JPH038428U - - Google Patents

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JPH038428U
JPH038428U JP6738789U JP6738789U JPH038428U JP H038428 U JPH038428 U JP H038428U JP 6738789 U JP6738789 U JP 6738789U JP 6738789 U JP6738789 U JP 6738789U JP H038428 U JPH038428 U JP H038428U
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low
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  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例の平行平板形ドライ
エツチング装置の要部縦断面図である。 １……真空反応処理室、２……試料台、３……
試料、４……電源、５……冷却器、６……ケース
、７……パージガス供給系、８……保冷機、９…
…保冷配管。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 真空室内で低温に温度制御された試料台に試
    料を設置し、前記真空室内に励起したプラズマに
    より前記試料の表面処理を行なう低温プラズマ処
    理において、前記試料台の前記真空室外部を囲む
    ケース内に、ドライガスを供給する手段と、前記
    ケース外への熱の放熱を抑える手段と、前記試料
    台を冷却するため循環する液体の配管系を少なく
    とも前記ケース外において保冷配管としたことを
    特徴とする低温プラズマ処理装賃。 ２ 前記保冷配管手段としてトランスフアーチユ
    ーブを用いる第１請求項に記載の低温プラズマ装
    置。
JP6738789U 1989-06-12 1989-06-12 Pending JPH038428U (ja)

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JP6738789U JPH038428U (ja) 1989-06-12 1989-06-12

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JPH038428U true JPH038428U (ja) 1991-01-28

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Family Applications (1)

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JP6738789U Pending JPH038428U (ja) 1989-06-12 1989-06-12

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020107762A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2020107762A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

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