JPH0382282A - 電子スチルカメラ - Google Patents
電子スチルカメラInfo
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- JPH0382282A JPH0382282A JP1217509A JP21750989A JPH0382282A JP H0382282 A JPH0382282 A JP H0382282A JP 1217509 A JP1217509 A JP 1217509A JP 21750989 A JP21750989 A JP 21750989A JP H0382282 A JPH0382282 A JP H0382282A
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Landscapes
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像素子によって得られた画像情報を静止
画として記録する電子スチルカメラに関するものである
。
画として記録する電子スチルカメラに関するものである
。
第３図は、従来の電子スチルカメラのブロック図であり
、２０１はレンズ、２０２は絞り、２０３はシャッタ、
２０４はシャッタ・絞り駆動回路である。１０１は固体
撮像素子でここでは後はど説明するインターライン型Ｃ
ＣＤとする。
、２０１はレンズ、２０２は絞り、２０３はシャッタ、
２０４はシャッタ・絞り駆動回路である。１０１は固体
撮像素子でここでは後はど説明するインターライン型Ｃ
ＣＤとする。
２０５は固体撮像素子駆動回路、２０６はクロツり発生
回路である。２０７は固体撮像素子より得られた出力を
信号処理して輝度信号を得る信号処理回路である。２０
８は輝度信号をＦＭ変調するＦＭ変調回路である。２０
９はＦＭ変調された信号を磁気記録できるように増幅す
る記録アンプである。２１０は磁気ヘッド、２１１は記
録媒体である磁気シートである。２１２は磁気シートを
回転させるモータ、２１３はモータサーボ回路、２１４
はシステム全体の動作を制御するシステム制御回路であ
る。２１５．２１６はシャツタレリーズスイッチであり
、半押しでスイッチ２１５が、全押しでスイッチ２１５
と２１６がＯＮするようになっている。このスイッチを
ＯＮする動作に応じて一連の静止画撮像シーケンスが開
始される。
回路である。２０７は固体撮像素子より得られた出力を
信号処理して輝度信号を得る信号処理回路である。２０
８は輝度信号をＦＭ変調するＦＭ変調回路である。２０
９はＦＭ変調された信号を磁気記録できるように増幅す
る記録アンプである。２１０は磁気ヘッド、２１１は記
録媒体である磁気シートである。２１２は磁気シートを
回転させるモータ、２１３はモータサーボ回路、２１４
はシステム全体の動作を制御するシステム制御回路であ
る。２１５．２１６はシャツタレリーズスイッチであり
、半押しでスイッチ２１５が、全押しでスイッチ２１５
と２１６がＯＮするようになっている。このスイッチを
ＯＮする動作に応じて一連の静止画撮像シーケンスが開
始される。
第４図は、よく用いられる固体撮像素子の一例としての
インターライン型ＣＣＤの構成図である。第４図におい
て、１０１はインターライン型ＣＣＤである固体撮像素
子、１０２は光を電荷に変えて蓄積するホトダイオード
、１０３はホトダイオードから移された電荷をＩＨ（１
水平走置期間）に１段ずつ垂直方向に転送する垂直ＣＣ
Ｄである。■１〜ｖ４は垂直ＣＣＤの伝送電極であり、
ｖｌはホトダイオードの奇数行の電荷を垂直ＣＣＤに転
送する転送ゲートをかねている。また、Ｖ３は同様に偶
数行のホトダイオードに対応する転送ゲートとなってい
る。垂直ＣＯＤは４相の転送パルスで駆動される。１０
４は、垂直ＣＣＤ １０３よりＩＨに１段転送されてく
る電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤである。Ｈｌ。
インターライン型ＣＣＤの構成図である。第４図におい
て、１０１はインターライン型ＣＣＤである固体撮像素
子、１０２は光を電荷に変えて蓄積するホトダイオード
、１０３はホトダイオードから移された電荷をＩＨ（１
水平走置期間）に１段ずつ垂直方向に転送する垂直ＣＣ
Ｄである。■１〜ｖ４は垂直ＣＣＤの伝送電極であり、
ｖｌはホトダイオードの奇数行の電荷を垂直ＣＣＤに転
送する転送ゲートをかねている。また、Ｖ３は同様に偶
数行のホトダイオードに対応する転送ゲートとなってい
る。垂直ＣＯＤは４相の転送パルスで駆動される。１０
４は、垂直ＣＣＤ １０３よりＩＨに１段転送されてく
る電荷を水平方向に転送する水平ＣＣＤである。Ｈｌ。
Ｈ２は、水平ＣＣＤの転送電桶であり、２相のバネスで
駆動される。１０５は電荷を電圧に変換し出力する出力
アンプである。Ｖｏｕｔは出力端子である。１０６は不
要電荷を掃き捨てるためのトップドレインである。
駆動される。１０５は電荷を電圧に変換し出力する出力
アンプである。Ｖｏｕｔは出力端子である。１０６は不
要電荷を掃き捨てるためのトップドレインである。
第５図は固体撮像素子１０１の画素情報をフレーム読出
し動作によって読み出すときの駆動タイミングを示した
図である。垂直ブランキング期間の時刻Ｔ２に転送型ｉ
Ｖ１の電位をＨｉレベルにすることによって、ｎライン
目のホトダイオードの電荷を垂直ＣＣＤ １０３に移し
、時刻Ｔ３からＴ４のあいだにその電荷を読み出す。垂
直ブランキング期間の時刻Ｔ５に転送電極ｖ３の電位を
Ｈｉレベルにしてｎ＋１ライン目の電荷を垂直ＣＣＤ１
０３に移し時刻Ｔ６からその電荷を読み出す。
し動作によって読み出すときの駆動タイミングを示した
図である。垂直ブランキング期間の時刻Ｔ２に転送型ｉ
Ｖ１の電位をＨｉレベルにすることによって、ｎライン
目のホトダイオードの電荷を垂直ＣＣＤ １０３に移し
、時刻Ｔ３からＴ４のあいだにその電荷を読み出す。垂
直ブランキング期間の時刻Ｔ５に転送電極ｖ３の電位を
Ｈｉレベルにしてｎ＋１ライン目の電荷を垂直ＣＣＤ１
０３に移し時刻Ｔ６からその電荷を読み出す。
第６図は固体撮像素子１０１の画素情報をフィールド読
出し動作によって読み出すときの駆動タイミングを示し
た図である。時刻Ｔ２に転送型Ｊ４Ｖ１の電位をＨｉレ
ベルにすることによって、ｎライン目のホトダイオード
の電荷を垂直ＣＣＤに移し、時刻Ｔ３に１段垂直転送し
た後に時刻Ｔ４で転送電極ｖ３の電位をＨｉレベルにす
ることによってｎ＋１ライン目の電荷を読み出し、ｎラ
イン目の電荷とｎ＋１ライン目の電荷を垂直ＣＣＤ中で
加算する。そして時刻７５．７６間でその電荷を読み出
す。
出し動作によって読み出すときの駆動タイミングを示し
た図である。時刻Ｔ２に転送型Ｊ４Ｖ１の電位をＨｉレ
ベルにすることによって、ｎライン目のホトダイオード
の電荷を垂直ＣＣＤに移し、時刻Ｔ３に１段垂直転送し
た後に時刻Ｔ４で転送電極ｖ３の電位をＨｉレベルにす
ることによってｎ＋１ライン目の電荷を読み出し、ｎラ
イン目の電荷とｎ＋１ライン目の電荷を垂直ＣＣＤ中で
加算する。そして時刻７５．７６間でその電荷を読み出
す。
第７図は第３図に示す従来の電子スチルカメラの動作シ
ーケンスを示す図である。以下、第７図に基づいてこの
電子スチルカメラの動作を説明する。時刻ＴＩにおいて
スイッチ２１５が投入されると、撮影のための準備とし
ていわゆる外部測光で露出決定のための測光が開始され
る。続いて時刻Ｔ２においてスイッチ２１６がＯＮにな
ると、固体撮像素子１０１を駆動するための不図示の電
源が投入され、暗電荷による悪影響を除くため、固体撮
像素子１０１の読出しによって固体撮像素子に溜ってい
る暗電荷の掃き出しが開始される。
ーケンスを示す図である。以下、第７図に基づいてこの
電子スチルカメラの動作を説明する。時刻ＴＩにおいて
スイッチ２１５が投入されると、撮影のための準備とし
ていわゆる外部測光で露出決定のための測光が開始され
る。続いて時刻Ｔ２においてスイッチ２１６がＯＮにな
ると、固体撮像素子１０１を駆動するための不図示の電
源が投入され、暗電荷による悪影響を除くため、固体撮
像素子１０１の読出しによって固体撮像素子に溜ってい
る暗電荷の掃き出しが開始される。
充分暗電荷の掃き出しが行われた後、Ｔ３からＴ６まで
の間読出しが禁止され、その間、Ｔ４〜Ｔ５間でシャッ
タ２０３が開かれ固体撮像素子１０１が露光される。そ
の際、絞り、シャッタスピードは前記測光時に決められ
た値に制御される。時刻Ｔ５でシャッタが閉じた後時刻
Ｔ６から再び読出しが開始され、Ｔ６からＴ７までの２
フィールドで読み出された画像が静止画として磁気シー
ト２１１に記録される。
の間読出しが禁止され、その間、Ｔ４〜Ｔ５間でシャッ
タ２０３が開かれ固体撮像素子１０１が露光される。そ
の際、絞り、シャッタスピードは前記測光時に決められ
た値に制御される。時刻Ｔ５でシャッタが閉じた後時刻
Ｔ６から再び読出しが開始され、Ｔ６からＴ７までの２
フィールドで読み出された画像が静止画として磁気シー
ト２１１に記録される。
ところが前記従来の撮像シーケンスでは低温にならと画
面のむらが目だち易いという問題があつた。その理由を
以下に説明する。
面のむらが目だち易いという問題があつた。その理由を
以下に説明する。
第８図（ａ）は固体撮像素子１０１におけるホトダイオ
ード（受光部）１０２から垂直ＣＣＤ１０３に電荷を読
み出す部分の断面構造と各部のポテンシャルを説明する
図である。第８図（ｂ）は電荷をホトダイオード（受光
部）１０２から垂直ＣＣＤ １０３に読み出す際に垂直
転送′２！！極に与える駆動パルスを示した図である。
ード（受光部）１０２から垂直ＣＣＤ１０３に電荷を読
み出す部分の断面構造と各部のポテンシャルを説明する
図である。第８図（ｂ）は電荷をホトダイオード（受光
部）１０２から垂直ＣＣＤ １０３に読み出す際に垂直
転送′２！！極に与える駆動パルスを示した図である。
第８図（ａ）において１１０はＮ型基板、１１１はＰ層
、１１２は垂直ＣＣＤ １０３を形成するＮ層である。
、１１２は垂直ＣＣＤ １０３を形成するＮ層である。
１１３は受光部のホトダイオードを形成するＮ層である
。１１４は素子を電気的に分離するためのチャンネルス
トップという領域を形成するためのＰ壁領域である。１
１５は転送ゲート電極を兼ねた垂直転送電極である。１
１６は垂直ＣＣＤ！０３を遮光するための遮光アルミ層
である。
。１１４は素子を電気的に分離するためのチャンネルス
トップという領域を形成するためのＰ壁領域である。１
１５は転送ゲート電極を兼ねた垂直転送電極である。１
１６は垂直ＣＣＤ！０３を遮光するための遮光アルミ層
である。
１１７はシリコン酸化膜に依る絶縁層である。転送電極
１１５におおわれていてＮ層のない部分は転送ゲートを
形成している。第８図（ｂ）において時刻Ｔｏ、Ｔ４に
おいては垂直転送電極に低電圧ＶＬが加わり垂直ＣＣＤ
部のポテンシャルはＶａという最も浅い電位になってい
る。時刻ＴＩ、Ｔ３において垂直転送？！極にＶＭとい
う中間電位がかかると垂直ＣＣＤ部のポテンシャルがｖ
ｂというやや深い電位になっている。時刻Ｔ２において
垂直幅送電１ｅＶＨという高電圧がかかると垂直ＣＣＤ
部のポテンシャルはＶｃという最も深い電位になり、同
時に転送ゲート部の電位も深くなって転送ゲートが開い
た状態になる。
１１５におおわれていてＮ層のない部分は転送ゲートを
形成している。第８図（ｂ）において時刻Ｔｏ、Ｔ４に
おいては垂直転送電極に低電圧ＶＬが加わり垂直ＣＣＤ
部のポテンシャルはＶａという最も浅い電位になってい
る。時刻ＴＩ、Ｔ３において垂直転送？！極にＶＭとい
う中間電位がかかると垂直ＣＣＤ部のポテンシャルがｖ
ｂというやや深い電位になっている。時刻Ｔ２において
垂直幅送電１ｅＶＨという高電圧がかかると垂直ＣＣＤ
部のポテンシャルはＶｃという最も深い電位になり、同
時に転送ゲート部の電位も深くなって転送ゲートが開い
た状態になる。
すなわちＶＬ、ＶＭという電圧をかけることによって垂
直ＣＣＤ中の電荷転送を行い、ＶＨという電圧をかける
ことによってホトダイオードの電荷を垂直ＣＣＤ部に転
送するようになっている。
直ＣＣＤ中の電荷転送を行い、ＶＨという電圧をかける
ことによってホトダイオードの電荷を垂直ＣＣＤ部に転
送するようになっている。
第９図は動画モードで固体撮像素子１０１を動作させる
ときの残像電荷の説明図であり、第９図（ａ）のように
Ｖａ、Ｖｂ間でポテンシャルが上下することで電荷が垂
直方向に転送され、同時に受光部では光によって発生し
た電荷が蓄積されている。（ｂ）ではポテンシャルがＶ
ｃとなり電荷が垂直ＣＣＤ部へ読み出されるが、ホトダ
イオードの電荷は１００％までは読み出されず一部残像
電荷としてホトダイオードに残ってしまう。このため画
像に残像が生じる。
ときの残像電荷の説明図であり、第９図（ａ）のように
Ｖａ、Ｖｂ間でポテンシャルが上下することで電荷が垂
直方向に転送され、同時に受光部では光によって発生し
た電荷が蓄積されている。（ｂ）ではポテンシャルがＶ
ｃとなり電荷が垂直ＣＣＤ部へ読み出されるが、ホトダ
イオードの電荷は１００％までは読み出されず一部残像
電荷としてホトダイオードに残ってしまう。このため画
像に残像が生じる。
第１０図は、この残像現象が、同じ固体撮像素子を第７
図に示したような静出画モードで動作させたときどの様
な１２Ｍを与えるかについて説明する図である。暗電荷
の掃き出しを遮光（シャツタ閉）状態で何度も行うと１
回の読出しでは残っていた残像電荷も第１０図（ａ）の
ようにすべて掃き出されてしまう。次にシャッタ２０３
を開けて露光させるとＱｓという信号電荷がホトダイオ
ード１０２に蓄積される。次に再びシャッタ２０３を閉
じて信号電荷を読み出そうとするとＱＬという残像電荷
がホトダイオードに読み残され、Ｑｓ−ＱＬという目減
りした電荷が読み出される。ＱＬの量は画素毎に異なっ
ているため記録された画像はむらの多いＳ／Ｈの悪い画
像になる。
図に示したような静出画モードで動作させたときどの様
な１２Ｍを与えるかについて説明する図である。暗電荷
の掃き出しを遮光（シャツタ閉）状態で何度も行うと１
回の読出しでは残っていた残像電荷も第１０図（ａ）の
ようにすべて掃き出されてしまう。次にシャッタ２０３
を開けて露光させるとＱｓという信号電荷がホトダイオ
ード１０２に蓄積される。次に再びシャッタ２０３を閉
じて信号電荷を読み出そうとするとＱＬという残像電荷
がホトダイオードに読み残され、Ｑｓ−ＱＬという目減
りした電荷が読み出される。ＱＬの量は画素毎に異なっ
ているため記録された画像はむらの多いＳ／Ｈの悪い画
像になる。
特に低温においては、暗電荷の発生が少なく残像電荷が
すべて婦き出されることが多いので、画像のむらが目立
ち易い。
すべて婦き出されることが多いので、画像のむらが目立
ち易い。
本発明は、このような問題を解消するためなされたもの
で、むらがな（Ｓ／Ｎの良い画像の得られる電子スチル
カメラを得ることを目的とするものである。
で、むらがな（Ｓ／Ｎの良い画像の得られる電子スチル
カメラを得ることを目的とするものである。
〔３題を解決するための手段〕
本発明は、前記目的を達成するため、電子スチルカメラ
をつぎの（１）〜（３）のとおりに構成するものである
。
をつぎの（１）〜（３）のとおりに構成するものである
。
（１）つぎのａ−ｆの構成要素を備えている電子スチル
カメラ。
カメラ。
ａ、固体撮像素子。
ｂ、前記固体撮像素子への光路を開閉する露光部材。
Ｃ０前記固体撮像素子へ光を照射する照明手段。
ｄ、撮影シーケンスを開始させるスイッチ。
ｅ、前記スイッチの投入に応じて、遮光状態で、前記固
体撮像素子の暗電荷の掃き出しを行わせると共に固体撮
像素子を飽和させない期間だけ前記照明手段を点灯させ
、次に該点灯による光の照射によって該固体撮像素子に
生じた電荷の掃き出しを行わせ、次に該固体撮像素子の
読出し動作を禁止し、次に該固体撮像素子に光学像を露
光させた後該露光により該固体撮像素子に生じた電荷の
読出しを遮光状態で行わせる、固体撮像素子、照明手段
、ｎ光部材の駆動手段。
体撮像素子の暗電荷の掃き出しを行わせると共に固体撮
像素子を飽和させない期間だけ前記照明手段を点灯させ
、次に該点灯による光の照射によって該固体撮像素子に
生じた電荷の掃き出しを行わせ、次に該固体撮像素子の
読出し動作を禁止し、次に該固体撮像素子に光学像を露
光させた後該露光により該固体撮像素子に生じた電荷の
読出しを遮光状態で行わせる、固体撮像素子、照明手段
、ｎ光部材の駆動手段。
ｆ、前記電荷の読出しによって得た信号を処理し静止画
として記録媒体に記録する手段。
として記録媒体に記録する手段。
（２）ＩＩ駆動手段、照明手段の点灯を、固体撮像素子
の暗電荷の掃き出し動作の最後の１フィールドの期間内
に行わせるものである、前記（１）記載の電子スチルカ
メラ。
の暗電荷の掃き出し動作の最後の１フィールドの期間内
に行わせるものである、前記（１）記載の電子スチルカ
メラ。
〔作用）
前記（１）、（２）の構成によれば、暗電荷を充分縁き
出した後に、照明手段の点灯と該点灯による電荷の掃き
出しとが行われ、露光後の読出しの際には、残像電荷を
固体撮像素子に残し、信号電荷はすべて読み出され、む
らのない画像が記録される。
出した後に、照明手段の点灯と該点灯による電荷の掃き
出しとが行われ、露光後の読出しの際には、残像電荷を
固体撮像素子に残し、信号電荷はすべて読み出され、む
らのない画像が記録される。
以下、本発明を実施例による説明する。
第１図は、本発明の第１実施例である電子スチルカメラ
の動作シーケンス図であり、第２図は、同実施例のブロ
ック図である。
の動作シーケンス図であり、第２図は、同実施例のブロ
ック図である。
第２図において、第３図の従来例と異なっているのはシ
ステム制御回路２１４によって制御される照明手段とし
てのバイアスランプｌが加わっていることであり、バイ
アスランプ１は例えばＬＥＤ （発光ダイオード）で構
成され固体撮像素子１０１に光を照射する。その他は動
作シーケンスを除いて従来例と特に異なるところはない
。
ステム制御回路２１４によって制御される照明手段とし
てのバイアスランプｌが加わっていることであり、バイ
アスランプ１は例えばＬＥＤ （発光ダイオード）で構
成され固体撮像素子１０１に光を照射する。その他は動
作シーケンスを除いて従来例と特に異なるところはない
。
次に第１図を参照して本実施例の動作を説明する。時刻
Ｔ１にスイッチ２１５が投入され測光が開始される。時
刻Ｔ２にスイッチ２１６が投入され通常のフレーム読出
しによって暗電荷の掃き出しが開始され、時刻Ｔ３まで
複数回の電荷掃き出しが行われる。時刻Ｔ４，７５間で
バイアスランプｌが点灯される。点灯する期間は固体撮
像素子１０１が飽和しない程度に設定されている。次に
時刻Ｔ６，７７間で１フレ一ム期間バイアスランプ１に
より生じたバイアス電荷の掃き出しが行われる。時刻Ｔ
７．ＴＩＯの間、読出しが禁止され、時刻Ｔ８，７９間
でシャッタ２０３が開かれ固体撮像素子１０１に光学像
が露光される。そして、ＴｉＯ，Ｔｌｌの１フレ一ム期
間にフレーム読出し動作で信号を読み出し信号処理し記
録媒体２１１に記録する。
Ｔ１にスイッチ２１５が投入され測光が開始される。時
刻Ｔ２にスイッチ２１６が投入され通常のフレーム読出
しによって暗電荷の掃き出しが開始され、時刻Ｔ３まで
複数回の電荷掃き出しが行われる。時刻Ｔ４，７５間で
バイアスランプｌが点灯される。点灯する期間は固体撮
像素子１０１が飽和しない程度に設定されている。次に
時刻Ｔ６，７７間で１フレ一ム期間バイアスランプ１に
より生じたバイアス電荷の掃き出しが行われる。時刻Ｔ
７．ＴＩＯの間、読出しが禁止され、時刻Ｔ８，７９間
でシャッタ２０３が開かれ固体撮像素子１０１に光学像
が露光される。そして、ＴｉＯ，Ｔｌｌの１フレ一ム期
間にフレーム読出し動作で信号を読み出し信号処理し記
録媒体２１１に記録する。
第１１図、第１２図は第１図の動作でのバイアスランプ
の働きを説明する図である。第１１図（ａ）は第１図の
Ｔ３の時点での電荷を示しており、数置に渡る暗電荷の
掃き出しによってホトダイオードの中の電荷は完全に空
になっている。次に７４，７５間でバイアスランプ１を
点灯することによって飽和しない程度の電荷Ｑｂでホト
ダイオードが満たされる０次にＴ６，７７間のバイア電
荷の掃き出しによって残像電荷ＱＬを残してホトダイオ
ードの電荷が掃き出される。次に７８．７９間で露光さ
れ、第１２図（ａ）のように信号電荷Ｑｓがホトダイオ
ードに発生するためＱＬ＋ＱＳという電荷がホトダイオ
ードに蓄積される０次に”ｒｔｏ、”ｒｉｔ間のフレー
ム読出し動作では、残像電荷ＱＬがホトダイオードに読
み残され、信の電荷Ｑｓのみが読み出される。
の働きを説明する図である。第１１図（ａ）は第１図の
Ｔ３の時点での電荷を示しており、数置に渡る暗電荷の
掃き出しによってホトダイオードの中の電荷は完全に空
になっている。次に７４，７５間でバイアスランプ１を
点灯することによって飽和しない程度の電荷Ｑｂでホト
ダイオードが満たされる０次にＴ６，７７間のバイア電
荷の掃き出しによって残像電荷ＱＬを残してホトダイオ
ードの電荷が掃き出される。次に７８．７９間で露光さ
れ、第１２図（ａ）のように信号電荷Ｑｓがホトダイオ
ードに発生するためＱＬ＋ＱＳという電荷がホトダイオ
ードに蓄積される０次に”ｒｔｏ、”ｒｉｔ間のフレー
ム読出し動作では、残像電荷ＱＬがホトダイオードに読
み残され、信の電荷Ｑｓのみが読み出される。
続いて、フィールド静止画を得る本発明の第２実施例を
説明する。本実施例の構成、動作は動作シーケンスを除
いて第１実施例と同様である。
説明する。本実施例の構成、動作は動作シーケンスを除
いて第１実施例と同様である。
第１３図は本実施例の動作シーケンスを示している。以
下第１３図により本実施例の動作を説明する。時刻Ｔ１
にスイッチ２１５が投入され測光が開始される。時刻Ｔ
２にスイッチ２１６が投入され通常のフィールド読出し
動作によって暗電荷の婦き出しが開始され、時刻Ｔ３ま
で行われる。
下第１３図により本実施例の動作を説明する。時刻Ｔ１
にスイッチ２１５が投入され測光が開始される。時刻Ｔ
２にスイッチ２１６が投入され通常のフィールド読出し
動作によって暗電荷の婦き出しが開始され、時刻Ｔ３ま
で行われる。
時刻Ｔ４．ＴＳ間でバイアスランプ１が点灯される。点
灯する期間は固体撮像素子ｌｏｔが飽和しない程度に設
定されている。次に時刻Ｔ６．Ｔ７間で１フイ一ルド期
間バイアス電荷の掃き出しが行われる。時刻Ｔ７．ＴＩ
Ｏの間、読出し動作が禁止され、時刻７８．７９間でシ
ャッタ２０３が開かれ固体撮像素子１０１が露光される
。そして時１Ｔ１０．Ｔｌｌの！フィールド期間にフイ
−ルド読出し動作で信号を読み出し信号処理し記録媒体
２１１に記録する。
灯する期間は固体撮像素子ｌｏｔが飽和しない程度に設
定されている。次に時刻Ｔ６．Ｔ７間で１フイ一ルド期
間バイアス電荷の掃き出しが行われる。時刻Ｔ７．ＴＩ
Ｏの間、読出し動作が禁止され、時刻７８．７９間でシ
ャッタ２０３が開かれ固体撮像素子１０１が露光される
。そして時１Ｔ１０．Ｔｌｌの！フィールド期間にフイ
−ルド読出し動作で信号を読み出し信号処理し記録媒体
２１１に記録する。
以上説明したように、本発明によれば、遮光状態で、読
出しにより暗電荷を充分掃き出した後Ｃ照明手段を点灯
し、その後電荷を掃き出し、その後に露光を行うことに
よって、残像電荷を受光素子に残し信号電荷はすべて読
み出されるようにでき、むらのないＳ／Ｎの良い静止画
を得ることができる。
出しにより暗電荷を充分掃き出した後Ｃ照明手段を点灯
し、その後電荷を掃き出し、その後に露光を行うことに
よって、残像電荷を受光素子に残し信号電荷はすべて読
み出されるようにでき、むらのないＳ／Ｎの良い静止画
を得ることができる。
第１図は本発明の第１実施例である電子スチルカメラの
動作シーケンスを示す図、第２図は同実施例のブロック
図、第３図は従来の電子スチルカメラのブロック図、第
４図はインターライン型ＣＣＤ固体撮像素子の構成図、
第５図はインターライン型固体撮像素子のフレーム読出
し時の駆動タイミング図、第６図はインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子のフィールド読出し時の駆動タイミン
グ図、第７図は従来の電子スチルカメラの動作シーケン
スを示す図、第８図（ａ）、（ｂ）はインターライン型
ＣＣＤ固体撮像素子の１画素の断面構造と電荷転送の説
明図、第９図は動画モードにおける残像電荷の説明図、
第１０図は静止画撮影時における残像電荷の悪影響を説
明する図、第１１図、第１２図は本実施例におけるバイ
アスランプの働きを説明する図、第１３図は本発明の第
２実施例である電子スチルカメラの動作シーケンスを説
明する図である。 ！−・−バイアスランプ １０１−−−−−固体撮像素子 ２０３−ｍ−シャッタ ２０４−−−−シャッタ・絞り駆動回路２０５−−−−
一固体撮像素子駆動回路２１４−・・−システム制御回
路 ２１６・−一スィッチ
動作シーケンスを示す図、第２図は同実施例のブロック
図、第３図は従来の電子スチルカメラのブロック図、第
４図はインターライン型ＣＣＤ固体撮像素子の構成図、
第５図はインターライン型固体撮像素子のフレーム読出
し時の駆動タイミング図、第６図はインターライン型Ｃ
ＣＤ固体撮像素子のフィールド読出し時の駆動タイミン
グ図、第７図は従来の電子スチルカメラの動作シーケン
スを示す図、第８図（ａ）、（ｂ）はインターライン型
ＣＣＤ固体撮像素子の１画素の断面構造と電荷転送の説
明図、第９図は動画モードにおける残像電荷の説明図、
第１０図は静止画撮影時における残像電荷の悪影響を説
明する図、第１１図、第１２図は本実施例におけるバイ
アスランプの働きを説明する図、第１３図は本発明の第
２実施例である電子スチルカメラの動作シーケンスを説
明する図である。 ！−・−バイアスランプ １０１−−−−−固体撮像素子 ２０３−ｍ−シャッタ ２０４−−−−シャッタ・絞り駆動回路２０５−−−−
一固体撮像素子駆動回路２１４−・・−システム制御回
路 ２１６・−一スィッチ
Claims (2)
- （１）つぎのａ〜ｆの構成要素を備えていることを特徴
とする電子スチルカメラ。 ａ、固体撮像素子。 ｂ、前記固体撮像素子への光路を開閉する露光部材。 ｃ、前記固体撮像素子へ光を照射する照明手段。 ｄ、撮影シーケンスを開始させるスイッチ。 ｅ、前記スイッチの投入に応じて、遮光状態で、前記固
体撮像素子の暗電荷の掃き出しを行わせると共に固体撮
像素子を飽和させない期間だけ前記照明手段を点灯させ
、次に該点灯による光の照射によって該固体撮像素子に
生じた電荷の掃き出しを行わせ、次に該固体撮像素子の
読出し動作を禁止し、次に該固体撮像素子に光学像を露
光させた後該露光により該固体撮像素子に生じた電荷の
読出しを遮光状態で行わせる、固体撮像素子、照明手段
、露光部材の駆動手段。 ｆ、前記電荷の読出しによって得た信号を処理し静止画
として記録媒体に記録する手段。 - （２）駆動手段が、照明手段の点灯を、固体撮像素子の
暗電荷の掃き出し動作の最後の１フィールドの期間内に
行わせるものであることを特徴とする請求項１記載の電
子スチルカメラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217509A JPH0382282A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 電子スチルカメラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1217509A JPH0382282A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 電子スチルカメラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382282A true JPH0382282A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16705348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1217509A Pending JPH0382282A (ja) | 1989-08-25 | 1989-08-25 | 電子スチルカメラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382282A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8098363B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of manufacturing a device |
-
1989
- 1989-08-25 JP JP1217509A patent/JPH0382282A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8098363B2 (en) | 2007-11-01 | 2012-01-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method of manufacturing a device |
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