JPS5964563U - 厚膜型ガス検知素子 - Google Patents

厚膜型ガス検知素子

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Publication number
JPS5964563U
JPS5964563U JP15900082U JP15900082U JPS5964563U JP S5964563 U JPS5964563 U JP S5964563U JP 15900082 U JP15900082 U JP 15900082U JP 15900082 U JP15900082 U JP 15900082U JP S5964563 U JPS5964563 U JP S5964563U
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JP
Japan
Prior art keywords
thick film
sensing element
gas sensing
film gas
electrodes
Prior art date
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Pending
Application number
JP15900082U
Other languages
English (en)
Inventor
菱井　利祐
Original Assignee
日本電気株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to JP15900082U priority Critical patent/JPS5964563U/ja
Publication of JPS5964563U publication Critical patent/JPS5964563U/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来技術の説明図であり、第１ａ図は従来の厚
膜型ガス検知素子の側面図、第１ｂ図は従来の厚膜型ガ
ス検知素子の平面図、第２図は本考案の実施例の説明図
であり、第２ａ図は本考案の実施例の側面図、第２ｂ図
は本考案の実施例の平面図である。 １．４・・・・・・絶縁基板、２・・・・・・Ａｕ電極
、３，６・・・・・・金属酸化物半導体層、５・・・・
・・Ｐｄ電極、７・・・・・・ガラス層。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 絶縁基板と、この基板上に相対して設けられた電極と、
    前記基板上に前記両電極間を接続するように設けられた
    厚膜型の金属酸化物半導体層とより構成された厚膜型ガ
    ス検知素子において、前記両電極をパラジウム導体パタ
    ンにより形成することを特徴とする厚膜型ガス検知素子
    。
JP15900082U 1982-10-22 1982-10-22 厚膜型ガス検知素子 Pending JPS5964563U (ja)

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JP15900082U JPS5964563U (ja) 1982-10-22 1982-10-22 厚膜型ガス検知素子

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JPS5964563U true JPS5964563U (ja) 1984-04-28

Family

ID=30350132

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JP15900082U Pending JPS5964563U (ja) 1982-10-22 1982-10-22 厚膜型ガス検知素子

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