JPH0384840A - イオン注入装置 - Google Patents

イオン注入装置

Info

Publication number
JPH0384840A
JPH0384840A JP1221037A JP22103789A JPH0384840A JP H0384840 A JPH0384840 A JP H0384840A JP 1221037 A JP1221037 A JP 1221037A JP 22103789 A JP22103789 A JP 22103789A JP H0384840 A JPH0384840 A JP H0384840A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
current
detection electrode
ion beam
faraday
comparing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1221037A
Other languages
English (en)
Inventor
Katsuo Naito
勝男 内藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nissin Electric Co Ltd
Original Assignee
Nissin Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nissin Electric Co Ltd filed Critical Nissin Electric Co Ltd
Priority to JP1221037A priority Critical patent/JPH0384840A/ja
Publication of JPH0384840A publication Critical patent/JPH0384840A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、イオン注入装置に関し、特にそのファラデ
ー系を構成するファラデーカップの内壁にイオンビーム
が衝突する現象(いわゆるビームヒツティング)の発生
を検出する手段に関する。
〔従来の技術〕
第5図は、従来のイオン注入装置の一例を部分的に示す
図である。
このイオン注入装置は、いわゆるメカニカルスキャン方
式のものであり、基本的には、真空容器(図示省略)内
で回転および並進させられるつ工−ハディスク4の周縁
部に装着された複数枚のつニーハロにイオンビーム2を
照射して各ウェー八6にイオン注入を行うよう#l或さ
れている。
イオンビーム2の経路上には、ビーム成形スリット8の
他に、ウェーハディスク4と共にファラデー系を構成す
るものとして、イオンビーム2がウェーハディスク4等
に当たった際に放出される二次電子のアースへの逃げを
防止するファラデーカップにュートラルカップとも呼ば
れる)12および負電位のサプレッサ電極10がウェー
ハディスク4の前面側に、ウェーハディスク4が外に並
進したときにそれの代わりにイオンビーム2を受けるキ
ャッチプレート14がウェーハディスク4の後面側にそ
れぞれ設けられている。
そして、ウェーハディスク4、ファラデーカップ12お
よびキャッチプレート14は、互いに電気的に並列接続
されて、例えばカレントインテグレータのような電流計
測器16に接続されており、これによってイオンビーム
2のビーム電流I、の計測を正確に行なえるようにして
いる。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記のようなイオン注入装置において、例えば第5図中
に破線で示すように、何らかの原因(例えば上流側にお
いてイオンビーム2の集束点位置がずれた場合等〉で異
常に広がったイオンビーム2がファラデー系に入射され
てその一部がファラデーカップ12の内壁に衝突すると
、即ちビームヒツティングが発生ずると、ウェーハ6に
対する注入量異常(より具体的には注入量不足)が発生
する。
これは、ファラデーカップ12に衝突した部分のイオン
ビーム2はウェーハ6に入射されないにも拘わらず、そ
れがあたかもウェーハ6に入射されたかのように電流計
測器16にビーム電流■おが流れ、それに基づいて注入
量の制御が行われるからである。
また、上記のようなビームヒツティングが発生すると、
ファラデーカップ12を構成する物質が叩き出されてこ
れがウェーハ6の表面に付着する、いわゆるクロスコン
タξネーシゴンも大きくなる。
従って、このようなビームヒツティングを放置してイオ
ン注入を続けると、大量の不良ロフトが生じる。
そこでこの発明は、上記のようなビームヒツティングの
発生を簡単に検出することができるようにしたイオン注
入装置を提供することを主たる目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的を達成するため、この発明のイオン注入装置は
、2前記フアラデーカツプの出口部および前記キャッチ
プレートの入口部の少なくとも一方にそれらから電気的
に絶縁して設けられた検出電極と、この検出電極にファ
ラデー系に対して負のバイアス電圧を印加するバイアス
電源と、前記検出電極を含む回路に流れる電流を計測す
る電流計測手段と、この電流計測手段で計測した電流値
を所定の基準値と比較する比較手段とを備えることを特
徴とする。
〔作用〕
検出電極にはバイアス電源から負のバイアス電圧が印加
されるため、ファラデー系内で発生した二次電子は検出
電極には流入しない。従って、正常時は、検出電極を含
む回路に電流は流れない。
一方、イオンビームが異常に広がると、その−部が検出
電極に当たるため、検出電極を含む回路に電流が流れ、
これが電流計測手段で計測される。
そしてこの計測電流値を比較手段において所定の基準値
(例えば零)と比較することで、イオンビームが異常に
広がってビームヒツティングが発生したことを検出する
ことができる。
〔実施例〕
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置の
要部構成図である。第5図の例と同一または相当する部
分には同一符号を付し、以下においては従来例との相違
点を主に説明する。
この実施例においては、前述したようなファラデーカッ
プ12の出口部に、ファラデーカップ12から電気的に
絶縁して検出電極18を設けている。
この検出電極18は、平面配置的には、例えば第2図に
示すようにファラデーカップ12の内壁部であってイオ
ンビーム2の縦横両方向に対応する部分にそれぞれ配置
された複数個の互いに独立したものでも良いし、あるい
は、例えば第3図に示すようにファラデーカップ12の
内壁部に沿った環状の一体物でも良い。20は、検出電
極18を支持する絶縁物である。
再び第1図を参照して、検出電極18と(複数個の場合
は各検出電極18を並列接続したものと)ウェーハディ
スク4等との間には、前者を負側にして直流のバイアス
電源22が接続されており、これによって検出電極18
にファラデー系に対して負の(例えば−100V程度の
)バイアス電圧を印加するようにしている。
また、その回路には、そこを流れる電流を計測する電流
計測手段としてこの例では電流計測器24を直列に挿入
している。
更に、この電流計測器24で計測した電流値を所定の基
準値と比較する比較手段としてこの例では比較器26を
設けており、計測電流値が基準値以上になるとそれから
検出信号Sを出力するようにしている。この基準値は、
零以上の値で任意であるが、゛通常は零に設定しておけ
ば良い。
上記構成によれば、検出電極18には負のバイアス電圧
が印加されるため、ファラデー系内で発生した二次電子
は検出電極18には流入しない。
従って、正常時は、検出電極18を含む回路、即ち電流
計測器24には電流は流れない、従って、比較器26か
ら検出信号Sは出力されない。
一方、イオンビーム2が異常に広がると(例えば第1図
中に破線で示した状態またはそれ以上に広がると)、イ
オンビーム2の一部が検出電極18に当たるため、それ
によって検出電極18を含む回路に電流が流れ、それが
電流計測器24で計測される。そして、比較器26の基
準値を零にしておけば、電流計測器24に少しでも電流
が流れると、比較器26から検出信号Sが出力され、こ
れによってイオンビーム2がファラデーカップ12の内
壁に衝突してビームヒツティングが発生したことを即座
に検出することができる。
この検出信号Sの用い方として2は、例えば、それを当
該イオン注入装置の上位の制御装置に送り、これをイン
ターロック条件としてイオン注入を即時に停止させるよ
うにしても良く、そのようにすればウェーハ6に対する
注入量異常の発生やクロスコンタ旦ネーションの増大を
未然にしかも自動的に防止することができる。あるいは
、上記のようにすると共に、またはその代わりに、ウェ
ーハ6に実際にイオン注入する前の準備段階等において
は、検出信号Sに基づいてアラームを出すようにしても
良い。
なお、上記のような検出電極18をファラデーカップ1
2の出口部に設ける代わりに、例えば第4図に示すよう
にキャッチプレート14の入口部に設けても良く、その
ようにすれば、イオンビーム2が異常に広がってファラ
デーカップ12に衝突してビームヒツティングが発生す
る直前の状態(即ち、注入異常にはならないが危険な状
U)から検出することができる。
勿論必要に応して、上記のような検出電極18をファラ
デーカップ12の出口部とキャッチプレート14の入口
部の両方に設けても良い。
また、上記のような電流計測器24および比較器26を
用いる代わりに、電流計測手段と比較手段とを兼ね備え
るメータリレー(接点付電流計)等を用いても良い。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、イオンビームが異常に
広がってそれがファラデーカップの内壁に衝突してビー
ムヒツティングが発生したことを簡単にしかも即座に検
出することができる。
その結果例えば、ウェーハに対する注入量異常の発生や
クロスコンタ逅ネーションの増大を未然に防止すること
も可能になる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置の
要部構成図である。第2図および第3図は、それぞれ、
検出電極の平面配置の例を示す横断面図である。第4図
は、検出電極をキャッチプレートの入口部に設けた実施
例を部分的に示す図である。第5図は、従来のイオン注
入装置の一例を部分的に示す図である。 2・・・イオンビーム、4・・・ウェーハディスク、6
・・・ウェーハ、12・・・ファラデーカップ、14・
・・キャッチプレート、18・・・検出電極、22・・
・バイアス電源、24・・・電流計測器(電流計測手段
)、26・・・比較器(比較手段)。 第 1 図 第 図 第 図 第 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)真空容器内で回転および並進させられるウェーハ
    ディスクと、それと共にファラデー系を構成するもので
    あってウェーハディスクの前面側に設けられたファラデ
    ーカップおよびウェーハディスクの後面側に設けられて
    いてウェーハディスクが並進したときにそれの代わりに
    イオンビームを受けるキャッチプレートとを備えるイオ
    ン注入装置において、前記ファラデーカップの出口部お
    よび前記キャッチプレートの入口部の少なくとも一方に
    それらから電気的に絶縁して設けられた検出電極と、こ
    の検出電極にファラデー系に対して負のバイアス電圧を
    印加するバイアス電源と、前記検出電極を含む回路に流
    れる電流を計測する電流計測手段と、この電流計測手段
    で計測した電流値を所定の基準値と比較する比較手段と
    を備えることを特徴とするイオン注入装置。
JP1221037A 1989-08-28 1989-08-28 イオン注入装置 Pending JPH0384840A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1221037A JPH0384840A (ja) 1989-08-28 1989-08-28 イオン注入装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1221037A JPH0384840A (ja) 1989-08-28 1989-08-28 イオン注入装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0384840A true JPH0384840A (ja) 1991-04-10

Family

ID=16760498

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1221037A Pending JPH0384840A (ja) 1989-08-28 1989-08-28 イオン注入装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0384840A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100567051B1 (ko) * 1999-11-26 2006-04-04 주식회사 하이닉스반도체 전압검출을 이용한 이온주입장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100567051B1 (ko) * 1999-11-26 2006-04-04 주식회사 하이닉스반도체 전압검출을 이용한 이온주입장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5072123A (en) Method of measuring total ionization current in a segmented ionization chamber
KR950001252B1 (ko) 이온 주입 장치 및 이온 주입 방법
US6541780B1 (en) Particle beam current monitoring technique
US7170067B2 (en) Ion beam measurement apparatus and method
JPH0384840A (ja) イオン注入装置
JP3934262B2 (ja) 半導体を製造するため使用するイオン注入装置のファラデーカップをモニタする方法
US7564048B2 (en) Automated faraday sensor test system
JPH0384841A (ja) イオン注入装置
JPH03146951A (ja) 集束イオンビーム装置におけるアパーチャー検査方法
JP2762845B2 (ja) イオン注入装置
JP2000065942A (ja) ビーム量計測装置
JPH08115700A (ja) ビームエネルギーモニタ装置
JPH0743936Y2 (ja) イオン注入装置
JPH1027568A (ja) イオン注入装置
JPS6016704B2 (ja) イオン注入装置のビ−ム監視装置
JPS60158390A (ja) 中性子源領域検出器の動作可能性を決定する方法
JPH02148555A (ja) イオン注入装置
JPH02267847A (ja) イオン注入装置
JPH0627649Y2 (ja) イオン処理装置
JPH0338669Y2 (ja)
JPH07312197A (ja) 誤差電流検出装置
JP2705407B2 (ja) 荷電粒子数積算器
JPH06223770A (ja) イオン注入装置
JPS61107647A (ja) イオン注入装置
JPH07235279A (ja) イオン注入量計測装置