JPH0388387A - 多層配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は多層配線基板の製造方法に係り、特にポリイミ
ド樹脂層を層間絶縁体層とする多層配線基板の製造方法
に関する。

（従来の技術） 配線の高密度化乃至配線の微細化と言う点から、多層配
線基板、特に層間絶縁体にポリイミド樹脂を用いて成る
薄膜多層配線基板の有用性が注目されている。しかして
、この種の薄膜多層配線基板は、一般に次のような工程
によって製造されている。すなわち、絶縁性ベースたと
えばポリイミド樹脂フィルム面に、たとえばＴＩやＣ「
などの高融点金属から成る接着性金属層を介して、主導
体を成すＣｕ回路を形成したものを先ず用意する。つま
り、フォトリソ工程などにより所要のＣｕ回路゛を形成
したものを用意するが、ここで前記ＴＩやＣ「などの高
融点金属から成る接着性金属層を介在させるのは、ポリ
イミド樹脂フィルム面に対してＣｕ回路を接着乃至密着
一体化をよくするためである。

次いで、上記Ｃｕ回路を形成したポリイミド樹脂フィル
ムのＣｕ回路形成面上に、たとえばポリアミック酸樹脂
をコーテングし、たとえば所要の露光。

硬化処理を施してポリイミド樹脂絶縁層を形成する。上
記形成したポリイミド樹脂絶縁層を絶縁性ベースとして
、前記工程を順次繰り返すことによリ、所望の薄膜多層
配線基板を得ている。第３図は、上記薄膜多層配線基板
の製造工程における要部の態様を模式的に示した断面図
で、１は絶縁性ベース、２は接着用金属たとえば７１層
、３は主導体を成すＣｕ回路、４はポリアミック酸樹脂
（ワニス）のコーティング層をそれぞれ示す。

（発明が解決しようとする課題） しかし、上記従来の多層配線基板の製造方法には、次の
ような問題が往々認められる。すなわち、内層絶縁層を
構成するため用いるポリアミック酸樹脂４は、主導体を
成すＣｕ回路３を侵し、前記第３図に示すようにＣｕ回
路３の露出面に気泡や空隙部５が生成、残存することが
しばしば発生する。この気泡や空隙部５の生成、残存は
Ｃｕ回路３とポリイミド樹脂との接着力に影響するだけ
でなく、回路機能を果す動作段階での発熱によって前記
気泡や空隙部５の膨脹が起り、多層配線層のＣｕ回路３
のオープンやショートの起生原因となる。

つまり、多層配線基板として所要の機能を十分に保持１
発揮し得ない場合が起り易く、信頼性の点で問題がある
。

本発明は上記事情に対処してなされたもので、内層され
るＣｕ回路３周辺部に気泡や空隙部５が生成、残存する
ことなど防止し、所要の機能を常時保持２発揮する多層
配線基板を容易に製造し得る方法を提供することを目的
とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 本発明は、絶縁性ベース上に接着用金属層を介して主導
体を或すＣｕ回路を形成する工程と、前記形成したＣｕ
回路の露出面を化学ＮｉめっきによりＮｉ層で被覆する
工程と、前記Ｎｉ層で被覆したＣｕ回路層形成面上にポ
リアミック酸樹脂をコーテングし硬化処理を施して絶縁
性層を形成する工程とを順次繰り返すことを特徴とする
。

（作　用） 本発明によれば、内層乃至内蔵されるＣｕ回路は接着用
金属やＮｉ層にて被覆された状態で、ポリアミック酸樹
脂のコーテングおよびその硬化処理がなされる。つまり
、Ｃｕ回路はポリアミック酸樹脂（ポリイミド樹脂を生
成する中間体）と直接接触することがないため、前記Ｃ
ｕ回路とポリアミック酸樹脂との反応乃至ポリアミック
酸樹脂にょるＣｕ回路（Ｃｕ）の侵食が全面的に防止さ
れる。したがって、Ｃｕ回路周辺部に気泡や空隙が発生
することもなくなり、Ｃｕ回路のオープンやショートな
どの欠陥を持たない多層配置３１Ｘ板が容易に得られる
。

（実施例） 以下第１図を参照して本発明の詳細な説明する。先ず絶
縁性ベースとして、厚さ１鵬１程度のセラミック基板１
を用意し、このセラミック、Ｍ板１の主面上にＴｉ層（
接着用金属）およびＣｕ層を蒸着法によって順次被着形
成した。前記形成した金属層について、フォトエツチン
グ処理（フォトリソ工程）を施し、セラミック基板面上
に７３層２を介してＣｕ回路３ａを形成した。次いで前
記形成したＣｕ回路３ａの露出面に、化学Ｎｉめっき用
の前処理を施してから化学Ｎｉめっき処理して、前記Ｃ
ｕ回路３ａの露出面をＮｉ層、６で被覆した。かくして
、Ｃｕ回路３ａの露出面をＮｉ層６で被覆した上にポリ
アミック酸樹脂（ワニス）４をコーティングした後、所
要の露光処理乃至加熱処理を施してポリイミド樹脂絶縁
層を形成した。前記形成したポリイミド樹脂絶縁層を絶
縁性ベースとして、上記蒸着法およびフォトリソ工程ま
たは選択的な蒸着法による７１層を介してＣｕ回路３の
形成、化学旧めっき処理、ポリアミック酸樹脂のコーテ
ィングと硬化処理の各工程を順次繰り返すことによって
所望の多層配線基板を製造した。

上記製造した多層配線基板を厚さ方向に切断して、内層
Ｃｕ回路３の状態、Ｃｕ回路３と内層絶縁層（ポリイミ
ド樹脂層）との密着一体化状態および内層Ｃｕ回路周辺
部の状態をそれぞれ観察、検査したところ、ＣＩＪ回路
３のオープンやショート欠陥など認められず、またＣｕ
回路３と内層絶縁層とは良好な密着、接着を保持してい
た。さらに、内層されているＣｕ回路３周辺部には、気
泡や空隙も認められず緻密な組織を成していた。

なお、上記例では絶縁ベース１として、−始めセラミッ
ク板を用いたが、たとえばポリイミド樹脂フィルムなど
の樹脂フィルムを用いてもよい。また、上記ではＣｕ回
路３の露出面（上面および側面）を化学Ｎｉめっき層６
で被覆したが、たとえば第２図に示すようにＣｕ回路３
の上面にＴ１層２を設は露出する側面のみを化学Ｎｉめ
っき層６で被覆する構成としてもよい。ただし、この場
合はＣｕ回路３の上面にＴ１層２が存在するため、他の
Ｃｕ回路などとを電気的に接続する際、たとえばドライ
エツチング処理により、ピアホールを穿設してＣｕ回路
面を適宜露出させることが好ましい。しかして、上記Ｔ
１層２でＣｕ回路３を挟む形の構成を採る場合は、たと
えば絶縁性ベース面上にＴ１層、　Ｃｕ層およびＴ１層
を順次蒸着形威し、上記のようにフォトリソ工程を施す
ことによりなし得る。さらに、上記では接着性金属とし
てＴＩを用いた例を示したが、ＴＩの代りにたとえばＯ
ｒなど他の高融点金属を用いてもよいし、ポリイミド樹
脂層（層間絶縁層）面に、たとえばドライエツチング処
理を施しておくことにより、その上面に形成するＴｉ層
などの接着、密着一体化の向上も図り得る。

［発明の効果〕 上記の説明から分るように、本発明に係る製造方法によ
れば、その製造工程において主導体を成すＣｕ回路と、
層間絶縁層を形成するためコーティングするポリアミッ
ク酸樹脂とが直接接触しないので、Ｃｕとポリアミック
酸樹脂との反応乃至ポリアミック酸樹脂によるＣｕの侵
食現象が全面的に回避される。したがって、最終的には
Ｃｕ回路周辺部に気泡や空隙の生成（発生）、残存など
全く認められない多層配線基板が得られる。つまり、多
層配線基板について所要の動作を行わせた場合、Ｃｕ回
路のオープン、ショートなどの欠陥が起る恐れのない多
層配線基板を容易にかつ、歩留りよく製造し得る。しか
も工程的にも操作の煩雑性を伴ないので、製造された多
層配線基板の高い信頼性と相俟って実用上多くの利点を
もたらすものと言える。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明に係る多層配線基板の製造
方法における兄なる例の要部の態様を模式的に示す断面
図、第３図は従来の多層配線基板の製造方法における要
部の態様を模式的に示す断面図である。 １・・・・・・絶縁性ベース ２・・・・・・接着用金属層 ３・・・・・・Ｃｕ回路 ４・・・・・・ポリアミック酸樹脂（ワニス）６・・・
・・・化学Ｎｉめっき層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　絶縁性ベース上に接着用金属層を介して主導体を成す
   Ｃｕ回路を形成する工程と、 前記形成したＣｕ回路の露出面を化学Ｎｉめっきにより
   Ｎｉ層で被覆する工程と、 前記Ｎｉ層で被覆したＣｕ回路層形成面上にポリアミッ
   ク酸樹脂をコーテングし硬化処理を施して絶縁性層を形
   成する工程 とを順次繰り返すことを特徴とする多層配線基板の製造
   方法。