R2＋R4／R1＋１
となる。また、
ω1＝１／（R3＋RS）Ｃ
ω2＝１／R3C
である。
上述した第４〜６図の回路の伝達関数は、
ｂ＋jω／ａ＋jω・Ａ
但しａ＞ｂ、Ａ：定数（高域ゲイン）で表わさ
れ、伝達特性は第８図に示されるものとなる。
れ、伝達特性は第８図に示されるものとなる。
以上は薄膜ヘツド１１を第２図Ａのように配し
て用いる場合であるが、第２図Ｂに示すように配
して用いる場合の伝達関数は、 ｂ−jω／ａ＋jω・Ａで表わすことができる。この場
合 は第７図においては元の波形から微分波形を減じ
ることによつて、対称形の出力波形が得られる。
て用いる場合であるが、第２図Ｂに示すように配
して用いる場合の伝達関数は、 ｂ−jω／ａ＋jω・Ａで表わすことができる。この場
合 は第７図においては元の波形から微分波形を減じ
ることによつて、対称形の出力波形が得られる。
第９図は本考案を適用した実験により得られた
出力波形を示すもので、第３図Ａの非対称パルス
が補正されて略対称形のパルスとなつている。こ
のパルスはテープスピードが4.75cm／secの場合
であり、ピークレベル100mV、パルス巾50μsで
ある。またこの場合の第８図のω1の周波数は1k
Hzで、ω2の周波数は10kHzであり、ω1のレベルと
ω2のレベルとの差は20dBである。またこのパル
スの帯域巾は100KHzであり、プリアンプの再生
帯域巾で充分カバーされる。
出力波形を示すもので、第３図Ａの非対称パルス
が補正されて略対称形のパルスとなつている。こ
のパルスはテープスピードが4.75cm／secの場合
であり、ピークレベル100mV、パルス巾50μsで
ある。またこの場合の第８図のω1の周波数は1k
Hzで、ω2の周波数は10kHzであり、ω1のレベルと
ω2のレベルとの差は20dBである。またこのパル
スの帯域巾は100KHzであり、プリアンプの再生
帯域巾で充分カバーされる。
考案の効果
プリアンプ出力として対称波形を得ることがで
きるので、イコライザの構成が簡単になる等の後
段回路における信号処理が容易になる。また低域
が抑えられるので、信号の持つダイナミツクレン
ジが抑圧され、やはり後段の処理が行い易くな
る。
きるので、イコライザの構成が簡単になる等の後
段回路における信号処理が容易になる。また低域
が抑えられるので、信号の持つダイナミツクレン
ジが抑圧され、やはり後段の処理が行い易くな
る。
第１図は再生用薄膜ヘツドの断面図、第２図は
上記薄膜ヘツドの使用状態を示す概略的な側面
図、第３図は再生出力波形図、第４〜６図は本考
案の第１〜３の実施例を示す回路図、第７図は波
形補正の原理を説明するための波形図、第８図は
第４〜６図の回路の伝達特性図、第９図は実験に
より得られた補正された出力波形図である。なお
図面に用いられている符号において、 １…コア、２，３…薄膜コア、４…ヘツドギヤ
ツプ、１０…磁気テープ、１１…再生用薄膜ヘツ
ド、１２…リニアアンプ、１４…オペアンプ、Ｃ
…コンデンサ、R1〜R4…抵抗である。
上記薄膜ヘツドの使用状態を示す概略的な側面
図、第３図は再生出力波形図、第４〜６図は本考
案の第１〜３の実施例を示す回路図、第７図は波
形補正の原理を説明するための波形図、第８図は
第４〜６図の回路の伝達特性図、第９図は実験に
より得られた補正された出力波形図である。なお
図面に用いられている符号において、 １…コア、２，３…薄膜コア、４…ヘツドギヤ
ツプ、１０…磁気テープ、１１…再生用薄膜ヘツ
ド、１２…リニアアンプ、１４…オペアンプ、Ｃ
…コンデンサ、R1〜R4…抵抗である。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 ヘツドギヤツプを形成する一対のコアのうち一
方のコアが薄膜コアに構成されている再生ヘツド
と、上記再生ヘツドの出力が加えられるプリアン
プとを具備し、 上記プリアンプは、上記薄膜コアが磁気記録媒
体の上流側に配されている場合、ｂ＋jω／ａ＋jω・Ａ （但しａ＞ｂ、Ａ：定数）の伝達関数を有し、上
記薄膜コアが磁気記録媒体の下流側に配されてい
る場合、ｂ−jω／ａ＋jω・Ａの伝達関数を有する磁気
再 生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18356882U JPS5989415U (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 磁気再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18356882U JPS5989415U (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 磁気再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5989415U JPS5989415U (ja) | 1984-06-16 |
| JPH039121Y2 true JPH039121Y2 (ja) | 1991-03-07 |
Family
ID=30397250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18356882U Granted JPS5989415U (ja) | 1982-12-03 | 1982-12-03 | 磁気再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5989415U (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628593Y2 (ja) * | 1979-04-23 | 1987-02-27 |
-
1982
- 1982-12-03 JP JP18356882U patent/JPS5989415U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5989415U (ja) | 1984-06-16 |
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