JPH0381142B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明はポジ型感放射線レジスト組成物に関す
るものである。さらに詳しくは、高感度、高解像
度のポジ型感放射線レジストである、ポリ（フル
オロアルキルα−クロロアクリラート）およびそ
のコポリマー組成物に関するものである。 〔従来技術〕 従来、IC、LSI等の製造のための微細パターン
の形成方法としては、紫外線に感光するフオトレ
ジストを利用する方法が広く実用化されている。
しかし最近LSI等の高密度化、高集積化の要請か
ら、電子線、Ｘ線、イオンビーム等、光より波長
の短い放射線を用いる技術が開発され、これに伴
なつて、高感度、高解像度の感放射線レジストが
要望されている。 従来ポジ型感放射線レジストとしては、メタク
リラート系ポリマが多く用いられているが、一般
に感度が高ければガラス転移点が低く、耐熱性に
劣るという欠点を有していた。 一方、島崎ら（特公昭57−969号公報）によつ
て提案されたポリ（フルオロアルキルα−クロロ
アクリラート）およびそのコポリマは、極めて高
感度でかつガラス転移点が高く、感放射線レジス
トとして有用な物質である。 〔発明が解決しようとする問題点〕 本発明者らはポリ（フルオロアルキルα−クロ
ロアクリラート）又はそのコポリマからなるレジ
スト溶液の経時変化について検討した結果、次の
実験事実が判明した。 すなわち上記レジスト溶液を窒素加圧下にメン
ブランフイルターにて過した後、ガラスビンに
入れて密栓して保存した所、室温では数週間、50
℃では数日で、溶液粘度が1/2〜1/10に低下する。
溶液粘度が低下したレジスト溶液は、スピンコー
テイングにおいて適正な膜厚を得ることができ
ず、また感度も低下している。従つて再現性良く
レジストパターンを得ることはできず、レジスト
としての使用に耐えない。 このレジスト溶液を非溶媒にて再沈澱させ、ポ
リマ粉末を取り出して検討した所、分子量が低下
していた。 分子量が低下する原因を追求した所、ラジカル
源、すなわち、ポリマ中の残存重合開始剤、溶媒
中の過酸化物等により、ポリマがラジカル分解を
起こし主鎖が開裂することがわかつた。すなわ
ち、ポリ（フルオロアルキルα−クロロアクリラ
ート）およびそのコポリマは通常のアクリル系ポ
リマに比べ極めて特異な性質を有している。通常
のアクリル系ポリマは溶液中のラジカル源により
主鎖開裂を起こすことは知られていない。 本発明者らはかかる知見にもとづき上記ポリ
（フルオロアルキルα−クロロアクリラート）又
はそのコポリマからなるレジスト溶液を長期間、
経時変化なしに保存する方法につき鋭意検討した
結果本発明方法に到達したものである。 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち、本発明はポリ（フルオロアルキルα
−クロロアクリラート）、有機溶媒およびラジカ
ル禁止剤からなることを特徴とする感放射線レジ
スト組成物ならびにフルオロアルキルα−クロロ
アクリラートと他のビニルモノマからなるコポリ
マ、有機溶媒およびラジカル禁止剤からなること
を特徴とする感放射線レジスト組成物である。 本発明において、ポリ（フルオロアルキルα−
クロロアクリラート）又はそのコポリマからなる
レジスト溶液にラジカル禁止剤を添付せしめた場
合には、レジスト溶液を粘度変化を生ずることな
く長期間、例えば室温で１年以上、50℃でも２カ
月以上、安定に保存できるものである。 本発明で用いるラジカル禁止剤は、室温で安定
なものであればいかなるものでも良いが、分子量
600以下のものが好ましい。すなわち、レジスト
溶液は基板上にスピンコートされ、160℃〜210℃
でプリベークされるが、プリベーク時に蒸発し、
失なわれるものが好ましい。プリベークの後にレ
ジスト膜中にラジカル禁止剤が残存する場合は、
レジスト膜中に析出して異物となり、レジストの
感度に悪影響を及ぼす等の好ましくない効果が現
われる。 本発明において用いるラジカル禁止剤として
は、トリ−ｐ−ニトロフエニルメチル、ジフエニ
ルピクリルヒドラジル、ガルビノキシル等の安定
ラジカル、ベンゾキノン、クロロベンゾキノン、
２，５−ジクロロベンゾキノン、２，６−ジクロ
ロベンゾキノン、２，３−ジメチルベンゾキノ
ン、２，５−ジメチルベンゾキノン、メトキシベ
ンゾキノン、メチルベンゾキノン、テトラブロモ
ベンゾキノン、テトラクロロベンゾキノン、テト
ラメチルベンゾキノン、トリクロロベンゾキノ
ン、トリメチルベンゾキノン、等のキノン類、α
−ナフトール、２−ニトロ−１−ナフトール、β
−ナフトール、１−ニトロ−２−ナフトール、等
のナフトール類、ヒドロキノン、カテコールレゾ
ルシン、ｏ−ｔ−ブチルフエノール、２，６−ジ
−ｐ−メトキシフエノール、ｐ−エトキシフエノ
ール−ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、２，６−ジ
−ｔ−ブチルフエノール、２，４−ジ−ｔ−ブチ
ルフエノール、３，５−ジ−ｔ−ブチルフエノー
ル、３，５−ジ−ｔ−ブチルカテコール、３，５
−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ安息香酸、
２，2′−メチレンビン（６−ｔ−ブチル−ｐ−ク
レゾール）、等のフエノール類、２，４−ジニト
ロフエノール、ｏ−ニトロフエノール、ｍ−ニト
ロフエノール、ｐ−ニトロフエノール、等のニト
ロフエノール類等であるが、安定性および安全性
の点より上記フエノール類が特に好ましい。 もちろん酸素にも禁止効果はあるが、有機溶媒
を酸素加圧することはきわめて危険である、溶媒
中に溶存できる量が限られている、等の理由で好
ましい方法ではない。 本発明の方法は上述したようにポリ（フルオロ
アルキルα−クロロアクリラート）およびそのコ
ポリマが溶液中でラジカル分解するという特異な
性質に鑑みなされたものであり、ポリマ中の重合
し易い基を保護するために添加される重合禁止剤
とは本質的に異なるものである。 また塗膜後のレジスト膜には残存していないの
で、塗膜後のレジスト膜の改質、改善に関するも
のではない。すなわち上述した該ポリマのラジカ
ルによる分解は、溶液中でのみ観察される現象で
あり、ポリマ粉末および塗膜後のレジスト膜は長
期間にわたり安定である。 本発明で用いられるラジカル禁止剤の量はポリ
マ重量に対し0.01〜５％、好ましくは0.1〜２％
である。 ポリマを溶解する溶媒としては、ポリマを溶解
するものであれば特に制限はないが、メチルセロ
ソルブアセタート、エチルセロソルブアセタート
等のセロソルブアセタート類、シクロヘキサノン
等ケトン類、ｎ−ブチルアセタート、sec−ブチ
ルアセタート等の酢酸エステル類が好ましい。 本発明で用いられるポリマとしては、(1)下記一
般式で示されるモノマのホモポリマー、 （R₁は一個以上の水素原子をフツ素原子で置換
したアルキル基）、 (2)上記一般式（）のアクリラート系モノマの群
より選ばれた二種以上のモノマよりなるコポリ
マ、(3)上記一般式（）のアクリラート系モノマ
と他のビニル系モノマよりなるコポリマに大別さ
れる。 上記(1)のポリマとしては、式（）においてア
ルキル基（Ｒ）が２位以上の位置に１個以上のフ
ツ素原子を有するアルキル基であるものが用いら
れる。好ましくは炭素数２〜10個のフルオロアル
キル基である。例えば２，２，２−トリフルオロ
エチル、１−トリフルオロメチルエチル、ヘキサ
フルオロプロピル、３，３，３−トリフルオロプ
ロピル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプ
ロピル、２，２，３，３−テトラフルオロプロピ
ル、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオ
ロブチル、２，２，３，４，４，４−ヘキサフル
オロブチル、２，２，３，４，４，４−ヘキサフ
ルオロ−１−メチルブチル、１−トリフルオロメ
チル−１−メチルエチル、２，２，３，３，３−
ペンタフルオロ−１，１−ジメチルプロピル、
２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロ−
１，１−ジメチルブチル等であるがこれらに限ら
れるものではない。 上記(2)のポリマとしては、(1)に述べたモノマ
（）の共重合体であり、組成等に特に制限はな
い。 上記(3)のポリマとしては、(1)に述べたポリマと
他のビニル系モノマの１種又は２種以上とのコポ
リマ、あるいは上記(2)に述べたポリマと他のビニ
ル系モノマの１種又は２種以上とのコポリマであ
る。 他のビニルモノマとしては、 （R₂はメチル基又は水素原子、Arは芳香族基）
にて表わされる芳香族ビニル系モノマ、例えばス
チレン、α−メチルスチレン、ビニルナフタレ
ン、ビニルピリジン、ビニルトルエン、ビニルカ
ルバゾールおよびその芳香環上にハロゲン、メト
キシ、炭素数４以下のアルキル等の置換基を有す
る誘導体等、 （R₃はメチル基又は水素原子、R₄はアルキル基、
アリール基又はアラルキル基）にて表わされるビ
ニルエーテル系モノマ、例えばメチルビニルエー
テル、エチルビニルエーテル、ｎ−ブチルビニル
エーテル等、 （R₅はメチル基又は水素原子、R₆はアルキル基、
アリール基又はアラルキル基）にて表わされるビ
ニルケトン系モノマ、例えばメチルビニルケト
ン、メチルイソプロピルケトン等、 （R₇は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハ
ロゲン化メチル）にて表わされるシアノアクリラ
ート系モノマ、例えばアクリロニトリル、メタク
リロニトリル、２−クロロアクリロニトリル等、 （R₈は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハ
ロゲン化メチル基、カルボキシル基）にて表わさ
れるアクリルアミド系モノマ、例えばアクリルア
ミド、メタクリルアミド、２−クロロアクリルア
ミド等、 （R₉は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハ
ロゲン化メチル基、カルボキシル基、シアノ基、
カルボキシメチル基）にて表わされるアクリル酸
系モノマ、例えばアクリル酸、メタクリル酸、２
−クロロメタクリル酸、２−シアノアクリル酸、
イタコン酸等 （R₁₀は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハ
ロゲン化メチル基、カルボキシル基、シアノ基、
カルボキシメチル基、R₁₁はアルキル基、アリー
ル基又はアラルキル基）にて表わされるアクリル
酸エステル系モノマ、例えば、メチルアクリラー
ト、エチルアクリラート、イソプロピルアクリラ
ート、ｎ−プロピルアクリラート、イソブチルア
クリラート、ｎ−ブチルアクリラート、ベンジル
アクリラート、フエニルアクリラート、メチル−
α−クロロアクリラート、エチルα−クロロアク
リラート、イソプロピルα−クロロアクリラー
ト、ｎ−プロピルα−クロロアクリラート、イソ
ブチルα−クロロアクリラート、ｎ−ブチルα−
クロロアクリラート、ベンジルα−クロロアクリ
ラート、フエニルα−クロロアクリラート、メチ
ルメタクリラート、エチルメタクリラート、イソ
プロピルメタクリラート、ｎ−プロピルメタクリ
ラート、イソブチルメタクリラート、ｎ−ブチル
メタクリラート、ベンジルメタクリラート、フエ
ニルメタクリラート、２−シアノアクリラートお
よびそのベンゼン環上にハロゲン、メトキシ、炭
素数４以下のアルキル等の置換基を有する誘導体
等、 （R₁₂は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハ
ロゲン化メチル基、カルボキシル基、シアノ基、
カルボキシメチル基、R₁₃はアルキル基、アリー
ル基又はアラルキル基）にて表わされるチオアク
リラート系モノマ、例えばメチルチオメタクリラ
ート、エチルチオメタクリラート等、 （R₁₄は水素原子、メチル基、ハロゲン原子、ハ
ロゲン化メチル基、シアノ基、R₁₅はアルキル
基、アリール基、アラルキル基）にて表わされる
ビニルアセタート系モノマ、例えばビニルアセタ
ート、ビニルプロピオナート等が考えられるが、
これに限られるものではない。 なお上記説明中、R₄、R₆、R₁₁、R₁₃およびR₁₅
のアルキル基とは炭素数１〜８のものをいい、ア
リール基とはベンゼン環又はナフタリン環を有す
るものをいい、アラルキル基とはベンジル又はフ
エニルエチルをいう。 以上の内R₂、R₃、R₅、R₇、R₈、R₉、R₁₀、
R₁₂、R₁₄が水素原子以外の基をもつもの、すな
わち重合後４級炭素になるものが好ましい。また
水素原子以外の基の中でハロゲン原子を持つもの
が特に好ましい。 コモノマ中に占めるこれらビニル系モノマの割
合は50wt％以下にすることが好ましい。 コポリマにすることにより一般的に基板に対す
る接着性が向上し、芳香族系コモノマを共重合す
ることにより一般的にドライエツチング耐性を改
善することができる。 以上(1)(2)(3)で示されるポジ型感放射線レジスト
の分子量としては、メチルエチルケトン中25℃で
測定された極限粘度が、0.3〜3.0のもの、好まし
くは0.5〜2.0のものが用いられる。分子量が高い
方が、一般に感度は高くなり有利であるが、あま
り高いと、レジスト溶液としての溶液粘度が高く
なり、過が困難になる。またパターン形成時
に、基板への塗膜が困難になり、現像時の膨潤が
起こりパターンに悪影響を及ぼす。 次に本発明におけるポジ型感放射線レジストの
感度を測定する方法について述べる。 まずポリマをメチルセロソルブアセタート、シ
クロヘキサノン、ｎ−ブチルアセタート等の適当
な溶媒に溶解した後0.2〜0.4μのメンブランフイ
ルターにて過しレジスト溶液を調製する。この
レジスト溶液を基板上にスピンナーを用いてスピ
ンコートし0.4〜1.0μの均一なレジスト膜を形成
する。次に溶媒を除きかつ基板との密着性を向上
させるためプリベーク処理を行なう。本発明のポ
ジ型感放射線レジストの場合は160℃〜210℃で15
分〜１時間プリベークすることが好ましい。 電子線露光装置を用い基板上の一定面積を一定
の電流量で、露光時間を等比級数的に変えながら
10〜20カ所露光する。各露光部分について、面
積、電流量、露光時間より、単位面積当りの電気
量（μC／cm²）を計算する。 次に基盤を適当な現像液中に、一定温度で一定
時間浸漬し、このあと非溶媒中に浸してリンスす
る。乾燥後、基板をポストベークする。ポストベ
ーク温度は一般にポリマのガラス転移温度より低
い温度で行なうことが好ましい。 基板上の露光部分及び未露光部分の膜厚を表面
荒さ計等で測定する。横軸に電気量（露光量）、
縦軸に露光部分の膜厚をプロツトし感度曲線を作
成する。この感度曲線が横軸と交わる時を感度と
する。 露光前の膜厚も測定しておき、現像後の未露光
部分の膜厚と比較して減少分を膜減りとする。 一般にポジ型感放射線レジストにおいては、露
光部分のポリマは主鎖切断を起こし分子量が低下
している。これを現像すると露光部分のポリマは
未露光部分のポリマより速い速度で溶解し、従つ
てレジストパターンが形成される。このように現
像時には未露光部分の膜厚は必ず、現像前に比べ
て減少する。 ポジ型感放射線レジストの感度は、現像液の種
類、温度、現像時間、レジスト膜厚によつて変化
しこれらを記載しないと感度のみのデータは意味
がない、すなわち、長い現像時間、高い現像温度
を用いると感度は見かけ上高くなるが、膜減りも
大きくなる。 〔実施例〕 以下に実施例にて本発明を詳述する。 実施例 １ ２，２，２−トリフルオロエチルα−クロロア
クリラート200ｇ、アゾビスイソブチロニトリル
6.9ｇ、ｔ−ブタノール800mlを２三ツ口フラス
コに仕込みかくはんして溶解させた。フラスコ内
を窒素で置換した後、50℃の湯浴内で6.5時間静
置した。 得られるかんてん状かたまりをアセトン３に
溶解する。ポリマ溶液をメタノール４、水２
の混合物中に注ぎ、ポリマを再沈する。析出する
ポリマを取し、メタノール−水２：１で洗浄後
真空乾燥器内で乾燥した。 ポリマ粉末186ｇが得られた。メチルエチルケ
トン中、25℃での極限粘度は1.00であつた。 上記の方法で得たポリマ粉末を用い以下の実験
を行なつた。 (A) ポリマ粉末620ｇを取りメチルセロソルブア
セタート9380ｇに溶解し、0.2μのメンブランフ
イルターを用い、窒素加圧下に過し１ガラ
スビンに１ずつビンづめした。レジスト溶液
をクロムブランクス上に1000回転でスピンコー
トし、200℃で30分間プリベークした。レジス
ト膜厚は5560Åであつた。 電子線露光装置を用い、加速電圧20kV、電
流量1nAで0.45×0.6mmの面積を順次露光時間を
変えて走査露光した。 基板をメチルイソブチルケトン−イソプロパ
ノール８：２の現像液中、25℃、かくはん下に
５分間浸漬し次いで、イソプロパノールに30秒
間浸漬した。 未露光部分および露光部分のレジスト膜厚を
順次測定し、感度曲線を作成した。感度は
4.7μC／cm²、未露光部分の膜減りは100Åであつ
た。 ビンづめしたレジスト溶液を室温にて20日間
保存した所、初期51cpであつた溶液粘度が
21cpに低下した。 また、ビンづめしたレジスト溶液を50℃で４
日間保存した所、溶液粘度は10cpに低下した。 (B) ポリマ粉末620ｇ、２，６−ジ−ｔ−ブチル
−ｐ−クレゾール6.2ｇをメチルセロソルブア
セタート9370ｇに溶解し、0.2μメンブランフイ
ルターを用い、窒素加圧下に過し１ガラス
ビンに１ずつビンづめした。 (A)と同様に感度を測定した所、測定値は誤差
の範囲内で(A)の測定値と一致した。 レジスト溶液を厚さ１mmの石英板の上に1000
回転でスピンコートし、分光光度計にて紫外部
の吸収を測定した所、２，６−ジ−ｔ−ブチル
−ｐ−クレゾールの吸収が確認された。 この石英板を200℃で30分間プリベークし再
び紫外部の吸収を測定した所、２，６−ジ−ｔ
−ブチル−ｐ−クレゾールの吸収は消失し、(A)
の溶液をスピンコート後プリベークしたサンプ
ルの吸収と一致した。 ビンづめしたレジスト溶液を室温にて１年間
保存し、また他のビンを50℃にて２カ月保存し
たがいずれも溶液粘度に変化は見られなかつ
た。 実施例 ２ ２，２，２−トリフルオロエチルα−クロロア
クリラート160ｇ、フエニルα−クロロアクリラ
ート40ｇ、アゾビスイソブチロニトリル3.28ｇ、
ｎ−ヘキサン1600mlを５三ツ口フラスコに仕込
みかくはんして溶解させた。フラスコ内を窒素で
置換した後、50℃の湯浴内で８時間静置した。 イソプロパノール１を加えかくはんした後、
粉末ポリマを取し、イソプロパノールで洗浄し
た。ポリマをイソプロパノール４中に加え、30
分間放置した後、過した。得られた白色粉末を
真空乾燥器内で乾燥すると、189ｇのポリマ粉末
が得られた。メチルエチルケトン中25℃での極限
粘度は1.20であつた。 上記の方法で得たポリマ粉末を用い以下の実験
を行なつた。 (A) ポリマ粉末800ｇを取りメチルセロソルブア
セタート9200ｇに溶解し、0.2μのメンブランフ
イルターを用い、窒素加圧下に過し、１ガ
ラスビンに１ずつビンづめした。レジスト溶
液をクロムブランクス上に2900回転でスピンコ
ートし、200℃で30分間プリベークした。レジ
スト膜厚は5640Åであつた。 電子線露光装置を用い、加速電圧20kV、電
流量1nAで、0.45×0.6mmの面積を順次露光時間
を変えて走査露光した。 基板をメチルイソブチルケトン−イソプロパ
ノール７：３の現像液中、25℃でかくはん下５
分間浸漬し次いでイソプロパノールに30秒間浸
漬した。 未露光部分および露光部分のレジスト膜厚を
順次測定し、感度曲線を作成した。感度は
6.8μC／cm²、未露光部分の膜減りは270Åであつ
た。 ビンづめしたレジスト溶液を室温にて20日間
保存した所、初期78cpであつた溶液粘度が
33cpに低下した。 またビンづめしたレジスト溶液を50℃で４日
間保存した所、溶液粘度は27cpに低下した。 (B) ポリマ粉末800ｇ、２，６−ジ−ｔ−ブチル
−ｐ−クレゾール4.0ｇをメチルセロソルブア
セタート9200ｇに溶解し、0.2μのメンブランフ
イルターを用い、窒素加圧下に過し、１ガ
ラスビンに１ずつビンづめした。 (A)と同様に感度を測定した所、測定値は誤差
の範囲内で(A)の測定値と一致した。 レジスト溶液を厚さ１mmの石英板の上に2900
回転でスピンコートし、分光光度計にて紫外部
の吸収を測定した所、２，６−ジ−ｔ−ブチル
−ｐ−クレゾールの吸収が確認された。 この石英板を200℃で30分間プリベークし再
び紫外部の吸収を測定した所、２，６−ジ−ｔ
−ブチル−ｐ−クレゾールの吸収は消失し、(A)
の溶液をスピンコート後プリベークしたサンプ
ルの吸収と一致した。 ビンづめしたレジスト溶液を室温にて１年間
保存し、また他のビンを50℃にて２カ月保存し
たがいずれも溶液粘度に変化は見られなかつ
た。 実施例 ３〜30 下記の構造式で示される14種類のモノマ（〜
）と５種類のラジカル禁止剤（Ａ〜Ｅ）を用
い、表−１に示す組み合わせおよび条件で静置重
合を行なつた。得られたポリマおよびコポリマを
それぞれ実施例１および実施例２に準じて粉末
化、レジスト膜形成を行ない、膜厚、膜減り、感
度を測定し、結果を表−１に示した。 モノマの構造式

【式】 【式】

ラジカル禁止剤の構造式

【式】

【式】

【式】

【式】

なお表−１中、AIBN、BPOおよび〔η〕は
次のものをいう。 AIBN：アゾビスイソブチロニトリル BPO：過酸化ベンゾイル 〔η〕：極限粘度

【表】

【表】

〔発明の効果〕

本発明は上述のごとく構成したので、レジスト
溶液を長期間保存しても全く変質することがな
い。従つてレジスト溶液を保存後、再使用しても
常に半導体基板やマスク基板上に適正な膜厚を形
成することができるため良好なレジストパターン
を再現性よく、しかも経済的に得ることができる
利点がある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ポリ（フルオロアルキルα−クロロアクリラ
   ート）、有機溶媒およびラジカル禁止剤からなる
   ことを特徴とする感放射線レジスト組成物。 ２ ポリ（フルオロアルキルα−クロロアクリラ
   ート）が、ポリ（２，２，２−トリフルオロエチ
   ルα−クロロアクリラート）である特許請求の範
   囲第１項記載の感放射線レジスト組成物。 ３ フルオロアルキルα−クロロアクリラートと
   他のビニルモノマからなるコポリマ、有機溶媒お
   よびラジカル禁止剤からなることを特徴とする感
   放射線レジスト組成物。 ４ 他のビニルモノマが、メタクリル酸、メタク
   リロニトリル、ベンジルメタクリラート又はその
   ベンゼン環上に置換基を有する誘導体、ベンジル
   α−クロロアクリラート又はそのベンゼン環上に
   置換基を有する誘導体、フエニルメタクリラート
   又はそのベンゼン環上に置換基を有する誘導体、
   フエニルα−クロロアクリラート又はそのベンゼ
   ン環上に置換基を有する誘導体、スチレン又はそ
   のベンゼン環上に置換基を有する誘導体あるいは
   α−メチルスチレン又はそのベンゼン環上に置換
   基を有する誘導体の群から選ばれた１種である特
   許請求の範囲第３項記載の感放射線レジスト組成
   物。 ５ フルオロアルキルα−クロロアクリラートが
   ２，２，２−トリフルオロエチルα−クロロアク
   リラートである特許請求の範囲第４項記載の感放
   射線レジスト組成物。