JPH0382026A - 多結晶シリコンのエッチング方法 - Google Patents
多結晶シリコンのエッチング方法Info
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- JPH0382026A JPH0382026A JP21898289A JP21898289A JPH0382026A JP H0382026 A JPH0382026 A JP H0382026A JP 21898289 A JP21898289 A JP 21898289A JP 21898289 A JP21898289 A JP 21898289A JP H0382026 A JPH0382026 A JP H0382026A
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- polycrystalline silicon
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- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
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- PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N dichlorodifluoromethane Chemical compound FC(F)(Cl)Cl PXBRQCKWGAHEHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体集積回路の製造工程に用いらｈる多結晶
シリコンのエツチング方法に関する。
シリコンのエツチング方法に関する。
従来、半導体基板上に形成された多結晶シリコンのエツ
チング方法は、反応性イオンエツチング装置を用いてガ
スのプラズマを発生させ、真空容器内に置かれた被加工
物を、プラズマ中のイオン衝撃による物理的反応と活性
ガスによる化学的反応によってエツチングする様になっ
ており、ガス・としてはＳＦ６が用いられていた。
チング方法は、反応性イオンエツチング装置を用いてガ
スのプラズマを発生させ、真空容器内に置かれた被加工
物を、プラズマ中のイオン衝撃による物理的反応と活性
ガスによる化学的反応によってエツチングする様になっ
ており、ガス・としてはＳＦ６が用いられていた。
ＳＦ６を用いた時のエツチングレート等は第】図におけ
るガス流量比０％の場合である。すなわち、燐添加多結
晶シリコンのエツチングレートは１０２０人／ｌ１ｉｆ
ｉ、燐添加多結晶シリコンと酸化膜との選択比は９、等
方性成分（横方向エツチング量／縦方向エツチング量）
は０．８となっていた。
るガス流量比０％の場合である。すなわち、燐添加多結
晶シリコンのエツチングレートは１０２０人／ｌ１ｉｆ
ｉ、燐添加多結晶シリコンと酸化膜との選択比は９、等
方性成分（横方向エツチング量／縦方向エツチング量）
は０．８となっていた。
上述した従来の多結晶シリコンのエツチング方法は、エ
ツチングガスがＳＦ６単独であるため、多結晶シリコン
をエツチングするエツチング種がフッ業種のみさなり、
等方性の強いエツチング量なる。従って、微細加工性が
劣るという欠点がある。
ツチングガスがＳＦ６単独であるため、多結晶シリコン
をエツチングするエツチング種がフッ業種のみさなり、
等方性の強いエツチング量なる。従って、微細加工性が
劣るという欠点がある。
又、多結晶シリコンの下地材ヒの選択比が低いため、加
工の製造マージンが狭くなり、半導体集積回路の集積化
及び信頼性を向上させることが難しいという欠点があっ
た。
工の製造マージンが狭くなり、半導体集積回路の集積化
及び信頼性を向上させることが難しいという欠点があっ
た。
上述した従来の多結晶シリコンのエツチング方法に対し
、本発明はＳＦ６にフロロクロロカーボン系ガスを１〜
４５％含有するガスを用いるという相違点を有する。
、本発明はＳＦ６にフロロクロロカーボン系ガスを１〜
４５％含有するガスを用いるという相違点を有する。
本発明の多結晶シリコンのエツチング方法は、エツチン
グガスにＳＦａと１〜４５％のフロロクロロカーボン系
ガスを用いるものである。
グガスにＳＦａと１〜４５％のフロロクロロカーボン系
ガスを用いるものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための燐添加多結
晶シリコンのエツチングレート、燐添加多結晶シリコン
の酸化膜との選択比及び等方性成分（燐添加多結晶シリ
コンの横方向エツチング量／燐添加多結晶シリコンの横
方向エツチング量）ノＣＣ１！Ｆ２／（ｇＦａ ＋ＣＣ
ｅ ２Ｆ２）ガス流量托依存性を示す図である。
晶シリコンのエツチングレート、燐添加多結晶シリコン
の酸化膜との選択比及び等方性成分（燐添加多結晶シリ
コンの横方向エツチング量／燐添加多結晶シリコンの横
方向エツチング量）ノＣＣ１！Ｆ２／（ｇＦａ ＋ＣＣ
ｅ ２Ｆ２）ガス流量托依存性を示す図である。
第１図に示される機に、ＳＦ６ガスにフロロクロロカー
ボン系ガス（例えばＣＣＩ Ｆｚ）を、ガス総流量（Ｓ
Ｆａ ＋ ＣＣＩ ２ｈ）の１〜４５％の割合で混合す
ることによって、燐添加多結晶シリコンのエツチングレ
ートがＳＦ６単独の場合に比べ約１．１−１．６倍にな
る。又、燐添加多結晶シリコンの酸化膜との選択比が約
１．７〜３．０倍になる。更に、等方性成分は約１／４
〜１／８と減少することが分る。
ボン系ガス（例えばＣＣＩ Ｆｚ）を、ガス総流量（Ｓ
Ｆａ ＋ ＣＣＩ ２ｈ）の１〜４５％の割合で混合す
ることによって、燐添加多結晶シリコンのエツチングレ
ートがＳＦ６単独の場合に比べ約１．１−１．６倍にな
る。又、燐添加多結晶シリコンの酸化膜との選択比が約
１．７〜３．０倍になる。更に、等方性成分は約１／４
〜１／８と減少することが分る。
特にガス流量比は、エツチングレート及び選択比も最高
となる２０％前後のものを使用するのが好ましい。
となる２０％前後のものを使用するのが好ましい。
以上説明したように本発明は、ＳＦ６ガスにフロロクロ
ロカーボン系ガス、例えばＣＣ１ｒｈを総流量の１〜４
５％混合することによって、多結晶シリコンのエツチン
グレートを大きくすることができるので、エツチング処
理時間の短縮、すなわちスループットの向上に効果があ
る。又、多結晶シリコンの下地膜との選択比を大きくす
ることができるので、加工の製造マージンが広がり、品
質の安定した製品の製造に効果がある。更に等方性成分
を減少させることができるので、多結晶シリコンの微細
パターンをマスク寸法通りに加工することが可能となり
、半導体装置の微細化・高集積化・高性能化に大きな効
果がある。
ロカーボン系ガス、例えばＣＣ１ｒｈを総流量の１〜４
５％混合することによって、多結晶シリコンのエツチン
グレートを大きくすることができるので、エツチング処
理時間の短縮、すなわちスループットの向上に効果があ
る。又、多結晶シリコンの下地膜との選択比を大きくす
ることができるので、加工の製造マージンが広がり、品
質の安定した製品の製造に効果がある。更に等方性成分
を減少させることができるので、多結晶シリコンの微細
パターンをマスク寸法通りに加工することが可能となり
、半導体装置の微細化・高集積化・高性能化に大きな効
果がある。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのガス流量比
に対する燐添加多結晶シリコンのエツチングレート、酸
化膜との選択比及び等方性成分との関係を示す図である
。
に対する燐添加多結晶シリコンのエツチングレート、酸
化膜との選択比及び等方性成分との関係を示す図である
。
Claims (1)
- 反応性イオンエッチング装置を用いる半導体基板上に形
成された多結晶シリコンのエッチング方法において、Ｓ
Ｆ＿６にフロロクロロカーボン系ガスを１〜４５％混合
したエッチングガスを用いることを特徴とする多結晶シ
リコンのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21898289A JPH0382026A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 多結晶シリコンのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21898289A JPH0382026A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 多結晶シリコンのエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0382026A true JPH0382026A (ja) | 1991-04-08 |
Family
ID=16728413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21898289A Pending JPH0382026A (ja) | 1989-08-24 | 1989-08-24 | 多結晶シリコンのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0382026A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115327A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | ドライエツチング方法 |
| JPS61131457A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Canon Inc | シリコン化合物用ドライエツチングガス |
-
1989
- 1989-08-24 JP JP21898289A patent/JPH0382026A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61115327A (ja) * | 1984-11-09 | 1986-06-02 | Sanyo Electric Co Ltd | ドライエツチング方法 |
| JPS61131457A (ja) * | 1984-11-30 | 1986-06-19 | Canon Inc | シリコン化合物用ドライエツチングガス |
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