JPH0381347B2

JPH0381347B2 -

Info

Publication number: JPH0381347B2
Application number: JP55091275A
Authority: JP
Inventors: Kenji Toyoda; Takao Watanabe; Hideya Inoe; Sumyoshi Kasuya; Yutaka Ichihara; Akira Myaji
Original assignee: Nippon Kogaku KK
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1980-07-04
Filing date: 1980-07-04
Publication date: 1991-12-27
Also published as: JPS5717272A

Description

【発明の詳細な説明】本発明は被写体像を撮像手段によつて画像信号
に変換し、該信号を半導体メモリや磁気バブル等
の固体メモリ手段に貯えるように構成した電子カ
メラに関する。

従来この種のカメラは、例えば撮像手段からの
画像信号が上記メモリ手段に完全に転送されたか
否かまたはメモリ手段に画像信号が既に記憶され
ているか否か更に上記メモリ手段に記憶された信
号が有効であるか否かを検知する必要があつた。

従つて本発明の目的は簡単な構成で上記検知を
行なうことができる電子カメラを得ることにあ
る。

この目的を達成するために本発明の要旨とする
ところは、撮像手段からメモリ手段へ画像信号を
転送するのに先だち該画像信号と弁別可能であつ
て、該画像信号が必要な情報であることを示すと
共に、該画像信号と１対１に対応した特定のデイ
ジタル信号を発生し、該特定のデイジタル信号を
検出することにより上記検知を可能とするところ
にある。

第１図及び第２図は本発明を用いた電子カメラ
の一実施例の外観を示している。該カメラは被写
体像を静止画像信号に光電変換する撮像部１と、
１フレーム分の静止画像信号を記憶するメモリセ
ルを20フレーム分具備した記憶部２とから成つて
いる。これら両部分は第３図ａ及びｂに示すよう
に分離可能である。

撮像部１の前面には撮影レンズ１０が装着さ
れ、第４図の断面図に示すように該レンズ１０は
撮像部１の内部に配設された撮像素子１１の撮像
面に被写体像を結像する。レンズ１０には絞り１
０ａが、撮像素子１１の前面には色分解用のモザ
イクフイルタ１１ａが配設されている。さらに撮
像部１にはその前面から後面に貫通して撮影視野
を画定するためのフアインダ１２が設けられてお
り、第１図においてその上面にはスピードライト
等の外部光源を取り付けるための接点１３を備え
たアクセサリーシユー１４とレリーズ釦１５とが
設けられている。該レリーズ釦１５を浅く押下す
ると給電回路に挿入された給電スイツチがONと
なり、給電がなされる。これに伴い測光動作が行
なわれる。レリーズ釦１５を深く押下すると、給
電スイツチはONしたままで、さらに撮影シーケ
ンスが開始される。撮影シーケンスは一旦開始さ
れると、レリーズ釦１５の押下を途中で解除して
も止まることはない。また給電スイツチのONも
撮影シーケンスが終了するまでは保持される。第
２図において撮像部１の後面には記憶部２のメモ
リセルの番地を自動アクセスするモード、手動ア
クセスするモード及び多重露出のモードのうちい
ずれかを選択するためのモード選択レバー１６
と、手動アクセスのための押釦１７と、今アクセ
スしているメモリセルの番地を表示するための液
晶等の７セグメント表示装置１８と、音警告装置
を不動作にするスイツチ１９とが設けられてい
る。さらに撮像部１の側面にはデータ写し込み装
置や被写体像をモニターする電子モニター装置等
の外部アクセサリーを取り付けるための取り付け
ネジ１００と、該アクセサリー用のコネクタ１３
０とがそれぞれ配設されている。

記憶部２の後面には第２図に示すように使用済
のメモリセルの番地を表示するための液晶あるい
はエレクトロクロミツク等の表示装置２０１と、
記憶容量（メモリセルの全数、すなわち記憶可能
なフレーム数）等が印刷されたラベル２０２とが
設けられている。また側面には第３図ｂに示すよ
うに着脱スライダ２０３がある。これを右方向に
スライドさせると記憶部２の上面に突出した着脱
カギ２０４が同方向にスライドし、撮像部１の対
応する部分にある不図示の固定カギとの係合が外
れて記憶部２は撮像部１より離脱可能となる。記
憶部２にはＴ溝２０５が設けられており、着脱時
にはこれが撮像部側の案内部材１３１と係合し、
それを案内する。また記憶部２の上面にはコネク
タ２０６，ピン２０７が立設されている。コネク
タ２０６は撮像部１の対応するコネクタ（不図
示）に接続されて電気信号を相互に伝達しあう。
ピン２０７は撮像部１に記憶部２の記憶容量を機
械的に伝達する。

第５図に撮像部１の撮像素子１１の内部構造を
例示する。これはいわゆるインターライン方式の
電荷結合素子（CCD）を用いたCCD撮像素子で、
受光エレメントa_1,1，a_1,2，……，a_1,o，a_2,1，…
…，a_2,o，……，a_n,1，a_n,2，……，a_n,oがｍ×ｎ
のマトリクス状に配設され受光部を構成してい
る。この受光エレメントの総数すなわち画素数は
10⁶個程度が望ましい。これらの受光エレメント
の列、例えばa_1,1，a_2,1．……，a_n,1のそれぞれの
両側にはトランスフアーゲートTG_1,1及びTG_2,1
が配設されている。ゲートTG_1,1は端子１１ｃを
介して転送信号φ_TG1が印加されると各エレメント
に蓄積された入射光量に対応する電荷を縦方向の
CCDアナログシフトレジスタS_v1へ転送する。一
方ゲートTG_2,1は端子１１ｂを介して転送信号
φ_TG2が印加されると上記電荷をオーバーフロード
レインの領域OD₁へ転送する。尚、トランスフア
ーゲートTG_2,1の電気的ポテンシヤルは、転送信
号φ_TG2が印加されない場合でも受光エレメント相
互間のポテンシヤルや縦方向シフトレジスタS_v1
の各ビツト間のポテンシヤルよりも若干低くなつ
ている。従つて受光エレメントのポテンシヤル井
戸からあふれた電荷は障壁の低い方向すなわちオ
ーバーフロードレインOD₁に流れ込み、ブルーミ
ング現象の発生は防止される。以上のことは他の
受光エレメントの列に関しても全く同様である。
出力端子１１ａからはオーバーフロードレイン
OD₁，……，OD_oに転送された電荷が出力され、
入力端子１１ｂにはトランスフアーゲート
TG_2,1，……，TG_2,oへの転送信号φ_TG2が入力さ
れ、入力端子１１ｃにはトランスフアーゲート
TG_1,1，……，TG_1,oへの転送信号φ_TG1が入力され
る。

トランスフアーゲートTG_1,1，……，TG_1,oへ
の転送信号φ_TG1によつて縦方向シフトレジスタ
S_v1，……，S_voに転送された電荷は、入力端子１
１ｄ，１１ｅを介して入力される縦方向転送パル
スφ_V1，φ_v2によつて順次下方に転送されて横方向
シフトレジスタS_hの各ビツトに送り込まれる。そ
して入力端子１１ｆ，１１ｇを介して入力される
横方向転送パルスφ_h1，φ_h2によつて右方向に転送
され、センスアンプＡによつて増巾されて端子１
１ｈから外部に取り出される。

第６図には記憶部２の回路構成を示す。第６図
ａは１フレーム分のメモリセルMC１を取り出し
てその内部を示したもので、これは４列のシフト
レジスタSR１，SR２，SR３，SR４から成つて
いる。各シフトレジスタ列は撮像素子１１に含ま
れる受光エレメントの総数（すなわちｍ×ｎ個）
に１を加えた段数（ビツト数）をそれぞれ持つて
いる。各シフトレジスタ列の情報は端子MC１ｆ
からそれぞれに入力されるクロツクパルスφ_CTに
よつて図の左から右の方へ転送される。１画素は
シフトレジスタSR１の中の１ビツトと、それと
対応する位置のシフトレジスタSR２，SR３，
SR４中の各１ビツトとの計４ビツトと対応する。
そしてこの４ビツトの表現するデイジタル量で１
つの画素の濃度情報を表現する。４ビツトの表現
できる情報量は２進法で0000〜1111の16段階ある
が、このうち11段階を濃度表現に用い、残りの５
段階をこのメモリセルの制御情報に用いる。撮像
部１からの情報は各入力端子MC１ｇ，MC１ｈ，
MC１ｉ，MC１ｊを経て各シフトレジスタに入
力され、端子MC１ｆからのクロツクパルスφ_CT
で順次右方へ送られるが、最初の１段分は上記制
御情報信号が入力される。この信号は1111，
1110，1101，1011，0111の５種類である。これら
は一連の画像信号のスタート位置を示すと共に該
画像信号が有効であることをも示すもので以後特
定のデイジタル信号と呼ぶ。このような５種類の
特定のデイジタル信号を用意したのは、４列のシ
フトレジスタのうちの１つにノイズが入つて本来
1111であるべきところがどれか１つが０となつて
も支障のないようにするためである。従つて
0000，0001，0010，0100，1000の５種類を特定の
デイジタル信号として採用しても同様のことが言
える。

さてこの特定のデイジタル信号に続いて撮像素
子１１からの画像信号が入力され、クロツクパル
スφ_CTで順次送られるが、１フレーム分の画像信
号をすべて送ると右端（１＋ｍ×ｎ段目）のビツ
トに特定のデイジタル信号が入力される。そうす
ると各シフトレジスタ列の出力端子MC１ａ，
MC１ｂ，MC１ｃ，MC１ｄに前述のスタート
信号が出力されるので、これを検出して端子MC
１ｆからのクロツクパルスφ_CTを停止すれば１フ
レーム分の画像信号が４列のシフトレジスタに記
憶されたことになる。このシフトレジスタの右端
のビツトには検出回路DCが接続されており、出
力に５種類の特定のデイジタル信号のうちいずれ
か１つが現れたらばこれを検出してメモリセル
MC１に画像信号が転送されたことすなわちセル
MC１が使用済になつたことを示す出力信号を出
力端子MC１ｋに出力する。またシフトレジスタ
の最終ビツト（右端のビツト）に端子MC１ｅか
ら信号を入力することによつて、ここに記録され
ている特定のデイジタル信号をリセツトすること
ができる。詳しくは後述するがこの機能は撮影に
失敗した番地のフレームを再使用したり、多重露
出をする際に用いる。

以上示したような１フレーム分のメモリセルが
複数個集まつて記憶部２ができるわけだが、その
構成の一例を第６図ｂに示す。第６図ａに示した
ようなメモリセルMC１が20個（MC１〜MC２
０）配設され、これらの入出力端子は検出回路
DCの出力端子MC１ｋ〜MC２０ｋを除き、全て
アドレス設定回路ASに接続されている。アドレ
ス設定回路ASにはアドレス入力端子MA，出力
端子MO，入力端子MI，転送クロツクパルスφ_CT
の入力端子MT及びリセツト端子MRが配設され
ている。アドレス入力端子MAにあるメモリセル
の番地の信号φ_Aが入力されると、例えば１番地
のメモリセルを選択するような信号が入力される
と１番地のメモリセルMC１の出力端子MC１ａ
〜MC１ｄが出力端子MOに、メモリセルの入力
端子MC１ｇ〜MC１ｊが入力端子MIに、メモリ
セルのクロツク端子MC１ｆが端子MTに、メモ
リセルのリセツト端子MC１ｅが端子MRにそれ
ぞれ選択的に接続され、１番地のメモリセルMC
１がアクセスされることになる。

一方、検出回路DCの出力端子MC１ｋ〜MC２
０ｋは全て表示回路DPに接続され、該回路DPの
出力でスタート信号が出力されているメモリセル
すなわち使用済のメモリセルを表示する表示装置
２０１を駆動する。この装置２０１は液晶あるい
はエレクトロクロミツク等の電気光学素子を含
み、第７図に示すような外観を有する。この例で
は「20フレーム」の記憶容量を持つ記憶部の表示
装置であり、20個の液晶あるいはエレクトロクロ
ミツクのセグメントが並んでいる。このうち使用
済のメモリセルに相応するセグメントが検出回路
DCの出力信号を受けて着色する。この例では１
〜６，８〜10の各番地のメモリセルMC１〜MC
６，MC８〜MC１０が使用済ということである。

第８図は撮像部１の回路システムを示す。第５
図に示すような撮像素子１１は、そのオーバーフ
ロードレインの出力端子１１ａが光電流増巾器を
含む測光回路１０２の入力端子に接続されてい
る。該測光回路の出力は記憶演算回路１０３の入
力端子に接続され、該回路１０３は測光回路１０
２の出力に基づき適正露出を与える露出時間値と
絞り値を算出する。制御パルス発生回路１０１は
撮影シーケンスを司どる各種のパルスを発生する
が、回路１０３はその端子１０１Ｃから信号
φ_101Cを受けると測光回路１０２の出力信号を記
憶する。記憶演算回路１０３は３つの出力端子を
有し、該回路１０３の第１の出力は第１の端子を
介して表示回路１０６に入力され、該回路１０６
の出力はフアインダ内に設けられたLED，液晶
等の表示素子を含む表示装置１０７を駆動し、露
出時間や絞り値等の表示を行なう。演算回路１０
３の第２の出力は第２の端子を介して絞り制御回
路１０５に入力し、該回路１０５の出力は撮影レ
ンズの絞り１０ａを制御する。また回路１０３の
第３の出力は第３の端子を介して計時回路１０４
に入力し、該回路１０４はパルス発生回路１０１
の出力端子１０１ａからの信号φ_101aを受け、そ
の時点から回路１０３の出力に相応した時間後
に、露出終了信号をパルス発生回路１０１の入力
端子１０１ｂに送り込む。

撮像素子１１の各入力端子１１ｂ〜１１ｇはパ
ルス発生回路１０１の各出力端子１０１ｄ〜１０
１ｉにそれぞれ接続され、撮像素子１１を駆動す
るための前記各種制御パルスφ_TG2，φ_TG1，φ_V1，
φ_V2，φ_h1及びφ_h2を受け取る。撮像素子１１の出
力端子１１ｈはAD変換回路１０８に接続され、
ここで各画素（各受光エレメント）の光強度に応
じたアナログ信号は４ビツトのデイジタル信号に
変換され、選択ゲート１０９に送り込まれる。多
重露出時に用いられる加算回路１１０は、AD変
換回路１０８の出力と記憶部２から入力端子CI
を介して入力される画像信号とを加算して２で割
る。すなわち両者の相加平均をとつてその信号を
選択ゲート１０９に加える。スイツチ１６ｄは第
２図のモード選択レバー１６に連動して開閉し、
レバー１６がMUL（多重露出）の位置にある時に
ONとなつて加算回路１１０を動作状態となし、
他の場合にはOFFとなつて加算回路１１０を不
動作状態にする。スイツチ１６Ｃは同じくレバー
１６に連動して開閉し、レバー１６がMCLの位
置にある時にONとなり、選択ゲート１０９を加
算回路１１０の出力は通過させ、AD変換回路１
０８の出力は阻止する状態にする。またスイツチ
１６Ｃはレバー１６が他の位置にある時には
OFFとなり、ゲート１０９を先程とは逆にAD変
換回路１０８の出力は通過させ、加算回路１１０
の出力は阻止する状態にする。選択ゲート１０９
の出力信号は別の選択ゲート１１１に送られる。
この選択ゲート１１１には前述の特定のデイジタ
ル信号を発生する特定のデイジタル信号発生回路
１１２の出力端子も接続されている。該ゲート１
１１は制御パルス発生回路１０１の出力端子１０
１ｋからの信号φ_101kにより、選択ゲート１０９
の出力と特定のデイジタル信号発生回路１１２の
出力のいずれかを選択して出力端子COを介して
記憶部２に出力する。検出回路１１３は記憶部２
の出力端子MOから入力端子CIを介して入力され
る信号か特定のデイジタル信号であるか否かを判
別し、その結果の信号を制御パルス発生回路１０
１の入力端子１０１ｊに送り込む。

アドレスカウンタ１１４の内容は５ビツトの出
力端子CAを介して記憶部２のアドレス設定回路
ASに送られ指定される番地のメモリセルをアク
セスする。一方で該カウンタ１１４の出力は表示
回路１１７を介して前述の表示装置１８を駆動さ
せ、アクセスしているメモリセルの番地を表示さ
せる。スイツチ１６ａは第２図のモード選択レバ
ー１６に連動して、該レバー１６がＡ（自動アク
セス）にある時には第８図の端子Ａと、MAN
（手動アクセス）あるいはMULの位置にある時に
は第８図の端子Ｍと接続される。手動アドレス設
定回路１１５はスイツチ１６ａが端子Ｍの位置に
ある時に押釦スイツチ１７ａがONする度に１つ
ずつパルスを出し、アドレスカウンタ１１４の内
容を１つずつ変えていく。スイツチ１６ａを端子
Ａの位置に切り換えた場合にはアドレスカウンタ
１１４はその入力端子１１４ａを介して制御パル
ス発生回路１０１の出力端子１０１ｌに接続さ
れ、該回路１０１からのクロツクパルスを計数す
る。スイツチ１６ｂはモード選択レバー１６に連
動して該レバーがＡにある時はOFF、他の場所
にある時はONとなり、入力端子１０１ｎを介し
て制御パルス発生回路１０１に選択されたモード
が自動アクセスか否かを知らせる。ワンシヨツト
マルチバイブレーター１１６はレリーズ釦１５を
押すことによりスイツチ１５ａがONになると単
一のパルスφ_Sを発生し、入力端子１０１Ｐを介し
て回路１０１に撮影シーケンスをスタートさせる
信号を送り込む。出力端子１０１ｑは記憶部用の
転送パルスφ_CTを出力端子CTを介して記憶部２に
送る。出力端子１０１ｒは記憶部２へ送るリセツ
トパルスを出力端子CRを介して記憶部２の入力
端子MRに送る。出力端子１０１Ｓは撮影シーケ
ンスが進行中か否かを示す信号φ_busyを出力する。
該信号φ_busyは駆動回路１１８を介して発音体１
１９に警告音を出させ、表示回路１２０を介して
LED等の警告表示装置１２１を点灯させ、そし
て駆動回路１２２を介して電磁石１２３を働かせ
て図示なき安全装置により撮影シーケンス途中に
記憶部２を撮像部１から離脱することを不可能に
する。出力端子１０１ｓと駆動回路１１８との間
にOFFにすることにより警告音を発せられなく
するスイツチ１９（第２図参照）が挿入されてい
る。出力端子１０１ｍは回路１１７，１１８に接
続されており、記憶部２のメモリセルが全て使用
済で、空きがない場合に断続信号を出し、表示装
置１８を点滅させ、発音体１１９を断続発音させ
て、記憶部２に未使用のメモリセルが無いことを
表示する。出力端子１０１ａの出力は同調信号と
して接点１３（第２図参照）を介してスピードラ
イト等に送られる。入力端子１０１ｔに接続され
た切換スイツチ１２４は記憶部２の上面に立設さ
れたピン２０７（第３図ｂ参照）の突出量に応じ
て切り換えられ、記憶部２の記憶容量を回路１０
１に伝える。また記憶部２を撮像部１から取りは
ずすとスイツチ１２４がカウンタ１１４のリセツ
ト端子１１４ｒに接続され、該カウンタ１１４の
内容をリセツトする。

第９図において、記憶部２に記憶された画像信
号を磁気テープカセツトに転送するコンバータ３
が示されている。該コンバータ３にはコネクタ２
０５と接続されるコネクタ３０１と、磁気テープ
カセツトが装填されるカセツトホルダ３０２と、
操作釦３０３とが設けられている。次に本実施例
の作動について説明する。まず第２図において記
憶部２を撮像部１に装着する。これにより記憶部
２のコネクタ２０６が撮像部１のコネクタ（不図
示）と接続し、第６図ｂに示した端子MA，
MO，MI，MT，MRが第８図の端子CA，CI，
CO，CT，CRにそれぞれ接続される。今、撮像
部１のモード選択レバー１６を自動アクセスＡの
位置に、スイツチ１９をONにしたとする。する
と第８図におけるスイツチ１６ａが端子Ａと接続
され、スイツチ１６ｂ，１６ｃ，１６ｄはそれぞ
れOFFの状態となる。この状態で撮影レンズ１
０を被写体に向け、構図を決めて焦点を合わせ
る。そしてレリーズ釦１５を深く押下すると第８
図のスイツチ１５ａがONとなり、ワンシヨツト
マルチバイブレータ１１６から第１０図ａのタイ
ムチヤートに示した単一のパルスφ_Sが制御パルス
発生回路１０１の入力端子１０１ｐに発せられ
る。それを受けた回路１０１は出力端子１０１ｌ
より第１０図に示したタイミングでパルスφ_Aを
発する。このパルスφ_Aはスイツチ１６ａを介し
てアドレスカウンタ１１４の入力となる。該カウ
ンタ１１４は撮像部１から記憶部２を取りはずし
た時にリセツトされている。

従つてパルスφ_Aが１つ入る毎にカウンタの内
容は１から１つずつ進む。これにより該カウンタ
１１４は端子CA，MAを介して記憶部２内のメ
モリセルを順次アクセスする。即ちカウンタ１１
４が端子１０１ｌからの最初のパルスを計数する
と、先ず第１のメモリセルMC１をアクセスし、
次いで第２番目のパルスを計数すると第２のメモ
リセルMC２をアクセスし、以下同様にパルスの
計数毎に最後のメモリセルMC２０までアクセス
する。検出回路１１３はカウンタ１１４によつて
アクセスされたメモリセルの出力信号を端子
MO，CIを経て受け、これがスタート信号である
場合はＬレベル、そうでない場合はＨレベルの信
号φ₁₁₃を入力端子１０１ｊに送る。通常新たに装
着された記憶部２は全てのメモリセルが未使用で
ある場合がほとんどなので、信号φ₁₁₃は第１のメ
モリセルMC１をアクセスして直ちにＨレベルに
なる。従つて第１のメモリセルMC１が撮影用に
アクセスされ、第１のメモリセルの番地すなわち
「１」が表示装置に現われる。ところがいくつか
のメモリセル、例えば第１番目から第３番目まで
のメモリセルMC１〜MC３が使用済であつたと
すると、回路１０１は検出回路１１３の出力φ₁₁₃
がＬレベルである間、パルスφ_Aをカウンタ１１
４に送り続ける。このようにして１つずつアドレ
スを進めて行き、未使用のメモリセル、この場合
第４番目のメモリセルMC４に行き当たると出力
φ₁₁₃が第１０図ｂに示すタイミングでＨレベルと
なり、パルスφ_Aの出力が止まる。そしてその時
のメモリセルが撮影用としてアクセスされ、その
メモリセルの番地が表示装置１８に表示される。
以上述べた過程をアドレスサーチと呼ぶ。

回路１０１はピン２０７、切換えスイツチ１２
４によつて伝えられたフレーム数だけアドレスパ
ルスφ_Aを発しても回路１１３の出力がＨレベル
とならない場合は記憶部２の中の各メモリセルが
全て使用済であることを検知する。そうすると該
回路１０１は端子１０１ｍから断続信号を発して
表示装置１８を点滅させ、発音体１１９に断続音
を出させると共に撮影シーケンスを停止する。こ
れにより撮影者は未使用のメモリセルが無いこと
を知る。この一連の警告動作は撮像部１に記憶部
２を装着せずにレリーズ釦を押圧した時にも行な
われる。これは回路１０１が記憶部２の未装着を
スイツチ１２４の開放によつて検知することによ
る。この未装着による警告は、記憶部が撮像部の
内部に装填され、記憶部の存在が外部から視認で
きない形式の場合に特に有効である。

未使用のメモリセルがアクセスされると回路１
１３の出力φ₁₁₃がＨレベルとなり、パルスφ_Aが停
止する。第１０図ｅに示したように端子１０１ｄ
の出力φ_TG2はレリーズ釦１５を浅く押下すること
による給電開始に伴いＨレベルとなり、第５図に
示した撮像素子１１のトランスフアーゲート
TG_2,1〜TG_2,oを開の状態にしておく。従つて受
光エレメントa_1,1,…，a_n,oに照射された光の強度
に応じて発生した電荷が各エレメントに蓄積する
ことなくオーバーフロードレインOD₁〜OD_o，出
力端子１１ａを介して常に光電流として取り出さ
れ、測光回路１０２によつて増巾，対数変換，
AD変換等の処理を施されて記憶演算回路１０３
に加えられる。記憶部２の未使用のメモリセルの
アクセスが終わると回路１１３の出力φ₁₁₃に応じ
て端子１０１Ｃの出力φ_101Cは第１０図ｄに示す
タイミングでＬレベルからＨレベルに変化する。
この出力φ_101CがＨレベルの間、測光回路１０２
の出力は回路１０３に記憶される。該回路１０３
では記憶された光強度の値から適正な露出（電荷
蓄積量）が得られるような絞り値と電荷蓄積時間
すなわち露出時間が算出される。該適正絞り値の
情報は絞り制御回路１０５に送られ、公知の方法
により絞り１０ａを制御する。また該適正絞り
値，適正電荷蓄積時間の両情報は表示回路１０６
にも送られ、表示素子１０７によりフアインダ内
表示がなされる。さらに適正電荷蓄積時間の情報
は計時回路１０４にも送られる。その直後、端子
１０１ｄの出力φ_TG2が第１０図ｅに示すタイミン
グでＨレベルからＬレベルに変化し、トランスフ
アーゲートTG_2,1〜TG_2,oが閉じられる。と同時
に撮像素子の受光エレメントa_1,1,…，a_n,oに露光
量に応じた電荷の蓄積が開始されると共に端子１
０１ａに信号φ_TG2と同様の信号φ_101a（第１０図ｅ
参照）が現われる。計時回路１０４は該信号
φ_101aを受けて、その出力φ₁₀₄を第１０図ｆに示
すようにＬレベルからＨレベルに変化させ計時を
スタートする。そして前記適正電荷蓄積時間が経
過すると出力φ₁₀₄はＨレベルからＬレベルに変化
する。これを端子１０１ｂを介して受けた回路１
０１は出力端子１０１ｅより第１０図ｇに示すよ
うなパルスφ_TG1を出力し、撮像素子１１のトラン
スフアーゲートTG_1,1〜TG_1,oを一瞬の間開く。
それにより受光エレメントa_1,1,…，a_n,oに蓄積さ
れた電荷が縦方向シフトレジスタS_v1〜S_voに移
る。これで露出が終わつたことになる。電荷蓄積
時間すなわち露出時間は出力φ_TG2がＨレベルから
Ｌレベルに変化することによるトランスフアーゲ
ートTG_2,1〜TG_2,oが閉成からパルスφ_TG1が出され
ることによるトランスフアーゲートTG_1,1〜
TG_1,oが開放までの時間である。

以上のようにして露出が終わると、次に端子１
０１ｋから選択ゲート１１１に第１０図ｈに示す
タイミングで信号φ_101kが発せられる。該ゲート
１１１は端子１０１ｋからの出力がＨレベルなの
で特定のデイジタル信号発生回路１１２からの出
力（特定のデイジタル信号）を選択して出力端子
COに出力する。これに同期して端子１０１ｑよ
り端子CT，MTを介して記憶部２に第１０図ｍ
に示すような転送パルスφ_CTが送られ、スタート
信号が入力端子MIを介してアクセスしているメ
モリセルに送り込まれる。続いて出力端子１０１
ｆと１０１ｇより第５図の撮像素子１１の入力端
子１１ｄ，１１ｅに第１０図ｉ，ｊに示すタイミ
ングでそれぞれ縦方向転送パルスφ_v1及びφ_v2が、
出力端子１０１ｈと１０１ｉより入力端子１１
ｆ，１１ｇに第１０図Ｒ，１に示すタイミングで
それぞれ横方向転送パルスφ_h1及びφ_h2が送られ
る。これにより各受光エレメントの画像信号が出
力端子１１ｈから時系列的に出力される。この信
号はAD変換回路１０８でデイジタル信号に変換
され、選択ゲート１０９に加えられる。該ゲート
１０９はスイツチ１６ＣがOFFとなつているの
で回路１０８からの画像信号を通過させる。選択
ゲート１１１も端子１０１ｋからの出力がＬレベ
ルになるのでゲート１０９からの画像信号を通過
させ、出力端子COから記憶部２の入力端子MIに
加えられる。更に前述の転送パルスφ_v1，φ_v2，
φ_h1，φ_h2に同期して発せられる転送パルスφ_CTに
より画像信号は前記、特定のデイジタル信号の後
に連つてアクセスしているメモリセルのシフトレ
ジスタ内に順次転送されて行く。１フレーム分の
画像信号を転送し終わるとスタート信号が記憶部
２の出力端子MOに出てくるので、これが撮像部
１の入力端子CIを介して検出回路１１３に加え
られる。回路１１３はこれを検出して前述の各転
送パルスφ_v1，φ_v2，φ_h1，φ_h2，φ_CTを停止する。
これで１フレーム分の撮影シーケンスが完了す
る。以後レリーズ釦１５を深く押下げする度に未
使用のメモリセルが無くなるまで上述の撮影シー
ケンスを繰り返すことができる。

尚、以上の撮影シーケンス途中、すなわちレリ
ーズ釦１５の押圧からアドレスサーチ，露出，転
送完了までの間においては、出力端子１０１Ｓか
ら第１０図ｎに示す信号φ_busyが発せられる。該
信号φ_busyは発音体１１９，表示装置１２１を駆
動して撮影シーケンス途中であることの警告を行
なうと共に、電磁石１２３を励磁させることによ
り図示なき安全装置を働かせ、映像信号の記憶部
２への転送が完了する前に撮像部１から記憶部２
を分離することを不可能にする。次にモード選択
レバー１６で手動アクセス（MAN）を選択した
場合について説明する。この場合は手動で所望の
番地のメモリセルをアクセスすることができる。
第２図に示したレバー１６をMANの位置にする
と第８図のスイツチ１６ａが端子Ｍに接続され、
スイツチ１６ｂがONになるが、スイツチ１６
ｃ，１６ｄはOFFのままである。この状態で押
釦１７を押すと常開スイツチ１７ａがONし、押
す度に手動アドレス設定回路１１５から１つずつ
パルスが発せられ、それによりアドレスカウンタ
１１４の内容が直前に撮影して画像信号が転送さ
れたメモリセルの番地から１つずつ進んで行く。
従つて表示装置２０１を見て所望の番地のメモリ
セルを決め、表示装置１８に所望番地が現われる
まで押釦１７を操作すれば良い。もちろん直前に
使用されたメモリセルを所望する場合は押釦１７
を押す必要はない。この手動アクセスを完了して
からレリーズ釦１５を押すと前述のアドレスサー
チの過程は無くその代わりにリセツトパルスが端
子１０１ｒから端子CR，MRを介してメモリセ
ルに出され、アクセスしたメモリセルが使用済の
場合にメモリセルの出力に出ているスタート信号
の４ビツト分をリセツトする。従つてアクセスし
たメモリセルは使用済，未使用に拘わらず検出回
路１１３の出力がＨレベルになるので使用可能と
なる。以後のシーケンスはレバー１６がＡにある
場合と同様でアクセスしたメモリセルに特定のデ
イジタル信号，画像信号が転送される。従つて手
動アクセスモードによれば、撮影に失敗してもレ
バー１６をMANに合わせ、再びレリーズ釦１５
を深く押下げしさえすればメモリセル内に転送さ
れた失敗の画像信号は新たに撮影された画像信号
に入れ換わるのでメモリセルを無駄なく使用でき
る。また押釦１７を操作すれば所望のメモリセル
を例えばMC１，MC３，MC５，……といつた
具合に使用することができる。尚、手動アクセス
はサイクリツクに行なわれる。すなわち最後の番
地のメモリセルMC２０がアクセスされた後に、
押釦１７を押圧すると最初のメモリセルMC１が
アクセスされる。これはカウンタ１１４がプログ
ラマブルカウンタであつて、その不図示のプログ
ラム入力端子にスイツチ１２４とピン２０７とに
よる記憶部２の記憶容量がデイジタル化されて入
力されており、メモリセルの全数を計数するとカ
ウンタの内容をリセツトすることによる。

次にレバー１６で多重露出のモードを選択した
場合について説明する。先ず前述の２つのモード
のいずれかで撮影シーケンスを終えた後にレバー
１６をMULの位置にする。そうするとスイツチ
１６ａは端子Ｍに接続し、スイツチ１６ｂ，１６
ｃ，１６ｄは全てONとなる。それからレリーズ
釦１５を押しても前述の手動アクセスモードの場
合と同様にアドレスサーチの過程は無く、直前に
撮影して画像信号を転送したメモリセルがアクセ
スされたままになつている。そこで手動アクセス
モードの時と同様に端子１０１ｒからリセツトパ
ルスが出力され、アクセスされたままのメモリセ
ルの特定のデイジタル信号をリセツトする。

次に前述の電荷蓄積（露出）過程を経て、転送
過程に移るわけだが、ここでスイツチ１６ｃが
ONになつているので選択ゲート１０９はスイツ
チ１６ｄのONにより作動状態となつた加算回路
１１０の出力を選択して通過可能とする。まずこ
れまでと同様に特定のデイジタル信号がアクセス
されたメモリセルに転送されると、加算回路１１
０は端子CIから入力されるアクセスされたメモ
リセルからの画像信号と、AD変換回路１０８か
らの今撮影した画像信号との相加平均の信号を出
力する。もちろんこれは各転送パルスの完全な同
期のもとで行われる。そしてこの相加平均信号は
ゲート１０９，１１１，端子CO，MIを経てアク
セスしたメモリセルに転送される。以上のように
して１フレーム分の転送が終了すると、アクセス
されたメモリセルには１番目の撮影被写体と２番
目の撮影被写体とが合成された画像信号が記憶さ
れることになる。これは何回でも繰り返して多重
露出をすることができ、その都度和ではなく相加
平均をとつているので露出過度となる虞はない。
また直前に使用したメモリセルだけではなく、押
釦１７で所望の番地のメモリセルをアクセスする
ことによつて更に以前に使用したメモリセルの画
像信号と合成することも可能である。

上述のいずれかのモードで撮影され、未使用の
メモリセルの無くなつた記憶部２は着脱スライダ
２０３を操作して引き下げることにより撮像部１
から取りはずす。そしてコンバータ３によつて記
憶部２に記憶されている画像信号を磁気テープカ
セツトに転送する。そのために記憶部２のコネク
タ２０６をコネクタ３０１に接続し、そしてテー
プカセツトをカセツトホルダ３０２に装填して、
操作釦３０３を操作する。そうすれば記憶部２の
メモリセルの画像信号は順次磁気テープに転送さ
れ、それと共に転送されたメモリセルはリセツト
されて再使用可能となる。又この際コンバータ３
はメモリセルのバツクアツプ、表示装置２０１の
駆動のために記憶部２に内蔵された２次電池を充
電する。

第１１図において、メモリセルの別の態様MC
１′を示す。第６図ａに示したメモリセルMC１
では記憶装置にシフトレジスタSR１，SR２，
SR３，SR４を用いたが、ここではランダムアク
セスメモリを用いている。尚、第６図ａと同一符
号を付したものは同一の機能を有するものであ
る。ランダムアクセスメモリのメモリ・マトリク
スRMには、４ビツトで１画素を表現するとすれ
ば４×全画素数（ｍ×ｎ）のビツト数のメモリが
用意されている。これら各ビツトは４ビツトで１
組（１ワード）となつており、ｘ方向アドレス指
定回路Axとｙ方向アドレス指定回路Ayとによつ
て指定されたアドレスの１ワードが入力回路IP
を介して第６図ａと同様の入力端子MC１ｇ〜
MC１ｊに、また出力回路OPを介して第６図ａ
と同様の出力端子MC１ａ〜MC１ｄにアクセス
される。

Ax，Ayのアドレスはそれぞれｘ方向アドレス
カウンタCx，ｙ方向アドレスカウンタCyによつ
て与えられる。すなわちこれらのカウンタは直列
に接続され、端子MC１ｆからカウンタCxに入力
されるクロツクパルスを計数する。このカウンタ
はｘ＝０，ｙ＝０から出発し、ｙ＝０の行のメモ
リをアクセスし終わるとｘは０に戻り、ケタ上げ
によつてｙ＝１となり、この行のメモリのアクセ
スを始める。このようにしてメモリ・マトリクス
RM内の全てのメモリをアクセスし終わると、再
びｘ＝０，ｙ＝０に戻るように構成されている。

クロツクパルスが入力される以前に、出力回路
OPにはインバータによつてＨレベルの入力が送
られているので、出力回路OPは開いている。そ
してその時にはアクセスされているアドレス（ｘ
＝０，ｙ＝０）のメモリの内容が出力端子MC１
ａ〜MC１ｄを介して撮像部１の検出回路１１３
に送られている。これがスタート信号でないと検
出回路１１３は制御パルス発生回路１０１にこの
メモリセルMC１′が使用可能であることを伝え
る。

クロツクパルスに同期して順次特定のデイジタ
ル信号、引き続いて画像信号が入力端子MC１ｇ
〜MC１ｊに送られるのであるが、該クロツクパ
ルスがＨレベルになると入力回路IPが開く。と
同時にそれを介してスタート信号が入力され、パ
ルスが入力する前からアクセスされているアドレ
ス（ｘ＝０，ｙ＝０）のメモリに記憶される。続
いてＨレベルのパルスが立下がるとカウンタCx
はカウントアツプし、次のアドレス（ｘ＝１，ｙ
＝０）のメモリがアクセスされる。パルスがＬレ
ベルになると出力回路OPが開く。次にパルスが
Ｈレベルになると入力回路IPが開き、最初の画
像信号が入力され、アクセスされたアドレス（ｘ
＝１，ｙ＝０）に記憶される。

以上の動作を繰り返して最後のアドレス（ｘ＝
ｍ，ｙ＝ｎ）のメモリに最後の画像信号が記憶さ
れ、パルスが立下がると最初のアドレス（ｘ＝
０，ｙ＝０）のメモリが再びアクセスされる。そ
してクロツクパルスがＬレベルになると出力回路
OPが開き、そこに記憶されている特定のデイジ
タル信号がMC１ａ〜MC１ｄを介して検出回路
１１３に出力される。これを受けた回路１１３は
制御パルス発生回路１０１によるクロツクパルス
の入力端子MC１ｆへの転送を停止させる。これ
で画像信号のメモリセルへの転送が完了し、この
メモリセルMC１′は使用済となる。

リセツト端子MC１e′は、特定のデイジタル信
号がアクセスされている時に該端子へリセツト信
号を送ることにより該特定のデイジタル信号をリ
セツトするためにある。

以上のように本発明によれば、撮像手段から記
憶手段へ画像信号を転送するのに先だち該画像信
号と弁別可能な特定のデイジタル信号を転送し、
かつ該転送された特定のデイジタル信号を検知
し、該検知出力を利用するので簡単な構成で正確
に撮影シーケンスの制御を行なえる電子カメラが
得られる。尚、本実施例では静止画像を半導体メ
モリに記録する例を示したが本発明はこれに限る
ものではなく、静止画像を連続的に撮影すること
による動画を記録する場合も適用できる。

また本発明は撮像部１と記憶部２が本実施例の
様に一体でなく、ケーブルで接続される形式のカ
メラにも適用できることはいうまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図，第２図は本発明の実施例を具備した電
子カメラの前，後面の斜視図、第３図は該カメラ
を撮像部と記憶部とに分離した様子を示す斜視
図、第４図は該カメラの概略縦断面図、第５図は
固体撮像素子の内部構造を示す模式図、第６図は
記憶部の一部と全体とを示す回路図、第７図は表
示装置の表示部を示す正面図、第８図は撮像部の
回路図、第９図はコンバータの斜視図、第１０図
は該電子カメラの撮影シーケンスを制御する主要
なパルスのタイムチヤートそして第１１図は記憶
部の別の態様を示す回路図である。主要部分の符号の説明，１０……光学系、１１
……撮像手段、MC１，MC１′……固体メモリ手
段、１０１……転送手段、１１２……特定信号発
生手段、１１３，DC……特定信号検出手段。

Claims

【特許請求の範囲】１被写体像を結像させる光学系と、撮像動作に
応じて該被写体像をアナログ画像信号に変換する
撮像手段と、該撮像手段のアナログ画像信号出力
をデイジタル画像信号に変換するＡ／Ｄ変換手段
と、該Ａ／Ｄ変換手段のデイジタル画像信号出力
の一画面分を記憶する所定領域を複数備える固体
メモリ手段と、前記Ａ／Ｄ変換手段のデイジタル
画像信号出力を前記所定領域に転送する転送手段
と、特定のデイジタル信号を一画面分の画像信号
に対応して発生する特定信号発生手段と、該特定
のデイジタル信号を検出する検出手段とを有し、前記転送手段は、前記デイジタル画像信号出力
の前記転送に先立つて、前記特定信号発生手段の
デイジタル信号出力を前記所定領域内の特定記憶
部に転送し、前記検出手段は前記特定記憶部に格
納された特定デイジタル信号の有無を検出するこ
とによつて前記所定領域のデイジタル画像信号の
記憶状態を認識する事を特徴とする電子カメラ。