JPH038755U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH038755U JPH038755U JP6914689U JP6914689U JPH038755U JP H038755 U JPH038755 U JP H038755U JP 6914689 U JP6914689 U JP 6914689U JP 6914689 U JP6914689 U JP 6914689U JP H038755 U JPH038755 U JP H038755U
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- JP
- Japan
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- thin film
- semiconductor thin
- electrode
- film layer
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
第１図は、半導体薄膜３が電極１の全域に形成
されているガス検知素子の概略平面図。第２図は
、半導体薄膜３が電極１の一部に形成されている
ガス検知素子の概略平面図。第３図は、金属マス
ク５を用いて半導体薄膜３を形成した場合の薄膜
の状態図。第４図は、金属マスク５を用いないで
半導体薄膜３を形成した場合の薄膜の状態図。第
５図は、パラレルギヤツプ方式による抵抗溶接の
状態図である。 ６……溶接平行電極。
されているガス検知素子の概略平面図。第２図は
、半導体薄膜３が電極１の一部に形成されている
ガス検知素子の概略平面図。第３図は、金属マス
ク５を用いて半導体薄膜３を形成した場合の薄膜
の状態図。第４図は、金属マスク５を用いないで
半導体薄膜３を形成した場合の薄膜の状態図。第
５図は、パラレルギヤツプ方式による抵抗溶接の
状態図である。 ６……溶接平行電極。
Claims (1)
- 電極１が形成してある基板２に半導体薄膜層３
を形成して成る半導体薄膜型ガス検出素子におい
て、前記半導体薄膜層３を基板２の電極１を形成
した面上の全域に形成し、尚かつ信号取り出し用
リード線４を半導体薄膜層３を挟んだ状態で電極
１に溶接することを特徴とするガス検出素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6914689U JPH038755U (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6914689U JPH038755U (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH038755U true JPH038755U (ja) | 1991-01-28 |
Family
ID=31604195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6914689U Pending JPH038755U (ja) | 1989-06-13 | 1989-06-13 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH038755U (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5294996U (ja) * | 1976-01-08 | 1977-07-15 | ||
| KR20220081205A (ko) * | 2020-12-08 | 2022-06-15 | 고찬규 | 공병 자동회수 처리장치 |
-
1989
- 1989-06-13 JP JP6914689U patent/JPH038755U/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5294996U (ja) * | 1976-01-08 | 1977-07-15 | ||
| KR20220081205A (ko) * | 2020-12-08 | 2022-06-15 | 고찬규 | 공병 자동회수 처리장치 |
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