JPH0384939A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
この発明は、入出力端子数の多い半導体素子を搭載した
樹脂封止型の半導体装置に関する。 半導体集積回路素子を収容するパッケージは大別すると
次の３１１類がある。 ■樹脂封止型パッケージ ■ガラスーセラミック封止型パッケージ■多層セラミッ
ク積層パッケージ（ＭＬＣＰ）■は半導体素子もリード
フレームもワイヤも樹脂でモールドしてしまうものであ
る。 半導体素子の入出力端子とリードフレームとが直接ワイ
ヤボンディングにより結線される。リードフレームが２
辺にのみ設けられるもの（ＤＩＰ）と、４辺に設けられ
るもの（ＱｔｌＡＤ）とがある。プラスチックでモール
ドするのでパッケージの工程が単純であり、安価である
という利点がある。このため最も広く用いられている。 本発明はこのタイプのパッケージの改良である。 しかし、樹脂封止型パッケージは、プラスチックの熱伝
導度が低いため、放熱性が悪いという欠点がある。また
、半導体素子と樹脂が密着しているが、熱膨脹率が違う
ので、半導体素子に大きい内部応力が生じ半導体素子に
クラックが入り易いという難点もある。 ■はセラミック基板と、セラミック酸のキャップの間に
低融点ガラスとリードフレームを挟んだものである。低
融点ガラスは、リードフレームを固定する役割と、キャ
ップを基板に封着するという役割とを担っている。半導
体素子の入出力端子のパッドと、リードフレームの内方
端部とは、ボンディングワイヤによって結線される。 ■のパッケージは、セラミックの基板、キャップを使う
ので放熱性に優れる。また気密性も良い。半導体素子と
キャップとが離れているので熱応力の問題も生じない。 しかし、高速動作する半導体素子に対しては未だ十分で
ない。 ■はセラミック基板（又は金属基板）の上にセラミック
枠板を何枚も積層したものである。セラミック板を何枚
も重ねるので、その間にグランド面や電源電圧面を作る
事ができる。またリードフレームは半導体素子に直接に
結線されない。セラえツク板の上に、放射状のメタライ
ズ配線を印刷する。メタライズ配線を媒介として、半導
体素子の入出力端子とリードフレームとが電気的に接続
される。 上下間の層の電気的接続のためには上下方向にピアホー
ル（Ｈａ ｈｏｌｅ）を設ける事によってなされる。■
は放熱性、気密性に優れる。又マイクロストリップライ
ン構造にする事もでき、高速動作する素子のパッケージ
として好適である。しかし高価である。 本発明は■のパッケージの改良であるが、■のパッケー
ジに使われる技術の一部を応用するので、これら他のカ
テゴリーのパッケージについても述べた。
樹脂封止型の半導体装置に関する。 半導体集積回路素子を収容するパッケージは大別すると
次の３１１類がある。 ■樹脂封止型パッケージ ■ガラスーセラミック封止型パッケージ■多層セラミッ
ク積層パッケージ（ＭＬＣＰ）■は半導体素子もリード
フレームもワイヤも樹脂でモールドしてしまうものであ
る。 半導体素子の入出力端子とリードフレームとが直接ワイ
ヤボンディングにより結線される。リードフレームが２
辺にのみ設けられるもの（ＤＩＰ）と、４辺に設けられ
るもの（ＱｔｌＡＤ）とがある。プラスチックでモール
ドするのでパッケージの工程が単純であり、安価である
という利点がある。このため最も広く用いられている。 本発明はこのタイプのパッケージの改良である。 しかし、樹脂封止型パッケージは、プラスチックの熱伝
導度が低いため、放熱性が悪いという欠点がある。また
、半導体素子と樹脂が密着しているが、熱膨脹率が違う
ので、半導体素子に大きい内部応力が生じ半導体素子に
クラックが入り易いという難点もある。 ■はセラミック基板と、セラミック酸のキャップの間に
低融点ガラスとリードフレームを挟んだものである。低
融点ガラスは、リードフレームを固定する役割と、キャ
ップを基板に封着するという役割とを担っている。半導
体素子の入出力端子のパッドと、リードフレームの内方
端部とは、ボンディングワイヤによって結線される。 ■のパッケージは、セラミックの基板、キャップを使う
ので放熱性に優れる。また気密性も良い。半導体素子と
キャップとが離れているので熱応力の問題も生じない。 しかし、高速動作する半導体素子に対しては未だ十分で
ない。 ■はセラミック基板（又は金属基板）の上にセラミック
枠板を何枚も積層したものである。セラミック板を何枚
も重ねるので、その間にグランド面や電源電圧面を作る
事ができる。またリードフレームは半導体素子に直接に
結線されない。セラえツク板の上に、放射状のメタライ
ズ配線を印刷する。メタライズ配線を媒介として、半導
体素子の入出力端子とリードフレームとが電気的に接続
される。 上下間の層の電気的接続のためには上下方向にピアホー
ル（Ｈａ ｈｏｌｅ）を設ける事によってなされる。■
は放熱性、気密性に優れる。又マイクロストリップライ
ン構造にする事もでき、高速動作する素子のパッケージ
として好適である。しかし高価である。 本発明は■のパッケージの改良であるが、■のパッケー
ジに使われる技術の一部を応用するので、これら他のカ
テゴリーのパッケージについても述べた。
半導体集積回路（以下、簡単に半導体素子とい−５）は
、近年益々高密度化し入出力ピン数が非常に多くなって
きている。 従来、リードフレームを有するパッケージニ於いて、リ
ードフレームと半導体素子の入出力端子のパッドとは、
直径３０１１ｍはどの金線或はアルミニウム線によって
結線されていた。つまり、リードフレームと半導体素子
とは直接にワイヤボンディングによって接続されていた
。 ワイヤボンディング方式は、リードフレームと半導体素
子の入出力端子を接続するものとしてなお主流をなして
いるが、これはビン数が多くなると必ずしも優れた方法
ではない。 最近は、特に２００〜３００ピン以上の素子が開発され
つつある。これに応じて、結線方法も、前記ワイヤボン
ディング方式から、多ピンに有利なフィルムキャリヤを
用いたＴＡＢ方式が実用化され始めている。 ＴＡＢ方式が、多ビン化に於いて有利だといつ点につい
ては例えば、 ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＰＡＣＫＡＣＩＮＧ ＆ ＰＲＯ
ＤＵＣＴＩＯＮ １９８８年１２月号Ｐ４３〜Ｐ４５ に示されている。 典型的な数値として、ＩＣチップ上の接続可能な入出力
パッドの最少のピッチは、 （ａ）ワイヤボンディング方式 １５０１１ｓ（ｂ）
ＴＡＢ方式 １００−厘であると述べら
れている。 このよろに、多ピンＩＣに対しては、ワイヤボンディン
グ方式よりＴＡＢ方式の方が有利であるとされる。
、近年益々高密度化し入出力ピン数が非常に多くなって
きている。 従来、リードフレームを有するパッケージニ於いて、リ
ードフレームと半導体素子の入出力端子のパッドとは、
直径３０１１ｍはどの金線或はアルミニウム線によって
結線されていた。つまり、リードフレームと半導体素子
とは直接にワイヤボンディングによって接続されていた
。 ワイヤボンディング方式は、リードフレームと半導体素
子の入出力端子を接続するものとしてなお主流をなして
いるが、これはビン数が多くなると必ずしも優れた方法
ではない。 最近は、特に２００〜３００ピン以上の素子が開発され
つつある。これに応じて、結線方法も、前記ワイヤボン
ディング方式から、多ピンに有利なフィルムキャリヤを
用いたＴＡＢ方式が実用化され始めている。 ＴＡＢ方式が、多ビン化に於いて有利だといつ点につい
ては例えば、 ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＰＡＣＫＡＣＩＮＧ ＆ ＰＲＯ
ＤＵＣＴＩＯＮ １９８８年１２月号Ｐ４３〜Ｐ４５ に示されている。 典型的な数値として、ＩＣチップ上の接続可能な入出力
パッドの最少のピッチは、 （ａ）ワイヤボンディング方式 １５０１１ｓ（ｂ）
ＴＡＢ方式 １００−厘であると述べら
れている。 このよろに、多ピンＩＣに対しては、ワイヤボンディン
グ方式よりＴＡＢ方式の方が有利であるとされる。
ＩＣの多ピン化に対して、ＴＡＢ方式は優れた方式であ
る。しかし、ＴＡＢ方式は必要な設備投資が大きくなる
という難点がある。 またＡＳＩＣのように多量多品種のＩＣ素子群に対して
は、それぞれに応じたフィルムキャリアの設計、作り直
し、ボンディングツールの変更の必要性などがある。こ
れらの点でコスト面、運用面で解決すべき課題がなお多
い。 ワイヤボンディング方式の方が設備投資、コスト、運用
面でなお有利である事もある。 ただし、ワイヤボンディング方式の場合、ビン数が多く
なると、ワイヤが長くなり過ぎるという問題がある。リ
ードフレームは金属の導体であるが、リード間の距離は
成る程度以上狭くできない。 ビン数が多いとリードフレームの一辺当たりの数が増え
る。すると半導体素子の隅部の入出力端子と、リードフ
レームの隅部のものとの距離が極めて長くなる。このた
めこれらを結線するワイヤも長くなる。 長いワイヤが狭い間隔を隔てて並んでいるのであるから
、これらが不規則に彎曲するとワイヤが短絡することも
ある。またワイヤがもつれたり、切断されたりする惧れ
も増える。またワイヤの抵抗が大きいので、高速信号の
場合、これが減衰したり歪んだりする。 このようにワイヤが長いということは望ましい事ではな
い。 多ビンの半導体素子に対しても、長いワイヤを用いる事
なく結線できるようにしたワイヤボンディング方式のカ
テゴリーに属する半導体装置を提供する事が本発明の目
的である。
る。しかし、ＴＡＢ方式は必要な設備投資が大きくなる
という難点がある。 またＡＳＩＣのように多量多品種のＩＣ素子群に対して
は、それぞれに応じたフィルムキャリアの設計、作り直
し、ボンディングツールの変更の必要性などがある。こ
れらの点でコスト面、運用面で解決すべき課題がなお多
い。 ワイヤボンディング方式の方が設備投資、コスト、運用
面でなお有利である事もある。 ただし、ワイヤボンディング方式の場合、ビン数が多く
なると、ワイヤが長くなり過ぎるという問題がある。リ
ードフレームは金属の導体であるが、リード間の距離は
成る程度以上狭くできない。 ビン数が多いとリードフレームの一辺当たりの数が増え
る。すると半導体素子の隅部の入出力端子と、リードフ
レームの隅部のものとの距離が極めて長くなる。このた
めこれらを結線するワイヤも長くなる。 長いワイヤが狭い間隔を隔てて並んでいるのであるから
、これらが不規則に彎曲するとワイヤが短絡することも
ある。またワイヤがもつれたり、切断されたりする惧れ
も増える。またワイヤの抵抗が大きいので、高速信号の
場合、これが減衰したり歪んだりする。 このようにワイヤが長いということは望ましい事ではな
い。 多ビンの半導体素子に対しても、長いワイヤを用いる事
なく結線できるようにしたワイヤボンディング方式のカ
テゴリーに属する半導体装置を提供する事が本発明の目
的である。
上記の課題を解決するため１本発明の半導体素子は、
■多数の入出力端子を有する半導体素子と、■上面に多
数の放射状の配線パターンが設けてあり上面中央に前記
半導体素子を載置するための配線基板と、 ■配線基板の外縁に固着され配線パターンと電気的に接
続されるリードフレームと、 ■配線基板とリードフレーム間の電気的接続及び配線基
板と半導体素子の入出力端子の間の電気的接続の２つの
電気的接続のうち少なくともひとつに設けられて電気的
に接続を行う異方性導電フィルムと、 ■半導体素子、配線基板、異方性導電フィルム、リード
フレームの内方の部分を囲む樹脂、とよりなっている。 本発明は先述の３種類のパッケージのろち、樹脂封止パ
ッケージに属する。しかし、リードフレームと半導体素
子の入出力端子とを直接にワイヤボンディングによって
接続しない。そうではなくて、両者の間に配線パターン
を設けた配線基板を介在させるのである。 配線パターンを中間に介在させ、これを媒介にして、リ
ードフレームと半導体素子とを電気的に接続するという
点で、先述の多層セラミックパッケージに共通する所が
ある。 さらに本発明においては、リードフレームと配線パター
ンの接続、或は配線パターンと半導体素子の入出力端子
の接続のために異方性導電フィルムを用いている。 異方性導電フィルムは、導電性に異方性があるフィルム
である。上下方向には導電性があるが、横方向には絶縁
性となっている。 配線パターンの上に異方性導電フィルムを重ね、さらに
リードフレームを重ねて置く。対応するリードフレーム
の直下に配線パターンが存在するように位置合わせする
。この状態で加熱圧着する。リードフレームと配線パタ
ーンが一挙に結合される。導電性に異方性があるので、
上下のリードフレームと配線パターンが電気的に接続さ
れる。しかし隣り合うリードフレーム、配線パターンの
間は絶縁されている。
数の放射状の配線パターンが設けてあり上面中央に前記
半導体素子を載置するための配線基板と、 ■配線基板の外縁に固着され配線パターンと電気的に接
続されるリードフレームと、 ■配線基板とリードフレーム間の電気的接続及び配線基
板と半導体素子の入出力端子の間の電気的接続の２つの
電気的接続のうち少なくともひとつに設けられて電気的
に接続を行う異方性導電フィルムと、 ■半導体素子、配線基板、異方性導電フィルム、リード
フレームの内方の部分を囲む樹脂、とよりなっている。 本発明は先述の３種類のパッケージのろち、樹脂封止パ
ッケージに属する。しかし、リードフレームと半導体素
子の入出力端子とを直接にワイヤボンディングによって
接続しない。そうではなくて、両者の間に配線パターン
を設けた配線基板を介在させるのである。 配線パターンを中間に介在させ、これを媒介にして、リ
ードフレームと半導体素子とを電気的に接続するという
点で、先述の多層セラミックパッケージに共通する所が
ある。 さらに本発明においては、リードフレームと配線パター
ンの接続、或は配線パターンと半導体素子の入出力端子
の接続のために異方性導電フィルムを用いている。 異方性導電フィルムは、導電性に異方性があるフィルム
である。上下方向には導電性があるが、横方向には絶縁
性となっている。 配線パターンの上に異方性導電フィルムを重ね、さらに
リードフレームを重ねて置く。対応するリードフレーム
の直下に配線パターンが存在するように位置合わせする
。この状態で加熱圧着する。リードフレームと配線パタ
ーンが一挙に結合される。導電性に異方性があるので、
上下のリードフレームと配線パターンが電気的に接続さ
れる。しかし隣り合うリードフレーム、配線パターンの
間は絶縁されている。
多ビンの半導体素子に対して、ワイヤボンディング方式
の長所を活かしつつ、ワイヤが長くなる事なく素子とリ
ードフレームとを電気的に接続できるパッケージを与え
る事ができる。 これは中間に配線パターンを設けるからである。放射状
の配線パターンを媒介としてリードフレームと半導体素
子の入出力端子とを接続する。 配線パターンの分だけワイヤが短くなる。ワイヤが短い
ので、短絡、断線、もつれなどの事故が起こらない。 又異方性導電フィルムで一括してリードフレームと配線
パターン、又は配線パターンと半導体素子の入出力端子
を接続するので、結線の工程が単純である。
の長所を活かしつつ、ワイヤが長くなる事なく素子とリ
ードフレームとを電気的に接続できるパッケージを与え
る事ができる。 これは中間に配線パターンを設けるからである。放射状
の配線パターンを媒介としてリードフレームと半導体素
子の入出力端子とを接続する。 配線パターンの分だけワイヤが短くなる。ワイヤが短い
ので、短絡、断線、もつれなどの事故が起こらない。 又異方性導電フィルムで一括してリードフレームと配線
パターン、又は配線パターンと半導体素子の入出力端子
を接続するので、結線の工程が単純である。
低コストを実現するためにトランスファ樹脂封止方式を
用い、高密度実装を可能とするためＱｕａｄ−Ｆ ｌａ
ｔ−Ｐａｃｋａｇｅと呼ばれる半導体装置を、本発明の
思想によって作製した。 Ｑｕａｄというのは四辺にリードフレームが出ていると
いろ意味である。 第１図に概略の横断平面図を、第２図に縦断正面図を示
す。ただし、簡単のためビン数は実際のものより少なく
して描いている。 矩形状の半導体素子１は、矩形状の配線基板２の中央上
面に固定されている。半導体素子１の四辺には入出力端
子８．６． が多数形成されている。 配線基板２には、中央部に近い部分から外側へ向かって
放射状に多数の配線パターン８が設けである。配線パタ
ーンの形成は、印刷法、真空蒸着法、スパッタリング法
など任意である。 基板２が絶縁体であれば、導体パターンを形成するだけ
で良い。基板２が導体であれば、いったん絶縁体の薄膜
を形成し、この上に導体の放射状パターンを形成する必
要がある。 この例では、配線パターン８の内端と半導体素子１の入
出力パッド６とをボンディングワイヤ４で接続している
。これは従来のワイヤボンディング方式と同様の手段に
よって接続でき今。 しかし、配線パターンとリードフレームの結線には、異
方性導電フィルムを用いている。 配線パターン８の外縁にあたる配線基板２の四辺に枠状
の異方性導電フィルム５を置き、リードフレーム３の内
端を重ね、熱圧着する。異方性導電フィルム５の作用で
リードフレームが配線パターン８の上に固着される。 しかも、導電フィルム５の導電性の異方性のため上下方
向に重ね合わされたリードフレームと配線パターンのみ
とが電気的に接続される。 より具体的に各部の寸法についても説明する。 取り付けるべき半導体素子１は７．０ｍｍ角のゲートア
レイである。入出力パッドの数は２０８個であり、これ
が四辺に分割して分布している。入出力パッドは９ｔｈ
■口であり４０１ｍ間隔で一辺について５２個並んでい
る。つまり１３０μｍピッチで並んでいる事になる。 リードフレームは、０．１５ｍｍ厚の、Ｆｅ−４２％旧
のエツチング品を用いる。歩留り良く製造するために、
インナーリードの先端幅平均が０．１６ｍｍ、リード先
端の平均間隔が０．２■■であるリードフレームとした
。 このリードフレームの一辺の左端リードから右端リード
までの距離は１８ｍｍであった。 つまり、このリードフレームの内端を結ぶ線は１８Ｘ
１８＋ｇ＋ａの正方形となる。もしも、この真ん中に７
×７１Ｉ１１の半導体素子を置いて、従来のようにワイ
ヤでリードフレームと半導体素子のパッドとを接続する
と、ワイヤの最長部がｌＯ■園にもなってしまう。この
ように長くて、しかも間隔が狭いと、ワイヤ同士で短絡
したり、ワイヤ切れが起こりやすくなる。 またこの例のように封止形態がトランスファ樹脂封止の
場合、樹脂の注入圧によって上記の結線不良傾向はいっ
そう顕著となる。 しかし本発明では、配線基板を用いて、半導体素子とリ
ードフレームとを配線パターンによって仲介するので、
上記の欠点は克服される。 配線基板は２５ｍｍ角、０．２５１１厚正方形のＦｅ−
４２％Ｎｌ板である。この上全面にＡｌ２０Ｇ薄膜をｌ
Ｏｇｍはど堆積させている。さらにこの上に、Ａ１配
線パターンを５ｊｍの厚さで放射状に堆積させている。 Ａｊ配線パターンは、リードフレームのインナーリード
の形状に合わせである。つまりＡｊ配線パターンの上に
インナーリードがそれぞれひとつずつ重なるように寸法
を決定している。 配線基板の上に四角枠形状の異方性導電フィルム５を重
ね、リードフレームのインナーリードを重ね、熱圧着し
た。接合代は２．５〜３．５ｍｍであった。異方性導電
フィルムはエポキシ系硬化性樹脂である。熱圧着の条件
は、２００°Ｃ、２０ｋｇ／ｃｍ”であった。 とつして、配線基板付のリードフレームが作製される。 これに半導体素子をつけてパッケージソゲするのは常法
による。 半導体素子１は、配線基板２の上面中央に、エポキシ系
接着剤によって接着する。半導体素子１の入出力パッド
（端子）６と対応するＡ１配線パターン８とを金線でワ
イヤボンディングする。 ついで、配線基板、半導体素子、インナーリードなどの
全体をトランスファ樹脂封止する。樹脂部分の大きさは
４０Ｘ ４０ｍｍである。 この状態ではリードフレームが外端で枠状に結合してい
るので、リードフレームの不要部を切断し、リードフレ
ームを分離する。 さらにアウターリード（リードフレームの外側の部分）
の曲げ加工を行う。こうして、半導体装置が完成する。 この完成品の電気的試験を行った。 いずれのリードも半導体素子の対応する入出力パッドと
接続されていた。またリード間の絶縁がとれており、問
題なく半導体素子を動作させる事ができた。 ここでは、配線基板として、Ｆｅ−４２％Ｋｉ板の上に
Ａｊ２０３薄膜を積層したものを用いている。これに限
らず、セラミック板、硬質回路基板を配線基板としても
良い。 この例では、配線パターンとリードフレームのインナー
リードを接合するために異方性導電フィルムを用いてい
る。これに限らず、半導体素子の入出力パッドと配線パ
ターンとを接合するため異方性導電フィルムを用いても
良い。この場合は、半導体素子を裏向きにして配線基板
に接合する。
用い、高密度実装を可能とするためＱｕａｄ−Ｆ ｌａ
ｔ−Ｐａｃｋａｇｅと呼ばれる半導体装置を、本発明の
思想によって作製した。 Ｑｕａｄというのは四辺にリードフレームが出ていると
いろ意味である。 第１図に概略の横断平面図を、第２図に縦断正面図を示
す。ただし、簡単のためビン数は実際のものより少なく
して描いている。 矩形状の半導体素子１は、矩形状の配線基板２の中央上
面に固定されている。半導体素子１の四辺には入出力端
子８．６． が多数形成されている。 配線基板２には、中央部に近い部分から外側へ向かって
放射状に多数の配線パターン８が設けである。配線パタ
ーンの形成は、印刷法、真空蒸着法、スパッタリング法
など任意である。 基板２が絶縁体であれば、導体パターンを形成するだけ
で良い。基板２が導体であれば、いったん絶縁体の薄膜
を形成し、この上に導体の放射状パターンを形成する必
要がある。 この例では、配線パターン８の内端と半導体素子１の入
出力パッド６とをボンディングワイヤ４で接続している
。これは従来のワイヤボンディング方式と同様の手段に
よって接続でき今。 しかし、配線パターンとリードフレームの結線には、異
方性導電フィルムを用いている。 配線パターン８の外縁にあたる配線基板２の四辺に枠状
の異方性導電フィルム５を置き、リードフレーム３の内
端を重ね、熱圧着する。異方性導電フィルム５の作用で
リードフレームが配線パターン８の上に固着される。 しかも、導電フィルム５の導電性の異方性のため上下方
向に重ね合わされたリードフレームと配線パターンのみ
とが電気的に接続される。 より具体的に各部の寸法についても説明する。 取り付けるべき半導体素子１は７．０ｍｍ角のゲートア
レイである。入出力パッドの数は２０８個であり、これ
が四辺に分割して分布している。入出力パッドは９ｔｈ
■口であり４０１ｍ間隔で一辺について５２個並んでい
る。つまり１３０μｍピッチで並んでいる事になる。 リードフレームは、０．１５ｍｍ厚の、Ｆｅ−４２％旧
のエツチング品を用いる。歩留り良く製造するために、
インナーリードの先端幅平均が０．１６ｍｍ、リード先
端の平均間隔が０．２■■であるリードフレームとした
。 このリードフレームの一辺の左端リードから右端リード
までの距離は１８ｍｍであった。 つまり、このリードフレームの内端を結ぶ線は１８Ｘ
１８＋ｇ＋ａの正方形となる。もしも、この真ん中に７
×７１Ｉ１１の半導体素子を置いて、従来のようにワイ
ヤでリードフレームと半導体素子のパッドとを接続する
と、ワイヤの最長部がｌＯ■園にもなってしまう。この
ように長くて、しかも間隔が狭いと、ワイヤ同士で短絡
したり、ワイヤ切れが起こりやすくなる。 またこの例のように封止形態がトランスファ樹脂封止の
場合、樹脂の注入圧によって上記の結線不良傾向はいっ
そう顕著となる。 しかし本発明では、配線基板を用いて、半導体素子とリ
ードフレームとを配線パターンによって仲介するので、
上記の欠点は克服される。 配線基板は２５ｍｍ角、０．２５１１厚正方形のＦｅ−
４２％Ｎｌ板である。この上全面にＡｌ２０Ｇ薄膜をｌ
Ｏｇｍはど堆積させている。さらにこの上に、Ａ１配
線パターンを５ｊｍの厚さで放射状に堆積させている。 Ａｊ配線パターンは、リードフレームのインナーリード
の形状に合わせである。つまりＡｊ配線パターンの上に
インナーリードがそれぞれひとつずつ重なるように寸法
を決定している。 配線基板の上に四角枠形状の異方性導電フィルム５を重
ね、リードフレームのインナーリードを重ね、熱圧着し
た。接合代は２．５〜３．５ｍｍであった。異方性導電
フィルムはエポキシ系硬化性樹脂である。熱圧着の条件
は、２００°Ｃ、２０ｋｇ／ｃｍ”であった。 とつして、配線基板付のリードフレームが作製される。 これに半導体素子をつけてパッケージソゲするのは常法
による。 半導体素子１は、配線基板２の上面中央に、エポキシ系
接着剤によって接着する。半導体素子１の入出力パッド
（端子）６と対応するＡ１配線パターン８とを金線でワ
イヤボンディングする。 ついで、配線基板、半導体素子、インナーリードなどの
全体をトランスファ樹脂封止する。樹脂部分の大きさは
４０Ｘ ４０ｍｍである。 この状態ではリードフレームが外端で枠状に結合してい
るので、リードフレームの不要部を切断し、リードフレ
ームを分離する。 さらにアウターリード（リードフレームの外側の部分）
の曲げ加工を行う。こうして、半導体装置が完成する。 この完成品の電気的試験を行った。 いずれのリードも半導体素子の対応する入出力パッドと
接続されていた。またリード間の絶縁がとれており、問
題なく半導体素子を動作させる事ができた。 ここでは、配線基板として、Ｆｅ−４２％Ｋｉ板の上に
Ａｊ２０３薄膜を積層したものを用いている。これに限
らず、セラミック板、硬質回路基板を配線基板としても
良い。 この例では、配線パターンとリードフレームのインナー
リードを接合するために異方性導電フィルムを用いてい
る。これに限らず、半導体素子の入出力パッドと配線パ
ターンとを接合するため異方性導電フィルムを用いても
良い。この場合は、半導体素子を裏向きにして配線基板
に接合する。
本発明は樹脂封止パッケージのカテゴリーに属しながら
、半導体素子とリードフレームの間を配ＩＩ／ｆターン
で中継させるようになっているので、多ビンの場合であ
っても、長いワイヤで結線しなければならないという事
がない。 短いワイヤで接続する事ができるので、ワイヤの短絡、
断線という事故が起こり難い。２００〜３００ビン或は
そ杉以上の多ピンの半導体素子に対して有効である。 従来のワイヤボンド技術をそのまま用いる事ができる。 ＴＡＢ方式のように新たな設備投資を必要としない。 異方性導電フィルムで配線とリードフレーム、或は入出
力パッドと配線とを熱圧着するので、これらの結線工程
が極めて単純なものになる。
、半導体素子とリードフレームの間を配ＩＩ／ｆターン
で中継させるようになっているので、多ビンの場合であ
っても、長いワイヤで結線しなければならないという事
がない。 短いワイヤで接続する事ができるので、ワイヤの短絡、
断線という事故が起こり難い。２００〜３００ビン或は
そ杉以上の多ピンの半導体素子に対して有効である。 従来のワイヤボンド技術をそのまま用いる事ができる。 ＴＡＢ方式のように新たな設備投資を必要としない。 異方性導電フィルムで配線とリードフレーム、或は入出
力パッドと配線とを熱圧着するので、これらの結線工程
が極めて単純なものになる。
第１図は本発明の実施例に係る半導体装置の概略横断平
面図。 第２図は同じものの縦断正面図。 １ 半導体素子 ２ 、０． 配線基板 ３ リードフレーム ４、、、、 ボンディングワイヤ ５ 異方性導電フィルム ８ 、１． 出入力端子 ７ 、 、 樹 脂 発 明 者 瀧 川 貴
稔山 中 正 策
面図。 第２図は同じものの縦断正面図。 １ 半導体素子 ２ 、０． 配線基板 ３ リードフレーム ４、、、、 ボンディングワイヤ ５ 異方性導電フィルム ８ 、１． 出入力端子 ７ 、 、 樹 脂 発 明 者 瀧 川 貴
稔山 中 正 策
Claims (1)
- 多数の入出力端子を有する半導体素子と、上面に多数の
放射状の配線パターンが設けてあり上面中央に前記半導
体素子を載置するための配線基板と、配線基板の外縁に
固着され配線パターンと電気的に接続されるリードフレ
ームと、配線基板とリードフレームの間の電気的接続及
び配線基板と半導体素子の入出力端子の間の電気的接続
の２つの電気的接続のうち少なくともひとつに設けられ
て電気的に接続を行う異方性導電フィルムと、半導体素
子、配線基板、異方性導電フィルム、リードフレームの
内方の部分を囲む樹脂とより構成される事を特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222343A JPH0384939A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1222343A JPH0384939A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0384939A true JPH0384939A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16780859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222343A Pending JPH0384939A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0384939A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129507A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Hitachi Cable Ltd | 複合リードフレーム |
| US6677181B2 (en) * | 1998-05-15 | 2004-01-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating stacked chip package device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58192334A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP1222343A patent/JPH0384939A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58192334A (ja) * | 1982-05-07 | 1983-11-09 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05129507A (ja) * | 1991-10-31 | 1993-05-25 | Hitachi Cable Ltd | 複合リードフレーム |
| US6677181B2 (en) * | 1998-05-15 | 2004-01-13 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for fabricating stacked chip package device |
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